JPS6129215A - Analog switching circuit - Google Patents

Analog switching circuit

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JPS6129215A
JPS6129215A JP14953884A JP14953884A JPS6129215A JP S6129215 A JPS6129215 A JP S6129215A JP 14953884 A JP14953884 A JP 14953884A JP 14953884 A JP14953884 A JP 14953884A JP S6129215 A JPS6129215 A JP S6129215A
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JP
Japan
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switch
voltage
field effect
switch input
input voltage
Prior art date
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JP14953884A
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Japanese (ja)
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Kazuo Watanabe
一雄 渡辺
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To widen dynamic range and make distortion of switch output voltage small by floating switch control voltage of a solid switching element of MOSFET etc. according to switch input voltage. CONSTITUTION:Switch control voltage phi1 that floats according to switch input voltage Vin is outputted from a modulating circuit 3. This switch control voltage phi1 is given to the gate of a switching MOSFET. As switch control coltage is floated according to switch input voltage, bias condition of FETS1 can be kept constant irrespective of amplitude of switch input voltage. Thus, switch input of large voltage amplitude can be transmitted faithfully always at a fixed condition. Accordingly, dynamic range can be widened, at the same time, distortion of switch output voltage can be made small.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、スイッチ回路技術さらにはアナログ・スイ
ッチ回路に適用して−に有効な技術に関するもので、た
とえば、MOS電界効果トランジスタなどの固体スイッ
チング素子を用いたアナログ・スイッチ回路に利用して
有効な技術に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention relates to a technology that is effective when applied to switch circuit technology and even analog switch circuits. This article relates to techniques that are effective for use in analog switch circuits.

〔背景技術〕[Background technology]

例えば、1975年10月20日にCQ出版社発行の実
用電子回路ハンドブック(21221〜227頁に記載
されているように、MOS電界効果トランジスタなどの
固体スイッチング素子を用いてアナログ・スイッチ回路
を構成することができる。
For example, as described in the Practical Electronic Circuit Handbook (pages 21221-227) published by CQ Publishing on October 20, 1975, analog switch circuits are constructed using solid state switching elements such as MOS field effect transistors. be able to.

このアナログ・スイッチ回路は、例えばサンプ′ルホー
ルド回路、チロツバ型増幅回路、スイッチドキャパシタ
・フィルタなど、非常に広範な用途がある。
This analog switch circuit has a wide range of applications, such as sample-and-hold circuits, Chirotsuba amplifier circuits, and switched capacitor filters.

しかしながら、MOS電界効果トランジスタなどの固体
スイッチング素子を用いたアナログ・スイッチ回路では
、そのスイッチ入力電圧の振幅が大きくなると、その振
幅の大きな入力電圧によって固体スイッチング素子のバ
イアス条件が大きく変動し、これによってスイッチ出力
電圧Voの波形に歪みが生じる、という問題が生じると
いうことが本発明者によって明らかとされた。
However, in analog switch circuits using solid-state switching elements such as MOS field-effect transistors, when the amplitude of the switch input voltage becomes large, the bias condition of the solid-state switching element fluctuates greatly due to the large-amplitude input voltage. The inventors have found that a problem arises in that the waveform of the switch output voltage Vo is distorted.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明の目的は、固体スイッチング素子のバイアス条
件をスイッチ入力電圧の振幅に拘らず一定に保てるよう
にすることによシ、大きな電圧振幅のスイッチ入力に対
しても、これを常に一定の条件でもって忠実に伝達でき
るようにし、これによりダイナミックレンジを広くする
ことができるとともに、スイッチ出力電圧の歪みを小さ
くすることができるようにしたアナログ・スイッチ回路
技術を提供するものである。
An object of the present invention is to maintain the bias condition of a solid-state switching element constant regardless of the amplitude of the switch input voltage. The present invention provides an analog switch circuit technology that enables faithful transmission, widens the dynamic range, and reduces distortion of the switch output voltage.

