SU1647873A1 - Hysteretic section - Google Patents

Hysteretic section Download PDF

Info

Publication number
SU1647873A1
SU1647873A1 SU884633488A SU4633488A SU1647873A1 SU 1647873 A1 SU1647873 A1 SU 1647873A1 SU 884633488 A SU884633488 A SU 884633488A SU 4633488 A SU4633488 A SU 4633488A SU 1647873 A1 SU1647873 A1 SU 1647873A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
transistor
current
output
base
Prior art date
Application number
SU884633488A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Валерий Николаевич Иванов
Вадим Валерьевич Иванов
Виктор Александрович Стрик
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1381
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1381 filed Critical Предприятие П/Я А-1381
Priority to SU884633488A priority Critical patent/SU1647873A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1647873A1 publication Critical patent/SU1647873A1/en

Links

Landscapes

  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в интегральных преобразовател х ток - частота, нелинейных преобразовател х ток - частота , нелинейных устройствах автоматики. Цель изобре ени  - повышение быстродействи  и расширение области применени . Цель достигаетс  за счет совместного действи  положительной обратной св зи по дифференциальному току через транзисторы 1, 2,5, 6 и отрицательной обратной св зи по синфазному току через транзисторы 5, 6, 7 и резисторы 10, 11. Выход осуществл етс  с помощью дифференциального каскада на транзисторах 8, 9 и за счет исключени  состо ни  насыщени  транзисторов. 1 ил.The invention relates to a pulse technique and can be used in integrated current-frequency converters, non-linear current-frequency converters, non-linear automation devices. The purpose of the invention is to increase speed and expand the scope. The goal is achieved by the joint action of positive feedback on the differential current through transistors 1, 2.5, 6 and negative feedback on the common-mode current through transistors 5, 6, 7 and resistors 10, 11. The output is carried out using a differential stage transistors 8, 9 and by eliminating the saturation state of the transistors. 1 il.

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть применено в интегральных преобразовател х ток - частота, нелинейных устройствах автоматики, ши- ротно-импульсных модул торах.The invention relates to a pulse technique and can be applied in integrated current-frequency converters, non-linear automation devices, and pulse-width modulators.

Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи  за счет исключени  состо ни  насыщени  транзисторов, точности и расширение области применени  за счет управл емости порогом переключени .The aim of the invention is to increase the speed by eliminating the saturation state of the transistors, the accuracy and the expansion of the application area due to the controllability of the switching threshold.

Сущность изобретени  по сн етс  чертежом .The invention is illustrated in the drawing.

Устройство содержит транзисторы 1-9, резисторы 10, 11, источники 12-14 тока, первую шину 15 питани , входные шины 16, 17, вторую шину 18 питани  и выходные шины 19, 20. При этом эмиттеры транзисторов 1 и 2 соединены друг с другом, с базами транзисторов 3, 4 и с первым выводом источника 12 тока, эмиттеры транзисторов 3, 4 соединены с первой шиной 15 питани  и с вторыми выводами источников 12, 14 тока. База транзистора 1 соединена с базой транзистора 9, коллектором транзистора 3 и зм- митером транзистора 6. База транзистора 2 соединена с базой транзистора 8. коллектором транзистора 4 и эмиттером транзистора 5. Коллектор транзистора 1 соединен с базой транзистора 5, первым выводом рези- CTOpj 10 и входной шиной 16. Коллектор транзистора 2 соединен с базой транзистора 6, первым выводом резистора 11 и с шиной 17. Вторые выводы резисторов 10, 11 соединены с эмиттером транзистора 7. Коллекторы транзисторов 5, 6 соединены с базой транзистора 7 и с первым выводом источника 13 тока. Коллектор транзистора 7 соединен с вторым выводом источника 13 тока и шиной 18 питани . Эмиттеры транзисторов 8, 9 соединены с первым выводом источника 14 тока. Коллекторы транзисторов rf, 9 соединены с выходными шинами 19, 20 устройства. Номиналы резисторов 10, 11 равны.The device contains transistors 1-9, resistors 10, 11, current sources 12-14, first power bus 15, input buses 16, 17, second power bus 18 and output buses 19, 20. At the same time, the emitters of transistors 1 and 2 are connected to each other. the other, with the bases of the transistors 3, 4 and with the first output of the current source 12, the emitters of the transistors 3, 4 are connected to the first power supply bus 15 and with the second terminals of the current sources 12, 14. The base of the transistor 1 is connected to the base of the transistor 9, the collector of transistor 3 and the transistor of the transistor 6. The base of the transistor 2 is connected to the base of the transistor 8. the collector of transistor 4 and the emitter of the transistor 5. The collector of transistor 1 is connected to the base of transistor 5, the first output of transistor CTOpj 10 and the input bus 16. The collector of the transistor 2 is connected to the base of the transistor 6, the first terminal of the resistor 11 and the bus 17. The second terminals of the resistors 10, 11 are connected to the emitter of the transistor 7. The collectors of the transistors 5, 6 are connected to the base of the transistor 7 and the first terminal 13 m current source. The collector of the transistor 7 is connected to the second terminal of the current source 13 and the power line 18. The emitters of transistors 8, 9 are connected to the first output of current source 14. The collectors of transistors rf, 9 are connected to the output buses 19, 20 of the device. The values of resistors 10, 11 are equal.

