JPS61270370A - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法Info
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- JPS61270370A JPS61270370A JP60112053A JP11205385A JPS61270370A JP S61270370 A JPS61270370 A JP S61270370A JP 60112053 A JP60112053 A JP 60112053A JP 11205385 A JP11205385 A JP 11205385A JP S61270370 A JPS61270370 A JP S61270370A
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- ion
- ions
- treated
- surface treatment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は基板表面の潤滑性、耐摩耗性および耐久寿命
を高めるための表面処理方法に関する。
を高めるための表面処理方法に関する。
〈従来の技術〉
摺動部品の潤滑性％耐摩耗性を高めるためにはこちら部
品の表面の潤滑性、耐摩耗性を高める必要がある。特に
宇宙空間や真空中で使用する機器の摺動部品の潤滑性、
耐摩耗性セよび耐久性に対しては高い信頼性が要求され
る。
品の表面の潤滑性、耐摩耗性を高める必要がある。特に
宇宙空間や真空中で使用する機器の摺動部品の潤滑性、
耐摩耗性セよび耐久性に対しては高い信頼性が要求され
る。
宇宙空間や真空中等の特殊環境下で摺動部品の潤滑性金
得るためには、一般には液体の使用は望ましくなく１通
常は ｅＤ Ａｕ、Ａｇ％Ｍｏ５１．ボリテ） ラ＠ ７
ａ −７Ｌ／ ＠エチレン（以下［ＰＴＦｇＪ とい
う。）等の固体潤滑材料を真空蒸着、スパッタ蒸着。
得るためには、一般には液体の使用は望ましくなく１通
常は ｅＤ Ａｕ、Ａｇ％Ｍｏ５１．ボリテ） ラ＠ ７
ａ −７Ｌ／ ＠エチレン（以下［ＰＴＦｇＪ とい
う。）等の固体潤滑材料を真空蒸着、スパッタ蒸着。
イオンブレーティング尋の手段によって薄膜形成する方
法。
法。
■ 加熱、あるいはイオン照射等によシ窒化、硼素等の
表面処理元素を拡散させて摺動部品の部材面に表面処理
贋金形成させる方法。
表面処理元素を拡散させて摺動部品の部材面に表面処理
贋金形成させる方法。
Ｏまた、これまでに炭素鋼、銅等にＣ，Ｂ。
Ｎ等の元素をイオン注入した検討がなされ、低摩擦、低
摩耗等（こ関し効果のあることが報告さｎている。
摩耗等（こ関し効果のあることが報告さｎている。
く発ＢＡが解決しようとする問題点〉
しかし、上述した■の方法は薄膜形成した部品表面が部
品の基材面と薄膜層間に明確な境界ができ、摺動時ある
いは高温環境下で膜はく離をおこしやすくなる不具合が
あった。
品の基材面と薄膜層間に明確な境界ができ、摺動時ある
いは高温環境下で膜はく離をおこしやすくなる不具合が
あった。
また、＠の方法は熱平衡的に生成する組成の物質しかで
きないので、摺動部品の表面層を形成するに適する表面
処理元素の選択範囲は自ずから限定される。
きないので、摺動部品の表面層を形成するに適する表面
処理元素の選択範囲は自ずから限定される。
また、Ｃ，Ｂ、Ｎなどの元素のイオンを注入するＯの方
法は、所望の元素イオンを注入するため注入装置に質量
分析器を敗り付けなければならなかった。そして、この
ような質量分析器を設けるための処理コストが高く、か
つ得られるビーム電流値も低いので非能率的であった。
法は、所望の元素イオンを注入するため注入装置に質量
分析器を敗り付けなければならなかった。そして、この
ような質量分析器を設けるための処理コストが高く、か
つ得られるビーム電流値も低いので非能率的であった。
この発明は以上述べたような摺動部品、更に一般的に基
板の潤滑性、耐摩耗性、耐久性を高めるための従来の表
面処理方法における不具合をなくするためになさｎたも
