JPS61281499A - Thin film el element - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、平面薄型ディスプレイ・デバイスとして文字
、記号及び図形等を含むコンピュータの出力表示端末機
器、その他種々の表示装置に文字、記号、図形等の静止
画像や動画像の表示手段として利用される薄膜ＥＬ素子
に関し、特に、電極の絶縁破壊の影響を少なくした薄膜
ＥＬ素子に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is a flat thin display device that displays characters, symbols, graphics, etc. on computer output display terminal equipment, and various other display devices that display characters, symbols, and graphics. The present invention relates to a thin film EL device used as a means for displaying still images and moving images, and particularly relates to a thin film EL device that is less affected by dielectric breakdown of electrodes.
従来、この種のＩＩＩＩＥＬ素子としては、特開昭５７
−７２２９３＠公報に紹介されている。この薄膜ＥＬ素
子は、先ず第４図に示すようにガラスを成形加工した透
光性基板１を用意し、この透光性基板１上にＩＴＯ（イ
ンジウムスズ酸化物）からなる透明電極２を複数帯状に
平行配列し、この透明電極２上にＡｚ２ｏ３からなる第
１誘電体ＷＩ３と、ＨｎをドープしたＺｎＳからなるＥ
Ｌ発光層４と、Ａｌ１０３からなる第２誘電体Ｆｍ５と
を順次積層し、この第２誘電体１５１５上に前述した透
明電極２と直交する方向に複数帯状に平行配列した背面
電極６を形成している。ここで、透明電極２と背面電極
６とは平面図的に見て交叉した領域がパネルの１画素に
相当する。そして、両電極２．６間にＡＣ電圧（１００
〜２００Ｖ ）を印加することにより、ＥＬ発光！５１
４から橙黄色の発光を呈する。しかし、この薄膜ＥＬ素
子は、透明電極２から背面電極６までが全て薄膜で構成
されていることから、各薄膜に構造欠陥、ピンホール、
不均一などの欠陥があると、そこに電界が集中して絶縁
破壊が起こり、それがために電極２．６が燃えつき、断
線してしまう。このような絶縁破壊は、背面電極６より
も透明電極２に多く見られる。Conventionally, this type of III EL element was disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 57
-72293@Introduced in the official gazette. This thin film EL element is manufactured by first preparing a transparent substrate 1 made of glass as shown in FIG. A first dielectric material WI3 made of Az2o3 and a dielectric material E made of ZnS doped with Hn are arranged in parallel in a band shape on the transparent electrode 2.
The L light emitting layer 4 and the second dielectric Fm5 made of Al103 are laminated in sequence, and on the second dielectric 1515, a plurality of back electrodes 6 arranged in parallel in a strip shape in a direction perpendicular to the transparent electrode 2 described above are formed. ing. Here, the area where the transparent electrode 2 and the back electrode 6 intersect in plan view corresponds to one pixel of the panel. Then, an AC voltage (100
By applying ~200V), EL light is emitted! 51
4, it emits orange-yellow light. However, in this thin film EL element, since everything from the transparent electrode 2 to the back electrode 6 is composed of thin films, each thin film has structural defects, pinholes, etc.
If there is a defect such as non-uniformity, the electric field will concentrate there and dielectric breakdown will occur, which will cause the electrode 2.6 to burn out and become disconnected. Such dielectric breakdown is more common in the transparent electrode 2 than in the back electrode 6.
