JPS61274410A - Amplifying circuit - Google Patents

Amplifying circuit

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JPS61274410A
JPS61274410A JP60114155A JP11415585A JPS61274410A JP S61274410 A JPS61274410 A JP S61274410A JP 60114155 A JP60114155 A JP 60114155A JP 11415585 A JP11415585 A JP 11415585A JP S61274410 A JPS61274410 A JP S61274410A
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賢吉 山下
Yasuharu Kamata
鎌田 安治
Kazuo Kato
和男 加藤
Hideo Sato
秀夫 佐藤
Seiichi Ueda
上田 誠一
Ryushi Shimokawa
下川 龍志
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Abstract

PURPOSE:To obtain an amplifying circuit which has a wide frequency band, and also is suitable for converting it to a semiconductor integrated circuit, by unifying and integrating extending from a pre-amplifier to a current mirror output. CONSTITUTION:The titled circuit is provided with a pre-amplifying means 21 of wide frequency band for amplifying an input signal, and plural voltage-current converting means 25 for converting a voltage level variation of an output signal from this pre-amplifying means 21 to a current variation, and amplifying its current signal by a current mirror circuit having a current amplifying operation being proportional to an effective area ratio of a transistor. Also, said pre- amplifying means 21 and plural voltage-current converting means 25 are formed on the same semiconductor substrate. The voltage-current converting circuit 25 is constituted of plural current mirror circuits, for instance, eight pieces of current mirror circuits which is connected in parallel, and even if an output current of one piece of current mirror circuit is a small current, a current flowing through a line lA corresponding to a current synthesizing means becomes a large current in proportion to the number of current mirror circuits.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、広周波数帯域かつ高出力が得られる増幅回路
に関し、特に各種ディスプレイ装置の如き映像機器、計
測機器等に用いるのに好適なものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to an amplifier circuit that can obtain a wide frequency band and high output, and is particularly suitable for use in video equipment such as various display devices, measuring equipment, etc. be.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

映像機器としては、一般にテレビジョン受信機が知られ
ているが、近年に至り、電子計算機から供給される映像
信号や色信号にもとづき所望の画像を受像管に表示する
ディスプレイ装置が多々見られるようになってきた。上
記映像機器では、高周波数の映像信号、色信号を増幅す
るために高周波数帯域かつ高増幅度の増幅回路、いわゆ
るビデオアンプが必要である。そして、テレビジョン受
信機においては、「入門カラーテレビ」 (昭和57.
7.2第6版第1刷発行1発行所東京電機大学出版局、
pp187〜140)に示す如き増幅回路が使用されて
いる。
Television receivers are generally known as video equipment, but in recent years, display devices that display desired images on picture tubes based on video signals and color signals supplied from electronic computers have become commonplace. It has become. The video equipment described above requires an amplification circuit with a high frequency band and high amplification degree, so-called a video amplifier, in order to amplify high frequency video signals and color signals. As for television receivers, "Introductory color television" (Showa 57.
7.2 6th edition 1st printing Issue 1 Publisher: Tokyo Denki University Press,
An amplifier circuit as shown in pp. 187-140) is used.

ところで、テレビジョン受信機に使用されているビデオ
アンプの周波数帯域は、当業者間に知られているように
4.5MHz程度である。このように従来の映像信号の
増幅回路は、コンデンサ結合を必要条件としているため
、コンデンサの特性やストレーキャパシタによって周波
数帯域(数10 Hz〜数10MHz)が制限されると
問題がある。
By the way, the frequency band of a video amplifier used in a television receiver is approximately 4.5 MHz, as is known to those skilled in the art. As described above, since conventional video signal amplification circuits require capacitor coupling, there is a problem if the frequency band (several 10 Hz to several 10 MHz) is limited by the characteristics of the capacitor or the stray capacitor.

しかし、電子計算機のデータ処理用端末機器として使用
されるディスプレイ装置は、高分解能で精細度の高い画
像が要求される。このため走査線が1000本以上に及
ぶものもあり、また受像管(陰極線管)のシャドウマス
クも微細化されている。
However, display devices used as data processing terminal equipment for electronic computers are required to provide high-resolution and high-definition images. For this reason, some devices have more than 1,000 scanning lines, and the shadow masks of picture tubes (cathode ray tubes) have also become finer.

そして、高分解能かつ精細度の高い画像を表示するには
、受像管の電子ビームを微小に調整する必要があり、こ
のためには高出力のビデオアンプが要求されることが、
本発明者等の検討により明らかになった。
In order to display high-resolution and high-definition images, it is necessary to minutely adjust the electron beam of the picture tube, and this requires a high-output video amplifier.
This was made clear through studies by the inventors.

また、高速度でデータ処理を行うためには周波数応答を
早めなければならず、このためには周波数帯域が広帯域
(例えば200 M Hz )のビデオアンプが要求さ
れることも1本発明者等の検討により明らかになった。
In addition, in order to perform data processing at high speed, the frequency response must be accelerated, and for this purpose, a video amplifier with a wide frequency band (for example, 200 MHz) is required. This was revealed through examination.

一方、ディスプレイ装置に限らず電子機器は一般に小型
かつ軽量化される傾向にあり、電子機器を構成する各回
路は半導体集積回路にて形成されるようになってきた。
On the other hand, not only display devices but also electronic devices in general tend to be smaller and lighter, and each circuit constituting the electronic devices has come to be formed using a semiconductor integrated circuit.

そして、上記ビデオアンプを半導体集積回路化する場合
、ベース蓄積電荷が多く遮断周波数の低いPNPトラン
ジスタは上記ビデオアンプには不向きなこと、高出力を
得るには大電流を流すので、放熱には格別の配慮が必要
なこと1等が判明した。
When implementing the video amplifier into a semiconductor integrated circuit, a PNP transistor with a large base charge and a low cutoff frequency is unsuitable for the video amplifier, and because it requires a large current to flow in order to obtain high output, it is particularly difficult to dissipate heat. It was found that the first prize required consideration.

また、ビデオアンプには入力信号として少なくとも赤(
R)信号、緑(G)信号、青(B)信号のいわゆる三原
色信号が供給されることが多いが、上記各信号間の干渉
を低減するためクロストーク特性を良好にする必要のあ
ることも判明した。更に上記三原色信号R,G、Bは、
直流阻止がなされた状態でビデオアンプに供給されるの
で、いわゆるペデイスタルレベルの変動を入力レベルに
対応して設定すれば、安定した映像を映し得ることも判
明した。
Also, the video amplifier has at least a red (
R) signal, green (G) signal, and blue (B) signal, so-called three primary color signals, are often supplied, but it is sometimes necessary to improve crosstalk characteristics to reduce interference between the above signals. found. Furthermore, the three primary color signals R, G, and B are
It has also been found that since the signal is supplied to the video amplifier in a DC-blocked state, stable images can be projected by setting the fluctuation of the so-called pedestal level in accordance with the input level.

そして、本発明等は上記技術的な問題点と技術的動向と
を検討することにより、半導体集積回路の形成にあたっ
ては、超微細プロセスデバイスと呼ばれている半導体集
積回路技術が好適であり。
The present invention and the like have studied the above-mentioned technical problems and technical trends, and have found that a semiconductor integrated circuit technology called an ultra-fine process device is suitable for forming a semiconductor integrated circuit.

三原色信号のそれぞれについて個別に半導体集積回路化
されたビデオアンプを設け1発熱量を低減また、上記超
微細プロセスデバイスによりNPNトランジスタを形成
し、ビデオアンプを構成することにより、広帯域の周波
数帯域が得られることに気付いた。更に、いわゆる電力
増幅回路を半導体集積回路内に設ける事なく、高出力を
得る回路技術をも開発した。更に上記ペデスタルレベル
の設定については、ベデイスタルレベルが表れる期間に
おいて出力信号のレベル検出を行い、そのレベルによっ
てビデオアンプのベデイスタルレベルを安定化し得る回
路技術を開発した。
A video amplifier individually integrated into a semiconductor circuit is provided for each of the three primary color signals to reduce the amount of heat generated.In addition, by forming an NPN transistor using the ultrafine process device described above and configuring the video amplifier, a wide frequency band can be obtained. I realized that I would be able to do it. Furthermore, we have developed a circuit technology that can obtain high output power without providing a so-called power amplifier circuit within a semiconductor integrated circuit. Furthermore, regarding the setting of the pedestal level, we have developed a circuit technology that can detect the level of the output signal during the period in which the pedestal level appears, and use that level to stabilize the pedestal level of the video amplifier.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、広周波数帯域を有し、かつ半導体集積
回路化に好適な増幅回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an amplifier circuit that has a wide frequency band and is suitable for semiconductor integrated circuit implementation.