のであって、基板に対する処理層の密着性が高く、かつ
潤滑性、耐摩耗性、耐久性に優ｎた基板の表面処理方法
を提供しようとするものである。
板の潤滑性、耐摩耗性、耐久性を高めるための従来の表
面処理方法における不具合をなくするためになさｎたも
のであって、基板に対する処理層の密着性が高く、かつ
潤滑性、耐摩耗性、耐久性に優ｎた基板の表面処理方法
を提供しようとするものである。
く問題点を解決するための手段〉
上記目的を達成するためのこの発明の表面処理方法は、
炭化水素、フッ化水素、フッ化硼素およびフッ化炭化水
素のうちから選択した一種をイオン源物質としてイオン
化する工程と。
炭化水素、フッ化水素、フッ化硼素およびフッ化炭化水
素のうちから選択した一種をイオン源物質としてイオン
化する工程と。
上記イオン化工程によ）生成したイオン源物質を構成す
る原子および分子のイオンを表面処理基板に加速注入す
る工程から成ることを特徴とするものである。
る原子および分子のイオンを表面処理基板に加速注入す
る工程から成ることを特徴とするものである。
また、この発明は表面処理基板に注入するイオン源物質
を構成する原子および分子のイオンのうち１分子イオン
のみを注入することにより行ってもよい、 く作 用〉 炭化水素、フッ化炭素、フッ化硼素およびフッ化炭化水
素をイオン化して得らｎるＣ＋、ｐ”、Ｂ”、ｃｘ＊”
、ｃＨ２”、ｃＨ：、 、・、 、 ＣＦ” 、ｃＦ
； 。
を構成する原子および分子のイオンのうち１分子イオン
のみを注入することにより行ってもよい、 く作 用〉 炭化水素、フッ化炭素、フッ化硼素およびフッ化炭化水
素をイオン化して得らｎるＣ＋、ｐ”、Ｂ”、ｃｘ＊”
、ｃＨ２”、ｃＨ：、 、・、 、 ＣＦ” 、ｃＦ
； 。
ＣＦ、 、 ・・噛、 ＢＰ 、ＢＦ、 、・・拳な
どの原子イオンおよび分子イオンはいずれも潤滑性に富
むから、こちらイオンを注入した処理層も潤滑性が向上
し、摩擦係数も小さめから耐摩耗性も高く、耐久寿命も
向上するようになる。
どの原子イオンおよび分子イオンはいずれも潤滑性に富
むから、こちらイオンを注入した処理層も潤滑性が向上
し、摩擦係数も小さめから耐摩耗性も高く、耐久寿命も
向上するようになる。
しかも、加速度を調節することにより基板内ｌこ注入さ
ｎるイオンの深さを自由に調節できるので、目的ζこ応
し、処理、嘗の厚さを自由にコントロールできる。
ｎるイオンの深さを自由に調節できるので、目的ζこ応
し、処理、嘗の厚さを自由にコントロールできる。
く実 施 例〉
以下、実施例および比較例に基づいて本発明の内容を具
体的に説明する。
体的に説明する。
実施例１
第１図はイオン化装ＲＡＳイオンビーム加速器Ｂを用い
て、基板１−１にイオン注入することによシ表面処理す
る方法を例示したものである。
て、基板１−１にイオン注入することによシ表面処理す
る方法を例示したものである。
第１図のイオン化装置Ａはイオン源物質入口３を有し９
図示外の電源から送給さ几る電力によってイオン源物質
５を加熱イオン化する加熱器４からなっておシ。
図示外の電源から送給さ几る電力によってイオン源物質
５を加熱イオン化する加熱器４からなっておシ。
イオンビーム加速器Ｂは加熱器４の内側に配設したりベ
ラ６と、加熱器４の入口３と反対側に配役さｎ図示外の
電子電流安定電源から電力を供給さｎる熱フィラメント
７、熱フィラメント７と反対側にイオンビーム出口８を
設け１図示外のイオン加速高圧電源によシイオンビーム
を加速する加速装置９へおよび出射スリット１０からな
っている。
ラ６と、加熱器４の入口３と反対側に配役さｎ図示外の
電子電流安定電源から電力を供給さｎる熱フィラメント
７、熱フィラメント７と反対側にイオンビーム出口８を
設け１図示外のイオン加速高圧電源によシイオンビーム
を加速する加速装置９へおよび出射スリット１０からな
っている。
基板１ゴはコレクタスリット１１を介してイオンビーム
加速器Ｂから加速放出されたイオンビームを注入するよ
うに表面処理をイオンビーム加速器Ｂ側に向けて保持さ
れる。本実施例での基板は長さ３５■Ｘ幅１０ｍＸ高さ
５、の５ＵＳ４４０Ｃステンレス鋼（ＪＩＳ規格）を使
用した。
加速器Ｂから加速放出されたイオンビームを注入するよ