そこで、上述した薄膜ＥＬ素子における透明電極２と背
面電極６の平面図的に見た各画素には、第５図に示すよ
うに、透明電極２と背面電極６の各帯内に互いに平行に
離間したスリット列７と８を互いに直交して形成してい
る。このスリット列７と８の長手方向の両端は、１画素
の領域よりはみ出している。このようなスリット列７と
８により各画素内が分割されることから（本例＝１画素
を２５個に分割される。）、１画素内のある点で絶縁破
壊が起き、その点で電極が燃えつきても、その破壊は１
画素内の１個の分割区域に限られ、その分割区域以外の
画素領域（本例では２４個の分割区域）では電流の供給
が維持され、表示機能を失わない利点を有する。Therefore, as shown in FIG. 5, each pixel of the thin-film EL element described above when viewed from a plan view of the transparent electrode 2 and the back electrode 6 has a band of the transparent electrode 2 and the back electrode 6 arranged parallel to each other. Separated slit rows 7 and 8 are formed orthogonally to each other. Both ends of the slit rows 7 and 8 in the longitudinal direction protrude beyond the area of one pixel. Since each pixel is divided by such slit rows 7 and 8 (in this example, one pixel is divided into 25 pieces), dielectric breakdown occurs at a certain point within one pixel, and the electrode Even if it burns out, its destruction is 1
This has the advantage that the current supply is limited to one divided area within the pixel, and the current supply is maintained in the pixel areas other than that divided area (24 divided areas in this example), so that the display function is not lost.
しかしなから、透明電極２と背面電極６を形成する際に
、電極パターン線巾と電極問距離を微細化するに従って
、両電極２．６の相対的位置合わせが困難になり、例え
ば第６図に示すように透明電極２と背面電極６が所定位
置よりも斜め方向にずれてしまうことがある。このよう
な位置ずれがあった場合、各画素において左側と下側の
画素領域９と１０が所定通り分割されていないことから
、ここで絶縁破壊が発生した場合、電極が燃えつきて断
線してしまう。However, when forming the transparent electrode 2 and the back electrode 6, as the electrode pattern line width and the distance between the electrodes become finer, the relative positioning of the two electrodes 2.6 becomes difficult. For example, as shown in FIG. As shown in FIG. 2, the transparent electrode 2 and the back electrode 6 may be displaced from their predetermined positions in an oblique direction. If there is such a positional shift, the left and lower pixel areas 9 and 10 of each pixel are not divided as specified, so if dielectric breakdown occurs here, the electrode will burn out and become disconnected. .
本発明は、このような問題点を解決するためになされて
ものであり、その目的は、透明電極と背面電極の相対的
位置がずれても、常に各画素がスリットにより分割させ
ることができ、たとえ絶縁破壊を起こして画素内の成る
分割区域における電極が燃えつきても、その分割区域と
隣接する画素領域の電極に電流を供給することができる
薄膜ＥＬ素子を提供することである。The present invention has been made to solve these problems, and its purpose is to always allow each pixel to be divided by a slit even if the relative positions of the transparent electrode and the back electrode are shifted. To provide a thin film EL element that can supply current to electrodes in a pixel region adjacent to the divided region even if an electrode in a divided region within a pixel burns out due to dielectric breakdown.
本発明は、上記目的を達成させるため、電極内に複数形
成するスリットが、電極の帯状方向の同一列上に位置し
、他方の電極を２個以上またがりかつ隣接する２つのス
リット間を互いに離間して配置したスリット列を互いに
平行に離間して複数列に配置し、このスリット列内で隣
接する２つのスリット間に位置する電極部分と、このス
リット列と隣合う列のスリット列内で隣接する２つのス
リット間に位置する電極部分とが列に対して直交する方
向から見て他方の電極を少なくとも１個またがる距離だ
けずれていることを特徴とする５ｔａＥＬ素子である。In order to achieve the above object, the present invention provides that a plurality of slits formed in an electrode are located on the same row in the strip direction of the electrode, span two or more other electrodes, and two or more adjacent slits are spaced apart from each other. A plurality of slit rows are arranged parallel to each other and spaced apart, and the electrode portion located between two adjacent slits in this slit row and the electrode portion located between two adjacent slit rows in the slit row adjacent to this slit row are This is a 5taEL element characterized in that an electrode portion located between two slits is shifted by a distance spanning at least one electrode from the other electrode when viewed in a direction perpendicular to the row.
