JPS61276385A - 線形磁気抵抗効果センサ、前記センサの製造法及び磁区検出器へのその応用 - Google Patents
線形磁気抵抗効果センサ、前記センサの製造法及び磁区検出器へのその応用Info
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- G11B2005/0032—Transducing means or record carriers including or interacting with each other through interposition of, a physically controllable magnetic flux masking or focusing element
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
技術分野
本発明は磁気抵抗効果センサ、前記センサの製造法及び
磁区検出器へのその応用に係る。このタイプの検出器は
磁気データキャリヤを読取るために用いることができ、
かつデータセットの同時読取シを可能にする。
磁区検出器へのその応用に係る。このタイプの検出器は
磁気データキャリヤを読取るために用いることができ、
かつデータセットの同時読取シを可能にする。
先行技術の説明
線形磁気抵抗（ＬＭＲ）効果を使用するセンサはすでに
知られている。
知られている。
内部を高電流が流れている半導体の薄膜（厚さ数ミクロ
ン）を考えていただきたい。この薄膜層の平面に電流と
垂直方向の磁来がかけられるとき、キャリヤ（電子及び
正孔）は層に対して垂直にかつ同一方向に偏向される。
ン）を考えていただきたい。この薄膜層の平面に電流と
垂直方向の磁来がかけられるとき、キャリヤ（電子及び
正孔）は層に対して垂直にかつ同一方向に偏向される。
従来のホール効果は、２つのキャリヤの流れは当然異な
るものと考えている。大多数のキャリヤに加えられる力
はホール効果によって相殺される。ＬＭＲ効果では、電
流は平衡しており、磁界は薄膜層の境界面の１つに集ま
るキャリヤの偏向を阻止することは全くない。これらの
境界面のそれぞれでの再結合速度はきわめてさまざまで
あるように選択されておシ、従って薄膜層内のキャリヤ
の平均濃度は磁界の方向に従って増減する。注入電流に
対する薄膜層の抵抗は磁界と共に直線形に変化する。
るものと考えている。大多数のキャリヤに加えられる力
はホール効果によって相殺される。ＬＭＲ効果では、電
流は平衡しており、磁界は薄膜層の境界面の１つに集ま
るキャリヤの偏向を阻止することは全くない。これらの
境界面のそれぞれでの再結合速度はきわめてさまざまで
あるように選択されておシ、従って薄膜層内のキャリヤ
の平均濃度は磁界の方向に従って増減する。注入電流に
対する薄膜層の抵抗は磁界と共に直線形に変化する。
現在のところ、この効果は磁気テープのような記述した
ビットによって展開される磁界か弱すぎる磁気データ担
体上に記録されたデータの読取りを可能にするには微弱
すぎる。実際に、３〜５μｍの距離での数十ガウスの漏
れ磁界は半導体層内に充分大きな電流を誘導するために
は充分強くない、数百ガウスの値をもつ磁場が要求され
る。
ビットによって展開される磁界か弱すぎる磁気データ担
体上に記録されたデータの読取りを可能にするには微弱
すぎる。実際に、３〜５μｍの距離での数十ガウスの漏
れ磁界は半導体層内に充分大きな電流を誘導するために
は充分強くない、数百ガウスの値をもつ磁場が要求され
る。
以上のような理由で、本発明は磁気データを増幅し読出
すためのセンサを提供する。本発明は従って例えば磁気
