JPS61269061A - ガス濃度測定装置 - Google Patents
ガス濃度測定装置Info
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- JPS61269061A JPS61269061A JP60109420A JP10942085A JPS61269061A JP S61269061 A JPS61269061 A JP S61269061A JP 60109420 A JP60109420 A JP 60109420A JP 10942085 A JP10942085 A JP 10942085A JP S61269061 A JPS61269061 A JP S61269061A
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- ultrasonic
- gas
- ultrasonic sensor
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- conductive
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガスの濃度を超音波により測定する装置にお
いて、使用される超音波センナ一部に優れた耐湿性を付
与することにより、長期間連続して精度よく計測し得る
ガス濃度測定装置に関するものである。
いて、使用される超音波センナ一部に優れた耐湿性を付
与することにより、長期間連続して精度よく計測し得る
ガス濃度測定装置に関するものである。
超音波伝播速度の被測定ガス濃度依存性を利用して、混
合ガス或いは単組成ガスの濃度を測定する装[Cついて
、まずその測定原理について説明する。
合ガス或いは単組成ガスの濃度を測定する装[Cついて
、まずその測定原理について説明する。
混合ガスの超音波伝播速度は混合ガスの各諸定数、濃度
、温度等喀:より決定され1次式(1) 1:て表わさ
れる。
、温度等喀:より決定され1次式(1) 1:て表わさ
れる。
ψ−ΣCptXi/ZCvtX+ −1/ΣMtX1−
几−T −−−−−−−−−(1)l
l I■=混合ガスの超
音波伝播速度 Cps:混合ガス中の測定対象ガスIの定圧比熱Cvr
:混合ガス中の測定対象ガス量の定容比熱M鳳:混合ガ
ス中の測定対象ガスIの分子量X1:混合ガス中の測定
対象ガス1のモル分率丸:気体定数 T:混合ガス総体温度 今、混合ガスの成分を空気、CO7の2成分系を例とし
て式(1)を書き換えると。
几−T −−−−−−−−−(1)l
l I■=混合ガスの超
音波伝播速度 Cps:混合ガス中の測定対象ガスIの定圧比熱Cvr
:混合ガス中の測定対象ガス量の定容比熱M鳳:混合ガ
ス中の測定対象ガスIの分子量X1:混合ガス中の測定
対象ガス1のモル分率丸:気体定数 T:混合ガス総体温度 今、混合ガスの成分を空気、CO7の2成分系を例とし
て式(1)を書き換えると。
■ζ(Cpco、Xco!+CpairXair)/(
Cvcol Xcol + CvairXa i r
)・R−T ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
(2)となり、各定数を入れ、混合ガス総体温度293
°に1:おけるCO1各濃度の超音波伝播速度を計算し
た結果を第1表及び第1図C:示す。
Cvcol Xcol + CvairXa i r
)・R−T ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
(2)となり、各定数を入れ、混合ガス総体温度293
°に1:おけるCO1各濃度の超音波伝播速度を計算し
た結果を第1表及び第1図C:示す。
またΣXrmlであるので、式(2)は次式(3)で表
わさ−G(X!、T) ・・・・・・・・・・・・・
・・(3)式(3)よりXco@濃度は次式(4)で表
わされるXco@ ta P (V 、 T )即ち、
測定対象ガス濃度は、超音波伝播速度V及びガス温度T
の関数となる。