本発明によれば、たとえ透明電極と背面電極の相対的位
置がずれても、各画素においてスリットにより２個以上
の分割区域を確保することができる。According to the present invention, even if the relative positions of the transparent electrode and the back electrode are shifted, two or more divided areas can be secured by the slit in each pixel.
（実施例）
本発明の実施例による薄膜ＥＬ素子につき、第３図を参
照して、先ず全体構造から説明する。アルミノシリケー
トガラス（本例： ＨＯＹＡ＠製のＮＡ−４０）からな
る透光性基板１の主表面上に、スズ酸化物を混入した酸
化インジウムからなる透明電極層（膜厚： ２Ｇ００人
）を真空蒸着法により成膜した後、この透明電極層をフ
ォトリソグラフィ法によりエツチング液として塩酸と塩
化第２鉄の混合液を用いて、後述するスリットと共に複
数帯状（第３図において左右方向）に配列してなる透明
電極２０を形成した。次に、金属タンタルをスパッタタ
ーゲットとして酸素ガスを混入したＡｒガスをスパッタ
リング装置に導入し、高周波出力で反応スパッタリング
を行い、Ｔａ２ ０５からなる第１誘電体層３（膜厚：
３０００人）を成膜した。次に、この第１誘電体層３
上に、活性物質として０．５重量％のｔ４ｎを添加した
ＺｎＳ：Ｈｎ焼結ベレットを蒸着源として真空蒸着法に
よりＺｎＳ：ＨｎからなるＥＬ発光層４（膜厚： ６０
００人）を成膜した。次に、第１誘電体層３と同様に反
応性スパッタリング法によりＴａ２ ０５からなる第２
１Ｈ［ｋｍ ５ （ＦＪＦＪ ： ３０００Ａを成膜し
た。そして、この第２誘電体１ｉＩ５上に、Ａｉからな
る背面電極Ｊｉ！（膜厚： ３０００人）を真空蒸着法
により成膜した後、この背面電極層を、フォトリソグラ
フィ法によりエツチング液として硝酸とリン酸の混合溶
液を用いて、後述するスリットと共に複数帯状（第３図
において紙面垂直方向に配列してなる背面電極６０を形
成した。なお、透明電極２０と背面電極６０とは互いに
直交するように複数帯状に配列している。(Example) A thin film EL device according to an example of the present invention will first be described with reference to FIG. 3 from its overall structure. A transparent electrode layer (thickness: 2G00) made of indium oxide mixed with tin oxide is placed on the main surface of a translucent substrate 1 made of aluminosilicate glass (this example: NA-40 manufactured by HOYA@) in a vacuum. After forming a film by a vapor deposition method, this transparent electrode layer was arranged in a plurality of strips (in the horizontal direction in FIG. 3) along with slits to be described later using a mixed solution of hydrochloric acid and ferric chloride as an etching solution by a photolithography method. A transparent electrode 20 was formed. Next, using metal tantalum as a sputtering target, Ar gas mixed with oxygen gas is introduced into a sputtering device, reactive sputtering is performed with high frequency output, and the first dielectric layer 3 (thickness:
3,000 people) deposited the film. Next, this first dielectric layer 3
On top, an EL light emitting layer 4 (thickness: 60%) made of ZnS:Hn was formed by vacuum evaporation using a ZnS:Hn sintered pellet containing 0.5% by weight of t4n as an active substance as a deposition source.
00 people) formed a film. Next, similarly to the first dielectric layer 3, a second dielectric layer made of Ta205 is formed by reactive sputtering.
A film of 1H [km 5 (FJFJ: 3000A) was formed. Then, on this second dielectric 1iI5, a back electrode Ji! (thickness: 3000) made of Ai was formed by vacuum evaporation method, and then this back electrode The electrode layer was formed by photolithography using a mixed solution of nitric acid and phosphoric acid as an etching solution to form a plurality of strips (back electrodes 60 arranged in a direction perpendicular to the plane of the paper in FIG. 3) along with slits to be described later. The transparent electrode 20 and the back electrode 60 are arranged in a plurality of strips so as to be perpendicular to each other.