テープ又は磁気、６プルメモリに記録されたデータのよ
うな低強度の磁界にも応用できる。
すためのセンサを提供する。本発明は従って例えば磁気
テープ又は磁気、６プルメモリに記録されたデータのよ
うな低強度の磁界にも応用できる。
本発明の要約
従って本発明は、主として次の要素、即ち第１面及び第
２面を持つ半導体材料層、半導体材料層の第１面を覆う
フェリ磁性材料層、半導体材料層の第２面に配置された
少なくとも１対の電極、を含む磁気抵抗効果センサに係
る。
２面を持つ半導体材料層、半導体材料層の第１面を覆う
フェリ磁性材料層、半導体材料層の第２面に配置された
少なくとも１対の電極、を含む磁気抵抗効果センサに係
る。
本発明は更に主として次のさまざまな段階を含む磁気抵
抗効果センサの製造法にも係る。即ち、ａ）第１基板上
へのフェリ磁性材料層の被着を含む第１段階 ｂ）フェリ磁性材料層上への半導体材料層の被着を含む
第２段階 Ｃ）半導体材料層上への電極の被着を含む第３段階 ｄ）このようにして得られた、電極を担持する部材の面
を第２絶縁材料基板に対して結合する工程を含む瀉４段
階 ｅ）第１基板の全体又は１部の除去を含む第５段階。
抗効果センサの製造法にも係る。即ち、ａ）第１基板上
へのフェリ磁性材料層の被着を含む第１段階 ｂ）フェリ磁性材料層上への半導体材料層の被着を含む
第２段階 Ｃ）半導体材料層上への電極の被着を含む第３段階 ｄ）このようにして得られた、電極を担持する部材の面
を第２絶縁材料基板に対して結合する工程を含む瀉４段
階 ｅ）第１基板の全体又は１部の除去を含む第５段階。
最後に、本発明は、あらかじめ定められた第１方向に磁
界を誘導するための領域を少なくとも１つもつ磁気デー
タ担体を含む磁区検出器にも係る。
界を誘導するための領域を少なくとも１つもつ磁気デー
タ担体を含む磁区検出器にも係る。
前記磁区検出器はまた、次の構成要素を主として含むセ
ンサを備えている。即ち、 一第１面及びＭ２面をもつ半導体材料層、−半導体材料
の第１面上に被着させたフェリ磁性材料層、 一半導体材料の８ｇ２面上に第２の方向に配置された少
なくとも１対の電極。
ンサを備えている。即ち、 一第１面及びＭ２面をもつ半導体材料層、−半導体材料
の第１面上に被着させたフェリ磁性材料層、 一半導体材料の８ｇ２面上に第２の方向に配置された少
なくとも１対の電極。
前記センサは、フェリ磁性材料層を担持する面が磁気デ
ータ担体の近傍に配置され、かつ２個の電極の第２方向
が磁界の第１方向に対して垂直であるように配置されて
いる。
ータ担体の近傍に配置され、かつ２個の電極の第２方向
が磁界の第１方向に対して垂直であるように配置されて
いる。
本発明の詳細な説明
本発明に基いて製造されるセンサは、第５図に示す通シ
、半導体材料の層３を含んでおシ、この層は１方の面に
フェリ磁性材料の層２を、他方の面には電極４１．４２
の対４のような電極対を担持するよう構成されている。
、半導体材料の層３を含んでおシ、この層は１方の面に
フェリ磁性材料の層２を、他方の面には電極４１．４２
の対４のような電極対を担持するよう構成されている。
図は、電極４１及び４２から、ＣＯＤ回路（電荷結合素
子）のような利用回路へ延伸する接続導線は示していな
い。完成装置は、剛性を確保し、前記の部品を保持する
機能をもつ支持ブロック５に結合することによって組立
てられる。
子）のような利用回路へ延伸する接続導線は示していな
い。完成装置は、剛性を確保し、前記の部品を保持する
機能をもつ支持ブロック５に結合することによって組立
てられる。
次に、第１図〜第５図を参照して、本発明センサの製造