うに表面処理をイオンビーム加速器Ｂ側に向けて保持さ
れる。本実施例での基板は長さ３５■Ｘ幅１０ｍＸ高さ
５、の５ＵＳ４４０Ｃステンレス鋼（ＪＩＳ規格）を使
用した。
また１本実施例では、イオン源物質としてフレオンガス
（ＣＦ４ガス）（数μＨｚ ）をｉｏ−’Ｔｏｒｒ ＠
度の圧力に調節してイオン化装置内に送り込まれる。こ
のイオン化装置内は分子間の衝突を防ぐため、高真空（
１０〜１ＯＴｏｒｒ）になりている。
（ＣＦ４ガス）（数μＨｚ ）をｉｏ−’Ｔｏｒｒ ＠
度の圧力に調節してイオン化装置内に送り込まれる。こ
のイオン化装置内は分子間の衝突を防ぐため、高真空（
１０〜１ＯＴｏｒｒ）になりている。
そして送シ込まれた試料はイオン化装置内において熱フ
ィラメントから対極に向けて流れている電子流と衝突し
イオン化され、リベラー電極６（プラスの電圧が加えら
れている）でスリットｌＯの方へ押しやられた上３０Ｋ
ｅＶのイオン加速電圧で加速される。イオンビームは細
い出射スリット１０を通って装置を出てから、コレクタ
スリット１１を通って表面処理基板１−１に注入される
。
ィラメントから対極に向けて流れている電子流と衝突し
イオン化され、リベラー電極６（プラスの電圧が加えら
れている）でスリットｌＯの方へ押しやられた上３０Ｋ
ｅＶのイオン加速電圧で加速される。イオンビームは細
い出射スリット１０を通って装置を出てから、コレクタ
スリット１１を通って表面処理基板１−１に注入される
。
イオン化装置内においてフレオンガス（ＣＦ４Ｅから生
成する原子イオンおよび分子イオンはＣ、Ｆ ％ＣＦ
、ＣＦ、 、ＣＦ、があるが、これらはイオンビーム加
速器Ｂによって加速され全イオンが基板Ｈ内にＩ Ｘ
１０ Ｉｏｎ ／ ｃｄ 〜３ Ｘ１０” ｉｏｎ
／−程度注入さｎる。基板１−１の斜線部分がイオン注
入領域である。
成する原子イオンおよび分子イオンはＣ、Ｆ ％ＣＦ
、ＣＦ、 、ＣＦ、があるが、これらはイオンビーム加
速器Ｂによって加速され全イオンが基板Ｈ内にＩ Ｘ
１０ Ｉｏｎ ／ ｃｄ 〜３ Ｘ１０” ｉｏｎ
／−程度注入さｎる。基板１−１の斜線部分がイオン注
入領域である。
実施例２
第２図は実施例１で使用したイオン化装置Ａ、イオンビ
ーム加速器Ｂの他に磁場内のアナライザー〇を用いて、
基板Ｈにイオン注入することにより基板の表面を処理す
る方法を示す図である。
ーム加速器Ｂの他に磁場内のアナライザー〇を用いて、
基板Ｈにイオン注入することにより基板の表面を処理す
る方法を示す図である。
このアナライザーＣは数１０００ガウス程度の磁場内に
おかれた９０’型分析管であって。
おかれた９０’型分析管であって。
磁場がイオン粒子の運動量による分散を行なうので、第
２図の装置を用いると磁場の掃引によって所定の）ｔの
イオン（ただし、ｍはイオンの原子質量単位、Ｚは電荷
数）が次々にコレクタースリット１１を通シ、基板ニー
２ （５ＵＳ４４０Ｃステンレス鋼板、長さ３５ｍＸ幅
１０ｍ、高さ５聴）に注入した。
２図の装置を用いると磁場の掃引によって所定の）ｔの
イオン（ただし、ｍはイオンの原子質量単位、Ｚは電荷
数）が次々にコレクタースリット１１を通シ、基板ニー
２ （５ＵＳ４４０Ｃステンレス鋼板、長さ３５ｍＸ幅
１０ｍ、高さ５聴）に注入した。
実施例２Ｉこおいて使用するイオン源物質としてフレオ
ンガスを用いると共に、イオン化装置によシ生成したご
、 Ｆ＋、 ＣＦ” 、 ＣＦｚ・ＣＦ−イオン中から
、アナライザー 〇によシ取シ出したＣＦイオン１３を
基板１−２に加速エネルギー３０ ＫｅＶで、ｌＸｌ０
ｓｏｎ／−注入した。
ンガスを用いると共に、イオン化装置によシ生成したご
、 Ｆ＋、 ＣＦ” 、 ＣＦｚ・ＣＦ−イオン中から
、アナライザー 〇によシ取シ出したＣＦイオン１３を
基板１−２に加速エネルギー３０ ＫｅＶで、ｌＸｌ０
ｓｏｎ／−注入した。
性能試験：
つぎに、実施例１および２により得られた処理済基板１
−１．１−２上のイオン注入層と未注入層の摩擦特性の
試験結果について説明する。
−１．１−２上のイオン注入層と未注入層の摩擦特性の
試験結果について説明する。
この摩擦特性試験は処理済基板１−１、Ｉ−２のイオン
