JPS61279094A - Power source unit for magnetron - Google Patents
Power source unit for magnetronInfo
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- JPS61279094A JPS61279094A JP12196285A JP12196285A JPS61279094A JP S61279094 A JPS61279094 A JP S61279094A JP 12196285 A JP12196285 A JP 12196285A JP 12196285 A JP12196285 A JP 12196285A JP S61279094 A JPS61279094 A JP S61279094A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マグネトロンの電源装置に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a power supply device for a magnetron.
従来の技術
以下、従来例を第3図に沿って説明する。絶縁トランス
2の1次巻線3と並列に商用型@1を接続し、2次高圧
巻線4と並列に高圧ダイオード7のカソード側を接続し
、2次高圧巻線4と高圧ダイオード7のアノード側の開
に2次高圧巻線4と直列に高圧コンデンサ6を接続し、
高圧ダイオード7と並列にマグネトロン8を接続し、絶
縁トランス2の3次低圧巻、I?I5と並列にマグネト
ロンのヒータを接続してなるマグネトロンの電源装置に
おいて、2次高圧巻線4で高電圧を発生させ、更に高圧
コンデンサ6と高圧ダイオード7とで倍電圧を発生させ
、マグネトロン8を動作させている。BACKGROUND OF THE INVENTION A conventional example will be described below with reference to FIG. A commercial type @1 is connected in parallel with the primary winding 3 of the isolation transformer 2, and the cathode side of the high voltage diode 7 is connected in parallel with the secondary high voltage winding 4. A high voltage capacitor 6 is connected in series with the secondary high voltage winding 4 to the opening on the anode side,
A magnetron 8 is connected in parallel with the high voltage diode 7, and the tertiary low voltage winding of the isolation transformer 2, I? In a magnetron power supply device in which a magnetron heater is connected in parallel with I5, a secondary high voltage winding 4 generates a high voltage, and a high voltage capacitor 6 and a high voltage diode 7 generate a double voltage. It's working.
また、マグネトロン8のヒータに接続されるインダクタ
ンスとコンデンサからなる高周波フィルタ9は、マグネ
トロン8にて発生する高周波が絶縁トランス2を通って
前記商用電源1へ流入するのを防止している。Further, a high frequency filter 9 consisting of an inductance and a capacitor connected to the heater of the magnetron 8 prevents the high frequency waves generated by the magnetron 8 from flowing into the commercial power supply 1 through the isolation transformer 2.
発明が解決しようとする問題点
最近、電子機器の小型軽量化のため、電源はスイッチン
グ方式に移行している。マグネトロン用電源においても
小型軽量化が望まれており、スイッチング方式で高周波
化することで小型軽量化が実現できる。Problems to be Solved by the Invention Recently, in order to reduce the size and weight of electronic devices, switching power supplies are being used. There is also a desire for power supplies for magnetrons to be smaller and lighter, and making them smaller and lighter can be achieved by increasing the frequency using a switching method.
また、従来ではマグネトロンの高周波出力を変える場合
には、第3図の高圧コンデンサ6を可変にするか、絶縁
トランス2に印加する電圧をデユーティコントロールす
ることで実現しているため、マグネトロン出力を連続に
制御することができなかった。Furthermore, conventionally, when changing the high frequency output of the magnetron, this was achieved by making the high voltage capacitor 6 shown in Figure 3 variable or by controlling the duty of the voltage applied to the isolation transformer 2. could not be continuously controlled.
高周波によるインバータ方式ではパルス幅制御で高周波
出力電圧を制御することで、マグネトロンの高周波出力
を制御することができる。In the high frequency inverter method, the high frequency output of the magnetron can be controlled by controlling the high frequency output voltage using pulse width control.
