JPS61288143A - Surface inspecting device - Google Patents

Surface inspecting device

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Publication number
JPS61288143A
JPS61288143A JP12979385A JP12979385A JPS61288143A JP S61288143 A JPS61288143 A JP S61288143A JP 12979385 A JP12979385 A JP 12979385A JP 12979385 A JP12979385 A JP 12979385A JP S61288143 A JPS61288143 A JP S61288143A
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JP
Japan
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light
wafer
inspection
inspected
laser light
Prior art date
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Pending
Application number
JP12979385A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Sasaki
賢司 佐々木
Masahiko Mochizuki
望月 政彦
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS61288143A publication Critical patent/JPS61288143A/en
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Abstract

PURPOSE:To detect a surface defect at a high speed with high precision by projecting incident light linearly on the surface of a body t be inspected such as a wafer by using a cylindrical lens, converting reflected light from the surface into an electric signal, and processing the signal. CONSTITUTION:The wafer 1 is placed on a turntable 20 and rotated. Laser light 11 emitted by a light source 9 is passed through a polarizing prism 13 and converted into circular polarized luminous flux 14 by a 1/4lambda plate 15. This light is converged by an optical system 16 and projected on the wafer 1 as linear laser light through the cylindrical lens 17. At this time, the linear laser light 4 is controlled to the radius of the wafer 1 in its radial direction and scanned over the entire surface of the rotating wafer 1. Its reflected light is photodetected and converted photoelectrically by a photoelectric converting part 7 and an arithmetic control part 8 detects a defect from the output of the projection position. Thus, not spot light, but the linear laser light is projected and scanned, so the speed of the inspection is increased.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は1例えば半導体ウェーハなどの表面欠陥の自動
検出に好適する表面検査装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a surface inspection apparatus suitable for automatically detecting surface defects of, for example, semiconductor wafers.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

従来1例えば半導体装置用のシリコンウェーノ)等の表
面検査は作業者の目視による方法がほとんどであった。
Conventionally, the surface inspection of silicon wafers for semiconductor devices, etc., has mostly been carried out by visual inspection by an operator.

そこで、最近、光の反射光を利用した各種のウェー八表
面検査装置が、開発、市販されている。これらの装置の
検出原理は、第4図に示すように被検査物(A)表面に
白色光源又はレーザの光源(B)から光ビーム(C)を
スポット状に照射し表面からの正反射光(D)および散
乱光(E)を光電変換器(F)によシ検出し、その出力
電圧に対して、1個あるいは複数のスレッショルドレベ
ルを設定し、ゴミ、傷等の欠陥を検出し、大きさの分類
を行うものである。
Therefore, various wafer surface inspection devices that utilize reflected light have recently been developed and commercially available. As shown in Figure 4, the detection principle of these devices is that a white light source or a laser light source (B) irradiates the surface of the object to be inspected (A) with a light beam (C) in a spot shape, and specularly reflected light from the surface is detected. (D) and scattered light (E) are detected by a photoelectric converter (F), one or more threshold levels are set for the output voltage, and defects such as dust and scratches are detected, This is to classify the size.

しかるに、従来の検査方法は、レーザ光をスポット状に
投射するものであるため、シリコンウェーハ全面を検査
する場合、レーザ光の走査に時間がかかり、検査能率が
低くなる欠点をもっている。
However, since the conventional inspection method projects a laser beam in the form of a spot, it takes time to scan the laser beam when inspecting the entire surface of a silicon wafer, which reduces inspection efficiency.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は、上記事情を顧慮してなされたもので。 The present invention has been made in consideration of the above circumstances.

高速かつ高精度で表面欠陥を検出することのできる表面
検査装置を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a surface inspection device that can detect surface defects at high speed and with high precision.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

被検査表面に入射光を円柱レンズを用いて線状に投射し
、このときの被検査表面からの反射光に基づいて5表面
欠陥の存否の判定を行うようにしたものである。
Incident light is linearly projected onto the surface to be inspected using a cylindrical lens, and the presence or absence of five surface defects is determined based on the reflected light from the surface to be inspected at this time.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下1本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。 An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