次に、透明電極２０及び背面電極６０のスリット列２１
、２２．２３及び６１．６２．６３は、第１図に示すよ
うに配列している。なお、第１図は透光性基板１、第１
誘電体Ｂ３、ＥＬ発光層４及び第２誘電体層５を省略し
、背面電極６０から見た部分拡大平面図である。本例の
透明電極２０及び背面電極６ｏは共に幅ＷがＷ＝ ０．
２＋＋＋＋ｅ、各電極間）距離ＰＩｆｉＰ＝ ｏ、ｉ−
ｍであり、各スリット列（２１，２２，２３）及び（６
１８２、６３）は共に長さＬが１． ＝ １．４７ ａ
ｍ、幅ＷがＷ＝ ０．０１ ｔｇ■、各スリット列内の
長手方向で隣接す） る２つのスリット間（例えば、ス
リット列２１についてスリット２１０． ２１１間、ス
リット２１１． ２１２間、スリット列６１についてス
リット６１０． ６１１間。Next, the slit row 21 of the transparent electrode 20 and the back electrode 60 is
, 22.23 and 61.62.63 are arranged as shown in FIG. Note that FIG. 1 shows the transparent substrate 1, the first
It is a partially enlarged plan view seen from the back electrode 60, with the dielectric B3, the EL light emitting layer 4, and the second dielectric layer 5 omitted. Both the transparent electrode 20 and the back electrode 6o of this example have a width W of W=0.
2++++e, distance between each electrode) PIfiP = o, i-
m, and each slit row (21, 22, 23) and (6
182, 63) both have a length L of 1. = 1.47a
m, width W = 0.01 tg■, between two slits that are adjacent in the longitudinal direction within each slit row (for example, for slit row 21, between slits 210 and 211, between slits 211 and 212, between slit rows Slit 610 about 61. Between 611.
スリット６１１． ６１２間）の距離ｍがｍ −０，０
３１１１１１である。各スリット列（２１，２２，２３
）及び（６１゜６２、６３）は各電極２０及び６０の帯
状方向の３列上に） はぼ均等分割して位置し、電極２
０のスリット列（２１，２２，２３）内の各スリットの
長さＬについては、他方の電極６０を５個分またがって
、その両端が距離ｍだけ離間している。また電極６０の
スリット列（６１，６２，６３）内の各スリットの長さ
見についても、他方の電極２０を５個分またがって、そ
の両端が距離ｍだけＩＩＩＩＩＷＩＪシている。そして
、電極２゜のスリット列（２１，２２，２３＞内の各ス
リットの位置については、例えばスリット列２１内で隣
接する２ツ（７）スＩＪット２１０． ２ＨｆｌＨｆｌ
ノミ２０１と、このスリット列２１と隣合う列のスリッ
ト列２２内で隣接する２つのスリット２２０． ２２１
間の電極部分２０２との位置は、互いに他方の電極６０
を３個分またがる距離だけずらしている。また、スリッ
ト列２２内で隣接する２つのスリット２２０． ２２１
間の電極部分２０２と、このスリット列２２と隣合う列
のスリット列２３内で隣接する２つのスリット２３１゜
２３２間の電極・部分２０３との位置も、互いに他方の
電極６０を３個分またがる距離だけずらしている。Slit 611. 612) is m -0,0
It is 311111. Each slit row (21, 22, 23
) and (61°62, 63) are located on three rows in the strip direction of each electrode 20 and 60) are approximately equally divided, and electrode 2
The length L of each slit in the slit row (21, 22, 23) of 0 straddles the other electrode 60 by five electrodes, and both ends thereof are separated by a distance m. Also, regarding the length of each slit in the slit row (61, 62, 63) of the electrode 60, each slit straddles the other electrode 20 by a length of 5, and both ends thereof extend by a distance m. As for the position of each slit in the slit row (21, 22, 23>) of the electrode 2°, for example, two (7) adjacent slits in the slit row 21 210.2HflHfl
A chisel 201 and two adjacent slits 220 in a slit row 22 adjacent to this slit row 21. 221
The position of the electrode portion 202 between the other electrodes 60
is shifted by a distance that spans three pieces. Furthermore, two adjacent slits 220 . 221
The positions of the electrode portion 202 between the slit row 22 and the electrode/portion 203 between the two adjacent slits 231 and 232 in the slit row 23 of the row adjacent to this slit row 22 also extend over three electrodes 60 of the other. Only the distance is shifted.