第4図(A)に高周波インバータの一般例としてプッシ
ュプル方式の回路を示す。この回路の動作は、第1スイ
ツチング素子Tr□11および第2スイツチング素子T
r212を第4図(B)のタイミングチャートに示すタ
イミングで0N−OFFすることにより直流電源E13
からの電流の流れを切換え、絶縁トランス14の2次巻
線にスイッチングの周波数の交流出力電圧■015を誘
起させるものであるにの回路を用いてマグネトロン用電
源のインバータ化を考えると、交流出力電圧VOをマグ
ネトロンの高周波出力用にし、絶縁トランス14に3次
巻線を巻いてマグネトロンのヒータ電源用に使う構成が
考えられる。ところが、マグネトロンの高周波出力を制
御しようとしてスイッチング素子Tr□、Tr、のON
・OFFの周波数を変えると。FIG. 4(A) shows a push-pull type circuit as a general example of a high frequency inverter. The operation of this circuit is as follows: the first switching element Tr□11 and the second switching element T
By turning r212 ON and OFF at the timing shown in the timing chart of FIG. 4(B), the DC power supply E13
If we consider converting the power supply for the magnetron into an inverter using the circuit shown in Figure 2, which switches the flow of current from the current source and induces an AC output voltage ■015 at the switching frequency in the secondary winding of the isolation transformer 14, the AC output A conceivable configuration is to use the voltage VO for the high frequency output of the magnetron, and to wind a tertiary winding around the isolation transformer 14 and use it for the heater power source of the magnetron. However, when trying to control the high frequency output of the magnetron, the switching elements Tr□ and Tr were turned on.
・Changing the OFF frequency.
マグネトロンのヒータ用の電力も同時に変ってしまい、
マグネトロンの安定な発振ができない。従って、マグネ
トロンのヒータ電力用として制御の影響を受けない別の
トランスが必要となり、コスト高となる。また、マグネ
トロン発振に必要な高電圧をトランスの巻数比で確保す
るため、トランスが小型にならないし、スイッチング素
子Tr、。The power for the magnetron heater also changed at the same time.
The magnetron cannot oscillate stably. Therefore, a separate transformer that is not affected by the control is required for the magnetron heater power, which increases the cost. In addition, since the high voltage required for magnetron oscillation is secured by the turns ratio of the transformer, the transformer does not become smaller, and the switching element Tr.
Tr、を交互に導通させるためにも制御回路が複雑にな
る。The control circuit becomes complicated because the transistors are made conductive alternately.
さらに、高周波化することで発生する問題点として、マ
グネトロンのヒータにはマグネトロンで発生する245
0MI肚の発振周波数およびその高周波が商用電源側へ
流入するのを防止する目的で高周波フィルタが設けであ
るため、スイッチングにより発生した高周波電圧を加え
ただけでは、この高周波フィルタのインダクタンス分で
ヒータ電流が制限されるためマグネトロン発振に必要な
ヒータ電流は流れず、マグネトロンは発振しない。Furthermore, as a problem caused by increasing the frequency, the magnetron heater has 245
A high-frequency filter is provided to prevent the oscillation frequency of 0 MI and its high frequency from flowing into the commercial power supply side, so if only the high-frequency voltage generated by switching is applied, the heater current will be reduced by the inductance of this high-frequency filter. Since the heater current necessary for magnetron oscillation does not flow, the magnetron does not oscillate.
本発明は、この問題点を解決するもので、絶縁トランス
を小型軽量にできるとともに、制御回路を簡略化でき、
しかもヒータ回路は高周波出力制御の影響を受けること
ないマグネトロン用電源装置を提供することを目的とす
るものである。The present invention solves this problem by making the isolation transformer smaller and lighter, and simplifying the control circuit.
Moreover, the purpose of the heater circuit is to provide a power supply device for a magnetron that is not affected by high frequency output control.
問題点を解決するための手段
上記従来の問題点を解決するために、本発明はと回路方
式をスイッチング素子2ケを使ったプッシュプル方式か
らスイッチング素子1ケによるフォワードコンバータ方
式にし、1次、2次、3次巻線からなる絶縁トランスを
設けて、1次巻線と並列にコンデンサを接続して並列共
振回路を構成し。Means for Solving the Problems In order to solve the above conventional problems, the present invention changes the circuit system from a push-pull system using two switching elements to a forward converter system using one switching element, and converts the primary, An isolation transformer consisting of secondary and tertiary windings is provided, and a capacitor is connected in parallel with the primary winding to form a parallel resonant circuit.