第1図は、この実施例の表面検査装置を示している。こ
の表面検査装置は、ウェーノ〜(1)を真空吸着して矢
印(2)方向に回転駆動する被検査物保持部(3)と、
ウェーハ(1)に線状のレーザ光(4)を投射する光投
射部(5)と、レーザ光(4)を入射したウェーハ(1
)からの反射光(6)を入射して受光量に対応する電気
信号に変換する光電変換部(力と、この光電変換部(7
)から出力された電気信号に基づいてウェーノ(1)の
表面欠陥(例えば、傷、シミ、ゴミ等)の存否を判定す
るマイクロコンピュータを本体とする演算制御部(8)
とから構成されている。しかして、光投射部(5)は1
例えば半導体レーザ装’R、He −Ne (ヘリウム
−ネオン)レーザ装置などの光源(9)と、この光源(
9)から出光したレーザ光(IIJを拡径した平行なレ
ーザ光αυにする例えばコリメータレンズと凸レンズと
の組合せからなる第1の光学系(12と、この第1の光
学系αりから出光したレーザ光(1υを入光して平行偏
光のみを透過させる偏光プリズムOjと。
FIG. 1 shows the surface inspection apparatus of this embodiment. This surface inspection device includes an inspection object holding section (3) that vacuum-chucks Waeno (1) and rotates it in the direction of arrow (2);
A light projection unit (5) that projects a linear laser beam (4) onto the wafer (1), and a wafer (1) that projects the laser beam (4) onto the wafer (1).
) and converts the reflected light (6) from the photoelectric converter (7) into an electrical signal corresponding to the amount of received light.
) A calculation control unit (8) whose main body is a microcomputer that determines the presence or absence of surface defects (e.g., scratches, stains, dust, etc.) on the Waeno (1) based on the electrical signals output from the
It is composed of. Therefore, the light projection section (5) has 1
For example, a light source (9) such as a semiconductor laser device, a He-Ne (helium-neon) laser device, and this light source (
A first optical system (12) consisting of a combination of a collimator lens and a convex lens, for example, converts the laser beam (IIJ) emitted from the laser beam (IIJ) into a parallel laser beam αυ with an enlarged diameter. A polarizing prism Oj that receives laser light (1υ) and transmits only parallel polarized light.

この偏光プリズム(1階を出光した平行(1揚光を右回
り円偏光光束αaに変換する1/4λ2(1−!9と、
この1/4λ板(L′5を透過した円偏光元来α荀を集
束させる凸レンズ(図示せず)などからなる第2の光学
系(10と。
This polarizing prism (1/4λ2 (1-!9) converts the parallel light emitted from the first floor into a clockwise circularly polarized light flux αa,
A second optical system (10) includes a convex lens (not shown) that focuses the circularly polarized light originally transmitted through the 1/4λ plate (L'5).

この第2の光学系(1eにより集束された円偏光光束I
を入光してウェーハ(1)に直線状にレーザ光(4)を
投射する円柱レンズαηとから構成されている。上記偏
光プリズム(1■は、プリズム中央の境界面ば誘電体薄
膜08がコーティングされている。この誘電体薄膜(1
8は、平行偏光入射光束は全く反射されずずに100カ
透過し、逆に垂直偏光光束は、全反射されるようになっ
ている。一方、光電変換部(7)は。
This second optical system (circularly polarized light flux I focused by 1e
and a cylindrical lens αη for projecting laser light (4) linearly onto the wafer (1). The polarizing prism (1) has a dielectric thin film 08 coated on the boundary surface at the center of the prism.
8, parallel polarized incident light beams are transmitted through 100 directions without being reflected at all, whereas vertically polarized light beams are totally reflected. On the other hand, the photoelectric conversion section (7).

ウェーハ(1)にて反射した右回り円偏光をなす反射光
(6)を受光する1次元ラインセンサであって、1次元
的に配列された複数の受光素子(7a)・・・よりなる
(第3図参照)。すなわち1反射光(6)は1円柱レン
ズ(17)及び第2の光学系(16)を経由して、再び
1/4λ板(1ツに入光すると垂直偏光光束に変換され
る。したカニって、1/4λ板09を出光した反射光(
6)は、偏光プリズム0(にて、レーザ光(11)の光
路に直交する矢印(11方向に全反射する。この全反射
した反射光(6)を受光する位置に上記光電変換部(力
が。
A one-dimensional line sensor that receives right-handed circularly polarized reflected light (6) reflected from a wafer (1), and is composed of a plurality of light-receiving elements (7a) arranged one-dimensionally ( (See Figure 3). In other words, one reflected light (6) passes through one cylindrical lens (17) and a second optical system (16), and is converted into a vertically polarized light beam when it enters the 1/4 λ plate (1). Therefore, the reflected light emitted from the 1/4λ plate 09 (
The polarizing prism 0 (6) totally reflects the laser beam (11) in the direction of the arrow (11) perpendicular to the optical path. but.