本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明において開示される発明の概要を述べれは下記の
通りである。すなわち、第1の特徴履して、出力回路を
カレントミラーと高耐圧トランジスタのカスコード構成
とし、カレントミラーが低電圧電源で動作し得る2与か
ら、前置増幅器とこのカレントミラー出力゛までを一体
化集積を達成し。
The outline of the invention disclosed in the present invention is as follows. That is, the first feature is that the output circuit has a cascode configuration of a current mirror and a high-voltage transistor, and since the current mirror can operate with a low voltage power supply, the preamplifier and the current mirror output are integrated. Achieve integrated integration.

かつ、高周波化に必須の超微細化において表面化する。Moreover, it will come to the surface in ultra-fine miniaturization, which is essential for higher frequencies.

内部素子の耐圧低下の制約を回避することである。The purpose is to avoid the restriction of a decrease in breakdown voltage of internal elements.

更に、第2の特徴として、ペデスタルレベル(直流バイ
アス)変動を検知、増幅する検出回路を内蔵させ、この
検出回路出力でビデオアンプ初段のバイアスを制御する
ことで、低電圧電源動作で表面化する、ダイナミックレ
ンジの低下、あるいはビデオアンプに必須のりニアリテ
ィ特性の低下を阻止するとともに、複数台のディスプレ
イ装置を1台のD/A変換器で駆動する場合必要となる
。高入力インピーダンスの性能を達成することである。
Furthermore, the second feature is that it has a built-in detection circuit that detects and amplifies pedestal level (DC bias) fluctuations, and uses the output of this detection circuit to control the bias of the first stage of the video amplifier. This is necessary when a plurality of display devices are driven by one D/A converter, in addition to preventing a decrease in dynamic range or a decrease in linearity characteristics essential for a video amplifier. The goal is to achieve high input impedance performance.

尚、集積化にあたっては、ゲイン調整端子、バイアス調
整端子、あるいは多入力マルチプレクサ機能等を付加し
、高集積化によって応用範囲を狭めることなく、かつ、
より少ない外付部品で、ディスプレイ装置あるいは類似
技術を要するプリンタ等への応用を可能とするものであ
る。
In addition, when integrating, gain adjustment terminals, bias adjustment terminals, multi-input multiplexer functions, etc. are added, and the range of applications is not narrowed due to high integration.
With fewer external parts, it is possible to apply the present invention to display devices or printers that require similar technology.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、第1図〜第4図を参照して本発明を適用した増幅
回路の一実施例を説明する。なお、第1図は上記増幅回
路を適用したディスプレイ装置のブロックダイアグラム
、第2@は上記増幅回路の回路構成を示すブロックダイ
アグラム、第3図は上記増幅回路の回路図、第4図は回
路動作を説明するための波形図である。
Hereinafter, one embodiment of an amplifier circuit to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS. 1 to 4. Note that Fig. 1 is a block diagram of a display device to which the above amplifier circuit is applied, Fig. 2 is a block diagram showing the circuit configuration of the above amplifier circuit, Fig. 3 is a circuit diagram of the above amplifier circuit, and Fig. 4 is the circuit operation. FIG. 2 is a waveform diagram for explaining.

先ず、第1図につぃ°Cディスプレイ装置の全体構造を
説明する。
First, the overall structure of the °C display device will be explained with reference to FIG.

1は電子計算機であり、R,G、Bの三原色を表わす色
信号をディジタル信号によってD/A変換器2に供給す
る。D/A変換器2からは、アナログ化されたR、G、
Bの三原色信号が得られ。
Reference numeral 1 denotes an electronic computer which supplies color signals representing the three primary colors of R, G, and B to the D/A converter 2 as digital signals. From the D/A converter 2, analog R, G,
The three primary color signals of B are obtained.

それぞれラインfi1. ’Q、 、 fi、 を介し
て増幅回路11,12.13に供給される。
Each line fi1. 'Q, , fi, are supplied to the amplifier circuits 11, 12, and 13.

増幅回路11〜13は、それぞれ個別の半導体集積回路
(以下においてICという)にて形成されている。これ
は各増幅回路11〜13を同一半導体基板上に形成した
場合、三原色信号R,G。
The amplifier circuits 11 to 13 are each formed of an individual semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as an IC). These are the three primary color signals R and G when the amplifier circuits 11 to 13 are formed on the same semiconductor substrate.

Bが互いに隣接する増幅回路にリークしてクロストーク
が悪化することを低減するためである。
This is to reduce the possibility that B leaks to adjacent amplifier circuits and worsens crosstalk.

また、各増幅回路11〜13を個別のICに形成するこ
とにより、1個のICがら発生する熱が低減されるので
、放熱が容易になる、という利点もある。
Further, by forming each of the amplifier circuits 11 to 13 on a separate IC, the heat generated from one IC is reduced, so there is an advantage that heat radiation becomes easier.

各増幅回路11〜13によって増幅された三原色信号R
,G、Bは、受像管3の各カソードに□。
Three primary color signals R amplified by each amplifier circuit 11 to 13
, G, and B are □ at each cathode of the picture tube 3.

K2. K、に供給され、三原色信号R,G、Bのレベ
ルに対応した色彩の画像が映し出される。
K2. K, and an image with colors corresponding to the levels of the three primary color signals R, G, and B is displayed.

ところで、上記各増幅回路11〜13は、それぞれ個別
のICで形成されているが、実際には同一の回路構成で
ある。そこで、各増幅回路11〜13の回路構成の説明
は、説明の便宜のためR信号を増幅するために設けられ
た増幅回路11について述べる。
By the way, although each of the above-mentioned amplifier circuits 11 to 13 is formed of an individual IC, they actually have the same circuit configuration. Therefore, in the description of the circuit configuration of each of the amplifier circuits 11 to 13, for convenience of explanation, the amplifier circuit 11 provided for amplifying the R signal will be described.

第2図について増幅回路11の回路構成を述べる。なお
、ICにおいて数字を囲んだ丸は外部接続端子を示すも
のである。
The circuit configuration of the amplifier circuit 11 will be described with reference to FIG. Note that the circles surrounding the numbers in the IC indicate external connection terminals.

21は前置増幅手段である緩衝増幅器(バッファアンプ
)であり、2の増幅器A、Bが設けられているが、この
回路構成は2の映像を重複した状態で表示する等、いわ
ばディスプレイ装置の付加価値を高めるためのものであ
り、基本的には1個の増幅器であってよい、そして、増
幅器Aには直流阻止用コンデンサC1を介して上記R信
号が供給される。
Reference numeral 21 denotes a buffer amplifier, which is a preamplification means, and includes two amplifiers A and B. This circuit configuration is designed to display two images in an overlapping manner, so to speak, in a display device. This is for increasing the added value, and basically it may be one amplifier.The above R signal is supplied to the amplifier A via the DC blocking capacitor C1.

22はスイッチ回路であり、上記増幅器A、 Hの出力
信号を選択的に後段に伝達するために設けられている。
A switch circuit 22 is provided for selectively transmitting the output signals of the amplifiers A and H to the subsequent stage.

そして、スイッチ回路22は、2個のスイッチ回路+S
Z によって構成されているが、2個のスイッチS1.
S、の切り換えは、制御信号Va、Vbによって行われ
る。なお、スイッチS1.S、は両者をともにオン状態
になすことができ、何れか一方のみをオン状態になすこ
とも可能である。
The switch circuit 22 includes two switch circuits +S
Z, but two switches S1.
Switching of S is performed by control signals Va and Vb. Note that the switch S1. Both of S and S can be turned on, or only one of them can be turned on.

)IC外に設けられた抵抗R工は、増幅回路11の利得
を所望の値に設定するものであるが、2九は基本値を設
定するものであり、利得の微調整は次段の利得制御回路
24によって行われる。
) The resistor R installed outside the IC is used to set the gain of the amplifier circuit 11 to a desired value, but 29 is used to set the basic value, and fine adjustment of the gain is performed by adjusting the gain of the next stage. This is done by the control circuit 24.