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

Транзисторы 1, 2, 5 и 6 образуют контур положительной обратной св зи, который может находитьс  в одном из двух устойчивых состо ний: открыт транзистор 1, ток источника 12 протекает через него, резистор 10 и транзистор 7, либо открыт транзисторTransistors 1, 2, 5, and 6 form a positive feedback circuit that can be in one of two stable states: transistor 1 is open, current of source 12 flows through it, resistor 10 and transistor 7, or transistor

ОABOUT

4 -vj4 -vj

00 vj00 vj

СОWITH

2, ток источника 12 Н2 протекает через него и резистор 11. При этом токи коллекторов транзисторов 5, 6, 3, А одинаковы и равны Из/2 (если пренебречь величиной базовых токов). Соответственно если открыт транзистор 1, то ток источника 14 протекает через транзистор 9 и выходную шину 20, если открыт транзистор 2 - через транзистор 8 и шину 19. В любом из устойчивых положений ни один из транзисторов не насыщен (при условии, что разность падений напр жени  на резисторах не превосходит напр жени  эмиттер - база транзисторов).2, the current of the source 12 H2 flows through it and the resistor 11. In this case, the collector currents of the transistors 5, 6, 3, A are the same and equal From / 2 (if we ignore the value of the base currents). Accordingly, if transistor 1 is open, current of source 14 flows through transistor 9 and output bus 20, if transistor 2 is open through transistor 8 and bus 19. In any of the stable positions, none of the transistors is saturated (assuming that the difference in incidence drops resistors do not exceed the voltage of the emitter - base transistors).

Контур синфазной отрицательной обратной св зи через коллекторы транзисторов 5, 6, транзистор 7 и резисторы 10, 11 компенсирует изменени  синфазного входного тока и тока Н2.The common-mode negative feedback loop through the collectors of transistors 5, 6, transistor 7 and resistors 10, 11 compensates for changes in the common-mode input current and current H2.

Переключение звена из одного положени  в другое происходит при подаче дифференциального входного тока через входные шины 16, 17 в момент, когда Л1вх 112.Switching the link from one position to another occurs when the differential input current is supplied through the input buses 16, 17 at the time when M1, x112.

Это происходит следующим образом. Пусть в начальный момент открыт транзистор 1. Начинают увеличивать ток через шину 17. При этом ток через резистор 11 увеличиваетс , уменьшаетс  потенциал базы транзистора б и соответственно, поскольку токи транзисторов 6, 5 равны токам транзисторов 3,4 а те. в свою очередь, друг другу, увеличиваетс  потенциал базы транзистора 2 благодар  действию синфазной обратной св зи через транзистор 7. В момент , когда потенциал базы транзистора 2 превзойдет потенциал базы транзистора 1, т.е. при 112, произойдет лавинообразное переключение дифференциального каскада на транзисторах 1, 2 вследствие действи  положительной обратной св зи. Одновременно переключитс  каскад на транзисторах 8, 9 и ток источника начнет протекать через выходную шину 19. Аналогичным образом происходит переключение в противоположном направлении.This happens as follows. Let the transistor 1 be opened at the initial moment. They begin to increase the current through the bus 17. At the same time, the current through the resistor 11 increases, the potential of the base of the transistor b decreases and, respectively, since the currents of transistors 6, 5 are equal to currents of transistors 3,4 and those. in turn, each other, the potential of the base of transistor 2 increases due to the in-phase feedback through transistor 7. At the moment when the base potential of transistor 2 exceeds the base potential of transistor 1, i.e. at 112, an avalanche-like switching of the differential stage in transistors 1, 2 will occur due to the action of positive feedback. At the same time, the cascade in the transistors 8, 9 is switched and the source current begins to flow through the output bus 19. In the same way, switching occurs in the opposite direction.

Таким образом, при работе звена ни один транзистор не попадает в состо ние насыщени  (при условии 2 H2Rio 0,6 В), токи открытых транзисторов расчетны и задаютс  источниками 12-14 тока, Это гарантирует отсутствие задержек при переключении и позвол ет использоватьThus, during the operation of the link, no transistor enters the saturation state (under the condition of 2 H2Rio 0.6 V), the currents of the open transistors are calculated and are set by sources 12-14 of current. This ensures that there are no delays in switching and allows

транзисторы в режимах, при которых они обладают наибольшим быстродействием. Порог переключени  звена с точностью до коэффициента усилени  транзисторов 1, 2,transistors in the modes in which they have the highest speed. The switching threshold of the link with an accuracy of the gain of the transistors 1, 2,