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、MOS電界効果トランジスタなどの固体スイ
ッチング素子のスイッチ制御電圧をスイッチ入力電圧に
応じて浮動させるようにすることにより、固体スイッチ
ング素子のバイアス条件をスイッチ入力電圧の振幅に拘
らず一定に保てるようにし、これによシ、大きな電圧振
幅のスイッチ入力信号に対しても、これを常に一定の条
件でもって忠実に伝達できるようにして、ダイナミック
レンジを広くすることができるとともに、スイッチ出力
電圧の歪みを小さくすることができるようにする、とい
う目的を達成するものである。
That is, by floating the switch control voltage of a solid state switching element such as a MOS field effect transistor in accordance with the switch input voltage, the bias condition of the solid state switching element can be kept constant regardless of the amplitude of the switch input voltage. This makes it possible to faithfully transmit even switch input signals with large voltage amplitudes under constant conditions, widening the dynamic range and reducing distortion of the switch output voltage. This achieves the purpose of making it possible to make it smaller.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の代表的な実施例を図面を参照しながら
説”明する。
Hereinafter, typical embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

なお、図面において同一符号は同一あるいは相描部分を
示す。
In the drawings, the same reference numerals indicate the same or similar parts.

第1図はこの発明によるアナログ・スイッチ回路の第1
実施例を示す。
FIG. 1 shows the first analog switch circuit according to the present invention.
An example is shown.

同図に示すアナログ・スイッチ回路は、サンプルホール
ド回路のテンブリング回路部に使用されている。このア
ナログ・スイッチ回路は、電圧によ°て導通制御される
固体′イ′チ′グ素子を用       1いて構成さ
れるものであって、上記固体スイッチング素子のスイッ
チ制御電圧φ1をスイッチ入力電圧Vin  に応じて
浮動させることを特徴とする。
The analog switch circuit shown in the figure is used in the tenbling circuit section of the sample and hold circuit. This analog switch circuit is constructed using a solid-state switching element whose conduction is controlled by voltage, and the switch control voltage φ1 of the solid-state switching element is set to the switch input voltage Vin. It is characterized by floating according to the

ことで、上記固体スイッチング素子としてはnチャンネ
ルMOS電界効果トランジスタS1が使用されている。
Therefore, an n-channel MOS field effect transistor S1 is used as the solid-state switching element.

アナログのスイッチ人力Vtnは、ボルテージフォロワ
1を介して上記スイッチ用MOSt界効果トランジスタ
S1のスイッチ入力側に与えられる。このスイッチ用M
OS電界効果トランジスタS1を経たスイッチ出力電圧
Voは、ホールド用コンデンサC1に印加される。そし
て、このホールド用コンデンサC1に一旦保持された電
圧がボルテージフォロワ2を介して出力されるようにな
っている。
The analog switch power Vtn is applied via the voltage follower 1 to the switch input side of the switch MOSt field effect transistor S1. M for this switch
The switch output voltage Vo passed through the OS field effect transistor S1 is applied to the hold capacitor C1. The voltage once held in this hold capacitor C1 is outputted via the voltage follower 2.

また、上記スイッチ用MOS電界効果トランジスタS1
のスイッチ制御電圧φ1を上記スイッチ入力電圧Win
  に応じて浮動させる手段として、変調回路3が設け
られている。この変調回路3は、npn  バイポーラ
トランジスタQll、Q21、定電流回路41、抵抗R
11、C−MOS(コンプリメンタリMOS)電界効果
トランジスタmlLm12などによって構成され、電源
Vcc によって動作する。この変調回路3は、スイッ
チ入力電圧Vin  を変調入力とし、サンプルホール
ドパルスφOを被変調入力とする。その出力からは、サ
ンプルホールドパルスφOの包絡線電圧をスイッチ入力
電圧Voによって変化させてなるスイッチ制御電圧φl
が出力される。つま夛、スイッチ入力電圧Vin  に
応じて浮動するスイッチ制御電圧φ1が出力される。こ
のスイッチ制御電圧φ1が上記スイッチ用MOS電界効
果トランジスタS1のゲートに与えられる。
In addition, the above-mentioned switch MOS field effect transistor S1
The switch control voltage φ1 is set as the switch input voltage Win
A modulation circuit 3 is provided as a means for floating in accordance with. This modulation circuit 3 includes npn bipolar transistors Qll and Q21, a constant current circuit 41, and a resistor R.
11. It is composed of a C-MOS (complementary MOS) field effect transistor mlLm12, etc., and is operated by the power supply Vcc. This modulation circuit 3 uses the switch input voltage Vin as a modulation input, and uses the sample and hold pulse φO as a modulated input. From the output, a switch control voltage φl is obtained by changing the envelope voltage of the sample and hold pulse φO depending on the switch input voltage Vo.
is output. In other words, a switch control voltage φ1 that floats depending on the switch input voltage Vin is output. This switch control voltage φ1 is applied to the gate of the switch MOS field effect transistor S1.