配設されている。この反射光(6)は、レーザ光(4)
に対応して、光路に直交する面で直線状となっているの
で、この光電変換部(7)は、直線状の受光部の長手方
向とレーザ光(4)の受光部における長手方向が一致す
るように設定されている。さらに、上記演算制御部(8
)l”j 、検査結果を表示するための例えばブラウン
管などからなる表示部(8a)に接続されている。一方
、被検査物保持部(3)は、上面に複数の真空吸着孔が
開口してウヱーノ・(1)を同軸的に載置する円板状の
回転テーブル(至)と、この回転テーブル翰を回転させ
るステッピングモータC(1)と、このステッピングモ
ータ(21)の回転軸に取付けられ回転テーブル(イ)
の回転角を示す回転角信号Sθを出力スルロータリエン
コーダ@とからなっている。
It is arranged. This reflected light (6) is a laser beam (4)
Corresponding to this, the photoelectric conversion unit (7) is linear in the plane perpendicular to the optical path, so the longitudinal direction of the linear light receiving part and the longitudinal direction of the laser beam (4) in the light receiving part match. is set to. Furthermore, the arithmetic control section (8
) l"j is connected to a display section (8a), such as a cathode ray tube, for displaying the inspection results. On the other hand, the inspection object holding section (3) has a plurality of vacuum suction holes opened on the top surface. A disc-shaped rotary table (to) on which the Tewino (1) is placed coaxially, a stepping motor C (1) that rotates the rotary table top, and a stepping motor (21) attached to the rotating shaft of the stepping motor (21). Rotating table (a)
The rotary encoder outputs a rotation angle signal Sθ indicating the rotation angle of the rotary encoder.

しかして、上記構成の表面検査装置において。However, in the surface inspection apparatus having the above configuration.

まず、ウェーハ(1)を回転テーブル(21にほぼ同軸
となるように吸着・固定する。ついで、光源(9)より
レーザ光αQを発振させる。すると、このレーザ光は、
第1の光学系(1カにて拡径した平行光束をなすレーザ
光αυに変換される。しかして、このレーザ光αυは、
平行偏光であるので、偏光プリズム0(を透過し、さら
に1/4λ板α9を経て円偏光光束Iに変換される。そ
して、この円偏光光束(14)は、第2の光学系<te
及び円柱レンズ(17>によシ、第2図に示すように、
直線状にウェーハ(1)にレーザ光(4)として投射さ
れる。ここで、レーザ光(4)の長さは、ウェーハ(3
)の径とほぼ等しく、かつ長手方向がウェーハ(3)の
径方向になるように設定しておく。しかして、−r、チ
クピングモータt21)を起動して1回転テーブル(2
1を矢印(2)方向に回転させる。すると、ウェーハ(
1)の全面が入射光(4)にて走査される。この走査期
間中において、ウェーハ(1)にて反射された正反射光
をなす反射光(6)は、前述したように1円柱レンズ(
17)、第2の光学系α→、1/4λ板u9を経由して
First, the wafer (1) is attracted and fixed to the rotary table (21) so that it is almost coaxial. Next, the laser beam αQ is oscillated from the light source (9). Then, this laser beam
The first optical system (1 unit) converts the laser beam αυ into a parallel beam with an expanded diameter.
Since it is parallel polarized light, it passes through polarizing prism 0 (and is converted into circularly polarized light flux I through 1/4λ plate α9. Then, this circularly polarized light flux (14) is transmitted through polarizing prism 0 (14).
and a cylindrical lens (17), as shown in Figure 2,
The laser beam (4) is projected onto the wafer (1) in a straight line. Here, the length of the laser beam (4) is the length of the wafer (3
), and the longitudinal direction is set to be the radial direction of the wafer (3). -r, the chipping motor t21) is started, and the one-turn table (2
1 in the direction of arrow (2). Then, the wafer (
1) is scanned by the incident light (4). During this scanning period, the reflected light (6), which is specularly reflected light reflected by the wafer (1), is reflected by one cylindrical lens (
17), second optical system α→, via 1/4λ plate u9.