5, 6 по току задаетс  источником 12 тока. Выходной ток также задан источником 14 тока. Ток Из позвол ет оптимизировать быстродействие звена.5, 6 current is set by current source 12. The output current is also set by the current source 14. The current From allows to optimize the speed of the link.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Гистерезисное звено, содержащее пер вый и второй транзисторы, коллекторы которых подключены к первым выводам соответственно первого и второго резисторов, входные и выходные шины, отличающее с   тем, что. с целью повышени  быстродействи , повышени  точности и расширени  области применени  за счет обеспечени  управл емости порогом переключени , введены третий, четвертый, п тый , шестой, седьмой, восьмой и дев тый транзисторы, первый, второй третий источники тока, причем эмиттеры первого и второго транзисторов соединены друг с другом, с базами третьего и четвертого транзисторов и с первым выводом первого источника тока, эмиттеры третьего и четвертого транзисторов соединены друг с другом, вторым выводом первого и третьего источников тока и с первой шиной питани , база первого транзистора соединена с коллектором третьего, базой дев того и эмиттером шестого транзисторов, база второго транзистора соединена с базой восьмого, коллектором четвертого и эмиттером п тогоThe hysteresis element containing the first and second transistors, the collectors of which are connected to the first terminals of the first and second resistors, respectively, are input and output buses that differ from the fact that. in order to increase speed, increase accuracy and expand the application area by providing controllability of the switching threshold, the third, fourth, fifth, sixth, seventh, eighth and ninth transistors, the first, the third third current sources, and the emitters of the first and second transistors are introduced connected to each other, to the bases of the third and fourth transistors and to the first output of the first current source, the emitters of the third and fourth transistors are connected to each other, the second output of the first and third current sources and with the first power bus, the base of the first transistor is connected to the collector of the third, the base of the ninth and emitter of the sixth transistor, the base of the second transistor is connected to the base of the eighth, collector of the fourth and emitter of the fifth транзисторов, эмиттеры восьмого и дев того транзисторов соединены с первым выводом третьего источника тока, коллекторы соответстенно с первой и второй выходными шинами устройства, коллекторы первогоtransistors, emitters of the eighth and ninth transistors are connected to the first output of the third current source, collectors, respectively, with the first and second output buses of the device, collectors of the first и второго транзисторов соединены с базами соответственно п того и шестого транзисторов , с первой и второй входными шинами устройства, вторые выводы резисторов соединены с эмиттером седьмого транзистора , коллекторы п того и шестого транзисторов соединены друг с другом, с базой седьмого транзистора и с первым выводом второго источника тока, коллектор седьмого транзистора соединен с вторым выводомand the second transistors are connected to the bases of the fifth and sixth transistors respectively, to the first and second input buses of the device, the second terminals of the resistors are connected to the emitter of the seventh transistor, the collectors of the fifth and sixth transistors are connected to each other, to the base of the seventh transistor and to the first output of the second current source, the collector of the seventh transistor is connected to the second output второго источника тока и второй шиной питани .a second current source and a second power bus. J3J3 Ш -o +W-o + CFu.CFu. -a-a
SU884633488A 1988-12-01 1988-12-01 Hysteretic section SU1647873A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884633488A SU1647873A1 (en) 1988-12-01 1988-12-01 Hysteretic section

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884633488A SU1647873A1 (en) 1988-12-01 1988-12-01 Hysteretic section

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1647873A1 true SU1647873A1 (en) 1991-05-07

Family

ID=21421025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884633488A SU1647873A1 (en) 1988-12-01 1988-12-01 Hysteretic section

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1647873A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US N 4498020, кл. НОЗ К 13/01, 05 02.85. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4274014A (en) Switched current source for current limiting complementary symmetry inverter
US5319265A (en) Comparator with hysteresis
KR920020847A (en) Sample Band-Gap Voltage Reference Circuit
US4677315A (en) Switching circuit with hysteresis
KR970031232A (en) GAIN CONTROLLED AMPLIFICATION CIRCUIT HAVING DIFFERENTIAL AMPLIFIER
US4706013A (en) Matching current source
JP4014383B2 (en) High precision differential switched current source
US3509362A (en) Switching circuit
SU1647873A1 (en) Hysteretic section
JPH02309706A (en) Voltage/current converting circuit with output switching function
JPS6382119A (en) Comparator
SU1725377A1 (en) Pulse-frequency modulator
KR900015449A (en) Reactance control circuit
JPH02177724A (en) Output buffer circuit
SU896751A1 (en) Power amplifier
JPH0543533Y2 (en)
SU1749887A1 (en) Controlled resistor
SU1443160A1 (en) Voltage switching device
JPH0239681A (en) Signal mixing circuit
SU1589374A1 (en) Low frequency power amlifyer
SU1499427A1 (en) Pushpull pulsed amplifier
JPH02163808A (en) Constant current supply circuit
JPH029729B2 (en)
RU1838876C (en) Differential current amplifier
SU1721819A1 (en) Current pulse generator