第2図は、第1図に示したアナログ・スイッチ回路の動
作例を波形チャートによって示す。
FIG. 2 shows an example of the operation of the analog switch circuit shown in FIG. 1 using a waveform chart.

第2図において、VpMは上記スイッチ入力電圧vin
  の最大値を、VpL はその最低値をそれぞれ示す
。vhは、上記スイッチ用MOS電界効果トランジスタ
S1を確実にON(導通)10FF(非導通)させるの
に必要かつ十分な電圧幅を示すO ここで、スイッチ用MOS電界効果トランジスタS1の
ゲートに与えられるスイッチ制御電圧φ1は、スイッチ
入力電圧Vin  に上記電圧幅Vhを加算した電圧(
Vin+Vh)となるように振幅制御される。すると、
スイッチ用MOS電界効果トランジスタS1のスイッチ
入力側に対する相対的なゲート電圧すなわち制御電圧の
幅は、例えば上記スイッチ入力電圧Vin が最大値V
pMをとるときでも、また最低値VpL をとるときで
も、常に一定の電圧幅vhに保たれる。これによシ、ス
イッチ用MOS電界効果トランジスタS1のバイアス条
件は、スイッチ入力電圧Vin  の変化に拘らず、ま
たその電圧Vin  が大きく振幅しても、常に一定に
保たれるようになる。この結果、スイッチ用MOS電界
効果トランジスタS1の導通状態つまシ伝達特性が常に
一定となって、大振幅のスイッチ入力電圧Vin  に
対しても、歪みのないスイッチ出力電圧■0が得られる
ようになる。
In FIG. 2, VpM is the switch input voltage vin
VpL indicates the maximum value, and VpL indicates the minimum value. vh indicates a voltage width that is necessary and sufficient to reliably turn ON (conducting) 10FF (non-conducting) the above-mentioned switch MOS field effect transistor S1. The switch control voltage φ1 is the voltage obtained by adding the above voltage width Vh to the switch input voltage Vin (
The amplitude is controlled so that it becomes (Vin+Vh). Then,
The width of the gate voltage, that is, the control voltage, relative to the switch input side of the switch MOS field effect transistor S1 is, for example, when the switch input voltage Vin is the maximum value V.
Even when taking pM or taking the lowest value VpL, the voltage width vh is always kept constant. As a result, the bias condition of the switching MOS field effect transistor S1 is always kept constant regardless of changes in the switch input voltage Vin and even if the voltage Vin has a large amplitude. As a result, the conduction state transfer characteristic of the switch MOS field effect transistor S1 is always constant, and a distortion-free switch output voltage 0 can be obtained even for a large amplitude switch input voltage Vin. .

なお、上記変調回路3の変調出力中の直流成分つtb上
記電圧幅Vhは、その回路3中に挿入したツェナーダイ
オードDllのツェナー電圧などを選ぶことによって任
意に設定することができる。
The voltage width Vh of the DC component tb in the modulated output of the modulation circuit 3 can be arbitrarily set by selecting the Zener voltage of the Zener diode Dll inserted in the circuit 3.