偏光プリズム(13に入光すると、矢印α」方向に全反
射し2.光電変換器(7)にて受光される。一方、ロー
タリエンコーダe23からは、上記回転角信号Sθが演
算制御部(8)に出力される。しかして、との光電変換
器(7)からは、第3図に示すように、受光量に対応し
た出力電圧を有する検出信号SAが演算制御部(8)に
出力される。ところで、この検出信号SAは、第3図に
示すように、走査処理により、順次、各受光素子(7a
)・・・から出力されたものであυ、これら各受光素子
(7a)・・・は、それぞれ、レーザ光(4)の投射位
置、つまりウェーハ(1)の径方向位置を示している。
When light enters the polarizing prism (13), it is totally reflected in the direction of arrow α'' and is received by the photoelectric converter (7).On the other hand, the rotation angle signal Sθ is transmitted from the rotary encoder e23 to the calculation control unit (8 ).As shown in FIG. 3, the photoelectric converter (7) outputs a detection signal SA having an output voltage corresponding to the amount of received light to the arithmetic control section (8). By the way, as shown in FIG. 3, this detection signal SA is sequentially applied to each light receiving element (7a
)..., and each of these light receiving elements (7a)... indicates the projection position of the laser beam (4), that is, the radial position of the wafer (1).

かくて、もし、第3図に示すように、ウェーハ(1)上
に、ごみ(24)が存在しているとすると。
Thus, if dirt (24) is present on the wafer (1) as shown in FIG.

ごみ(ロ)の部分に投射されたレーザ光(4)は、ごみ
C41により拡散反射するため5他の部分よυも正反射
する割合が少なくなる。その結果。検出信号8Aも。
Since the laser beam (4) projected onto the part of the dust (b) is diffusely reflected by the dust C41, the proportion of specular reflection 5 is lower than that of other parts. the result. Detection signal 8A too.

ごみC滲に相当する部分の出力電圧のレベルが低下する
。したがって、閾値vTと検出信号shを演算制御部(
8)にて比較することによりごみf24)の存在を検出
することうぶてきる。そして、ごみ(2心のウェーハ(
1)の周方向位置は、回転角信号Sθにより、また。
The level of the output voltage in the portion corresponding to the dirt C seepage decreases. Therefore, the threshold value vT and the detection signal sh are calculated by the calculation control unit (
By comparing in 8), it is possible to detect the presence of garbage f24). And garbage (two-core wafer (
The circumferential position in 1) is also determined by the rotation angle signal Sθ.

ごみQ滲のウェーハ(1)の半径方向の位置は、受光素
子(7a)・・・を駆動する同期信号を利用して特定す
ることができる。しかして、ウェーハ(1)の表面欠陥
検査結果は1表示部(8a)にて表示される。
The radial position of the wafer (1) where the dirt Q has oozed out can be specified using a synchronization signal that drives the light receiving elements (7a). Thus, the surface defect inspection result of the wafer (1) is displayed on the 1 display section (8a).

このように、この実施例の表面検査装置は、ウェーハ(
3)に対してレーザ光(4)が線状に投影され。
In this way, the surface inspection device of this embodiment can be used for wafers (
A laser beam (4) is projected linearly onto the target 3).

かつその線状方向がウェーハ(1)の半径方向になるよ
うに設定され、さらにまた線状の反射光(6)を1次元
イメージセンサにより受光するようにしているので、走
査処理を迅速に行うことができるようになる結果、検査
速度が高速化する。
Moreover, the linear direction is set to be the radial direction of the wafer (1), and the linear reflected light (6) is also received by a one-dimensional image sensor, so that scanning processing is performed quickly. As a result, inspection speed becomes faster.

なお、上記実施例におけ仝光電変換器(l■として。In addition, in the above embodiment, the photoelectric converter (1) is used.