利得制御回路24は、電圧利得を制御する利得回路24
aと上記利得回路24aを駆動する駆動回路24bとに
よって構成されている。なお、駆動回路24bは、基準
電圧Vref、と制御信号Vcとの比較により利得回路
24aの電圧利得を制御する。
The gain control circuit 24 is a gain circuit 24 that controls voltage gain.
a and a drive circuit 24b that drives the gain circuit 24a. Note that the drive circuit 24b controls the voltage gain of the gain circuit 24a by comparing the reference voltage Vref and the control signal Vc.

25は電圧−電流変換回路であり、複数のカレントミラ
ー回路、すなわち本実施例においては8個の並列接続さ
れたカレントミラー回路から構成されている。この回路
構成によれば、1個のカレントミラー回路の出力電流が
小電流であっても、本発明でいう電流合成手段に相当す
るラインQ□を流れる電流は、カレントミラー回路の個
数に比例して大電流になる。
Reference numeral 25 denotes a voltage-current conversion circuit, which is composed of a plurality of current mirror circuits, that is, eight current mirror circuits connected in parallel in this embodiment. According to this circuit configuration, even if the output current of one current mirror circuit is small, the current flowing through the line Q□, which corresponds to the current combining means in the present invention, is proportional to the number of current mirror circuits. This will result in a large current.

なお、ラインa、を流れる電流は、次段の出力回路26
から電流を吸い込むものである。
Note that the current flowing through line a is the output circuit 26 of the next stage.
It sucks current from the source.

出力回路26は、電流−電圧変換を行うとともに負荷抵
抗R,の電圧降下として得られる出力電圧Voをカソー
ドに1に供給するものであり、出力電圧Voの一部は帰
還信号Vfを得るため可変抵抗V、にも供給される。
The output circuit 26 performs current-voltage conversion and supplies an output voltage Vo obtained as a voltage drop across a load resistor R to the cathode, and a part of the output voltage Vo is variable in order to obtain a feedback signal Vf. It is also supplied to the resistor V.

すなわち、出力電圧Voは、R信号や同期信号を含むも
のであり、その間にはベデイスタル期間もある。そして
、増幅器A、Bの入力端をみるとR信号が交流成分とし
て供給されているので、直流バイアスを設定しなければ
ならないが、その電圧レベルはペデスタルレベルに設定
する必要がある。上記帰還信号Vfはこの目的で得るも
のであるが、実際に帰還する必要があるのはペデスタル
レベルのみでよい、以下に述べる検出回路27は上記目
的を達成するために設けられている。
That is, the output voltage Vo includes the R signal and the synchronization signal, and there is also a Bedistal period in between. Looking at the input terminals of amplifiers A and B, the R signal is supplied as an AC component, so a DC bias must be set, and its voltage level must be set to the pedestal level. The feedback signal Vf is obtained for this purpose, but what actually needs to be fed back is only the pedestal level.The detection circuit 27 described below is provided to achieve the above purpose.

検出回路27は、基準電圧B ref、と帰還信号vO
との比較によりペデスタルレベルを得る比較器27a、
ベデイスタルレベルが得られる期間においてオン状態に
切り換えられるスイッチS2、ペデイスタルレベル期間
外においてペデスタルレベルを保持するコンデンサC2
,増幅器27b、そしてペデスタルレベル オン状態に切り換える制御回路27cによって構成され
ている。なお、制御信号Vdはベディスタル期間におい
てへイレベルに変化する信号であって、R信号のベディ
スタル期箭に同期して供給されるものである。
The detection circuit 27 receives a reference voltage B ref and a feedback signal vO.
a comparator 27a that obtains the pedestal level by comparison with
Switch S2 is turned on during the period when the pedestal level is obtained, and capacitor C2 maintains the pedestal level outside the pedestal level period.
, an amplifier 27b, and a control circuit 27c that switches the pedestal level on. Note that the control signal Vd is a signal that changes to high level during the bedistal period, and is supplied in synchronization with the bedistal period of the R signal.

電圧Vpは、ペデスタルレベルに対応した電圧であって
、抵抗Ra、Rbを介して増幅器A。
Voltage Vp is a voltage corresponding to the pedestal level, and is applied to amplifier A via resistors Ra and Rb.

Bのバイアス電圧を所定の電圧レベルに設定する。Set the bias voltage of B to a predetermined voltage level.

なお、増幅回路12.13も上記増幅回路11と同一の
回路構成になされているが1図示の便宜のため5番端子
から10番端子、及び上記各端子に接続される外付は部
品の図示を省略する。
Note that the amplifier circuits 12 and 13 have the same circuit configuration as the amplifier circuit 11, but for convenience of illustration, terminals 5 to 10 and external devices connected to each of the above terminals are shown as parts. omitted.

次に第3図及び第4図を参照して、上記増幅回路11の
回路動作を更に詳細に説明する。なお、増幅器A、Bは
同一の回路構成であるので、それぞれの回路部品に共通
の符号を付し、増幅器Bについては′を付すものとする
。更に制御回路23a。
Next, the circuit operation of the amplifier circuit 11 will be explained in more detail with reference to FIGS. 3 and 4. Since amplifiers A and B have the same circuit configuration, the respective circuit components are given the same reference numerals, and amplifier B is given the suffix '. Furthermore, a control circuit 23a.

23b、27cも同一の回路構成であるので、そ21番
端子に供給される電源電圧Vcc、および10番端子に
供給される電源電圧Vcc、は、出力回路26に供給さ
れている電源電圧Vcc、より低電圧である。そして、
22番端子と23番端子との2の接地ラインが設けられ
ているが、これは電圧−電流回路25を流れる電流が大
電流であり、この電流によってGNDレベルが変動する
のを低減することを目的としたものである。すなわち、
ICにおける接地ラインはインダクタンス分を有してい
るので、高周波分を含む電流が流れると、電圧降下が発
生してGNDレベルが変動し、ひいては映像が変動する
一因となる。しかし、本実施例の如きIC構造になすこ
とによって、上記現象を低減することが可能になる。
23b and 27c have the same circuit configuration, so the power supply voltage Vcc supplied to the 21st terminal and the power supply voltage Vcc supplied to the 10th terminal are the same as the power supply voltage Vcc supplied to the output circuit 26, Lower voltage. and,
Two ground lines are provided between terminals 22 and 23, but this is because the current flowing through the voltage-current circuit 25 is a large current, and this is to reduce fluctuations in the GND level caused by this current. This is the purpose. That is,
Since the ground line in the IC has an inductance component, when a current including a high frequency component flows, a voltage drop occurs and the GND level fluctuates, which in turn becomes a cause of video fluctuation. However, by adopting the IC structure as in this embodiment, it is possible to reduce the above phenomenon.

増幅器Aにおいて、トランジスタQ1は入力トランジス
タであって、R信号の電圧レベルに対応して抵抗R−z
、Rzx、hランジスタQ2 を流れる電流を制御する
In amplifier A, transistor Q1 is an input transistor, and resistor R-z corresponds to the voltage level of R signal.
, Rzx, h controls the current flowing through transistor Q2.

トランジスタQ、 、 Q、はカレントミラー回路を構
成しているので、トランジスタQ、〜Q、、抵抗R1,
、R14を流れる電流も上記トランジスタQ1によって
制御されることになる。
Since the transistors Q, , Q, constitute a current mirror circuit, the transistors Q, ~Q, and the resistors R1,
, R14 is also controlled by the transistor Q1.

一方、抵抗Rl& # R11l t R1,とトラン
ジスタQ、、Q、もカレントミラー回路を構成している
が、これはトランジスタQ、、Q、 を流れる電流を規
定するものである。
On the other hand, the resistor Rl &#R11l t R1, and the transistors Q, , Q, also constitute a current mirror circuit, which defines the current flowing through the transistors Q,, Q,.

いま仮りに、R信号がハイレベルになってトランジスタ
ロ工、Q2 を流れる電流が増大したとすると、トラン
ジスタQ3を流れる電流も増大し、その分トランジスタ
Q、のベース電流が低減する。
Assuming that the R signal goes high and the current flowing through the transistor Q2 increases, the current flowing through the transistor Q3 also increases, and the base current of the transistor Q decreases by that amount.