このような電極部分の位置のずらし方は、電極６０のス
リット列（６１，６２，６３）内の各スリットの位置に
おける各電極部分６０１． ６０２． ６０３について
も同様である。This way of shifting the positions of the electrode parts is such that each electrode part 601 . 602. The same applies to 603.
以上のような構成により、本実施例によれば、第１図に
示した１点鎖線で囲まれた画素部分において斜め方向に
透明電極２０と背面電極６０の相対的位置ずれが発生し
た場合、第２因に示すように、透明電極２０及び背面電
極６０についてそれぞれスリット２２０． ２３０及び
６１１． ６３１により依然として分割区域を確保する
ことができることから、画素内の何れかの点で絶縁破壊
が起きたとしても、その破壊はその点を有する分割区域
に限定すると共に、その分割区域以外の画素区域におい
て電流の供給を維持することができるので、表示１ｍ能
を失わない。このような表示機能をパネル全面において
正常時と遜色なくするためには、スリット列の数を一層
多くすることは有効である。そして、前述した各スリッ
ト列のスリットの長さを長くすること、すなわちスリッ
トが他方の電極を数多くまたがることと、スリット列内
で隣接する２つのスリット間にあって、隣合う列におけ
る２つの電極部分のずれ間隔を長くすること、すなわち
２つの電極のずれ間隔が他方の電極を数多くまたがるこ
とは一層有効である。勿論、これ等の他方の電極のまた
がる個数は、透明電極と背面電極の相対的位置ずれに応
じて定めればよく、最小限の表示機能を確保するために
は、スリットが他方の電極をまたがる個数が２個分、２
つの電極部分のずれ間隔が他方の電極を１個分必要であ
る。また、スリットの幅については、発光時においてそ
の存在を目立たなくさせるために細い程よく、フ第１−
リソグラフーイ法を使用すれば数μまで可能である。With the above configuration, according to this embodiment, when a relative positional shift occurs between the transparent electrode 20 and the back electrode 60 in the diagonal direction in the pixel portion surrounded by the dashed-dotted line shown in FIG. As shown in the second factor, the transparent electrode 20 and the back electrode 60 each have slits 220. 230 and 611. 631, it is still possible to secure a divided area, so even if dielectric breakdown occurs at any point within a pixel, the breakdown will be limited to the divided area where that point exists, and will not occur in pixel areas other than that divided area. Since the current supply can be maintained at 100 m, the display capability of 1 m is not lost. In order to make such a display function on the entire surface of the panel comparable to the normal state, it is effective to further increase the number of slit rows. In addition, by increasing the length of the slits in each slit row mentioned above, that is, by making the slits straddle the other electrode in large numbers, and by increasing the length of the slits between two adjacent slits in the slit row, It is more effective to lengthen the offset interval, that is, to extend the offset interval between two electrodes over the other electrode. Of course, the number of slits that span the other electrode may be determined depending on the relative positional shift between the transparent electrode and the back electrode. The number is 2 pieces, 2
The gap between one electrode portion and the other electrode portion is necessary. In addition, regarding the width of the slit, the thinner the slit is, the better, in order to make its presence less noticeable when emitting light.
If the lithography method is used, it is possible to have a thickness of several microns.
なお、本実施例のスリットは透明電極と背面電極の両方
に形成したが、一方の電極、例えば透明電極に形成して
もよい。Although the slits in this example were formed on both the transparent electrode and the back electrode, they may be formed on one of the electrodes, for example, the transparent electrode.