前記並列共振回路と直列にスイッチング素子を接続し、
前記スイッチング素子と並列にフライホイールダイオー
ドを接続し、前記並列共振回路とスイッチング素子に並
列にエネルギーを貯えるコンデンサを接続し、前記2次
高圧巻線の1次巻線と同極性側に半波倍電圧整流回路の
ダイオードのカソード側を接続し、前記半波倍電圧整流
回路をマグネトロンのアノード・カソード間に接続して
高圧回路を形成し、前記3次低圧巻線の1次巻線と同極
性側に半波整流平滑回路のアノード側を接続し、前記半
波整流平滑回路をマグネトロンのヒータに接続してヒー
タ回路を形成し、前記スイッチング素子の導通時に前記
マグネトロンと前記ヒータ回路に電流を流すようにした
ものである。connecting a switching element in series with the parallel resonant circuit;
A flywheel diode is connected in parallel with the switching element, a capacitor for storing energy is connected in parallel with the parallel resonant circuit and the switching element, and a half-wave multiplier is connected to the same polarity side as the primary winding of the secondary high voltage winding. The cathode side of the diode of the voltage rectifier circuit is connected, and the half-wave voltage doubler rectifier circuit is connected between the anode and cathode of the magnetron to form a high voltage circuit, and the polarity is the same as that of the primary winding of the tertiary low voltage winding. The anode side of a half-wave rectifier smoothing circuit is connected to the side, and the half-wave rectifier smoothing circuit is connected to a heater of a magnetron to form a heater circuit, and when the switching element is conductive, current flows through the magnetron and the heater circuit. This is how it was done.
作用
この構成により、高周波スイッチングパワー回路に並列
共振回路を応用しているので、発生する高い共振電圧は
2次高圧巻線により更に高い高圧に昇圧されてマグネト
ロンを発振させることができ、絶縁トランスを小型軽量
にできる。また、スイッチング素子は1ケであるため制
御回路を簡素にできる。さらに、半波整流平滑回路によ
り直流電圧にしてマグネトロンのヒータに印加して1為
るため、高周波出力制御の影響を受けることはない。Function: With this configuration, a parallel resonant circuit is applied to the high frequency switching power circuit, so the high resonant voltage generated can be boosted to an even higher voltage by the secondary high voltage winding, causing the magnetron to oscillate. Can be made small and lightweight. Furthermore, since there is only one switching element, the control circuit can be simplified. Furthermore, since it is converted into a DC voltage by a half-wave rectifying and smoothing circuit and applied to the magnetron heater, it is not affected by high frequency output control.
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第1
図において、21は1次、2次、3次巻線22、23.
24からなる絶縁トランスで、その1次巻線22と該1
次巻線22のインダクタンス分と共振する第1コンデン
サ25を並列に接続してなる並列共振回路に直列にスイ
ッチング素子26を接続し、このスイッチング素子26
に並列にフライホイールダイオード27を接続し、前記
並列共振回路とスイッチング素子26に並列に第2コン
デンサ28を接続し。EXAMPLE An example of the present invention will be described below based on the drawings. 1st
In the figure, 21 indicates primary, secondary, tertiary windings 22, 23 .
24, whose primary winding 22 and the
A switching element 26 is connected in series to a parallel resonant circuit formed by connecting a first capacitor 25 in parallel with the inductance of the next winding 22.
A flywheel diode 27 is connected in parallel to the parallel resonant circuit and the switching element 26, and a second capacitor 28 is connected in parallel to the parallel resonant circuit and the switching element 26.
この第2コンデンサ28に並列に直流!g29を接続し
て高周波スイッチングパワー回路となる1次回路を構成
し、2次高圧巻線23と並列で1次巻IQ22と同極性
側に第1ダイオード30のカソード側を接続し、2次高
圧巻線23と直列で第1ダイオード30のアノード側に
第3コンデンサ31を接続し、第1ダイオード30と並
列にマグネトロン34を接続し、このマグネトロン34
のアノードを接地して半波倍電圧整流の高圧回路となる
2次回路を構成し、3次低圧巻線24と直列で1次巻線
22と同極性側に第2ダイオード32のアノード側を接
続し、3次低圧巻線34と並列で第2ダイオード32の
カソード側に第4コンデンサ33を接続し、この第4コ
ンデンサ33と並列にマグネトロン34のヒータを接続
して半波整流平滑のヒータ回路となる3次回路を構成し
。Direct current in parallel to this second capacitor 28! G29 is connected to configure a primary circuit that becomes a high frequency switching power circuit, and the cathode side of the first diode 30 is connected in parallel with the secondary high voltage winding 23 to the same polarity side as the primary winding IQ22, and the secondary high voltage A third capacitor 31 is connected to the anode side of the first diode 30 in series with the winding wire 23, and a magnetron 34 is connected in parallel with the first diode 30.