そして、トランジスタQ、からトランジスタQ。And from transistor Q, to transistor Q.

に流れていた電流が減少するので、その減少分をダイオ
ード接続されたトランジスタQ、から吸い込むようにな
る。従って、抵抗R1,の電圧降下分が大になり、これ
が出力電圧として次段に供給される。
Since the current flowing through the transistor Q decreases, the decreased amount is absorbed from the diode-connected transistor Q. Therefore, the voltage drop across the resistor R1 becomes large, and this is supplied to the next stage as an output voltage.

この場合、制御回路23aによって上記出力電圧の伝達
が以下のように制御される。
In this case, the transmission of the output voltage is controlled by the control circuit 23a as follows.

制御信号Vaがハイレベルのとき、トランジスタQ z
 xのエミッタ電圧が高レベルになるので、このトラン
ジスタQ11はオフになり、電源Vcc、が抵抗R71
を介してトランジスタQi2に印加される。
When the control signal Va is at high level, the transistor Q z
Since the emitter voltage of
is applied to transistor Qi2 via.

そして、トランジスタQ□、がオン状態に動作して、ト
ランジスタQ8.にベース電流が供給され、オン状態に
動作する。なお、トランジスタQ□、はトランジスタQ
、のベース電圧がコレクタ電圧以上に上昇するのを防止
するためであり、抵抗R1はトランジスタQ1gにバイ
アス電圧を供給するものである。
Then, transistor Q□ operates in an on state, and transistor Q8. A base current is supplied to the circuit, and it operates in the on state. Note that transistor Q□ is transistor Q
This is to prevent the base voltage of , from rising above the collector voltage, and the resistor R1 supplies a bias voltage to the transistor Q1g.

このように、トランジスタQ1.がオン状態になると、
上記抵抗R1,を流れる電流が増大し、その電圧降下分
も大になる。この場合、スイッチS1として動作するト
ランジスタQ21のベース電圧が低下するので、これが
オフになり、増幅器Aの出力電圧の伝達が阻止される。
Thus, transistor Q1. When is turned on,
The current flowing through the resistor R1 increases, and its voltage drop also increases. In this case, the base voltage of transistor Q21, which operates as switch S1, decreases, so that it is turned off and transmission of the output voltage of amplifier A is blocked.

一方、制御信号Vaがローレベルに切り換えられたとき
は、トランジスタQ LXがオン状態になり。
On the other hand, when the control signal Va is switched to low level, the transistor QLX is turned on.

電源Vcc、、抵抗R2い トランジスタQ1□に電流
従って、抵抗R1,には、トランジスタQ7 による吸
い込み電流とトランジスタQ21のベース電流とが流れ
、トランジスタQ8□がオンとなる。換言すれば、スイ
ッチS工が閉状態になり、増幅器Aの出力電圧の伝達が
行われる。
According to the current flowing through the transistor Q1□ of the power supply Vcc and the resistor R2, the sink current by the transistor Q7 and the base current of the transistor Q21 flow through the resistor R1, and the transistor Q8□ is turned on. In other words, the switch S is closed and the output voltage of the amplifier A is transmitted.

上記回路動作は、増幅器B、制御回路23bについても
同様に行われる。したがって、ラインittには、制御
信号Va、Vbのレベルを変化せしめることにより、増
幅器A、Bの何れか一方の出力電圧、又は両方の出力電
圧が選択的に表れることになる。なお、増幅器Bは上記
増幅器Aと同様に動作し、制御回路23bは上記制御回
路23aと同様に動作する。
The above circuit operation is performed similarly for amplifier B and control circuit 23b. Therefore, by changing the levels of the control signals Va and Vb, the output voltage of one or both of the amplifiers A and B appears selectively on the line itt. Note that amplifier B operates in the same manner as amplifier A, and control circuit 23b operates in the same manner as control circuit 23a.

また、増幅器A、Bの接地ラインと後述する定電圧回路
100のラインとは、他の接地ラインとは別に23番端
子を介してGNDされている。これは、上記GNDライ
ンのレベル変動が特に初段において発生すると、後段に
おいてそのまま増幅され、映像の変動が大になるので、
この減少を低減するためになされたものである。
Further, the ground lines of the amplifiers A and B and the line of a constant voltage circuit 100, which will be described later, are connected to GND via a terminal No. 23, separately from other ground lines. This is because if the level fluctuation of the GND line occurs especially in the first stage, it will be directly amplified in the latter stage, resulting in large fluctuations in the image.
This was done to reduce this decrease.

そして、ラインQ1□に表れた出力電圧は、2個の抵抗
R,R1を介して利得回路24に供給される。
The output voltage appearing on line Q1□ is then supplied to the gain circuit 24 via two resistors R and R1.

ところで、31は定電流回路であり、抵抗R11゜Ro
はトランジスタQ3、にバイアス電圧を供給し、トラン
ジスタQsxを介してトランジスタQ。〜トランジスタ
Q2.に供給されるベース電流を安定化する。そして、
抵抗R,,,R□はトランジスタQasを流れる電流を
規定し、抵抗R0はバイアス電圧を供給する。トランジ
スタQia * Qat t QatはN個のトランジ
スタからなり、その個数によって、換言すればエミッタ
面積に比例して、所望の電流量が得られるようになされ
ている。
By the way, 31 is a constant current circuit, with a resistor R11°Ro
supplies a bias voltage to transistor Q3, and transistor Q via transistor Qsx. ~Transistor Q2. stabilizes the base current supplied to the and,
The resistors R, , , R□ define the current flowing through the transistor Qas, and the resistor R0 supplies the bias voltage. The transistor Qia*Qat t Qat is composed of N transistors, and the desired amount of current can be obtained depending on the number of transistors, in other words, in proportion to the emitter area.

2二で、利得回路24aについて述べると、トランジス
タQ 4z+ 04gのエミッタ電圧VXは、上記出力
電圧によって決定され、トランジスタQ41゜Q 44
のエミッタ電圧VyはトランジスタQas及び抵抗Rに
よって決定される。抵抗R1,R37は、負荷抵抗であ
るが、抵抗R1,の電圧降下分として出力電圧が得られ
る。
22, regarding the gain circuit 24a, the emitter voltage VX of the transistor Q4z+04g is determined by the above output voltage, and the transistor Q41゜Q44
The emitter voltage Vy of is determined by the transistor Qas and the resistor R. The resistors R1 and R37 are load resistors, and the output voltage is obtained as a voltage drop across the resistor R1.

上記利得回路2aの出力電圧は、上記電圧VXとトラン
ジスタQ41〜Q44のバイアス電圧V s 。
The output voltage of the gain circuit 2a is the voltage VX and the bias voltage Vs of the transistors Q41 to Q44.

Vtとの差電圧によって制御され、上記バイアス電圧V
s、vtの設定は駆動回路24bによって行われる。
The bias voltage V
The settings of s and vt are performed by the drive circuit 24b.

抵抗R41−Ram トランジスタQ。t 0g29 
QK2トランジスタQ。eQtsの各ベース抵抗Rは、
カレントミラー回路を構成し、トランジスタQ、4゜Q
□等を流れる電流を決定する。また、抵抗R4!。
Resistor R41-Ram Transistor Q. t 0g29
QK2 transistor Q. Each base resistance R of eQts is
Configure a current mirror circuit, transistor Q, 4゜Q
Determine the current flowing through □, etc. Also, resistance R4! .

R44はトランジスタQ M 4にバイアス電圧を供給
するが、これと同時に電圧Vrafzz も供給される
R44 supplies a bias voltage to transistor Q M 4, and at the same time, voltage Vrafzz is also supplied.

一方、抵抗B−>−Q−s、’r”ランジスタQ71゜
Q、、、 Q、、、  トランジスタQtx、トランジ
スタQ、の各エミッタ抵抗Rは、カレントミラー回路を
構成し、トランジスタQ6、〜Qs4を流れる電流をエ
ミッタ側において規定する。また、上記トランジスタQ
1□〜Q a 4のコレクタ側はトランジスタQ s 
s t Q g sよって所定の電流に規定される。な
お、上記トランジスタQ□tQssのベース電圧は、抵
抗R,,,R,、、トランジスタQs 1* Q s 
m* Q s *によって構成された定電圧回路100
によって所定電圧レベルに保持される。
On the other hand, each emitter resistor R of the resistor B->-Q-s, 'r' transistor Q71°Q, Q, , transistor Qtx, transistor Q constitutes a current mirror circuit, and the transistors Q6, ~Qs4 The current flowing through the transistor Q is defined on the emitter side.
The collector side of 1□~Q a 4 is a transistor Q s
A predetermined current is defined by s t Q g s. Note that the base voltage of the transistor Q
Constant voltage circuit 100 configured by m* Q s *
is maintained at a predetermined voltage level by.