注入側表面を第３図に示す球圧子工４（，５ＵＳ４４０
Ｃスチール鋼製、荷重４９Ｎ（５００ｇｔ））を、摺動
速度１．７ ””／ｓで繰シ返し往復摺動したときの摩
擦係数の変化を調べた。
注入側表面を第３図に示す球圧子工４（，５ＵＳ４４０
Ｃスチール鋼製、荷重４９Ｎ（５００ｇｔ））を、摺動
速度１．７ ””／ｓで繰シ返し往復摺動したときの摩
擦係数の変化を調べた。
その結果を第４図に示す。
第４区の・印は処理済基板１−１の全イオン注入層、○
印は処理済基板１−２のＣＦ＋イオン注入層表面の摺動
回数対摩擦係数の変化を示し、Ｘ印は処理済基板１−１
上の未注入層、Δ印は処理済基板１−２上の未注入層表
面の摺動回数対摩擦係数の変化を示す。第４図の特性曲
線から未注入層の摩擦係数は摺動回数の増加に伴い摩擦
係数は増大し、最大０．８５にも達する。こｎに対し、
イオン注入層の摩擦係数は摺動回数が増加しても殆んど
増大せず、６：ｘｓ以下である。
印は処理済基板１−２のＣＦ＋イオン注入層表面の摺動
回数対摩擦係数の変化を示し、Ｘ印は処理済基板１−１
上の未注入層、Δ印は処理済基板１−２上の未注入層表
面の摺動回数対摩擦係数の変化を示す。第４図の特性曲
線から未注入層の摩擦係数は摺動回数の増加に伴い摩擦
係数は増大し、最大０．８５にも達する。こｎに対し、
イオン注入層の摩擦係数は摺動回数が増加しても殆んど
増大せず、６：ｘｓ以下である。
また、このようにして摩擦試験した基板表面の摩擦条痕
を観察すると未注入層面には球王子との凝着部が観察さ
れ表面は粗いが、イオン注入層面では損傷が小さく、摩
耗も小さいことが判った。
を観察すると未注入層面には球王子との凝着部が観察さ
れ表面は粗いが、イオン注入層面では損傷が小さく、摩
耗も小さいことが判った。
実施例１および実施例２１こおいては５ＵＳ４４００ス
テンレス鋼板にそれぞｎｃ 、Ｆ 。
テンレス鋼板にそれぞｎｃ 、Ｆ 。
ＣＦ 、 ＣＦｚ 、 ＣＦｓイオンの全イオンおよび
単独のＣＦイオンを注入したときの表面処理について示
したが、Ｔｉ、Ａｌ 等他の材料からなる基板を用いて
も同様の効果がある。
単独のＣＦイオンを注入したときの表面処理について示
したが、Ｔｉ、Ａｌ 等他の材料からなる基板を用いて
も同様の効果がある。
さらに、イオン源物質として、フレオンガスを使用した
場合について例示したが、炭化水素の他、フッ化炭素、
フッ化惰素、フッ化炭化水素を用いイオン化にょシ生成
したＣＨ。
場合について例示したが、炭化水素の他、フッ化炭素、
フッ化惰素、フッ化炭化水素を用いイオン化にょシ生成
したＣＨ。
ＣＨ，、ＯＨ，、−、、： ＢＦ”、ＢＦ２”、 ＢＦ
ｌ” 、、＠。
ｌ” 、、＠。
などの分子イオンや、さらにはＣ、Ｆ 、Ｂ・０などの
原子イオンビームも潤滑性向上の効果がある。
原子イオンビームも潤滑性向上の効果がある。
特に、実施例２においては１分子イオン注入の効果を示
すため１代表例としてＣＦ＋イオンのみを注入したとき
の表面処理効果を示すため、質量分析器によりＣＦ＋イ
オンを取シ出し基板に注入する例を示したが、上述した
ように、 ＣＦ、 、ＣＦ、 、・・・などの分子イオ
ンや。
すため１代表例としてＣＦ＋イオンのみを注入したとき
の表面処理効果を示すため、質量分析器によりＣＦ＋イ
オンを取シ出し基板に注入する例を示したが、上述した
ように、 ＣＦ、 、ＣＦ、 、・・・などの分子イオ
ンや。
Ｃ、Ｆ 、・・・イオンなどの原子イオンビーム潤滑効
果を有するから１分子イオンと共に原子イオンを注入し
てもよいし、原子イオンのみ又は分子イオンのみを注入
してもよく、イオン化装置によシ生成したイオンを表面
処理基板に加速注入すわばよいことが判る。
果を有するから１分子イオンと共に原子イオンを注入し
てもよいし、原子イオンのみ又は分子イオンのみを注入
してもよく、イオン化装置によシ生成したイオンを表面
処理基板に加速注入すわばよいことが判る。
しかし、イオン注入量が低すぎるときは効果が低く、高
いときはイオン注入による歪みなどが生じ、基板の性質
に変化が現われるので好ましくない。最も適するイオン
注入量はＩ Ｘ １０ Ｉｏｎ ／ ７〜３ Ｘ １
０ ｔｏｎ／−の範囲である。