法の１具体例を説明する。
法の１具体例を説明する。
第１段階では、イツトリウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ
）のようなフェリ磁性材料を、ガリウムーガＰリニウム
ーガーネット（ＧＧＧ）からつくられた平型の基板１上
で成長させる。
）のようなフェリ磁性材料を、ガリウムーガＰリニウム
ーガーネット（ＧＧＧ）からつくられた平型の基板１上
で成長させる。
上記の成長工程は、９８０℃の温度及び大気圧での液相
エピタクシーによるか、あるいは４００℃〜７００℃の
範囲内の温度及び５０〜５００ ミリバールの圧力での
気相エピタクシーによるか、あるいは最後に陰極スノＱ
ツタリングによって達成することができる。
エピタクシーによるか、あるいは４００℃〜７００℃の
範囲内の温度及び５０〜５００ ミリバールの圧力での
気相エピタクシーによるか、あるいは最後に陰極スノＱ
ツタリングによって達成することができる。
このようにして得られたフェリ磁性材料の層２の厚さｈ
ｚはおよそ３ミクロンでなければならない。第１図に示
すウェハはこのようにして得られる。
ｚはおよそ３ミクロンでなければならない。第１図に示
すウェハはこのようにして得られる。
次に第２段階に移るが、これは前の層２上に半導体材料
層３を被着させることよ構成る（第２図に示す）。選ば
れる半導体材料は周期律表の■族及びＶ族（又は■族及
びＶＩ族）の元素から成るだろう・。格子定数はフェリ
磁性材料２の定数の約数であるか、又は前記フェリ磁性
材料のそれと両立する格子面積を持つだろう。
層３を被着させることよ構成る（第２図に示す）。選ば
れる半導体材料は周期律表の■族及びＶ族（又は■族及
びＶＩ族）の元素から成るだろう・。格子定数はフェリ
磁性材料２の定数の約数であるか、又は前記フェリ磁性
材料のそれと両立する格子面積を持つだろう。
被着工程は、気相エビタクシ一工程によって実施するこ
とができるが、これはさもなければ薬品真空メッキ（Ｃ
ＶＤ）あるいはさらに詳′シク云えば、金属有機化学気
相蒸着（ＭＯＣＶＤ）と名付けられる有機金属化合物の
気相エピタクシーによってもよい。エピタクシーは４５
０℃〜７００℃の範囲の温度、及び５０〜５００ミリバ
ールの範囲の気圧で実施される。エピタクシーで成長さ
せた材料と膚２との間を正しく整合させるための被着速
度は好ましくは２０〜３００オングストロ一ム／分の間
で選はれる。このようにして得られた層の厚さｈｚは５
〜１０ミクロンの範囲でなければならない。第２図のウ
ェハはこのようにして得られる。
とができるが、これはさもなければ薬品真空メッキ（Ｃ
ＶＤ）あるいはさらに詳′シク云えば、金属有機化学気
相蒸着（ＭＯＣＶＤ）と名付けられる有機金属化合物の
気相エピタクシーによってもよい。エピタクシーは４５
０℃〜７００℃の範囲の温度、及び５０〜５００ミリバ
ールの範囲の気圧で実施される。エピタクシーで成長さ
せた材料と膚２との間を正しく整合させるための被着速
度は好ましくは２０〜３００オングストロ一ム／分の間
で選はれる。このようにして得られた層の厚さｈｚは５
〜１０ミクロンの範囲でなければならない。第２図のウ
ェハはこのようにして得られる。
第３段階では、第３図に符号４１及び４２で示したよう
な金属電極を、この技術のすでに知られた任意の方法に
よって層３の自由表面上に被着させる。これらの電極は
電極４１及び４２の場合の対４のように対にして配列さ
れる。構造例として、３対の電極が第３図に示す通シ線
形列状に配置されている。同じ１対の２個の電極間の距
離ｅｔはおよそ１０ミクロンである。距離ｅ２又は２対