The anode of the second diode 32 is grounded to form a secondary circuit that becomes a high voltage circuit of half-wave voltage doubler rectification, and the anode side of the second diode 32 is connected in series with the tertiary low voltage winding 24 and on the same polarity side as the primary winding 22. A fourth capacitor 33 is connected to the cathode side of the second diode 32 in parallel with the tertiary low voltage winding 34, and a heater of the magnetron 34 is connected in parallel with the fourth capacitor 33 to form a half-wave rectification smoothing heater. Configure a tertiary circuit that becomes a circuit.
これら1次、2次、3次回路によりマグネトロン用電源
装置を構成する。These primary, secondary, and tertiary circuits constitute a magnetron power supply device.
次に、その動作を説明する。スイッチング素子26のベ
ース・エミッタ間に電圧VflEを順方向に印加すると
スイッチング素子26は導通し、直流電源29の電圧V
Dcによりエネルギーを貯えられた第2コンデンサ28
によって絶縁トランス2101次巻線22にvDaが加
わり1図示の向きの電流IIJ1が流れる。次にスイッ
チング素子26のベース・エミッタ間に電圧VBEを逆
方向に印加するとスイッチング素子26は遮断され、絶
縁トランス21の1次巻線22側よりみたインダクタン
ス分と第1コンデンサ251が並列共振して高い共振電
圧−VN、(図示と逆向き)が発生する。この共振電圧
−VN工は2次高圧巻線23により更に高圧にされ、第
3コンデンサ3Iを充電する。また、スイッチング素子
26の導電時の1次巻線22の両端電圧vodも2次高
圧巻線23により昇圧され、第3コンデンサ31と第1
ダイオード30からなる倍電圧整流回路により第3コン
デンサ31の電圧と加わってマグネ1〜ロン34のアノ
ード・カソード間に供給され、スイッチング素子26の
導通時にマグネトロンは発振する。Next, its operation will be explained. When the voltage VflE is applied in the forward direction between the base and emitter of the switching element 26, the switching element 26 becomes conductive, and the voltage V of the DC power supply 29
A second capacitor 28 in which energy is stored by Dc
As a result, vDa is applied to the primary winding 22 of the isolation transformer 210, and a current IIJ1 flows in the direction shown in the figure. Next, when voltage VBE is applied in the opposite direction between the base and emitter of the switching element 26, the switching element 26 is cut off, and the inductance seen from the primary winding 22 side of the isolation transformer 21 and the first capacitor 251 resonate in parallel. A high resonant voltage -VN (in the opposite direction to that shown) is generated. This resonant voltage -VN is made even higher voltage by the secondary high voltage winding 23 and charges the third capacitor 3I. Further, the voltage vod across the primary winding 22 when the switching element 26 is conducting is also boosted by the secondary high voltage winding 23, and the third capacitor 31 and the first
The voltage is added to the voltage of the third capacitor 31 by a voltage doubler rectifier circuit including a diode 30, and is supplied between the anodes and cathodes of the magnetrons 1 to 34, and when the switching element 26 is conductive, the magnetron oscillates.
また、スイッチング素子26の導通時に1次巻線22の
両端に加わるVOCは3次低圧巻線24により降圧し、
第2ダイオード32と第4コンデンサ33で半波整流平
滑して直流低電圧をマグネトロン:34のヒータ回路に
供給する。Further, the VOC applied to both ends of the primary winding 22 when the switching element 26 is turned on is reduced in voltage by the tertiary low voltage winding 24,
A second diode 32 and a fourth capacitor 33 perform half-wave rectification and smoothing to supply a DC low voltage to the heater circuit of the magnetron 34.