わさ−G(X!、T) ・・・・・・・・・・・・・
・・(3)式(3)よりXco@濃度は次式(4)で表
わされるXco@ ta P (V 、 T )即ち、
測定対象ガス濃度は、超音波伝播速度V及びガス温度T
の関数となる。
以上の理論C:基づき設計した測定系統図の1例を第2
図に従い説明する。
図に従い説明する。
超音波センサー(1)は、送波用超音波素子(2)及び
該送波用超音波素子(2)と相対する位置に設置された
受波用超音波素子(3)とからなる。超音波センナ−(
1)を測定対象ガス雰囲気(4)中に適切なる方法で設
置する。送波用超音波素子(2)より送信された超音波
は測定対象ガスが存在する超音波パス部(5)を通過し
、受渡用超音波素子(3) 4:で受信される。この際
超音波パス(5)を通過する音速は測定対象ガス濃度C
反比例する。送波用超音波素子(2)は電歪型振動子等
からなるものであり、駆動増幅器(6)及び負イミタン
ス変換器(7)は、帰還発振用増幅器(11にて制御さ
れる信号発生器(8)より発生された高周波信号を増幅
し、且つ応答特性を向上させるものである。
該送波用超音波素子(2)と相対する位置に設置された
受波用超音波素子(3)とからなる。超音波センナ−(
1)を測定対象ガス雰囲気(4)中に適切なる方法で設
置する。送波用超音波素子(2)より送信された超音波
は測定対象ガスが存在する超音波パス部(5)を通過し
、受渡用超音波素子(3) 4:で受信される。この際
超音波パス(5)を通過する音速は測定対象ガス濃度C
反比例する。送波用超音波素子(2)は電歪型振動子等
からなるものであり、駆動増幅器(6)及び負イミタン
ス変換器(7)は、帰還発振用増幅器(11にて制御さ
れる信号発生器(8)より発生された高周波信号を増幅
し、且つ応答特性を向上させるものである。
受波用超音波素子(3)は電歪型振動子等からなるもの
であり、前置増幅器(9)は受渡用超音波素子(3)か
らの高周波信号を増幅し、帰環発振増幅器H(=入力す
るものである。抵抗αυ及び負イミタンス変換器αのは
受波用超音波素子(3)の応答特性を向上させるもので
ある。
であり、前置増幅器(9)は受渡用超音波素子(3)か
らの高周波信号を増幅し、帰環発振増幅器H(=入力す
るものである。抵抗αυ及び負イミタンス変換器αのは
受波用超音波素子(3)の応答特性を向上させるもので
ある。
一方前述の帰環発振系α1の周波数fmと超音波パス(
5)に於ける測定対象混合ガス中の超音波伝播速度Vと
の間には、fm −k−V/l (但しlは送波用超音
波素子(2)と受波用超音波素子(3)との距離、kは
比例定数を各々表わす)の関係があるので、該帰環発振
系a3の周波数fmと水晶振動子I等より発生させた安
定された基準周波数foとを混合器a!9 に、入力し
、 fmとfoとの差Fをとる。このFを周波数電圧
変換器afl二より電圧C:変換し、演算器(1?)
t:入力させる。
5)に於ける測定対象混合ガス中の超音波伝播速度Vと
の間には、fm −k−V/l (但しlは送波用超音
波素子(2)と受波用超音波素子(3)との距離、kは
比例定数を各々表わす)の関係があるので、該帰環発振
系a3の周波数fmと水晶振動子I等より発生させた安
定された基準周波数foとを混合器a!9 に、入力し
、 fmとfoとの差Fをとる。このFを周波数電圧
変換器afl二より電圧C:変換し、演算器(1?)
t:入力させる。
温度センサー舖はサーミスター。測温抵抗体。
熱電対等の1種からなるもので、測定対象ガス雰囲気(
4)中の温度計測用であり、この温度情報を演算器α7
)に人力させ、超音波伝播速度の温度依存性を消去させ
る温度補償を行なわしめる。この温度補償された出力電
圧はアナログ電圧計、ディジタル電圧針、記録計等の表
示器al <=表示される。
4)中の温度計測用であり、この温度情報を演算器α7
)に人力させ、超音波伝播速度の温度依存性を消去させ
る温度補償を行なわしめる。この温度補償された出力電
圧はアナログ電圧計、ディジタル電圧針、記録計等の表
示器al <=表示される。
