JPS61278155A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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Publication number
JPS61278155A
JPS61278155A JP11960485A JP11960485A JPS61278155A JP S61278155 A JPS61278155 A JP S61278155A JP 11960485 A JP11960485 A JP 11960485A JP 11960485 A JP11960485 A JP 11960485A JP S61278155 A JPS61278155 A JP S61278155A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
hydrotarxite
ion
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP11960485A
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Japanese (ja)
Inventor
Saburo Omori
大森 三郎
Yasuhito Momota
百田 康仁
Kazuo Iko
伊香 和夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the water resistance, by coating the semiconductor element with epoxy resin composition containing hydrotarxite group compound and then molding this element while covering it. CONSTITUTION:The main component of the epoxy resin composition to be used is epoxy resin and curative agent containing hydrotarxite. The semiconductor is coated with this epoxy resin composition and is molded. The hydrotarxite group compound acts not only to stabilize the plastic but also to take in sodium ion and chloride ion as a part of its crystal structure. Accordingly, sodium ion and chloride ion, etc. are adsorbed and eliminated so that the amount of ion to be activated is extremely decreased. Therefore, even when water penetrates into the plastic package made of the epoxy resin composition, the corrosion of the wiring of semiconductor element is prevented and its reliability is greatly increased.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、信頼性の優れた半導体装置に関するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a highly reliable semiconductor device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

トランジスタ、IC,LSI等の半導体素子は、通常セ
ラミックパッケージもしくはプラスチックパッケージ等
により封止され、半導体装置化されている。上記セラミ
ックパッケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、
透湿性にも優れているため、温度、湿度に対して強く、
しかも中空パッケージのため機械的強度も高く信頼性の
高い封止が可能である。しかしながら、構成材料が比較
適高価なものであることと、量産性に劣る欠点があるた
め、近年では上記プラスチックパッケージを用いた樹脂
封止が主流になっている。この種の樹脂封止には、従来
からエポキシ樹脂組成物が使用されているが、近頃のパ
ッケージの小形化、薄肉化の進行により水の侵入が容易
となってきており、この侵入水が樹脂中のナトリウム、
クロルイオンを活性化し、上記素子の配線等を腐食させ
ることから、上記エポキシ樹脂組成物を用いた樹脂封止
では耐湿性の点でいまひとつ満足しえな(なっている。
Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are usually sealed with ceramic packages, plastic packages, or the like to form semiconductor devices. The above-mentioned ceramic package has heat resistance in the constituent material itself,
It also has excellent moisture permeability, so it is resistant to temperature and humidity.
Moreover, since it is a hollow package, it has high mechanical strength and can be sealed with high reliability. However, in recent years, resin sealing using the above-mentioned plastic package has become mainstream because the constituent materials are relatively expensive and the mass productivity is poor. Epoxy resin compositions have traditionally been used for this type of resin sealing, but as packages have become smaller and thinner in recent years, it has become easier for water to enter the resin. sodium in
Resin sealing using the epoxy resin composition is not satisfactory in terms of moisture resistance because it activates chlorine ions and corrodes the wiring of the device.

特に、最近、半導体分野の技術革新によって集積度の向
上とともに素子サイズの大形化、配線の微細化が進み、
パッケージもより小形化、薄形化する傾向にあり、これ
に伴って封止材料に対してより以上の耐湿信頬性(得ら
れる半導体装置の耐湿信頼性等)の向上が要望されてい
る。
In particular, recent technological innovations in the semiconductor field have led to increased integration, larger element sizes, and finer interconnections.
Packages are also becoming smaller and thinner, and along with this, there is a demand for further improvements in moisture resistance (moisture resistance reliability of the resulting semiconductor devices, etc.) for sealing materials.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記の耐湿性を向上させる目的で、半導体素子自身に、
シリコーン樹脂、ポリ・イミド樹脂等の有機化合物でア
ンダーコートを施し樹脂封止したり、リードフレーム材
とパフケージ樹脂との界面密着性を向上させて界面から
の水の侵入を阻止するためにフレーム構造を改善したり
、エポキシ樹脂組成物自体の配合に工夫をこらしたりす
ること等が提案されたが、上記提案法はいずれも充分な
効果を奏し得す、依然として前記の問題の解決がなされ
ていないのが実情である。
In order to improve the moisture resistance mentioned above,
The frame structure is undercoated with an organic compound such as silicone resin or polyimide resin to seal the resin, or to improve the interfacial adhesion between the lead frame material and puff cage resin to prevent water from entering from the interface. Although it has been proposed to improve the epoxy resin composition and to devise ways to mix the epoxy resin composition itself, the above-mentioned proposed methods are all sufficiently effective, but the above-mentioned problems still remain unsolved. That is the reality.

