JPS6127855B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6127855B2 JPS6127855B2 JP52143054A JP14305477A JPS6127855B2 JP S6127855 B2 JPS6127855 B2 JP S6127855B2 JP 52143054 A JP52143054 A JP 52143054A JP 14305477 A JP14305477 A JP 14305477A JP S6127855 B2 JPS6127855 B2 JP S6127855B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- traveling wave
- magnetic field
- wave tube
- resin
- focusing device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 19
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
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Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、周期磁界集束装置を用いた進行波管
装置の改良に関する。
装置の改良に関する。
周知の通り、進行波管装置においては、電子銃
より放射される電子ビームは、らせん状の導体か
らなるヘリツクスの内側を通つてコレクタに捕集
される。電子ビームが細長いヘリツクスの内側を
通る時、電子ビームの直径が拡がらないように電
子流を一定の径に集束するための電子ビーム集束
装置が取付けられている。すなわち、従来の進行
波管装置を示す第1図a,bにおいて、進行波管
管球は、電子銃部2と、この電子銃から発射され
た電子ビームを最終的に捕集するコレクタ7と、
電子銃部2とコレクタ7との間にあり、電子ビー
ムが内側を通過するらせん状の導体からなるヘリ
ツクス3とを含むものであり、6はヘリツクス部
に高周波入力を導入する入力導波管、6′はヘリ
ツクス部で増幅された高周波を出力する出力導波
管である。ヘリツクス3の外周には、環状の永久
磁石4と同じく環状のポールピース5とが交互に
組合されてなる周期磁界装置が取付けられ、さら
に、周期磁界装置の取付けられた管球は、ケース
基板8に取付けられ、ケースカバー1で全体を覆
い、ケース内部の空隙を樹脂9で充填し、周期磁
界装置と管球との相互位置を堅固に固定してい
る。
より放射される電子ビームは、らせん状の導体か
らなるヘリツクスの内側を通つてコレクタに捕集
される。電子ビームが細長いヘリツクスの内側を
通る時、電子ビームの直径が拡がらないように電
子流を一定の径に集束するための電子ビーム集束
装置が取付けられている。すなわち、従来の進行
波管装置を示す第1図a,bにおいて、進行波管
管球は、電子銃部2と、この電子銃から発射され
た電子ビームを最終的に捕集するコレクタ7と、
電子銃部2とコレクタ7との間にあり、電子ビー
ムが内側を通過するらせん状の導体からなるヘリ
ツクス3とを含むものであり、6はヘリツクス部
に高周波入力を導入する入力導波管、6′はヘリ
ツクス部で増幅された高周波を出力する出力導波
管である。ヘリツクス3の外周には、環状の永久
磁石4と同じく環状のポールピース5とが交互に
組合されてなる周期磁界装置が取付けられ、さら
に、周期磁界装置の取付けられた管球は、ケース
基板8に取付けられ、ケースカバー1で全体を覆
い、ケース内部の空隙を樹脂9で充填し、周期磁
界装置と管球との相互位置を堅固に固定してい
る。
永久磁石4と環状ポールピース5とを交互に多
数配置した周期磁界装置により、電子ビームの中
心軸、即ち集束装置の中心軸上にほぼ正弦波状に
周期的に変化する軸方向磁界が発生し、磁気レン
ズを等間隔においたと同様に作用し、集束レンズ
として電子ビームの電子相互の反発による発散が
防止される。
数配置した周期磁界装置により、電子ビームの中
心軸、即ち集束装置の中心軸上にほぼ正弦波状に
周期的に変化する軸方向磁界が発生し、磁気レン
ズを等間隔においたと同様に作用し、集束レンズ
として電子ビームの電子相互の反発による発散が
防止される。
ところで、上記のような進行波管装置において
は、一般的に、電子ビーム透過率が最高になるよ
うに、進行波管のヘリツクス部における電子ビー
ム透過率を電流計などで観測しながら集束装置を
調整し、そして、電子ビーム透過率が最高になつ
た状態で、集束装置の外側に金属ケースカバー1
を装着した後、金属ケースカバー内部に形成され
る空隙に樹脂9を充填し、硬化させていた。
は、一般的に、電子ビーム透過率が最高になるよ
うに、進行波管のヘリツクス部における電子ビー
ム透過率を電流計などで観測しながら集束装置を
調整し、そして、電子ビーム透過率が最高になつ
た状態で、集束装置の外側に金属ケースカバー1