次にこのガス濃度測定装置を用い、混合ガス組成、即ち
空気、 co震、 H,0の3成分系l;於けるco。
空気、 co震、 H,0の3成分系l;於けるco。
ガス濃度測定の1例を第2図及び第3図により詳述する
。
。
100%CO!ガス入りボンベ(イ)及びコンプレッサ
ーmエアポンプQυから各々供給されるCOtガス及び
空気を流量調節バルブ付流量計(2)、@でCO鵞ガス
の濃度を予め設定し、流量計(至)、(ハ)の後t:C
o。
ーmエアポンプQυから各々供給されるCOtガス及び
空気を流量調節バルブ付流量計(2)、@でCO鵞ガス
の濃度を予め設定し、流量計(至)、(ハ)の後t:C
o。
ガスと空気を混合するチェンバー型の混合室@を設け、
混合室(財)で混合されたCO!/空気の混合ガスを測
定用チェンバー(至)内へ導入管(イ)を介して導入す
る。測定用チェンバー(ハ)の底面に導入管(2)が十
分浸るだけの水層(2)を設(す、導入管(ハ)C:適
宜設けられたガス吹出し口よりCo、 /空気混合ガス
を水層罰を介して測定用チェンバー(ハ)内に吹き出さ
せる。この操作により、測定用チェンバー(ハ)内の相
対湿度は95〜100%の高湿度となる。測定用チェン
バー(ハ)の上部(ニモーター@により回転する攪拌羽
根(至)を設け、測定用チェンバー(ト)内の混合ガス
濃度を均−にする。混合ガスは混合ガス出口用パイプ(
至)より測定用チェンバー(至)外(=排出される。
混合室(財)で混合されたCO!/空気の混合ガスを測
定用チェンバー(至)内へ導入管(イ)を介して導入す
る。測定用チェンバー(ハ)の底面に導入管(2)が十
分浸るだけの水層(2)を設(す、導入管(ハ)C:適
宜設けられたガス吹出し口よりCo、 /空気混合ガス
を水層罰を介して測定用チェンバー(ハ)内に吹き出さ
せる。この操作により、測定用チェンバー(ハ)内の相
対湿度は95〜100%の高湿度となる。測定用チェン
バー(ハ)の上部(ニモーター@により回転する攪拌羽
根(至)を設け、測定用チェンバー(ト)内の混合ガス
濃度を均−にする。混合ガスは混合ガス出口用パイプ(
至)より測定用チェンバー(至)外(=排出される。
測定用チェンバー(ハ)内の適切なる位置に本発明によ
る超音波センサー(1)を設置し、シールドケーブル(
II) にて帰環発振系α犯水晶振動子a4.混合器α
1周波数電圧変換器(ll19及び演算器αりより構成
される演算制御器(2)に接続する。温度補償用測温抵
抗型温度センサー〇をケーブルQ3にて演算制御器(至
)の演算器α7)に接続する。演算器aηからの出力電
圧は。
る超音波センサー(1)を設置し、シールドケーブル(
II) にて帰環発振系α犯水晶振動子a4.混合器α
1周波数電圧変換器(ll19及び演算器αりより構成
される演算制御器(2)に接続する。温度補償用測温抵
抗型温度センサー〇をケーブルQ3にて演算制御器(至
)の演算器α7)に接続する。演算器aηからの出力電
圧は。
Cow n 、X 濃度0〜20Vol % C対シ、
O〜20V に合わせた。従って出力電圧の読みがC
へガス濃度となる。表示器a!J+:はディジタル電圧
計を用い、また帰環発振系0の周波数fmを周波数カウ
ンター(財)にてモニターした。ガス出口用パイプ(至
)より導き出される混合ガスを赤外ガス分析器CI!9
c排出パイプ(lt二より導入し、 CO,ガス濃度を
測定する。また排出パイプ(至)の途中Cニサンプリン
グボート(ロ)を設け、ガスクロマトグラフ@に接続し
CO,ガス濃度を検定する。
O〜20V に合わせた。従って出力電圧の読みがC
へガス濃度となる。表示器a!J+:はディジタル電圧
計を用い、また帰環発振系0の周波数fmを周波数カウ
ンター(財)にてモニターした。ガス出口用パイプ(至
)より導き出される混合ガスを赤外ガス分析器CI!9
c排出パイプ(lt二より導入し、 CO,ガス濃度を
測定する。また排出パイプ(至)の途中Cニサンプリン
グボート(ロ)を設け、ガスクロマトグラフ@に接続し
CO,ガス濃度を検定する。
測定用チェンバー内に混合ガスの温度を測定するための