いときはイオン注入による歪みなどが生じ、基板の性質
に変化が現われるので好ましくない。最も適するイオン
注入量はＩ Ｘ １０ Ｉｏｎ ／ ７〜３ Ｘ １
０ ｔｏｎ／−の範囲である。
〈発明の効果〉
以上の説明から明らかなように、この発明の利点とする
ところを挙げると次のようになる。
ところを挙げると次のようになる。
■ 炭化水素、フッ化水素、フッ化硼素、フッ化炭化水
素等の潤滑性を有しかつ耐摩耗性を有するイオン源物質
の原子および分子イオンの全イオンを表面処理すべき基
板面に加速注入するから、高いイオンビームが大電流化
し、従来のＣ，Ｂ、Ｎなど原子イオンのみを注入する方
法に比べて処理能率が高い。
素等の潤滑性を有しかつ耐摩耗性を有するイオン源物質
の原子および分子イオンの全イオンを表面処理すべき基
板面に加速注入するから、高いイオンビームが大電流化
し、従来のＣ，Ｂ、Ｎなど原子イオンのみを注入する方
法に比べて処理能率が高い。
■ この発明は従来のＢ、ＣＳＮなどの原子イオン注入
する方法に比べ、特定の種類の原子イオンのみを選別し
て注入するものでないから、質量分析器が不要とな夛、
処理コストが安くなる。
する方法に比べ、特定の種類の原子イオンのみを選別し
て注入するものでないから、質量分析器が不要とな夛、
処理コストが安くなる。
■ 従来の薄膜形成法のように、基板上に被膜を堆積形
成する方法と異なシ、基材面内にイオン注入による処理
層を形成するから、摺動摩擦、温度変化によシ処理層が
はく離するようなことがない。
成する方法と異なシ、基材面内にイオン注入による処理
層を形成するから、摺動摩擦、温度変化によシ処理層が
はく離するようなことがない。
■ 特に、真空中や宇宙空間など特殊環境の下で苛酷な
条件で使用する軸受、歯車、ねじ等の部品の表面処理に
適用すると、摩擦抵抗が少なく、＃摩耗性、耐久寿命に
優れた信頼性の高い部品を提供できる利点がある。
条件で使用する軸受、歯車、ねじ等の部品の表面処理に
適用すると、摩擦抵抗が少なく、＃摩耗性、耐久寿命に
優れた信頼性の高い部品を提供できる利点がある。
第１図は本発明の表面処理方法の一実施例に使用する装
置の使用状態を示す説明図、第２図は本発明の他の実施
に使用する装置の使用状態を示す説明図、第３図は基板
上のイオン注入部と未注入部の摩擦特性試験の要領を示
す断面図。 第４図は表面処理済基板上のイオン注入層と未注入層の
摺動回数対摩擦係数の測定結果を示す特性図である。 図 面 中、 １−１．１−２・・・表面処理すべき基板、Ａ−・・イ
オン化装置。 Ｂ−・イオンビーム加速器。 （’ ａｓｓアナライザー、 ５・ｌイオン源物質。 ６・ｅ・リペラ、 ７・・・加熱スイラメント。 １０・・・出射スリット、 １１・−・ユリメータ。 １３−・拳イオンビーム。
置の使用状態を示す説明図、第２図は本発明の他の実施
に使用する装置の使用状態を示す説明図、第３図は基板
上のイオン注入部と未注入部の摩擦特性試験の要領を示
す断面図。 第４図は表面処理済基板上のイオン注入層と未注入層の
摺動回数対摩擦係数の測定結果を示す特性図である。 図 面 中、 １−１．１−２・・・表面処理すべき基板、Ａ−・・イ
オン化装置。 Ｂ−・イオンビーム加速器。 （’ ａｓｓアナライザー、 ５・ｌイオン源物質。 ６・ｅ・リペラ、 ７・・・加熱スイラメント。 １０・・・出射スリット、 １１・−・ユリメータ。 １３−・拳イオンビーム。
Claims (2)
- （１）炭化水素、フッ化炭素、フッ化硼素およびフッ化
炭化水素のうちから選択した一種をイオン源物質として
イオン化する工程と、 上記イオン化工程によつて生成したイオン 源物質を構成する原子および分子の全イオンを表面処理
基板に加速注入する工程から成ることを特徴とする表面
処理方法。 - （２）表面処理基板に注入するイオン源物質を構成する
原子および分子のイオンのうち、分子イオンを注入する
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の表面