この発明はこのような事情に鑑みなされたもので、優れ
た耐湿信頼性を有している半導体装置の提供をその目的
とするものである。
The present invention was made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device having excellent moisture resistance and reliability.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
下記の(A)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用い
て半導体素子を被覆モールドしてなるという構成をとる
In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention includes:
The structure is such that a semiconductor element is covered and molded using an epoxy resin composition containing the following component (A).

(A)ハイドロタルサイト類化合物。(A) Hydrotalcite compound.

ずなわら、この発明者らは、上記半導体装置の耐湿信頼
性向上の要望に応えるため、耐湿性低下の原因となるエ
ポキシ樹脂組成物中のナトリウムイオンやクロルイオン
の量を低減することを中心に研究を重ねた結果、ハイド
ロタルサイトa化合物を用いると、所期の目的を達成し
うろことを見いだしこの発明に到達した。
In order to meet the demand for improving the moisture resistance reliability of semiconductor devices, the inventors focused on reducing the amount of sodium ions and chloride ions in the epoxy resin composition, which cause a decrease in moisture resistance. As a result of repeated research, it was discovered that the intended purpose could be achieved by using a hydrotalcite a compound, and the present invention was achieved.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
および硬化剤を主要成分とし、上記ハイドロタルサイト
類化合物を含有しているものであり、通常、粉末状もし
くはそれを打錠したタブレット状になっている。
The epoxy resin composition used in this invention has an epoxy resin and a curing agent as main components, and contains the above-mentioned hydrotalcite compound, and is usually in the form of a powder or a tablet formed by compressing it. There is.

ハイドロタルサイトは、ソ連のウラル地方やノルウェー
のスナルムで僅かに産出される天然鉱物であって、Mg
bA l t (ON) l6CO3・4H20という
一般式で表される。最近、この合成が成功し、例えば、
門ga、5Alz(OH)tscO:+、3.5H20
という一般式をもつハイドロタルサイト類化合物が、協
和化学工業社からプラスチック安定剤(商品名DIIT
−4)として製造販売されている。したがって、この発
明におけるハイドロタルサイト類化合物とは、上記ハイ
ドロタルサイトはもとより、それと近似した特性を有す
る合成物も広く含むものである。
Hydrotalcite is a natural mineral that is produced in small amounts in the Ural region of the Soviet Union and Snarm in Norway.
It is expressed by the general formula bA lt (ON) 16CO3.4H20. Recently, this synthesis has been successful, e.g.
Gate ga, 5Alz(OH)tscO:+, 3.5H20
A hydrotalcite compound with the general formula is manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd. as a plastic stabilizer (product name DIIT).
-4). Therefore, the hydrotalcite compounds in the present invention include not only the above-mentioned hydrotalcite, but also a wide range of compounds having properties similar to the hydrotalcite.

この発明者らは、エポキシ樹脂中のナトリウムイオン、
クロルイオンの活性抑制の研究の過程で、上記ハイドロ
タルサイト類化合物が、単にプラスチックの安定作用だ
けでなく、ナトリウムイオン5クロルイオンをその結晶
構造の一部として取り込む作用を有することを確認し、
上記エポキシ樹脂組成物中にこれを配合すると、ナトリ
ウムイオン、クロルイオン等が吸着除去されるようにな
り、上記エポキシ樹脂組成物からなるプラスチックパッ
ケージに水が侵入しても、活性化されるイオン量が激減
しているため、半導体素子の配線の腐食が防止されその
信頼性が大幅に向上するようになることをつきとめたの
である。
The inventors discovered that sodium ions in epoxy resin,
In the course of research on suppressing the activity of chloride ions, we confirmed that the above hydrotalcite compounds not only have a stabilizing effect on plastics, but also have the ability to incorporate sodium ions and chloride ions as part of their crystal structure.
When this is blended into the above epoxy resin composition, sodium ions, chloride ions, etc. will be adsorbed and removed, and even if water enters the plastic package made of the above epoxy resin composition, the amount of ions that will be activated will be reduced. They found that this drastically reduced the corrosion of the wiring in semiconductor devices, thereby significantly improving their reliability.