そして、トランジスタQ$il Qa2を流れる電流に
よって決定される電圧Vsと、トランジスタQa21 
Qa4を流れる電流によって決定される電圧Vtとは、
以下に述べるように電圧Vraf工、とVref1□と
によって決定される。
Then, the voltage Vs determined by the current flowing through the transistor Q$il Qa2 and the transistor Qa21
The voltage Vt determined by the current flowing through Qa4 is
As described below, it is determined by the voltages Vraf and Vref1□.

すなわち、電圧Vraf、は、抵抗R4,を介してトラ
ンジスタQ、□yQszの各ベースに供給される一方、
抵抗R4,〜R4,を介してトランジスタQ。。
That is, the voltage Vraf is supplied to the bases of the transistors Q and □yQsz via the resistor R4, while
Transistor Q via resistors R4, ~R4. .

Q、4の各ベースに供給されている。したがって、この
状態では、抵抗R□〜Roの電圧降下分だけトランジス
タQ6□tQszの高レベルになる。
It is supplied to each base of Q and 4. Therefore, in this state, the transistor Q6□tQsz becomes high level by the voltage drop across the resistors R□ to Ro.

ところが、トランジスタQ、4はオン状態であるから、
トランジスタQ、、、 Q□で構成されたカレントミラ
ー回路が動作し、トランジスタQ、7゜Q s a、抵
抗R4,を介して出力電流が得られる。トランジスタQ
saを流れる電流は所定の電流量に規定されているので
、上記出力電流は抵抗R4,を介してトランジスタQs
ay Qa<のベースに流れる。
However, since transistor Q, 4 is in the on state,
A current mirror circuit composed of transistors Q, . transistor Q
Since the current flowing through sa is regulated to a predetermined amount of current, the output current is passed through resistor R4 to transistor Qs.
Flows to the base of ay Qa<.

そこで、トランジスタQ64g Q@gを流れる電流も
増大し、これに対応して電圧Vtが上昇する。故に、抵
抗R4,〜R4,は、いわゆるアッテネータとして機能
し、アッテネータの切り換え動作が電圧Vref□1に
よって行われ、電圧Vs、Vtがアッテネータ出力に相
当する。
Therefore, the current flowing through the transistor Q64g Q@g also increases, and the voltage Vt increases accordingly. Therefore, the resistors R4 and R4 function as so-called attenuators, and the attenuator switching operation is performed by the voltage Vref□1, and the voltages Vs and Vt correspond to the attenuator output.

利得回路24aにおいて、V s −V yの電圧差に
よってトランジスタQ41がオンになり、抵抗R3,を
流れる電流が決定され、これと同時にVt−V xの電
圧差によってトランジスタQ4#もオンになる。抵抗R
ayには、トランジスタQ44# Qa1の和の電流が
流れ、抵抗R1,による電圧降下分が拡大される。すな
わち、電圧Vs、Vtによって倍掛けの増幅が行われる
ことになる。また、上記回路動作から明らかなように、
利得回路24は電流−電圧変換動作も行うものである。
In the gain circuit 24a, the transistor Q41 is turned on by the voltage difference of Vs-Vy, and the current flowing through the resistor R3 is determined, and at the same time, the transistor Q4# is also turned on by the voltage difference of Vt-Vx. Resistance R
A current equal to the sum of transistors Q44#Qa1 flows through ay, and the voltage drop due to resistor R1 is magnified. That is, the voltages Vs and Vt are used to double the amplification. Also, as is clear from the above circuit operation,
The gain circuit 24 also performs a current-voltage conversion operation.

利得回路24の出力電圧は9次段の電流−電圧変換回路
25に供給されるが、この回路にはオフセット電圧調整
回路31も関連している。
The output voltage of the gain circuit 24 is supplied to the ninth stage current-voltage conversion circuit 25, and an offset voltage adjustment circuit 31 is also associated with this circuit.

上記調整回路31において、抵抗R,1,R,ユはトラ
ンジスタ(Lit Q**にバイアス電圧を供給し。
In the adjustment circuit 31, the resistors R, 1, R, and Y supply a bias voltage to the transistor (Lit Q**).

抵抗R,,,R,4はトランジスタQ、3にバイアス電
圧を供給する。そして、抵抗VR,を制御すると。
Resistors R,,,R,4 supply a bias voltage to transistors Q,3. Then, if the resistance VR is controlled.

トランジスタQ。のバイアス電圧が変化するので。Transistor Q. Since the bias voltage of changes.

トランジスタQ*t*Q*z%抵抗R1,を流れる電流
が制御され、抵抗R0の電圧降下分が調整される。
The current flowing through the transistor Q*t*Q*z% resistor R1 is controlled, and the voltage drop across the resistor R0 is adjusted.

この電圧降下分が、電圧−電流変換回路24のオフセッ
ト調整に利用される。
This voltage drop is used for offset adjustment of the voltage-current conversion circuit 24.

次に、電圧−電流変換回路25の回路動作を説明する。Next, the circuit operation of the voltage-current conversion circuit 25 will be explained.

しかし1本回路は7組の電圧−電流変換回路25a〜2
5hによって構成され、しかも回路構成が同一であるこ
とから1回路25aに付いて説明する。
However, one circuit consists of seven sets of voltage-current conversion circuits 25a to 2.
5h and have the same circuit configuration, only one circuit 25a will be explained.

トランジスタロ1□1.Q工1.には電源V c c 
、が供給され、抵抗R1t−Rst )’ランジスタQ
ttz+Q11.を流れる電流は利得回路24aの出力
電圧によって制御される。トランジスタQ1□2とQ工
、4及びQll、とはカレントミラー回路を構成してい
るので、トランジスタQ□8.によってトランジスタQ
1□2〜Q工1.のベース電流を制御することにより、
トランジスタQ28.のベース電流も制御される。この
際、上記調整電圧によって、トランジスタロ工、□l 
Qiillを流れる電流が制御され、トランジスタQ1
1.のベース電流の微調整がな、される。
Transistoro 1□1. Q engineering 1. is the power supply Vcc
, is supplied, and resistor R1t-Rst)' transistor Q
ttz+Q11. The current flowing through the gain circuit 24a is controlled by the output voltage of the gain circuit 24a. Since transistors Q1□2, Q4, and Qll form a current mirror circuit, transistors Q□8. By transistor Q
1□2~Q Engineering 1. By controlling the base current of
Transistor Q28. The base current of is also controlled. At this time, depending on the above adjustment voltage, the transistor
The current flowing through Qiill is controlled and transistor Q1
1. Fine adjustment of the base current is made.

トランジスタQ1□は、カレントミラー回路を構成する
トランジスタQ□sty Qixxにベース電流を供給
するが、その電流量は利得回路24の出力電圧に対応し
て変化するものである。従って、出力回路26.ライン
n1からトランジスタQ1zzs抵抗R1啼を介して流
れる電流は、利得回路24の出力電圧、更に遡ればR信
号の電圧レベルに対応して変化することになる。
The transistor Q1□ supplies a base current to the transistor Q□sty Qixx forming the current mirror circuit, and the amount of current changes in accordance with the output voltage of the gain circuit 24. Therefore, the output circuit 26. The current flowing from the line n1 through the transistor Q1zzs and the resistor R1 changes in accordance with the output voltage of the gain circuit 24 and, going back further, with the voltage level of the R signal.

説明の便宜のため、1個の電圧、−電流変換回路25a
の吸い込み電流をIaとすると、これと同一量の電流が
各電圧−電流変換回路25b〜25hによって吸い込ま
れる。この結果、ラインQ1を介して出力回路26から
吸い込まれる電流は、8Iaの電流量になる。
For convenience of explanation, one voltage/current conversion circuit 25a
Assuming that Ia is the current drawn in, the same amount of current is drawn by each of the voltage-current conversion circuits 25b to 25h. As a result, the amount of current sucked from the output circuit 26 via line Q1 is 8Ia.