を装着した後、金属ケースカバー内部に形成され
る空隙に樹脂9を充填し、硬化させていた。
しかし、上記の方法によると、樹脂9を多量に
使用するため、進行波管装置の重量が増すばかり
でなく、周期磁界集束装置の周囲が樹脂9で厚く
被われている。このような状態では、進行波管装
置の周囲温度の温度変化による樹脂9の熱膨脹或
は熱収縮が、進行波管本体、永久磁石4及びポー
ルピース5のそれよりはるかに大きいので、進行
波管本体がわずかに曲がつたり永久磁石4、ポー
ルピース5などの微小な位置ずれを生じ、進行波
管の電子ビーム透過特性が周囲温度の変化により
劣化するという欠点があつた。
使用するため、進行波管装置の重量が増すばかり
でなく、周期磁界集束装置の周囲が樹脂9で厚く
被われている。このような状態では、進行波管装
置の周囲温度の温度変化による樹脂9の熱膨脹或
は熱収縮が、進行波管本体、永久磁石4及びポー
ルピース5のそれよりはるかに大きいので、進行
波管本体がわずかに曲がつたり永久磁石4、ポー
ルピース5などの微小な位置ずれを生じ、進行波
管の電子ビーム透過特性が周囲温度の変化により
劣化するという欠点があつた。
本発明は、電子ビーム透過率を調整した後の周
期磁界集束装置の半周を囲むように半円筒形支持
部材を設け、前記周期磁界集束装置と、前記半円
筒形支持部材との間に樹脂を充填・硬化させるこ
とによつて、上記欠点を除去すべくなされたもの
である。
期磁界集束装置の半周を囲むように半円筒形支持
部材を設け、前記周期磁界集束装置と、前記半円
筒形支持部材との間に樹脂を充填・硬化させるこ
とによつて、上記欠点を除去すべくなされたもの
である。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。第2図a,bにおいて、周期磁界集束装置は
永久磁石4、ポールピース5からなり、両端部近
辺に高周波入力部6、高周波出力部6′が配設さ
れている。まず、集束装置の中心軸上の磁界を調
整し、電子ビーム透過率が最高になるようにする
そして、電子ビーム透過率が最高になつた状態の
周期磁界集束装置を下から囲むように半円筒形支
持部材11を金属製ケース基板8に部品10を介
して固定する。半円筒形支持部材11には非磁性
で機械的に丈夫で、また加工が容易なアルミ合金
板が最適である。半円筒形支持部材11の内面と
永久磁石4の外面との間には永久磁石4の外径の
1/3以下となるほどのわずかな隙間があくように
しておく。次に樹脂9を半円筒形支持部材11の
内面と、永久磁石4の外面との隙間に充填し、加
えて、半円筒形支持部材11によつて包囲されて
いない永久磁石4の上半面の外周にも樹脂9を薄
く塗布し、樹脂9を硬化させ、周期磁界集束装置
を半円筒形支持部材11に堅く保持する。電子銃
部2及びコレクタ部7には進行波管の各電極間を
電気的に絶縁する為、絶縁抵抗が高い樹脂9′を
充填し、硬化させる。
る。第2図a,bにおいて、周期磁界集束装置は
永久磁石4、ポールピース5からなり、両端部近
辺に高周波入力部6、高周波出力部6′が配設さ
れている。まず、集束装置の中心軸上の磁界を調
整し、電子ビーム透過率が最高になるようにする
そして、電子ビーム透過率が最高になつた状態の
周期磁界集束装置を下から囲むように半円筒形支
持部材11を金属製ケース基板8に部品10を介
して固定する。半円筒形支持部材11には非磁性
で機械的に丈夫で、また加工が容易なアルミ合金
板が最適である。半円筒形支持部材11の内面と
永久磁石4の外面との間には永久磁石4の外径の
1/3以下となるほどのわずかな隙間があくように
しておく。次に樹脂9を半円筒形支持部材11の
内面と、永久磁石4の外面との隙間に充填し、加
えて、半円筒形支持部材11によつて包囲されて
いない永久磁石4の上半面の外周にも樹脂9を薄
く塗布し、樹脂9を硬化させ、周期磁界集束装置
を半円筒形支持部材11に堅く保持する。電子銃
部2及びコレクタ部7には進行波管の各電極間を
電気的に絶縁する為、絶縁抵抗が高い樹脂9′を
充填し、硬化させる。
以上述べてきたように、本発明によれば、周期
磁界集束装置を保持固定する手段として樹脂を永
久磁石の外周に薄く充填し硬化させる方法を採用
しているので、進行波管装置の重量が著しく軽減
できる。また、周期磁界集束装置の周囲に充填す
る樹脂の量が少ない為、進行波管の周囲温度の温
度変化による樹脂の熱膨脹或は熱収縮による進行
波管本体の機械的変形、永久磁石及びポールピー
スの位置ずれが低減され、電子ビーム透過特性に
与える影響は少なくなり、温度変化に対する電子
ビーム透過特性を安定にすることができる。
磁界集束装置を保持固定する手段として樹脂を永
久磁石の外周に薄く充填し硬化させる方法を採用
しているので、進行波管装置の重量が著しく軽減
できる。また、周期磁界集束装置の周囲に充填す
る樹脂の量が少ない為、進行波管の周囲温度の温
度変化による樹脂の熱膨脹或は熱収縮による進行
波管本体の機械的変形、永久磁石及びポールピー
スの位置ずれが低減され、電子ビーム透過特性に
与える影響は少なくなり、温度変化に対する電子