この発明に用いるエポキシ樹脂は、特に制限するもので
はなく、ノボラック系、ビスフェノール糸導各種のもの
があげられるが、特に軟化点(JlS落球法による)が
60〜85°Cのものが好ましい。上記ノボラック系エ
ポキシ樹脂の代表例として、フェノールノボラックエポ
キシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ハロゲ
ン化フェノールノボラックエボキシ樹脂があげられ、ビ
スフェノール系エポキシ樹脂の代表例として、グリシジ
ルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポ
キシ樹脂があげられる。これらの樹脂は単独で用いても
よいし2種以上を併用してもよい。
The epoxy resin used in this invention is not particularly limited, and examples include novolak and bisphenol thread-containing epoxy resins, but those with a softening point (according to the JIS falling ball method) of 60 to 85°C are particularly preferred. Typical examples of the novolac epoxy resins mentioned above include phenol novolac epoxy resins, cresol novolac epoxy resins, and halogenated phenol novolac epoxy resins. Typical examples of bisphenol epoxy resins include glycidyl ether type epoxy resins and glycidyl ester type epoxy resins. can be given. These resins may be used alone or in combination of two or more.

上記エポキシ樹脂とともに用いられるエポキシ樹脂の硬
化剤としてはフェノール樹脂(ノボラック系エポキシ樹
脂のみ)、酸無水物、ポリアミン等があげられる。この
うち、フェノール樹脂硬化剤としては、フェノールノボ
ラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、 tert−
ブチルフェノールノボラック樹脂等があげられ、酸無水
物としては、無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル酸
、無水へキサヒドロフタル酸等があげられ、また、ポリ
アミンとしては、メタフェニレンジアミン、バラフェニ
レンジアミン、4,4“ −ジアミノジフエニルメタン
、4.4° −ジアミノジフェニルスルフォン等があげ
られる。上記化合物は、単独で使用しうろことはもちろ
ん、2種以上使用しても何ら支障はない。
Examples of curing agents for epoxy resins used with the above epoxy resins include phenol resins (novolak epoxy resins only), acid anhydrides, polyamines, and the like. Among these, as the phenolic resin curing agent, phenol novolac resin, cresol novolac resin, tert-
Examples include butylphenol novolak resin, etc.; examples of acid anhydrides include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, and hexahydrophthalic anhydride; examples of polyamines include metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, Examples include 4"-diaminodiphenylmethane, 4.4°-diaminodiphenyl sulfone, etc. The above compounds may be used alone or in combination of two or more without any problem.

この発明のエポキシ樹脂組成物には、上述した必須成分
のほか任意成分として、硬化促進剤を必要に応じて添加
配合することができる。
In addition to the above-mentioned essential components, a curing accelerator can be added to the epoxy resin composition of the present invention as an optional component, if necessary.

上記硬化促進剤としては、下記の3級アミン。Examples of the curing accelerator include the following tertiary amines.

4級アンモニウム塩、イミダゾール類およびホウ素化合
物を好適な例としてあげることができる。
Suitable examples include quaternary ammonium salts, imidazoles and boron compounds.

3級アミン トリエタノールアミン、テトラメチルヘキサンジアミン
、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチル
アミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、2,4
.6−トリス(ジメチルアミノエチル)フェノール、N
、N’−ジメチルピペラジン、ピリジン、ピコリン、1
,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,O)ウンデセン−7
、ベンジルジメチルアミン、2−(ジメチルアミノ)メ
チルフェノール4級アンモニウム塩 ドデシルトリメチルアンモニウムアイオダイド、セチル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラブチルアンモニウムクロライド、ステアリルトリ
メチルアンモニウムクロライド。
Tertiary amine triethanolamine, tetramethylhexanediamine, triethylenediamine, dimethylaniline, dimethylaminoethanol, diethylaminoethanol, 2,4
.. 6-tris(dimethylaminoethyl)phenol, N
, N'-dimethylpiperazine, pyridine, picoline, 1
,8-diaza-bicyclo(5,4,O)undecene-7
, benzyldimethylamine, 2-(dimethylamino)methylphenol quaternary ammonium salt dodecyltrimethylammonium iodide, cetyltrimethylammonium chloride, benzyldimethyltetrabutylammonium chloride, stearyltrimethylammonium chloride.