そして、電源Vccmから抵抗R1,出力コンデンサの
影響を排除するNチャネルのMOSトランジスタQa、
ベースが交流的に接地されているトランジスタQbを介
して、上記8Iaの電流が電圧−電流変換回路25によ
って吸い込まれる。・そして、上記の如く出力電圧Vo
が得られ、これが受像管のカソードに1に供給される。
and an N-channel MOS transistor Qa that eliminates the influence of the resistor R1 and the output capacitor from the power supply Vccm;
The current 8Ia is sucked by the voltage-current conversion circuit 25 through the transistor Qb whose base is grounded in an alternating current manner.・Then, as mentioned above, the output voltage Vo
is obtained, which is supplied to the cathode of the picture tube.

抵抗R1゜。Resistance R1°.

VRはベディスクルレベルをクランプするための帰還回
路を構成し、第4図に示すような波形の帰還信号Vfが
検出回路27に供給される。なお、ペデスタルレベルは
、同図のPに相当する。 ′次に、検出回路27の回路
動作を説明する。
VR constitutes a feedback circuit for clamping the pedicle level, and a feedback signal Vf having a waveform as shown in FIG. 4 is supplied to the detection circuit 27. Note that the pedestal level corresponds to P in the figure. 'Next, the circuit operation of the detection circuit 27 will be explained.

抵抗R工、□、トランジスタQ工、1〜Q□3.、そし
て各トランジスタロ工2、〜Q工、。のベースに接続さ
れた抵抗Rは、定電流回路を構成するものである。
Resistor R, □, Transistor Q, 1 to Q□3. , and each transistor 2,~Q,. A resistor R connected to the base of the resistor R constitutes a constant current circuit.

トランジスタQ i419 Q L 4 Zは比較回路
27aを構成し、抵抗R1Q1. Q1□は基準電圧V
rsf、を得るものである。トランジスタQ14a、Q
144はクランパーであり、そのバイアス電圧は抵抗R
1゜。
Transistors Q i419 Q L 4 Z constitute a comparison circuit 27a, and resistors R1Q1. Q1□ is the reference voltage V
rsf. Transistor Q14a, Q
144 is a clamper whose bias voltage is connected to a resistor R
1°.

R114,トランジスタQ1□によって供給される。R114, supplied by transistor Q1□.

比較回路27aによってペデスタルレベルPが検出され
ると、トランジスタQ□46が駆動され。
When the comparison circuit 27a detects the pedestal level P, the transistor Q□46 is driven.

スイッチS、に電流が供給される。A current is supplied to the switch S.

一方、□スイッチS、を構成するトランジスタQよ<t
t Qt4mには、トランジスタQtos t QIS
l+Q工□抵抗R1□で構成された定電流回路からベー
ス電流が供給されるが、スイッチS3は制御回路27c
によって開閉制御がなされる。
On the other hand, the transistor Q constituting the switch S<t
t Qt4m includes a transistor Qtos t QIS
A base current is supplied from a constant current circuit composed of l+Q resistor R1, and switch S3 is connected to control circuit 27c.
Opening/closing control is performed by.

制御信号Vdは、上記ベディスクルレベルPの期間に対
応してローレベルになり、その他の期間ではハイレベル
を保持するようになされている。
The control signal Vd is set to a low level corresponding to the period of the bedicle level P, and is kept at a high level during other periods.

制御信号Vdがハイレベルのとき、上記制御回路23a
で述べたような回路動作が制御回路27cにおいても行
われ、トランジスタQ□5〃がオン状態に動作する。
When the control signal Vd is at a high level, the control circuit 23a
The circuit operation described above is also performed in the control circuit 27c, and the transistor Q□5 is turned on.

一方、制御信号Vdがローレベルの期間においては、上
記トランジスタQ1.〃はオフ状態となる。
On the other hand, during the period when the control signal Vd is at a low level, the transistors Q1. 〃 is in the off state.

そして、トランジスタQ1.〃がオフのときは、レベル
シフターとして設けられたトランジスタ(□。、Q8□
を介しての電流吸い込みがなく、トランジスタQ□、7
がオン状態になり、トランジスタQ14m がオフにな
る。
And transistor Q1. When 〃 is off, the transistor provided as a level shifter (□., Q8□
There is no current sinking through the transistor Q□, 7
turns on, and transistor Q14m turns off.

従って、比較回路27aの出力信号のベデイスタルレベ
ルは、抵抗R187を介して記憶素子として設けられた
コンデンサC8に充電され、そのレベルが記憶される。
Therefore, the Bedistal level of the output signal of the comparator circuit 27a is charged to the capacitor C8 provided as a storage element via the resistor R187, and the level is stored.

上記動作に対し、トランジスタQ08〃がオン状態のと
きは、トランジスタQ0.がオン状態になり、抵抗Rx
*t 、hランジスタQ1411eQ1□、抵抗Rを介
してコンデンサC1の放電を行う、この動作は繰り返し
て行われ、抵抗R11,を介して比較回路を構成するト
ランジスタQ1,1に帰還信号Vfのレベルに対応した
直流電圧が供給されることになる。トランジスタQ□。
Regarding the above operation, when transistor Q08 is on, transistor Q0. turns on and resistor Rx
*t, h The capacitor C1 is discharged via the transistor Q1411eQ1□ and the resistor R. This operation is repeated, and the voltage is applied to the transistor Q1,1 forming the comparison circuit via the resistor R11 to the level of the feedback signal Vf. A corresponding DC voltage will be supplied. Transistor Q□.

のバイアス電圧は、抵抗Rx3m  トランジスタQ工
。等で構成された定電圧回路によって所定の電圧レベル
に保持される。
The bias voltage is resistor Rx3m transistor Q engineering. It is maintained at a predetermined voltage level by a constant voltage circuit made up of the following.

従って、トランジスタQ工14.QL@2を流れる電流
は、コンデンサC2の充電電圧によって変化し、その変
化レベルは帰還信号Vfのレベル変化に対応する。
Therefore, transistor Q14. The current flowing through QL@2 changes depending on the charging voltage of the capacitor C2, and the level of the change corresponds to the level change of the feedback signal Vf.

トランジスタQ 1@* e Qtss s Qxss
、抵抗R1,5はカレントミラー回路を構成しているの
で、上記電流変化はトランジスタQ1.6から抵抗Ra
Transistor Q 1@* e Qtss s Qxss
, resistors R1,5 constitute a current mirror circuit, so the above current change is caused by the current change from transistor Q1.6 to resistor Ra.
.

Rbを介してトランジスタQユ、Q1′に供給されるベ
ース電流の変化となる。すなわち、増幅器A。
This results in a change in the base current supplied to the transistors QU and Q1' via Rb. That is, amplifier A.

Bの直流バイアスは、R信号のベデイスタルレベルによ
って所定のレベル値に保持される。したがって、上記の
ようにR信号を交流成分で供給しても、受像管に映しだ
される映像の変動を低減し得る。
The B DC bias is maintained at a predetermined level value by the Bedistal level of the R signal. Therefore, even if the R signal is supplied as an alternating current component as described above, fluctuations in the image displayed on the picture tube can be reduced.

以上1本発明の実施例について詳細説明した。Above, one embodiment of the present invention has been described in detail.

以下では、前記実施例を基に本発明の特徴と、それによ
って得られる効果を具体的に説明する。
Hereinafter, the features of the present invention and the effects obtained thereby will be specifically explained based on the above embodiments.

第3図において1本ビデオアンプの出力回路構成は、カ
レントミラーの出力側トランジスタQユ、。
In FIG. 3, the output circuit configuration of one video amplifier is a current mirror output transistor Q.

と、バイポーラトランジスタQ1、およびMOSトラン
ジスタQ、のカスコード結合としている。
, a bipolar transistor Q1, and a MOS transistor Q are coupled in cascode.

トランジスタQ、およびQ、は、そのいずれかを省略し
ても実用化可能であるが、実施例では、Q11□のアー
り効果によるゲインの非直線性化をさいバイポーラトラ
ンジスタQ、をカスコードし、さらに高耐圧化のためM
OSトランジスタQ1をカスコード化したものである。
Transistors Q and Q can be put to practical use even if one of them is omitted, but in the embodiment, the bipolar transistor Q is cascoded to avoid non-linearity of the gain due to the round effect of Q11□. Furthermore, for higher voltage resistance, M
This is a cascode version of the OS transistor Q1.