また、スイッチング素子26の導通時間を変えると1次
巻線22を流れる電流IN、が変わり、供給エネルギー
VDcX1.工が変わってマグネトロン34に供給され
るエネルギーも変化する。今、スイッチング素子26の
導通時間をToNとし遮断時間をTOFFとすると、ス
イッチング周波数fとTON+ TOFFT OFFを
一定にしてTON時間を変化さすことはfを変えるのと
等価になる。そして第2図(D)に示すようにTON時
間と高周波出力、スイッチング周波数fと高周波出力と
の間にはりニア−な関係があることから、ToN時間ま
たはfを変えることで高周波出力を連続可変に制御でき
る。Furthermore, when the conduction time of the switching element 26 is changed, the current IN flowing through the primary winding 22 changes, and the supplied energy VDcX1. As the construction changes, the energy supplied to the magnetron 34 also changes. Now, assuming that the conduction time of the switching element 26 is ToN and the cutoff time is TOFF, changing the TON time while keeping the switching frequency f and TON+TOFF OFF constant is equivalent to changing f. As shown in Figure 2 (D), there is a fairly linear relationship between the TON time and high frequency output, and between the switching frequency f and high frequency output, so by changing the ToN time or f, the high frequency output can be continuously varied. can be controlled.
3次低圧巻線24にあられれる電圧の波高値は第2図(
A)に示すように1次巻線22.3次低圧巻線24の巻
数を各々n0. n、とすると(nt / nt )
・V oaであり、TON時間を変化すると、波高値は
常に一定であるが実効値V11は変化し、半波整流平滑
の3次回路の第4コンデンサ23の値を適当に選ぶこと
で、一定の幅におさえることができ、高周波出力制御の
影響をうけることなく、ヒータを一定ノエネルギーで加
熱できる。The peak value of the voltage appearing in the tertiary low voltage winding 24 is shown in Figure 2 (
As shown in A), the number of turns of the primary winding 22 and the tertiary low voltage winding 24 is set to n0. n, then (nt / nt)
- V oa, and when the TON time changes, the peak value is always constant, but the effective value V11 changes, and by appropriately selecting the value of the fourth capacitor 23 of the tertiary circuit of half-wave rectification and smoothing, it can be kept constant. The heater can be heated with constant energy without being affected by high frequency output control.
スイッチング素子26を0N−OFFさせた時の1次回
路の並列共振回路およびスイッチング素子26に発生す
る電圧電流の関係、すなわちVBE、INi、VNt、
Ic、 V(!Eの関係を第2図(B)のタイミングチ
ャートに示す。The relationship between the parallel resonant circuit of the primary circuit and the voltage and current generated in the switching element 26 when the switching element 26 is turned OFF, that is, VBE, INi, VNt,
The relationship between Ic and V(!E is shown in the timing chart of FIG. 2(B).
今、スイッチング素子26が’I”ON時間ONL、、
TOFF時間OFFしてこれを繰返しているとすると
、ON期間中絶縁トランス21の1次、2次巻線22゜
23間には等アンペアターンの法則が成立するからl5
t= X IN2+ IA (rll、I n、は
1次、2次巻線の巻数、lは励磁電流)となり、IN2
に比例した分は2次側へ伝達されるが、励磁電流の成分
はそのまま絶縁トランス21に蓄積され残留エネルギー
となる。またVN□にはvDcがあられれ、VCEはほ
ぼゼロ(正確にはVaEcgai)42V )になる。Now, the switching element 26 is ON for 'I' ONL,...
If this is repeated with the TOFF period OFF, the law of equal ampere turns holds between the primary and secondary windings 22 and 23 of the isolation transformer 21 during the ON period, so l5
t=
The amount proportional to is transmitted to the secondary side, but the excitation current component is stored as is in the isolation transformer 21 and becomes residual energy. Further, vDc is added to VN□, and VCE becomes almost zero (to be exact, VaEcgai) 42V).
次にスイッチング素子26がOFFになると、前記IN
よと逆向きに電流■N1が流れ始め第1コンデンサ7.