イミダゾール類 2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール
、2−エチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチル
イミダゾール、■−シアノエチルー2−ウンデシルイミ
ダゾールホウ素化合物 テトラフェニルボロン、トリフェニルホスフィン、テト
ラフェニルボレート N−メチルモルホリンテトラフェ
ニルボレート また、必要に応じて、上記の成分原料以外に、無機質充
填材、離型剤、三酸化アンチモン、リン系化合物等の難
燃剤や顔料、シランカップリング剤等のカップリング剤
、着色剤等を用いることができる。上記無機質充填材と
しては特に限定するものではなく、一般に用いられる炭
酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、石英ガラス粉末、タ
ルク。
Imidazoles 2-Methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-ethylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, ■-cyanoethyl-2-undecylimidazole Boron compounds tetraphenylboron, triphenylphosphine, tetraphenylborate N- Methylmorpholine tetraphenylborate In addition to the above ingredients, if necessary, inorganic fillers, mold release agents, antimony trioxide, flame retardants such as phosphorus compounds, pigments, coupling agents such as silane coupling agents, etc. , colorants, etc. can be used. The inorganic filler is not particularly limited, and may include commonly used calcium carbonate, calcium silicate, quartz glass powder, and talc.

シリカ粉末、アルミナ粉末等が適宜に用いられる。また
、上記離型剤としては、高級脂肪族パラフィン、高級脂
肪族アルコール、高級脂肪族エステル、高級脂肪族アミ
ド、高級脂肪族金属塩、カルナバワックス等の天然ワッ
クスやポリエチレンワックス等の合成ワックス等があげ
られ、適宜用いられる。
Silica powder, alumina powder, etc. are used as appropriate. Further, as the mold release agent, higher aliphatic paraffins, higher aliphatic alcohols, higher aliphatic esters, higher aliphatic amides, higher aliphatic metal salts, natural waxes such as carnauba wax, synthetic waxes such as polyethylene wax, etc. and used as appropriate.

この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、上記の成
分原料を用い、従来公知の方法で製造され、そして半導
体装置のプラスチックパッケージとなるものであり、耐
湿特性の著しく優れた半導体装置をつ(りうる。すなわ
ち、上記ハイドロタルサイト類化合物は、先に述べたよ
うに、それ自身の結晶構造中にナトリウムイオンやクロ
ルイオン等を吸着するという画期的な特性を有し樹脂中
の上記イオンを吸着しその量を激減させるため、外部か
ら水が侵入しても、活性ナトリウムイオン、クロルイオ
ンに起因する配線等の腐食が起こらないのである。この
効果は、ハイドロタルサイト類化合物が、エポキシ樹脂
組成物を基準とし、その組成物中に0.05〜10重量
%含有されるという量を満たすときに最大となる。
The epoxy resin composition used in this invention is produced by a conventionally known method using the above-mentioned raw materials, and is used as a plastic package for semiconductor devices. In other words, as mentioned above, the hydrotalcite compounds have the revolutionary property of adsorbing sodium ions, chloride ions, etc. in their own crystal structure, and are capable of absorbing the above ions in the resin. Because it adsorbs and drastically reduces the amount, corrosion of wiring, etc. caused by active sodium ions and chlorine ions does not occur even if water enters from the outside.This effect is due to the fact that hydrotalcite compounds The maximum amount is reached when the content is 0.05 to 10% by weight in the composition, based on the composition.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、先に述べたよ
うに従来公知の方法で製造しうるちのであり、これにつ
いてより詳しく述べると、エポキシ樹脂とハイドロタル
サイト類化合物と硬化剤と場合により硬化促進剤、無機
質充填材、離型剤。
As mentioned above, the epoxy resin composition used in this invention can be produced by a conventionally known method.To explain this in more detail, it consists of an epoxy resin, a hydrotalcite compound, a curing agent, and optionally a curing agent. Accelerator, inorganic filler, mold release agent.

顔料、カップリング剤等その他の添加剤を適宜配合し、
この配合物をミキシングロール機等の混練機に掛けて加
熱状態で混練し、半硬化状の樹脂組成物とし、これを室
温に冷却したのち公知の手段によって粉砕し、必要に応
じて打錠することによりエポキシ樹脂組成物を得ること
ができる。
Add other additives such as pigments and coupling agents as appropriate,
This compound is kneaded in a heated state using a kneading machine such as a mixing roll machine to form a semi-cured resin composition, which is cooled to room temperature and then pulverized by known means and tableted as necessary. An epoxy resin composition can be obtained by this.

このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は特に限定するものではなく、通常の方法、例えば
トランスファー成形等の公知のモールド方法により行う
ことができる。
Sealing of a semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by a conventional method, for example, a known molding method such as transfer molding.