ビーム透過特性を安定にすることができる。
なお、上記実施例では進行波管装置の高周波入
出力結合装置として同軸結合方式を用いたが、導
波管結合方式の進行波管装置にも適用できること
は勿論である。
出力結合装置として同軸結合方式を用いたが、導
波管結合方式の進行波管装置にも適用できること
は勿論である。
第1図aは従来の進行波管装置のケース破裁の
側面図、第1図bは第1図aの軸に直角なA―A
矢視断面図である。第2図aはこの発明の実施例
のケース破裁の側面図である。但し樹脂を除いて
示してある。第2図bは第2図aにおいて樹脂を
充填した場合の、軸に直角なB―B矢視断面図で
ある。 1……ケースカバー、2……電子銃部、3……
ヘリツクス、4……永久磁石、5……環状ポール
ピース、7……コレクタ、8……ケース基板、9
……充填樹脂、11……半円筒支持部材。
側面図、第1図bは第1図aの軸に直角なA―A
矢視断面図である。第2図aはこの発明の実施例
のケース破裁の側面図である。但し樹脂を除いて
示してある。第2図bは第2図aにおいて樹脂を
充填した場合の、軸に直角なB―B矢視断面図で
ある。 1……ケースカバー、2……電子銃部、3……
ヘリツクス、4……永久磁石、5……環状ポール
ピース、7……コレクタ、8……ケース基板、9
……充填樹脂、11……半円筒支持部材。
Claims (1)
- 1 進行波管管球と、この進行波管管球のヘリツ
クスの外周を囲むように複数個の永久磁石と複数
個のポールピースとからなる周期磁界集束装置を
配設した進行波管装置において、前記周期磁界集
束装置の外周に薄く樹脂を塗布し硬化させると共
に、前記周期磁界集束装置の半周を囲むように非
磁性金属からなる半円筒形支持部材を設け、前記
周期磁界集束装置と前記半円筒形支持部材との間
にも樹脂を充填硬化させたことを特徴とする進行
波管装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14305477A JPS5474668A (en) | 1977-11-28 | 1977-11-28 | Traveliing-wave tube unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14305477A JPS5474668A (en) | 1977-11-28 | 1977-11-28 | Traveliing-wave tube unit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5474668A JPS5474668A (en) | 1979-06-14 |
JPS6127855B2 true JPS6127855B2 (ja) | 1986-06-27 |
Family
ID=15329832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14305477A Granted JPS5474668A (en) | 1977-11-28 | 1977-11-28 | Traveliing-wave tube unit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5474668A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5696444A (en) * | 1979-12-28 | 1981-08-04 | Nec Corp | Traveling waveguide |
JPS5696445A (en) * | 1979-12-28 | 1981-08-04 | Nec Corp | Traveling waveguide |
FR2833749B1 (fr) * | 2001-12-14 | 2004-04-02 | Thales Sa | Refroidissement d'un tube electronique |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5126055A (ja) * | 1974-08-28 | 1976-03-03 | Tokyo Shibaura Electric Co | Parususekisansochi |
-
1977
- 1977-11-28 JP JP14305477A patent/JPS5474668A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5126055A (ja) * | 1974-08-28 | 1976-03-03 | Tokyo Shibaura Electric Co | Parususekisansochi |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5474668A (en) | 1979-06-14 |
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