5と1次巻線22よりみたインダクタンスとで並列共振
が始まり、VNLにON期間中と逆極性に高い並列共振
電圧があられれ、vcEにはVDc−VN、の電圧があ
られれ、Icはゼロとなる。Next, when the switching element 26 is turned off, the IN
A current ■N1 begins to flow in the opposite direction to the first capacitor 7.
5 and the inductance seen from the primary winding 22, a high parallel resonance voltage with the opposite polarity during the ON period is generated at VNL, a voltage of VDc - VN is generated at vcE, and Ic is zero. becomes.
次にTOFF時間は一定としてTON時間を変化させた
時のVDE、 IN+、VN工の関係を図面の第2図
(C)に示す。今、スイッチング素子26をT ON
1時間ONすると、INt(7)ピーク値はI’Ntに
、VNlはVDCとなり、 TOFF期間中に並列共振
によって発生する電圧VN□はv’N1となる。またT
ON lより長いToNz時間ONすると、INx
のピーク値は1′H□に、vIllはVDCとなり、
TOFF期間中に並列共振によって発生する電圧VN工
はv′N□となる。Next, Figure 2 (C) shows the relationship between VDE, IN+, and VN when the TOFF time is constant and the TON time is varied. Now, turn on the switching element 26.
When turned ON for 1 hour, the peak value of INt(7) becomes I'Nt, VNl becomes VDC, and the voltage VN□ generated by parallel resonance during the TOFF period becomes v'N1. Also T
ON When turned ON for ToNz time longer than l, INx
The peak value of is 1'H□, vIll is VDC,
The voltage VN generated by parallel resonance during the TOFF period is v'N□.
すなわち、T ONt < T ONzの時には、ON
期間ではI ’ nl< I ’ Nxt vN1=v
、、c、 OF F期間テハV’ Nl、<V’ N工
の関係があることがわかる。That is, when T ONt < T ONz, ON
In the period I'nl<I'Nxt vN1=v
,,c, It can be seen that there is a relationship of V'Nl,<V'Nd during the OFF period.
従ってスイッチング素子26のON時間の制御により、
ON期間のIN、およびOFF期間のVN工を制御する
ことができる。TON時間と高周波出力とと高周波出力
との関係は第2図(D)に示すようにリニアーな関係に
なるので、TON時間の制御またはスイッチング周波数
の制御で、高周波出力を連続可変に制御することができ
る。Therefore, by controlling the ON time of the switching element 26,
It is possible to control IN during the ON period and VN during the OFF period. Since the relationship between the TON time, the high frequency output, and the high frequency output is linear as shown in Figure 2 (D), the high frequency output can be continuously variable by controlling the TON time or switching frequency. I can do it.
また、OFF期間中の高い並列共振電圧を利用して第3
コンデンサ31を充電し、ON期間の電圧と加えてマグ
ネトロンに供給する倍電圧整流方式をとっているため、
2次高圧巻線23の巻数を少なくできると同時に、ON
、OFF期間とも2次高圧巻線23には電流IN2が流
れ、しかも各々の期間の電流の向きが反対のため絶縁ト
ランス21は偏磁せず、その結果絶縁トランス21を小
型軽量にできる。In addition, by utilizing the high parallel resonant voltage during the OFF period, the third
Since the voltage doubler rectification method is used to charge the capacitor 31 and supply it to the magnetron in addition to the voltage during the ON period,
The number of turns of the secondary high voltage winding 23 can be reduced, and at the same time
A current IN2 flows through the secondary high-voltage winding 23 during both the OFF period and the direction of the current during each period is opposite, so that the isolation transformer 21 is not biased, and as a result, the isolation transformer 21 can be made smaller and lighter.