このようにして得られる半導体装置は、優れた耐湿信頼
性を備えている。
The semiconductor device thus obtained has excellent moisture resistance and reliability.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明の半導体装置は、ナトリウムイオンおよびクロ
ルイオンを吸着するハイドロタルサイト類化合物を含む
エポキシ樹脂組成物を用いて封止されているため、耐湿
信頼性が極めて高くなっている。特に、上記のようなエ
ポキシ樹脂組成物による封正により、8ビン以上特に1
6ピン以上、もしくはチップの長辺が4重−以上の大形
の半導体装置において、上記のような高信頼度が得られ
るようになるのであり、これが大きな特徴である。
The semiconductor device of the present invention has extremely high moisture resistance reliability because it is sealed using an epoxy resin composition containing a hydrotalcite compound that adsorbs sodium ions and chloride ions. In particular, by sealing with the epoxy resin composition as described above, 8 bottles or more, especially 1 bottle.
This is a major feature, as it enables the above-mentioned high reliability to be obtained in large semiconductor devices with 6 or more pins or a chip with 4 or more long sides.

つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。Next, examples will be described together with comparative examples.

〔実施例1〜15.比較例1〜3〕 まず、各原料を下記の第1表に示す組成で配合し、この
配合物を60〜100℃の温度範囲で熱ロールで3〜5
分間混練したのち、冷却後粉砕し、粉末状組成物とした
。ついで、得られた粉末状組成物を用い、表面にアルミ
ニウム配線が蒸着されているアルミニウム腐食用素子を
、圧カフ0kg/ ctA 、温度175℃1時間90
秒の条件でトランスファー成形し、樹脂封止型アルミニ
ウム腐食用テスト素子を得た。
[Examples 1 to 15. Comparative Examples 1 to 3] First, each raw material was blended with the composition shown in Table 1 below, and this blend was rolled for 3 to 5 minutes with a hot roll in a temperature range of 60 to 100°C.
After kneading for a minute, the mixture was cooled and pulverized to obtain a powder composition. Next, using the obtained powder composition, an aluminum corrosion element having aluminum wiring deposited on its surface was heated with a pressure cuff of 0 kg/ctA and a temperature of 175°C for 1 hour at 90°C.
Transfer molding was carried out under the conditions of 2 seconds to obtain a resin-sealed aluminum corrosion test element.

(以下余白) 〔試験〕 このようにして得られた実施例1〜15および比較例1
〜3の樹脂封止型アルミニウム腐食用テスト素子につい
て、121℃、2気圧下で行うプレッシャークツカーテ
スト(以下rPcTJと略す)および121℃、2気圧
下でさらに20Vの電圧をかけるバイアスプレッシャー
クツカーテスト(以下「B−PCTjと略す)をそれぞ
れ行い、耐湿性、耐腐食性を評価した。評価方法は、ア
ルミニウム電極の腐食に起因するオープン不良を判定す
ることにより行い、被評価個数100個中の不良品個数
を、耐湿性、耐腐食性の目安とした。
(Left below) [Test] Examples 1 to 15 and Comparative Example 1 thus obtained
For the resin-sealed aluminum corrosion test elements No. 3 to 3, a pressure tester test (rPcTJ hereinafter) was conducted at 121°C and 2 atmospheres, and a bias pressure tester was applied to further apply a voltage of 20 V at 121°C and 2 atmospheres. Tests (hereinafter abbreviated as "B-PCTj") were conducted on each to evaluate moisture resistance and corrosion resistance.The evaluation method was to determine open defects caused by corrosion of aluminum electrodes, and The number of defective products was used as a guideline for moisture resistance and corrosion resistance.

この結果を第2表に示す。The results are shown in Table 2.

(以下余白) 第2表の結果から、実施測高はいずれも比較測高に比べ
て優れた耐湿性、耐腐食性を有しており、特にハイドロ
タルサイトm化合物の含有量がエポキシ樹脂組成物の0
.05〜10重世%である場合に、より優れた耐湿性、
耐腐食性を有していることがわかる。
(Leaving space below) From the results in Table 2, it can be seen that all of the implemented height measurements have superior moisture resistance and corrosion resistance compared to the comparative height measurements, and in particular, the content of hydrotalcite m compound in the epoxy resin composition is 0 of things
.. 05-10%, better moisture resistance;
It can be seen that it has corrosion resistance.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)下記の(A)成分を含有するエポキシ樹脂組成物
を用いて半導体素子を被覆モールドしてなる半導体装置
。 (A)ハイドロタルサイト類化合物。
(1) A semiconductor device formed by covering and molding a semiconductor element using an epoxy resin composition containing the following component (A). (A) Hydrotalcite compound.
(2)(A)成分のハイドロタルサイト類化合物が、エ
ポキシ樹脂組成物中に0.05〜10重量%含有されて
いる特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
(2) The semiconductor device according to claim 1, wherein the hydrotalcite compound (A) is contained in the epoxy resin composition in an amount of 0.05 to 10% by weight.
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