第3図は上記変調回路部分の別の実施例を示す。FIG. 3 shows another embodiment of the modulation circuit section.

同図に示すように、互いにレベルの異なる多数のスイッ
チ制御電圧φ1.φ1.・・・を必要とするような場合
は、npn  バイポーラトランジスタQn、抵抗Rn
、 C−MOS電界効果ト2ンジスl’m11、m21
を増設するだけでもって、必要なだけのスイッチ制御電
圧φ1.φ2.・・・を得ることができる。これによシ
、前述したアナログ・スイッチ回路を、例えばスイッチ
ドキャパシタ・フィルタなどのように多数のアナログ・
スイッチを使用する回路に適用する場合も、比較的少な
い部品点数の増加だけでもって対応することができる。
As shown in the figure, a large number of switch control voltages φ1. φ1. ..., npn bipolar transistor Qn, resistor Rn
, C-MOS field effect transistors l'm11, m21
By simply adding the switch control voltage φ1. φ2. ... can be obtained. This allows the aforementioned analog switch circuit to be replaced with a large number of analog switch circuits, such as switched capacitor filters.
Even when applied to a circuit using a switch, the present invention can be handled with a relatively small increase in the number of parts.

なお、第3図における抵抗Rn I Rn *・・・は
、各制御電圧φ1.φ1.・・・の振幅レベルをそれぞ
れ設定するためのものである。
Note that the resistors Rn I Rn *... in FIG. 3 are connected to each control voltage φ1. φ1. This is for setting the amplitude levels of...

第4図社この発明によるアナログ・スイッチ回路の第2
実施例を示す。
Figure 4: Second analog switch circuit according to this invention
An example is shown.

同図に示す実施例で゛は、前記固体スイッチング素子と
してpチャンネルMOS電界効果トランジ      
7スタS2を使用している。これに対応するため、変調
回路3は、基本的には第1図に示したものと同様に、バ
イポーラトランジスタQ12.Q22、定電流回路42
、ツェナーダイオードD12、抵抗R12、C−MOS
電界効果トランジスタm12+m22などによって構成
されているが、トランジスタQ12.Q22にpnp 
型のものが使用されている。そして、この場合は、第5
図に示すように、電源Vcc  を基準にして振幅する
スイッチ制御電圧φ2を出力するようになっている。
In the embodiment shown in the figure, a p-channel MOS field effect transistor is used as the solid state switching element.
I am using 7 star S2. To cope with this, the modulation circuit 3 is basically the same as that shown in FIG. 1, and includes bipolar transistors Q12. Q22, constant current circuit 42
, Zener diode D12, resistor R12, C-MOS
Although it is composed of field effect transistors m12+m22, etc., the transistor Q12. pnp in Q22
type is used. And in this case, the fifth
As shown in the figure, a switch control voltage φ2 having an amplitude with reference to the power supply Vcc is output.

第6図はこの発明によるアナログ・スイッチ回路の第3
実施例を示す。
FIG. 6 shows the third analog switch circuit according to the present invention.
An example is shown.