本発明は本実施例の材料、膜厚及び成膜方法に限定され
ない。透光性基板についてはソーダライムガラス等の多
成分系ガラス又は石英ガラスでもよい。透明電極につい
てはＩｎ２ ｏ３若しくはこれにＷを添加したもの又
はＳｎ ０２にＳｂ、 Ｆ等を添加したものであっても
よい。第１及び第２誘電体層については、Ａ、ｌ ２
０３ 、５ｒＴｉ ０３ 、 ＢａＴａ２ ｏ６゜Ｙ
２ ０３ 、 Ｈｆ ０２等の酸化物、Ｓｉ３Ｎ４．シ
リコンオキシナイトライド又はこれらの複合物でもよい
。ＥＬ発光層については母材としてＺｎ５ｅ、 ＣａＳ
又はｓｒｓ等、ドーパントとしてＥｕ、 Ｓａ＋、 Ｔ
ｂ、 Ｔｏ＋等の希土類元素を使用してもよい。成膜方
法についてはスパッタリング法、真空蒸着法、活性化反
応蒸着法及びイオンブレーティング法等を使用してもよ
い。さらに、背面電極については、Ｔａ、 Ｎｏ。The present invention is not limited to the materials, film thicknesses, and film forming methods of this example. The transparent substrate may be multi-component glass such as soda lime glass or quartz glass. The transparent electrode may be In2O3 or In2O3 with W added thereto, or Sn02 with Sb, F, etc. added thereto. For the first and second dielectric layers, A, l 2
03, 5rTi 03, BaTa2 o6゜Y
2 03 , Hf 02 and other oxides, Si3N4. Silicon oxynitride or a composite thereof may also be used. For the EL light emitting layer, Zn5e and CaS are used as the base material.
Or srs, etc., with Eu, Sa+, T as a dopant
Rare earth elements such as b, To+, etc. may also be used. As for the film forming method, a sputtering method, a vacuum evaporation method, an activated reaction evaporation method, an ion blating method, etc. may be used. Furthermore, for the back electrode, Ta, No.
Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ｎｉ ＡｆＬ、 ＮｉＣｒ等の金属を
使用してもよい。Metals such as Fe, Ni, NiAfL, and NiCr may also be used.
透明電極と背面電極のストライブ化手段として湿式法の
代わりに、Ｃ（４ａ等のガスを主成分として用いるドラ
イエツチング法や、マスク蒸着法等を用いて形成しても
よい。As a striping means for the transparent electrode and the back electrode, instead of the wet method, a dry etching method using a gas such as C (4a) as a main component, a mask vapor deposition method, or the like may be used.
以上の通り、本発明によれば、電極の幅及び間隔が微細
化されても、透明電極と背面電極の相対的位置合わせを
容易にし、その相対的位置合わせがずれたとしても、ス
リット列により分割区域を確保して、仮に、成る点で絶
縁破壊を起こしたとしても、その絶縁破壊をその点を有
する分割区域内に限定し、その分割区域と隣接する画素
領域の電極に対しては電流を常に供給することができる
。As described above, according to the present invention, even if the width and spacing of the electrodes are miniaturized, the relative positioning of the transparent electrode and the back electrode is facilitated, and even if the relative positioning is shifted, the slit row If a divided area is secured and dielectric breakdown occurs at a point, the dielectric breakdown will be limited to the divided area where that point exists, and the current will not be applied to the electrodes of the pixel area adjacent to the divided area. can always be supplied.