サーミスタ一温度センサー(2)を設け、温度測定器(
4Gにてモニターする。測定用チェンバー(ハ)は、混
合ガス入口用パイプ(41)及び混合ガス出口用パイプ
(至)以外は完全に密封系となっている。
サーミスタ一温度センサー(2)を設け、温度測定器(
4Gにてモニターする。測定用チェンバー(ハ)は、混
合ガス入口用パイプ(41)及び混合ガス出口用パイプ
(至)以外は完全に密封系となっている。
また、測定用チェンバー(至)は、±“0.ICにコン
トロールされる温度可変の空気恒温槽(42)内C:設
置し、測定用チェンバー(ハ)内の温度が任意に変えら
れるようにしである。
トロールされる温度可変の空気恒温槽(42)内C:設
置し、測定用チェンバー(ハ)内の温度が任意に変えら
れるようにしである。
以上の検定用装置(=より、測定用チェンバー(ハ)内
の温度を27℃、35℃、42℃と変え、各々の温度c
二於いて、CO,ガス濃度を流量計@、(至)にて0〜
20%の範囲で変え、−赤外線ガス分析器(至)及びガ
スクロマトグラフ@(−よる本超音波ガス濃度測定装置
の測定データを第2表及び第4図(=示す。
の温度を27℃、35℃、42℃と変え、各々の温度c
二於いて、CO,ガス濃度を流量計@、(至)にて0〜
20%の範囲で変え、−赤外線ガス分析器(至)及びガ
スクロマトグラフ@(−よる本超音波ガス濃度測定装置
の測定データを第2表及び第4図(=示す。
□
第2表及び第4図より、本超音波ガス濃度測定装置の帰
環発振系周波数fmが検定用ガスクロマトグラフC:よ
る濃度に対して直線性を示し、且つ超音波ガス濃度測定
装置の濃度指示が検定用ガスクロマトグラフによる濃度
(=一致する。
環発振系周波数fmが検定用ガスクロマトグラフC:よ
る濃度に対して直線性を示し、且つ超音波ガス濃度測定
装置の濃度指示が検定用ガスクロマトグラフによる濃度
(=一致する。
以上、本超音波ガス濃度測定装置の1実施例としてCo
t /空気系で説明したが、これ(=限定されるもので
はない。
t /空気系で説明したが、これ(=限定されるもので
はない。
次に、本超音波ガス濃度測定装置の送波用超音波素子及
び受波用超音波素子内に用いられている、超音波センサ
ーについて説明する。画素子とも超音波センサーの構造
自体は従来のものと変りはなく、従来より、超音波振動
子(例えばPZT等の圧電磁器)(=銀電極を焼き付け
、これを板またはホルダー(例えば金属製、プラスチッ
ク製等)C:貼り合せた構造の、計測・制御用超音波機
器の送信用もしくは受信用として使われている超音波セ
ンサーと同一である。これらはPZT等の表面の電極。
び受波用超音波素子内に用いられている、超音波センサ
ーについて説明する。画素子とも超音波センサーの構造
自体は従来のものと変りはなく、従来より、超音波振動
子(例えばPZT等の圧電磁器)(=銀電極を焼き付け
、これを板またはホルダー(例えば金属製、プラスチッ
ク製等)C:貼り合せた構造の、計測・制御用超音波機
器の送信用もしくは受信用として使われている超音波セ
ンサーと同一である。これらはPZT等の表面の電極。
例えば銀等の導電体は水蒸気(=よって電蝕現象を起こ
し易く、正確C:超音波信号を電気信号へ変換し、もし
くは、電気信号を超音波信号へ変換することが難しくな
るケースが多い。そこで、超音波振動子に付けた電極の
電蝕を防ぐために、ンリブーン樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リウレタン等の封止物質を用いて、ホルダー内部へ水蒸
気が侵入するのを防止する方法がとられている。しかし
、超音波振動子を貼り合せ、封止物質で封止しである構
造の超音波センナ−は、1年乃至10年と言う長期間、
湿度80〜100%の雰囲気中で連続使用した場合、水
分の経時的な侵入に上り電蝕現象を起こしてしまうとい
う欠点があった。また、金属ホルダーを用いて、溶接で
ンーリングを行なう方法もあるが、超音波振動子と金属
ホルダーとの貼り合せ1二用いる接着用樹脂の熱による
劣化があり、溶接は離しいという欠点があった。
し易く、正確C:超音波信号を電気信号へ変換し、もし