また、マグネトロン34のヒータに供給する電圧は、第
2図(A)に示すように、ON期間の一定電圧Vnaを
3次低圧巻線24で降圧しかつ半波整流平滑回路で直流
電圧にしたものを利用するため、高周波出力制御をして
TON時間が変っても影響は少ない。例えば高周波出力
を100W〜600W制御した時のヒータ電圧の変動は
10%以内で、実用上何ら問題はない、また、直流電圧
をヒータに供給しているためヒータ回路にとりつけであ
るインダクタンスとコンデンサからなる高周波フィルタ
35の影響は全く受けない。また、マグネトロン34に
はスイッチング周波数に相当する周波数のアノード電流
が流れるが、高周波フィルタ35のインダクタンスの前
記周波数でのインピーダンスは約0.3Ωであり、マグ
ネトロン発振時の等価インピーダンスの約1.OKΩに
対して十分小さく、何ら問題はなくアノード電流は流れ
る。In addition, the voltage supplied to the heater of the magnetron 34 is determined by lowering the constant voltage Vna during the ON period using the tertiary low voltage winding 24 and converting it into a DC voltage using a half-wave rectifying and smoothing circuit, as shown in FIG. 2(A). Since the device is used, there is little effect even if the TON time changes due to high frequency output control. For example, when controlling the high frequency output from 100W to 600W, the fluctuation in heater voltage is within 10%, which poses no practical problem.Also, since DC voltage is supplied to the heater, the inductance and capacitor attached to the heater circuit It is not affected by the high frequency filter 35 at all. Further, an anode current with a frequency corresponding to the switching frequency flows through the magnetron 34, but the impedance of the inductance of the high frequency filter 35 at the frequency is approximately 0.3Ω, which is approximately 1.0Ω of the equivalent impedance during magnetron oscillation. It is sufficiently small compared to OKΩ, and the anode current flows without any problem.
また、スイッチング素子26がONからOFFする時に
絶縁トランス21の1次巻線22に発生するサージ電圧
を第1図の破線で示す第1コンデンサ25−第2コンデ
ンサ28−フライホイールダイオード27のループで吸
収し、スイッチング素子26がサージ電圧で破壊される
のを防止する。In addition, the surge voltage generated in the primary winding 22 of the isolation transformer 21 when the switching element 26 turns from ON to OFF is controlled by the loop of the first capacitor 25-second capacitor 28-flywheel diode 27, which is shown by the broken line in FIG. This absorbs the surge voltage and prevents the switching element 26 from being destroyed by surge voltage.
また、スイッチング素子1石によるフォワードコンバー
タ方式により回路構成が簡単になり、制御回路も簡素化
できてコストを下げることができる。In addition, the forward converter system using one switching element simplifies the circuit configuration, simplifies the control circuit, and reduces costs.
発明の効果 以上本発明により次の効果がある。Effect of the invention The present invention has the following effects.
(1)並列共振回路を応用しているため、絶縁トランス
の2次高圧巻線の巻数を少なくでき、絶縁トランスを小
型軽量にできる。(1) Since a parallel resonant circuit is applied, the number of turns of the secondary high voltage winding of the isolation transformer can be reduced, allowing the isolation transformer to be made smaller and lighter.
(2)1方式インバータ方式のため基本回路、制御回路
ともに簡単である。(2) Since it is a one-system inverter system, both the basic circuit and the control circuit are simple.
(3)ヒータ回路には半波整流平滑回路により直流電圧
にして印加しているため、高周波出力制御の影響をうけ
ない。(3) Since DC voltage is applied to the heater circuit by a half-wave rectifying and smoothing circuit, it is not affected by high frequency output control.
第1図は本発明の一実施例におけるマグネトロン用電源
装置の基本回路図、第2図(A)はスイッチング素子の
ON・OFFとヒータ電圧の関係を示す図、第2図(B
)はスイッチング素子0N=01” F時の1次回路の
タイミングチャート、第2図(C)は高周波出力制御の
原理図、第2図(D)はTON時間と高周波出力、スイ
ッチング周波数と高周波出力との関係を示す図、第3図
は従来のマグネトロン用電源装置の基本回路図、第4図
は高周波インバータの一般例としてのプッシュプル式の
基本回路図である。
21・・・絶縁トランス、22・・・1次巻線、23・
・・2次高圧巻線、24・・・3次低圧巻線、25・・
・第1.コンデンサ、26・・・スイッチング素子、2
7・・・フライホイールダイオード、28・・・第2コ
ンデンサ、29・・直流電源、30・・・第1ダイオー
ド、31・・・第3コンデンサ、32・・第2ダイオー
ド、33・・・第4コンデンサ、34・・マグネトロン
、35・・・高周波フィルタ
代理人 森 本 義 弘
第1図
z3−−−12フ〕デj47
第2図副ン
第2図(8)
第2図(Cン
第2図(D)
0 ″cON時陽 −
第3図
、5
第4図Fig. 1 is a basic circuit diagram of a magnetron power supply device according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 (A) is a diagram showing the relationship between ON/OFF of switching elements and heater voltage, and Fig. 2 (B
) is a timing chart of the primary circuit when the switching element is 0N=01"F, Figure 2 (C) is a principle diagram of high frequency output control, and Figure 2 (D) is TON time and high frequency output, switching frequency and high frequency output 3 is a basic circuit diagram of a conventional magnetron power supply device, and FIG. 4 is a basic circuit diagram of a push-pull type as a general example of a high frequency inverter. 21... Isolation transformer, 22... Primary winding, 23...