CCD (Charye Coupled Devic
e ) 、分割型ホトタイオードを用いてもよい。さら
に、光電変換器肋)を2値化回路に接続し、ハード的に
検出処理を行うようにしてもよい。さらに、欠陥検出対
象として。
CCD (Charlie Coupled Device
e) A split photodiode may be used. Furthermore, the photoelectric converter may be connected to a binarization circuit to perform the detection process using hardware. Furthermore, as a target for defect detection.

シリコンウェーハmK限ることなく1例えばビデオディ
スクの欠陥(例えばくぼみなど)検出にも適用できる。
The present invention is not limited to silicon wafers, and can also be applied to detect defects (eg, dents, etc.) in video discs, for example.

このビデオディスクの表面検査を行う場合は1反射光を
利用してホーカシング制御を行い、レーザ光(4)の焦
点位置を適正にするようにしてもよい。捷た。偏光プリ
ズムの代りに、偏光ビームスプリンタ、偏光ミラーを用
いてもよい。
When inspecting the surface of this video disc, focusing control may be performed using one reflected light to make the focal position of the laser beam (4) appropriate. I cut it. A polarizing beam splinter or a polarizing mirror may be used instead of a polarizing prism.

さらにまた、光源としては、レーザ光源に限ることなく
、白色光源でもよい。
Furthermore, the light source is not limited to a laser light source, and may be a white light source.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の表面検査方法は、スポット光とは異なり線状の
入射光によシ被検査物を走査するようにしているので、
同時に行うことができる被検査面積が拡大する結果、検
査速度が高速化する格別の効果を奏する。
The surface inspection method of the present invention scans the object to be inspected using linear incident light, unlike spot light.
As a result of expanding the area to be inspected at the same time, there is a special effect of increasing the inspection speed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例の表面検査装置の構成図、第
2図はウェーノ・へのレーザ光の投射位置を示す平面図
、第3図は本発明の一実施例の表面検査の説明図、第4
図は従来の表面検査の説明図である。 (1):ウェーノ・(被検査物)、  (3):被検査
物保持部。 (4):レーザ光電   (5)二元投射部。 (6):反射光、     (カニ光電変換部。 (8):演算制御部。 代理人 弁理士  則 近 憲 佑 (ほか1名) 第1図 第2図 受光値! 第4図    第3図
Fig. 1 is a block diagram of a surface inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a plan view showing the projection position of a laser beam onto a wafer, and Fig. 3 is a diagram of a surface inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. Explanatory diagram, 4th
The figure is an explanatory diagram of conventional surface inspection. (1): Waeno (tested object), (3): Tested object holding section. (4): Laser photoelectric (5) Binary projection section. (6): Reflected light, (Crab photoelectric conversion unit. (8): Arithmetic control unit. Agent: Patent attorney Noriyuki Chika (and 1 other person) Figure 1 Figure 2 Received light value! Figure 4 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 下記構成を具備することを特徴とする表面検査装置。 (イ)表面欠陥の存否が判定される被検査面を有する被
検査物を保持して上記被検査面に沿って動かす被検査物
保持部。 (ロ)光を投射する光源と、この光源から投射された光
を入光して上記被検査面上に線状に投射する円柱レンズ
とからなる光投射部。 (ハ)上記光投射部から投射された光の被検査物からの
正反射光を受光して、上記被検査面上の上記線状の光入
射部位における上記表面欠陥の存否を示す電気信号に変
換する光電変換部。 (ニ)上記光電変換部から出力された電気信号に基づい
て上記表面欠陥の存否判定を行う演算制御部。
[Claims] A surface inspection device characterized by having the following configuration. (a) An inspection object holder that holds an inspection object having an inspection surface on which the presence or absence of a surface defect is to be determined and moves it along the inspection surface. (b) A light projection unit comprising a light source that projects light and a cylindrical lens that receives the light projected from the light source and projects it linearly onto the surface to be inspected. (C) Receiving the specularly reflected light from the object to be inspected of the light projected from the light projection unit, and generating an electric signal indicating the presence or absence of the surface defect at the linear light incident portion on the surface to be inspected. Photoelectric conversion unit that converts. (d) An arithmetic control unit that determines the presence or absence of the surface defect based on the electrical signal output from the photoelectric conversion unit.
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