第１図は本発明による実施例のスリットによる電極の分
割区域を示す部分拡大平面図、第２図は本発明による実
施例の透明電極と背面電極の相対的位置ずれが生じた場
合のスリットによる電極の分割区域を示す部分拡大平面
図、第３図は本発明による実施例の薄膜ＥＬ素子を示す
断面図、第４図は従来の薄膜ＥＬ素子を示す断面図、第
５図は従来のスリットによる電極の分割区域を示す部分
拡大平面図、及び第６図は従来の透明電極と背面電極の
相対的位置ずれが生じた場合のスリットによる電極の分
割区域を示す部分拡大平面図である。
１・・・透光性基板、２０・・・透明電極、３・・・第
１誘電体層、４・・・ＥＬ発光層、５・・・第２誘電体
層、６０・・・背面電極、２１．２２．２３゜６１、６
２．６３・・・スリット列、２０１． ２０２． ２０
３゜６０１、 ６０２． ６０３・・・電極部分、２１
０． ２１１゜２１２、 ２２０． ２２１． ２３０
． ２３１． ２３２． ６１０゜６１１、 ６１２．
６２０． ６２１． ６２２． ６３０． ６３１゜
６３２拳・・スリットFIG. 1 is a partially enlarged plan view showing the area where the electrode is divided by the slit in the embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partially enlarged plan view showing the division area of the electrode by the slit in the embodiment of the present invention. 3 is a sectional view showing a thin film EL device according to an embodiment of the present invention; FIG. 4 is a sectional view showing a conventional thin film EL device; FIG. 5 is a sectional view showing a conventional slit. FIG. 6 is a partially enlarged plan view showing the area where the electrode is divided by the slit when a relative positional shift occurs between the conventional transparent electrode and the back electrode. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Transparent substrate, 20... Transparent electrode, 3... First dielectric layer, 4... EL light emitting layer, 5... Second dielectric layer, 60... Back electrode ,21.22.23゜61,6
2.63...Slit row, 201. 202. 20
3゜601, 602. 603...electrode part, 21
0. 211°212, 220. 221. 230
．． 231. 232. 610°611, 612.
620. 621. 622. 630. 631°632 fist...slit
Claims (1)
、前記透明電極と交叉して複数帯状に形成した背面電極
との間にＥＬ発光層を介在し、前記透明電極と前記背面
電極のうち少なくとも一方の電極内に複数のスリツトを
形成した薄膜ＥＬ素子において、前記スリットが、帯状
方向の同一列上に位置し、他方の電極を２個以上またが
り、かつ隣接する２つのスリツト間を互いに離間して配
置したスリツト列を互いに平行に離間して複数列に配置
し、前記スリット列内で隣接する２つのスリツト間に位
置する電極部分と、前記スリット列と隣合う列の前記ス
リット列内で隣接する２つのスリット間に位置する電極
部分とが列に対して直交する方向から見て他方の電極を
少なくとも１個またがる距離だけずれていることを特徴
とする薄膜ＥＬ素子。(1) An EL light-emitting layer is interposed between a transparent electrode formed in a plurality of strips on a transparent substrate and a back electrode formed in a plurality of strips intersecting with the transparent electrode, and the transparent electrode and the back electrode are interposed. In a thin film EL element in which a plurality of slits are formed in at least one of the electrodes, the slits are located on the same row in the strip direction, span two or more of the other electrodes, and have a gap between two adjacent slits. A plurality of slit rows spaced apart from each other are arranged parallel to each other, and an electrode portion located between two adjacent slits in the slit row, and the slit row in a row adjacent to the slit row. A thin film EL device, wherein an electrode portion located between two adjacent slits in the column is shifted by a distance spanning at least one electrode from the other electrode when viewed in a direction perpendicular to the column.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123355A JPS61281499A (en) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | Thin film el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123355A JPS61281499A (en) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | Thin film el element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281499A true JPS61281499A (en) | 1986-12-11 |
| JPH0325917B2 JPH0325917B2 (en) | 1991-04-09 |
Family
ID=14858524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60123355A Granted JPS61281499A (en) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | Thin film el element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281499A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01130497A (en) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film type electroluminescence panel |
| JPH0325894A (en) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Pioneer Electron Corp | Electroluminescent display element |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP60123355A patent/JPS61281499A/en active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01130497A (en) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film type electroluminescence panel |
| JPH0325894A (en) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Pioneer Electron Corp | Electroluminescent display element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0325917B2 (en) | 1991-04-09 |
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