...Secondary high voltage winding, 24...Third low voltage winding, 25...
・First. Capacitor, 26... Switching element, 2
7... Flywheel diode, 28... Second capacitor, 29... DC power supply, 30... First diode, 31... Third capacitor, 32... Second diode, 33... Third 4 Capacitor, 34...Magnetron, 35...High frequency filter agent Yoshihiro MorimotoFigure 1 Figure 2 (D) 0″cON time - Figure 3, 5 Figure 4
Claims (1)
ランスと、前記1次巻線のインダクタンス分と共振する
ためのコンデンサと、フライホイールダイオードを有し
たスイッチング素子により高周波スイッチングパワー回
路を形成し、前記2次高圧巻線の前記1次巻線と同極性
側に半波倍電圧整流回路のダイオードのカソード側を接
続するとともに、前記半波倍電圧整流回路をマグネトロ
ンのアノード・カソード間に接続して高圧回路を形成し
、前記3次低圧巻線の前記1次巻線と同極性側に半波整
流平滑回路のダイオードのアノード側を接続するととも
に、前記半波整流平滑回路をマグネトロンのヒータに接
続してヒータ回路を形成し、前記スイッチング素子の導
通時に前記マグネトロンと前記ヒータ回路に電流を流す
ように構成したマグネトロン用電源装置。1. High-frequency switching is performed by a transformer consisting of a primary winding, a secondary high-voltage winding, and a tertiary low-voltage winding, a capacitor for resonating with the inductance of the primary winding, and a switching element having a flywheel diode. A power circuit is formed, and the cathode side of a diode of a half-wave voltage doubler rectifier circuit is connected to the same polarity side as the primary winding of the secondary high voltage winding, and the half-wave voltage doubler rectifier circuit is connected to the anode of the magnetron.・Connect between the cathodes to form a high voltage circuit, connect the anode side of a diode of a half-wave rectification and smoothing circuit to the same polarity side as the primary winding of the tertiary low-voltage winding, and connect the anode side of the diode of the half-wave rectification and smoothing circuit. 1. A power supply device for a magnetron, wherein a heater circuit is formed by connecting a circuit to a heater of a magnetron, and a current is caused to flow through the magnetron and the heater circuit when the switching element is conductive.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12196285A JPS61279094A (en) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | Power source unit for magnetron |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP12196285A JPS61279094A (en) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | Power source unit for magnetron |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61279094A true JPS61279094A (en) | 1986-12-09 |
Family
ID=14824202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12196285A Pending JPS61279094A (en) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | Power source unit for magnetron |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61279094A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0487183A (en) * | 1990-07-26 | 1992-03-19 | Sharp Corp | Driver circuit for inverter type microwave oven |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS587493B2 (en) * | 1979-10-29 | 1983-02-10 | 安二 前田 | automotive umbrella storage device |
JPS59194378A (en) * | 1983-04-15 | 1984-11-05 | 三洋電機株式会社 | Drive circuit of magnetron |
JPS6081793A (en) * | 1983-10-13 | 1985-05-09 | 松下電器産業株式会社 | High frequency heater |
-
1985
- 1985-06-04 JP JP12196285A patent/JPS61279094A/en active Pending
Patent Citations (3)
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