同図に示す実施例では、前記固体スイッチング素子とし
て、nチャンネルMO5電界効果トランジスタS1とp
チャンネルMOSt界効果トランジスタS2とを並列に
接続した、いわゆるC−MOSによるトランスミクシ9
ンゲートが使用されている。各スイッチ用MOS電界効
果トランジスタ81.S2はそれぞれ、変調回路3から
個々に与えられるスイッチ制御電圧φ1.φ2によって
導通制御される・ 変調回路3は、第7図に示すように、nチャンネルMO
S電界効果トランジスタS1のスイッチ制御電圧φ1と
、pチャンネルMOS電界効果トランジスタS2のスイ
ッチ制御電圧φ2とを互いに相補的に出力する。nチャ
ンネルMOS電界効果トランジスタS1をスイッチ制御
する部分は、第1図に示したのと同様であって、npn
  バイポーラトランジスタQll 、Q21 、Q2
4、定電流回路41、ツェナーダイオードDll、C−
MOS電界効果トランジスタmll+m21、抵抗R1
1などによって構成される。また、pチャンネルMOS
電界効果トランジスタS1をスイッチ制御する部分は、
第4図に示したのと同様であって、pnp  バイポー
ラトランジスタQl 2.Q22゜Q23、定電流回路
42、ツェナーダイオードD12、C−MOS電界効果
トランジスタm12゜m22、抵抗R12などによって
構成される。これによシ、両MOS電界効果トランジス
タSl。
In the embodiment shown in the figure, the solid-state switching elements include an n-channel MO5 field effect transistor S1 and a p-channel MO5 field effect transistor S1.
A so-called C-MOS transmixer 9 in which a channel MOS field effect transistor S2 is connected in parallel.
is used. MOS field effect transistor 81 for each switch. S2 are switch control voltages φ1 . The conduction is controlled by φ2. The modulation circuit 3 is an n-channel MO
The switch control voltage φ1 of the S field effect transistor S1 and the switch control voltage φ2 of the p channel MOS field effect transistor S2 are outputted complementary to each other. The part for controlling the switch of the n-channel MOS field effect transistor S1 is the same as that shown in FIG.
Bipolar transistors Qll, Q21, Q2
4, constant current circuit 41, Zener diode Dll, C-
MOS field effect transistor mll+m21, resistor R1
1 etc. Also, p-channel MOS
The part that switches and controls the field effect transistor S1 is
Similar to that shown in FIG. 4, a pnp bipolar transistor Ql 2. It is composed of Q22°Q23, a constant current circuit 42, a Zener diode D12, a C-MOS field effect transistor m12°m22, a resistor R12, and the like. Accordingly, both MOS field effect transistors Sl.

S2が共に一定のバイアス条件でもってON(導通)1
0FF(非導通)駆動されるようになっている。
Both S2 are ON (conducting) 1 under constant bias conditions.
It is designed to be driven to 0FF (non-conducting).

〔効果〕〔effect〕

(11MOS電界効果トランジスタなどの固体スイッチ
ング素子のスイッチ制御電圧をスイッチ入力電圧に応じ
て浮動させることによシ、固体スイッチング素子のバイ
アス条件をスイッチ入力電圧の振幅に拘らず一定に保つ
ことができ、これによシ、大きな電圧振幅のスイッチ入
力信号に対しても、これを常に一定の条件でもって忠実
に伝達でき、従って、スイッチ出力信号電圧の歪みを小
さくすることができる、という効果が得られる。
(By floating the switch control voltage of a solid state switching element such as a MOS field effect transistor according to the switch input voltage, the bias condition of the solid state switching element can be kept constant regardless of the amplitude of the switch input voltage. As a result, even switch input signals with large voltage amplitudes can be faithfully transmitted under constant conditions, and the distortion of the switch output signal voltage can therefore be reduced. .

(2)  これとともに、ダイナミックレンジを広くす
ることができる、という効果が得られる。
(2) Along with this, the effect of widening the dynamic range can be obtained.

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、この発明祉上記実施例に限定され
るものではなく、七の要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。例えば、上記固体ス
イッチング素子は接合製電界効果トランジスタあるいは
他の電圧制御屋スイッチング素子であってもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it is to be noted that this invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist of Section 7. Not even. For example, the solid state switching element may be a junction field effect transistor or other voltage controlled switching element.

〔利用分野〕[Application field]