の電極の中心対中心のスペースは３〜５ミクロンの範囲
にある。
な金属電極を、この技術のすでに知られた任意の方法に
よって層３の自由表面上に被着させる。これらの電極は
電極４１及び４２の場合の対４のように対にして配列さ
れる。構造例として、３対の電極が第３図に示す通シ線
形列状に配置されている。同じ１対の２個の電極間の距
離ｅｔはおよそ１０ミクロンである。距離ｅ２又は２対
の電極の中心対中心のスペースは３〜５ミクロンの範囲
にある。
第４段階では、堅い絶縁基板５が、電極４１゜４２を支
える層３の表面に結合される。この結合′作業は接着剤
による結合のような任意の公知方法により行なうことが
できる。第４図に示す部品はこのようにして得られる。
える層３の表面に結合される。この結合′作業は接着剤
による結合のような任意の公知方法により行なうことが
できる。第４図に示す部品はこのようにして得られる。
第５段階では、基板１は、機械加工又は化学処理のよう
な、基板１の性質に適した処理方法によって除去される
。基板１を完全に取除くことは必ずしも肝要ではないが
、しかし残留を容認され得る基板の厚さは０．５ミクロ
ンを超えないことを確認することが望ましい。従って第
５図に示すセンサが得られる。
な、基板１の性質に適した処理方法によって除去される
。基板１を完全に取除くことは必ずしも肝要ではないが
、しかし残留を容認され得る基板の厚さは０．５ミクロ
ンを超えないことを確認することが望ましい。従って第
５図に示すセンサが得られる。
留意すべき点は、基板１の除去が第２段階と第３段階の
間、あるいは第３段階と第４段階の間で行われ得ること
である。
間、あるいは第３段階と第４段階の間で行われ得ること
である。
本発明製造方法の変形例では、基板ｌはバリウムとフッ
素の塩（ＢａＦ２）であり得る。この場合、フェリ磁性
材料層の被着は陰極ス、Ｑツタリングによって実施され
る。またとの被着後に半導体材料３の被着に先立つ焼な
ましによって結晶化に備えることも好ましい。
素の塩（ＢａＦ２）であり得る。この場合、フェリ磁性
材料層の被着は陰極ス、Ｑツタリングによって実施され
る。またとの被着後に半導体材料３の被着に先立つ焼な
ましによって結晶化に備えることも好ましい。
次に基板１の除去が塩を適当な溶液に溶解することによ
って実施されよう。
って実施されよう。
先の工程と同様に、第５図に示す如くセンサが得られる
。
。
このタイプのセンサは磁気データ担体上に記録された磁
気データのための検出器として使用されてもよい。この
データ担体は磁気テープ、磁気カード、バブルメモリ等
であり得る。第６図には例として、磁気データ７０，７
１．７２その他を運ぶ磁気テープ６を示しておシ、これ
らのデータはテープ６を横切る列７のような列状に並べ
られている。
気データのための検出器として使用されてもよい。この
データ担体は磁気テープ、磁気カード、バブルメモリ等
であり得る。第６図には例として、磁気データ７０，７
１．７２その他を運ぶ磁気テープ６を示しておシ、これ
らのデータはテープ６を横切る列７のような列状に並べ
られている。
テープ６は先に説明したセンサの下側に矢印Ｆの方向に
移動する。符号７０．７１．７２を付したようなデータ
は、電極対のピッチ又はスペース（ｅ２）に等しい一様
な間隔で配置されている。テープ６が動いている時、デ
ータ７０列はセンサの層２の近傍をほぼ２〜３ミクロン
の距たりで動き、項目７１のような各データ項目は対４
のような電極対の下側に位置決めされている。
移動する。符号７０．７１．７２を付したようなデータ
は、電極対のピッチ又はスペース（ｅ２）に等しい一様