この様な構成によれば、出力のリニアリティは、出力の
エミッタ抵抗R1,の値には依らず、R,7は例えば1
Ω程度でも充分実用化でき、例えば0.3  Aの電流
を流しても、その電圧降下は0.3  Vである。従っ
て。
According to such a configuration, the linearity of the output does not depend on the value of the output emitter resistance R1, and R,7 is, for example, 1.
Even if it is about Ω, it can be put into practical use sufficiently; for example, even if a current of 0.3 A is passed, the voltage drop is 0.3 V. Therefore.

Q tit に必要なコレクタ電圧も5v程度で充分で
あり、このカレントミラー出力トランジスタQixiを
前置増幅回路と一体化しても、電力消費は微小であり、
低電源電圧で動作し得るから、高周波化に有利な微細化
プロセスを使用して、前置増幅器と出力部電流駆動トラ
ンジスタとを同一チップに集積できる効果がある。
The collector voltage required for Q tit is about 5 V, which is sufficient, and even if this current mirror output transistor Qixi is integrated with the preamplifier circuit, the power consumption is very small.
Since it can operate with a low power supply voltage, it is possible to integrate the preamplifier and the output current drive transistor on the same chip using a miniaturization process that is advantageous for increasing frequencies.

次にQ141 を入力とし、Ql、6およびQ23.を
出力とする検出部27は、その出力で増幅器初段のQ、
のバイアスを制御するように構成されており、又、緩衝
増幅器21から電圧−電流変換回路25および出力部2
6は全て直流結合されている。この構成によれば、直流
阻止された入力を受信しても、直流阻止によって生起さ
れる動作バイアス電圧の変動を生ずることなく、各部の
ペデスタルレベルのバイアス電圧は一定に動作し得るか
ら、動作ダイナミックレンジを最小化でき、低電圧電源
で動作し得る効果がある。
Next, input Q141, Ql, 6 and Q23. The detection unit 27 which outputs Q of the first stage of the amplifier with its output,
It is configured to control the bias of the buffer amplifier 21 to the voltage-current conversion circuit 25 and the output section 2.
6 are all DC coupled. According to this configuration, even if a DC-blocked input is received, the bias voltage at the pedestal level of each part can operate at a constant level without causing fluctuations in the operating bias voltage caused by DC blocking. This has the effect of minimizing the range and allowing operation with a low voltage power supply.

また、トランジスタQ1のバイアスを制御するため、検
出部27と接続される抵抗Raは1例えば100にΩ程
度の高抵抗値としても、充分その目的を達成し得るから
、固定バイアス方法に比べ、緩衝増幅器の入力インピー
ダンスを約1桁増加することができる効果があり、入力
の反射ロスを小さくでき1反射歪の小さい高精度画像を
再生し得る効果がある。
In addition, in order to control the bias of the transistor Q1, the resistor Ra connected to the detection unit 27 can be set to a high resistance value of 1, for example, about 100 Ω, and the purpose can be sufficiently achieved. This has the effect of increasing the input impedance of the amplifier by about one order of magnitude, reducing input reflection loss, and reproducing high-precision images with low reflection distortion.

さらに、前記ペデスタルレベルのバイアス電圧一定の効
果は、利得制御回路24aの入力にも適用されているか
ら、以下の効果がある。すなわち。
Furthermore, since the effect of keeping the bias voltage constant at the pedestal level is also applied to the input of the gain control circuit 24a, the following effects can be obtained. Namely.

利得制御部31の入出力電圧ゲインG、は、駆動回路2
4bの出力条件一定のもとでは、近似的に但し、Kは駆
動回路24bの出力条件によって定まる比例定定 で表わすことができる。
The input/output voltage gain G of the gain control section 31 is the same as that of the drive circuit 2.
Under a constant output condition of the drive circuit 24b, K can be approximately expressed as a proportional constant determined by the output condition of the drive circuit 24b.

ところが、さらにゲン密には。However, even more secretly.

R,+r、、。R,+r,,.

但し、r3.3はトランジスタQ43のエミッタ抵抗 となり、このr8.7はQ。に流れるエミッタ電流によ
って変わる。
However, r3.3 is the emitter resistance of transistor Q43, and r8.7 is Q. varies depending on the emitter current flowing through the

従って、もし、ペデスタルレベルにおける入力すなわち
、Q、3のエミッタ電圧とQoのエミッタ電圧の差が一
定していないと、04mのエミッタ電流が変動して、こ
れによって(2)式から明らかな様にゲインの変動を生
ずることになるが、本発明によれば、検知回路27の出
力は、利得制御回路24aの入力部以前の緩衝増幅器初
段にフィードバックされているから、上記ゲインの変動
を阻止できる効果がある。
Therefore, if the input at the pedestal level, that is, the difference between the emitter voltage of Q,3 and the emitter voltage of Qo, is not constant, the emitter current of 04m will fluctuate, and as a result, as is clear from equation (2), However, according to the present invention, since the output of the detection circuit 27 is fed back to the first stage of the buffer amplifier before the input section of the gain control circuit 24a, it is possible to prevent the gain fluctuation. There is.

次に、第2図において、緩衝増幅器21は、A。Next, in FIG. 2, the buffer amplifier 21 is A.

Bの2つを持ち、マルチプレクサスイッチ22を通して
出力に接続する構成をもち、各緩衝増幅器AおよびBは
検知回路27の出力によってバイアスが制御されている
0本構成によれば、各緩衝増幅器A、Hには、同一バイ
アスが印加されているから、AとBを切替えたとき、出
力電位が変動して出力画像にちらつきを与える等のハザ
ードを防止する効果がある。
According to the 0-wire configuration, each buffer amplifier A, Since the same bias is applied to H, when switching between A and B, there is an effect of preventing hazards such as fluctuations in the output potential and flickering on the output image.

また、第2図において、緩衝増幅器21から利得回路2
4aの結合のために各々端子を引出し、外部抵抗R1に
より結合する構成としている。本構成によれば、R1の
抵抗を変えることにより、総合ゲインの設定利用範囲を
拡大し得るばかりでなく例えば、R1と並列にコンデン
サを接続する等によって周波数−ゲイン特性を容易に調
整し得る効果がある。
In addition, in FIG. 2, from the buffer amplifier 21 to the gain circuit 2
4a, each terminal is drawn out and the connection is made by an external resistor R1. According to this configuration, by changing the resistance of R1, it is possible not only to expand the setting range of the total gain, but also to easily adjust the frequency-gain characteristics by, for example, connecting a capacitor in parallel with R1. There is.

次に第3図のオフセット調整回路31は、外部制御端子
7を有し、その制御極性は、検知回路27の出力と結合
してしたとき、ペデスタルレベルを一定化できる様に構
成されている1本構成によれば、検出回路27の出力端
子24と該端子7とを外部抵抗等で結合することにより
、出カベデスタルレベルを安定化できる効果がある。す
なわち先に説明した。検知回路27を緩衝増幅器21に
のみ結合した場合では、中間の利得制御回路24aで利
得を零に絞ったとき、出カベデスタルレベルの安定化機
能を逸ダッする可能性を有するが、上記の外部結合を付
加することで、これを防止することができ、利得制御範
囲を零まで絞っても、出カベデスタルレベルを安定化で
きる効果がある。
Next, the offset adjustment circuit 31 shown in FIG. According to this configuration, the output terminal level can be stabilized by coupling the output terminal 24 of the detection circuit 27 and the terminal 7 with an external resistor or the like. That is, as explained above. In the case where the detection circuit 27 is coupled only to the buffer amplifier 21, when the gain is narrowed down to zero by the intermediate gain control circuit 24a, there is a possibility that the stabilization function of the output output level will be lost. By adding coupling, this can be prevented, and even if the gain control range is narrowed down to zero, the output output level can be stabilized.

以上に本発明者によってなされた発明を実施例にもとづ
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることは言うまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned examples, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. stomach.

例えば、緩衝増幅器は更に多数を設けてもよい。For example, more buffer amplifiers may be provided.