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112053A JPS61270370A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112053A JPS61270370A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270370A true JPS61270370A (ja) | 1986-11-29 |
Family
ID=14576845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60112053A Pending JPS61270370A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61270370A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01205072A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-17 | Haamonitsuku Drive Syst:Kk | 無潤滑歯面を製造する方法 |
| EP0548788A2 (en) * | 1991-12-23 | 1993-06-30 | Comisiòn Nacional de Energia Atòmica | Procedure for forming, on a solid substrate, a film with properties similar to those of diamonds, the solid bodies so coated and the self-sustained film so obtained |
| US5525392A (en) * | 1992-12-10 | 1996-06-11 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording medium having a fluorinated polymeric protective layer formed by an ion beam |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP60112053A patent/JPS61270370A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01205072A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-17 | Haamonitsuku Drive Syst:Kk | 無潤滑歯面を製造する方法 |
| EP0548788A2 (en) * | 1991-12-23 | 1993-06-30 | Comisiòn Nacional de Energia Atòmica | Procedure for forming, on a solid substrate, a film with properties similar to those of diamonds, the solid bodies so coated and the self-sustained film so obtained |
| US5547714A (en) * | 1991-12-23 | 1996-08-20 | Comision Nacional De Energia Atomica | Ion beam deposition of diamond-like carbon films |
| US5525392A (en) * | 1992-12-10 | 1996-06-11 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording medium having a fluorinated polymeric protective layer formed by an ion beam |
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