な間隔で配置されている。テープ６が動いている時、デ
ータ７０列はセンサの層２の近傍をほぼ２〜３ミクロン
の距たりで動き、項目７１のような各データ項目は対４
のような電極対の下側に位置決めされている。
各電極対は軸ＯＸに沿って方位を決められている。電極
対の列は軸ＯＸに垂直な軸ＯＹに沿って位置決めされる
。従ってデータフの列もまた軸ＯＹに沿って方位を定め
られる。項目７１のようなデータ項目は磁界を誘導し、
これはＭ３内及び電極対４の近傍では、軸ＯＹに対して
平行である。
対の列は軸ＯＸに垂直な軸ＯＹに沿って位置決めされる
。従ってデータフの列もまた軸ＯＹに沿って方位を定め
られる。項目７１のようなデータ項目は磁界を誘導し、
これはＭ３内及び電極対４の近傍では、軸ＯＹに対して
平行である。
ＹＩＧ層はテープの表面上で磁界を、ガーネットの磁化
に直接的に依存する換算係数で半導体レベルへ移送する
効果をもつ。実際、トラック幅にほぼ相当する距離で、
磁界の値はおよそ４００Ｇ。
に直接的に依存する換算係数で半導体レベルへ移送する
効果をもつ。実際、トラック幅にほぼ相当する距離で、
磁界の値はおよそ４００Ｇ。
但しＹＩＧ層が存在しなければ１０倍少なくなるだろう
。
。
磁気データ担体内の磁化パターンの再生は、ガーネット
層内の磁区構成を用いて分析することができる。テープ
とガーネットの蝙代゛磁界を比較すれば、換算係数は明
確に設定される。
層内の磁区構成を用いて分析することができる。テープ
とガーネットの蝙代゛磁界を比較すれば、換算係数は明
確に設定される。
エピタキシャル成長によって層２上に形成された半導体
層３に線形磁気抵抗効果（ＬＭＲ効果）によって磁界を
かけることによって、テープの磁区の偏遁磁界が検出さ
れる。ＹＩＧの高い異方性が、読み出されるべきビット
の漏洩磁界を増加し、案内することを可能にする。
層３に線形磁気抵抗効果（ＬＭＲ効果）によって磁界を
かけることによって、テープの磁区の偏遁磁界が検出さ
れる。ＹＩＧの高い異方性が、読み出されるべきビット
の漏洩磁界を増加し、案内することを可能にする。
センサの下側を移動する磁気データ担体の読出しに応用
する場合、基板層１を除去する際に、残存厚さを薄くす
る（例えばＯ，Ｓミクロン）のが有利であることが確認
されよう。この基板層は機械抵抗層の役割を果し、フェ
リ磁性層２を保穫するために役立つであろう。
する場合、基板層１を除去する際に、残存厚さを薄くす
る（例えばＯ，Ｓミクロン）のが有利であることが確認
されよう。この基板層は機械抵抗層の役割を果し、フェ
リ磁性層２を保穫するために役立つであろう。
第７図に示す他の具体例では、電極対４０列と結合して
、電極対の数に対応する多数の電池８０．８１を含む電
荷伝導ライン（ＣＣＤライン）が存在する。この場合１
個の電池は各対の電極と結合している。このタイプの装
置はデータ項目を１列゛同時に読出すために役立つだろ
う。
、電極対の数に対応する多数の電池８０．８１を含む電
荷伝導ライン（ＣＣＤライン）が存在する。この場合１
個の電池は各対の電極と結合している。このタイプの装
置はデータ項目を１列゛同時に読出すために役立つだろ
う。
第８図に示す本発明の他の具体例では、上記のタイプの
複数個のセンサがデータ担体上に配置されたデータマト
リックスの同時読出しを許可するべく結合されている。
複数個のセンサがデータ担体上に配置されたデータマト
リックスの同時読出しを許可するべく結合されている。
この具体例では、このように結合されたセンサは事実上
単一部品として構成され、従って特定用途に適する読出
しヘッドを低原価で製造することを可能にする。第８図