また、制御回路23についても同様である。更に、電圧
−電流変換回路の数についても、使用目的に合わせて任
意に変更し得る。先にも述べたが、R2O,Bの増幅回
路を同一チップ上に設けてもよい。
The same applies to the control circuit 23. Furthermore, the number of voltage-current conversion circuits can also be changed arbitrarily depending on the purpose of use. As mentioned earlier, the R2O and B amplifier circuits may be provided on the same chip.

以上の説明では、主として本発明者等によってなされた
発明をその背景となった利用分野であるビデオアンプに
適用した場合について説明したが。
In the above description, the invention made by the inventors of the present invention was mainly applied to a video amplifier, which is the field of application in which the invention is based.

それに限定されることなく、例えばオシロスコープの如
く広帯域の増幅回路を必要とする計測機器に利用するこ
とができる。
The present invention is not limited thereto, and can be used, for example, in measurement equipment that requires a broadband amplifier circuit, such as an oscilloscope.

更に、ディジタル信号による通信機等にも利用すること
ができる。
Furthermore, it can also be used in communication devices using digital signals.

また、オーディオ機器に利用してもよい。It may also be used in audio equipment.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明である竿導体集積化した増幅回路により、広周波
数帯域かつ高出力の増幅を行なうことができる。
The rod conductor-integrated amplifier circuit of the present invention allows wide frequency band and high output amplification.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示すディスプレイ装置のブ
ロックダイアグラムを示し、第2図は上記ディスプレイ
装置に応用される増幅回路のブロックダイアグラムを示
し、第3図は上記増幅回路の回路図を示し、第4図は回
路動作を説明する波形図を示す。 1・・・電子計算機、2・・・D/A変換器、3・・・
受像管、11・・・増幅回路、21・・・緩衝増幅器、
22・・・スイッチ回路、23・・・制御回路、24・
・・利得制御回路、25・・・電圧−電流変換回路、2
6・・・出力回路。 27・・・検出回路、j2.・・・信号合成手段、Vf
・・・帰還信号、Vd、Va、Vb・・・制御信号、R
・・・入力信号、Vo・・・出力電圧、Q1〜011 
m・・・トランジスタ、R工〜R137・・・抵抗、I
C・・・半導体集積回路。
FIG. 1 shows a block diagram of a display device showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 shows a block diagram of an amplifier circuit applied to the display device, and FIG. 3 shows a circuit diagram of the amplifier circuit. FIG. 4 shows a waveform diagram explaining the circuit operation. 1... Electronic computer, 2... D/A converter, 3...
Picture tube, 11... amplifier circuit, 21... buffer amplifier,
22... Switch circuit, 23... Control circuit, 24...
...Gain control circuit, 25...Voltage-current conversion circuit, 2
6...Output circuit. 27...detection circuit, j2. ...signal synthesis means, Vf
...Feedback signal, Vd, Va, Vb...Control signal, R
...Input signal, Vo...Output voltage, Q1~011
m...Transistor, R~R137...Resistor, I
C...Semiconductor integrated circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、広周波数帯域の信号を増幅する増幅回路において、
入力信号を増幅する広周波数帯域の前置増幅手段と、該
前置増幅手段からの出力信号の電圧レベル変化を電流変
化に変換し、該電流信号をトランジスタの実効面積比に
比例した電流増幅作用を有するカレントミラー回路によ
り増幅する複数の電圧−電流変換手段とを有し、前記前
置増幅手段と、前記複数の電圧−電流変換手段を同一半
導体基板上に形成したことを特徴とする増幅回路。 2、広周波数帯域の信号を増幅する増幅回路において、
入力信号を増幅する広周波数帯域の前置増幅手段と、該
前置増幅手段からの出力信号の利得を制御する利得制御
手段と、該利得制御手段からの出力信号の電圧レベル変
換を電流変化に変換し、該電流信号をトランジスタの実
効面積化に比例した電流増幅作用を有するカレントミラ
ー回路により増幅する複数の電圧−電流変換手段と、該
複数の電圧−電流変換手段の出力電流を合成し、高出力
電流を得る電流合成手段と、該電流合成手段からの高出
力電流を電流−電圧変換して得られる出力信号と基準電
圧とを比較して所定の電圧レベルを規定し、該電圧レベ
ルを前記前置増幅手段の入力に印加して、入力信号の直
流レベルを規定する検出手段とを有し、前記前置増幅手
段と、前記利得制御手段と、前記複数の電圧−電流変換
手段と、前記電流合成手段と、前記検出手段とを同一半
導体基板上に形成したことを特徴とする増幅回路。 3、特許請求の範囲第2項において、入力信号として映
像信号を入力し、前記検出手段の基準電圧をペデスタル
レベルに設定して、出力信号を受像管のカソードに印加
することを特徴とする増幅回路。 4、特許請求の範囲第2項において、前記検出手段は、
出力信号と基準電圧とを比較する比較回路、前記比較回
路の出力電圧の伝達を制御するスイッチ回路、前記スイ
ッチ回路の開閉を前記出力信号の所定のレベル位置に対
応して制御する制御回路。 前記スイッチ回路を介して供給される電圧信号の電圧レ
ベルを記憶する記憶素子、前記記憶された電圧レベルに
もとづき前記前置増幅手段の入力側の直流レベルを規定
する信号伝達経路、とからなる負帰還経路で構成したこ
とを特徴とする増幅回路。 5、特許請求の範囲第2項において、前記前置増幅器の
出力および利得制御手段の入力に端子を設けて外部に引
出し、前記前置増幅器と利得制御手段の結合を外部で行
うようにしたことを特徴とする増幅回路。 6、特許請求の範囲第2項において、検出手段の出力、
および電圧−電流変換手段のオフセットを調整するため
の調整制御端子を設けて外部に引出し、検知手段出力と
オフセット調整制御端子を外部で結合できるようにした
ことを特徴とする増幅回路。
[Claims] 1. In an amplifier circuit that amplifies a wide frequency band signal,
A wide frequency band preamplification means for amplifying an input signal, and a current amplification effect that converts a voltage level change of an output signal from the preamplification means into a current change, and converts the current signal into a current change proportional to the effective area ratio of the transistor. an amplifier circuit comprising: a plurality of voltage-to-current conversion means for amplification by a current mirror circuit having a current mirror circuit; the pre-amplification means and the plurality of voltage-to-current conversion means are formed on the same semiconductor substrate. . 2. In an amplifier circuit that amplifies a wide frequency band signal,
A wide frequency band preamplification means for amplifying an input signal, a gain control means for controlling the gain of an output signal from the preamplification means, and a voltage level conversion of the output signal from the gain control means based on a current change. a plurality of voltage-to-current conversion means for converting and amplifying the current signal by a current mirror circuit having a current amplification effect proportional to the effective area of the transistor; and combining the output currents of the plurality of voltage-to-current conversion means; A current synthesizing means for obtaining a high output current, and an output signal obtained by current-to-voltage conversion of the high output current from the current synthesizing means are compared with a reference voltage to define a predetermined voltage level. a detection means applied to an input of the preamplification means to define a DC level of the input signal, the preamplification means, the gain control means, and the plurality of voltage-current conversion means; An amplifier circuit characterized in that the current combining means and the detecting means are formed on the same semiconductor substrate. 3. The amplification according to claim 2, wherein a video signal is input as the input signal, the reference voltage of the detection means is set to a pedestal level, and the output signal is applied to the cathode of the picture tube. circuit. 4. In claim 2, the detection means:
A comparison circuit that compares an output signal with a reference voltage, a switch circuit that controls transmission of the output voltage of the comparison circuit, and a control circuit that controls opening and closing of the switch circuit in response to a predetermined level position of the output signal. a storage element that stores the voltage level of the voltage signal supplied via the switch circuit; and a signal transmission path that defines the DC level on the input side of the preamplifier based on the stored voltage level. An amplifier circuit characterized by comprising a feedback path. 5. In claim 2, terminals are provided at the output of the preamplifier and the input of the gain control means, and are drawn out to the outside, so that the connection between the preamplifier and the gain control means is performed externally. An amplifier circuit featuring: 6. In claim 2, the output of the detection means,
and an amplifier circuit characterized in that an adjustment control terminal for adjusting the offset of the voltage-current conversion means is provided and drawn out to the outside, so that the output of the detection means and the offset adjustment control terminal can be coupled externally.
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