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるサンプルホールド回
路用のアナログ・スイッチ技術に適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、例えば、
DBM(二重平衡変調器)などに使用されるアナログ・
スイッチ技術などにも適用できる。少なくともバイアス
条件によって伝達特性が変化するスイッチング素子を用
いる条件のものには適用できる。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to analog switch technology for sample-and-hold circuits, which is the background field of application, but the invention is not limited to this, for example,
Analog equipment used in DBM (double balanced modulator) etc.
It can also be applied to switch technology. It can be applied at least to conditions that use switching elements whose transfer characteristics change depending on bias conditions.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明によるアナログ・スイッチ回路の第1
実施例を示す回路図、 第2図は第1図に示した回路の動作例を示す波形チャー
ト、 第3図は第1図に示した回路一部分における他の例を示
す回路図、 第4図はこの発明によるアナログ・スイッチ回路の第2
実施例を示す回路図、               
1第5図は第4図に示した回路の動作例を示す波形チャ
ート、 第6図はこの発明によるアナログ・スイッチ回路の第3
実施例を示す回路図、 第7図は第6図に示した回路の動作例を示す波形チャー
トである。 81.82・・・固体スイッチング素子(MOS電、界
効果トランジスタ)、1.2・・・ボルテージ・フォロ
ワ、3・・・変調回路、41.42・・・定電流回路、
Dll、D12−・・ツェナーダイオード、m11゜m
12・・・nチャンネルMOS電界効果トランジスタ、
m 211m 22・・・pチャンネルMOS電界効果
トランジスタ、Qll、Qn・・・npn  バイポー
ラトランジスタ、Q12・・・pnp バイポーラトラ
ンジスタ、R11,R12,Rn−・・抵抗、Vin”
・入力信号電圧、φ0・・・サンプルホールドパルス、
φ1.φ2・・・スイッチ制御電圧、vo・・・スイッ
チ出力電圧、Vcc・・・電源。 第  1  図 第  3  図 第  4  図 第  5  図
FIG. 1 shows the first analog switch circuit according to the present invention.
2 is a waveform chart showing an example of the operation of the circuit shown in FIG. 1; FIG. 3 is a circuit diagram showing another example of a portion of the circuit shown in FIG. 1; FIG. is the second analog switch circuit according to the present invention.
A circuit diagram showing an example,
1. FIG. 5 is a waveform chart showing an example of the operation of the circuit shown in FIG. 4, and FIG. 6 is a waveform chart showing an example of the operation of the circuit shown in FIG.
Circuit Diagram Showing the Embodiment FIG. 7 is a waveform chart showing an example of the operation of the circuit shown in FIG. 81.82... Solid state switching element (MOS electric, field effect transistor), 1.2... Voltage follower, 3... Modulation circuit, 41.42... Constant current circuit,
Dll, D12-... Zener diode, m11゜m
12...n-channel MOS field effect transistor,
m 211m 22...p channel MOS field effect transistor, Qll, Qn...npn bipolar transistor, Q12...pnp bipolar transistor, R11, R12, Rn-...resistance, Vin"
・Input signal voltage, φ0...sample hold pulse,
φ1. φ2...Switch control voltage, vo...Switch output voltage, Vcc...Power supply. Figure 1 Figure 3 Figure 4 Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、電圧によって導通制御される固体スイッチング素子
を用いて構成されるアナログ・スイッチ回路であって、
上記固体スイッチング素子のスイッチ制御電圧をスイッ
チ入力電圧に応じて浮動させるようにしたことを特徴と
するアナログ・スイッチ回路。 2、上記固体スイッチング素子がMOS電界効果トラン
ジスタであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のアナログ・スイッチ回路。
[Claims] 1. An analog switch circuit configured using a solid-state switching element whose conduction is controlled by voltage,
An analog switch circuit characterized in that the switch control voltage of the solid state switching element is floated according to the switch input voltage. 2. The analog switch circuit according to claim 1, wherein the solid state switching element is a MOS field effect transistor.
JP14953884A 1984-07-20 1984-07-20 Analog switching circuit Pending JPS6129215A (en)

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JP14953884A JPS6129215A (en) 1984-07-20 1984-07-20 Analog switching circuit

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02252312A (en) * 1989-02-28 1990-10-11 Precision Monolithics Inc Jfet analog switch eqipped with gate current control
JPH0431045U (en) * 1990-07-09 1992-03-12
JP2006211265A (en) * 2005-01-27 2006-08-10 Tdk Corp Semiconductor switching circuit and receiving system
JP2008301144A (en) * 2007-05-31 2008-12-11 Hitachi Ltd Analog switch

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