には同じ半導体材料層３上に配置された４列の電極対（
対４及び９のような）を含む読取りヘッドを示すが、列
の数はさらに多くてもよい。
単一部品として構成され、従って特定用途に適する読出
しヘッドを低原価で製造することを可能にする。第８図
には同じ半導体材料層３上に配置された４列の電極対（
対４及び９のような）を含む読取りヘッドを示すが、列
の数はさらに多くてもよい。
このタイプの装置は、およそ３ミクロン×３ミクロンの
データビットの読出し、特に１０ミクロン平方の表面積
をもつ磁区の検出に適用することができる。
データビットの読出し、特に１０ミクロン平方の表面積
をもつ磁区の検出に適用することができる。
第１図〜第５図は本発明線形磁気抵抗効果センサの製造
法の１具体例の説明図、第６図は本発明検出器の１具体
例の説明図、第７図は本発明検出器の他の具体例の説明
図、第８図は本発明検出器のさらに別の具体例の説明図
である。 １・・・基板、 ２・・・フェリ磁性材料層、 ３
・・・半導体材料層、 ４・・・電極、 ５・・・
支持ブロック、６・・・磁気テープ、７・・・データ列
、 ８・・・ＣＣＤライン。
法の１具体例の説明図、第６図は本発明検出器の１具体
例の説明図、第７図は本発明検出器の他の具体例の説明
図、第８図は本発明検出器のさらに別の具体例の説明図
である。 １・・・基板、 ２・・・フェリ磁性材料層、 ３
・・・半導体材料層、 ４・・・電極、 ５・・・
支持ブロック、６・・・磁気テープ、７・・・データ列
、 ８・・・ＣＣＤライン。
Claims (29)
- （１）第１面と第２面をもつ半導体材料層、半導体材料
層の第１面を覆うフェリ磁性材料層、半導体材料層の第
２面上に配置された少なくとも１対の電極を含む線形磁
気抵抗効果センサ。 - （２）半導体材料層が周期律表のIII族及びＶ族の化合
物によつて形成される、特許請求の範囲第１項に記載の
線形磁気抵抗効果センサ。 - （３）半導体材料層が周期律表のII族及びVI族の化合物
によつて形成される、特許請求の範囲第１項に記載の線
形磁気抵抗効果センサ。 - （４）フェリ磁性材料層がイットリウム−鉄−ガーネッ
トの層である、特許請求の範囲第１項に記載の線形磁気
抵抗効果センサ。 - （５）フェリ磁性材料層を覆う基板層を含む、特許請求
の範囲第１項に記載の磁気抵抗効果センサ。 - （６）基板層がガリウム−ガドリニウムガーネットであ
る、特許請求の範囲第５項に記載の磁気抵抗効果センサ
。 - （７）ガリウム−ガドリニウムガーネットがカルシウム
、マグネシウム及びジルコニウムをドープされている、
特許請求の範囲第６項に記載の磁気抵抗効果センサ。 - （８）半導体材料の第２層上にマトリックスの形に配置
された電極対を含む、特許請求の範囲第１項に記載の磁
気抵抗効果センサ。 - （９）以下の異なる段階、即ち、 ａ）第１基板上へのフェリ磁性材料層の被着を含む第１
段階、 ｂ）フェリ磁性材料層上への半導体材料層の被着を含む
第２段階、 ｃ）半導体材料の層上への電極の被着を含む第３段階、 ｄ）このようにして得られた、電極を担持する部材の面
を第２絶縁材料基板に対して結合する工程を含む第４段
階、 ｅ）第１基板の全体又は１部の除去を含む第５段階を含
む、特許請求の範囲第１項に記載の磁気抵抗効果センサ
の製造法。 - （１０）第５段階（ｅ）が第２段階（ｂ）と第３段階（
ｃ）の間に供給され得る、特許請求の範囲第９項に記載
の方法。 - （１１）第５段階（ｅ）が第３段階（ｃ）と第４段階（
ｄ）の間に供給され得る、特許請求の範囲第９項に記載
の方法。 - （１２）第１基板がガリウム−ガドリニウムガーネット
であり、さらにフェリ磁性材料層がイットリウム−鉄ガ
ーネット（ＹＩＧ）の層である、特許請求の範囲第９項
に記載の方法。 - （１３）第１基板がカルシウム、マグネシウム及びジル
コニウムをドープされたガリウム−ガドリニウムガーネ
ットであり、さらにフェリ磁性材料層がビスマスをドー
プされたイツトリウム−鉄ガーネットの層である、特許
請求の範囲第第８項に記載の方法。 - （１４）被着から成る第１段階（ａ）が液相エピタクシ
ーによつて実施される、特許請求の範囲第１２項に記載
の方法。 - （１５）被着から成る第１段階（ａ）が気相エピタクシ
ーによつて実施される、特許請求の範囲第１２項に記載
の方法。 - （１６）被着から成る第１段階（ａ）が陰極スパッタリ
ングによつて実施される、特許請求の範囲第１２項に記
載の方法。 - （１７）第１基板の除去から成る第５段階（ｅ）が研摩
によつて実施される、特許請求の範囲第１２項に記載の
方法。 - （１８）被着から成る第２段階が有機金属化合物の気相
エピタクシーによつて実施される、特許請求の範囲第９
項に記載の方法。 - （１９）半導体材料が周期律表のIII族及びＶ族の元素
によつて形成される、特許請求の範囲第９項に記載の方
法。 - （２０）半導体材料が周期律表のII族及びVI族の元素に
よつて形成される、特許請求の範囲第９項に記載の方法
。 - （２１）第１基板がバリウム及びフッ素を塩基とする塩
であり、さらに焼なまし段階が第１段階と第２段階の間
に供給される、特許請求の範囲第９項に記載の方法。 - （２２）被着から成る第１段階がフェリ磁性材料の液相
エピタクシーによつて実施される、特許請求の範囲第２
１項に記載の方法。 - （２３）被着から成る第１段階が陰極スパッタリングに
よつて実施される、特許請求の範囲第２１項に記載の方
法。 - （２４）第１基板の除去から成る第５段階（ｅ）が塩を
溶解することによつて実施される、特許請求の範囲第２
１項に記載の方法。 - （２５）あらかじめ定められた第１の方向に磁界を誘導
するための少なくとも１区を持つ磁気データキャリヤを
含む磁区検出器であつて、前記検出器がさらに特許請求
の範囲第１項に記載のセンサを含んでおり、さらに主と
して以下の要素、即ち、 −第１及び第２面をもつ半導体材料の層、 −半導体材料の第１面上に被着させたフェリ磁性材料の
層、 −半導体材料の第２面上に第２の方向に配置された少な
くとも１対の電極 を含んでおり、前記センサが、フェリ磁性材料層を担持
する面が磁気データ担体の近傍に配置され、かつ２個の
電極の第２方向が第１方向に対して垂直であるように配
置されている、磁区検出器。 - （２６）磁気データ担体があらかじめ定められた配列を
もつ一連の磁区を含んでおり、かつ半導体材料の第２面
が磁区のそれと同一の配列をもつ一連の電極対を含んで
いる、特許請求の範囲第２５項に記載の磁区検出器。 - （２７）共通電極が各電極対の２個のうち１個を相互連
絡することにより形成される、特許請求の範囲第２６項
に記載の磁区検出器。 - （２８）磁区が線形列状に一定の間隔をおいて配置され
ており、かつ電極対が線形列内に同一間隔で配置されて
いる、特許請求の範囲第２５項に記載の磁区検出器。 - （２９）線形列をなす電極対に関して平形に配置された
電荷伝導（ＣＣＤ）ラインを含んでおり、さらに電荷伝
導（ＣＣＤ）ラインの各要素が１対の電極と結合してい
る、特許請求の範囲第２８項に記載の磁区検出器。
Applications Claiming Priority (2)
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