くは、電気信号を超音波信号へ変換することが難しくな
るケースが多い。そこで、超音波振動子に付けた電極の
電蝕を防ぐために、ンリブーン樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リウレタン等の封止物質を用いて、ホルダー内部へ水蒸
気が侵入するのを防止する方法がとられている。しかし
、超音波振動子を貼り合せ、封止物質で封止しである構
造の超音波センナ−は、1年乃至10年と言う長期間、
湿度80〜100%の雰囲気中で連続使用した場合、水
分の経時的な侵入に上り電蝕現象を起こしてしまうとい
う欠点があった。また、金属ホルダーを用いて、溶接で
ンーリングを行なう方法もあるが、超音波振動子と金属
ホルダーとの貼り合せ1二用いる接着用樹脂の熱による
劣化があり、溶接は離しいという欠点があった。
以下図面(=従って、従来技術を更C:詳しく説明する
。第8図は、従来の超音波センサーの1例を示したもの
で、第8図(a)は超音波センナ−(59)の側面の断
細形状を示し、第8図伽)は第8図(a)の超音波振動
子(45) (例えば、PzT等の圧電磁器、圧
□電特性を有する樹脂)の周辺部分の拡大図である。
。第8図は、従来の超音波センサーの1例を示したもの
で、第8図(a)は超音波センナ−(59)の側面の断
細形状を示し、第8図伽)は第8図(a)の超音波振動
子(45) (例えば、PzT等の圧電磁器、圧
□電特性を有する樹脂)の周辺部分の拡大図である。
′s8図Φ)に示したように、超音波振動子(45)に
は電極(60) 、(61)を設けてあり、超音波振動
子(45)をホルダー(44) (例えば、金属及び樹
脂等)(=、超音波伝播特性の良い接着剤(62) に
上って貼り合せである。電極(60) 、 (61)は
第8図(b)に示したよう口、ケーブル(46) 、
(47)で端子(48) 、 (49)と結び、端子(
48) 、 (49)を基板(50)(例えば、フェノ
ール樹脂積層板、エボキン樹脂積層板)で固定し、その
上を封止物質(51)で封止している。水蒸気雰囲気中
で長期間1例えば1年から10年間以上連続して使用し
た場合、封止物質(51)を通して水分がホルダー (
44)内部に侵入し、電極(60) 、(61)が電蝕
を起こし、超音波の正常な送信、受信ができなくなると
いう欠点があった。
は電極(60) 、(61)を設けてあり、超音波振動
子(45)をホルダー(44) (例えば、金属及び樹
脂等)(=、超音波伝播特性の良い接着剤(62) に
上って貼り合せである。電極(60) 、 (61)は
第8図(b)に示したよう口、ケーブル(46) 、
(47)で端子(48) 、 (49)と結び、端子(
48) 、 (49)を基板(50)(例えば、フェノ
ール樹脂積層板、エボキン樹脂積層板)で固定し、その
上を封止物質(51)で封止している。水蒸気雰囲気中
で長期間1例えば1年から10年間以上連続して使用し
た場合、封止物質(51)を通して水分がホルダー (
44)内部に侵入し、電極(60) 、(61)が電蝕
を起こし、超音波の正常な送信、受信ができなくなると
いう欠点があった。
本発明は、従来の超音波センサーのこのような欠点C:
鑑み超音波ガス濃度測定装置の送波用超音波素子及び受
波用超音波素子内 波センサー表面に薄膜を形成して水分の侵入を防止する
ことにより、長時間連続して精度よく計測し得るガス濃
度測定装置を提供することを目的としたものである。
鑑み超音波ガス濃度測定装置の送波用超音波素子及び受
波用超音波素子内 波センサー表面に薄膜を形成して水分の侵入を防止する
ことにより、長時間連続して精度よく計測し得るガス濃
度測定装置を提供することを目的としたものである。
即ち本発明は、超音波振動子、ホルダー、及び封止物質
から基本的に構成され、該封止物質の表面C:導電性及
び/または非導電性物質の膜を形 □成したことを
特徴とする耐湿型超音波センサーを用いたガス濃度測定
装置である。
から基本的に構成され、該封止物質の表面C:導電性及
び/または非導電性物質の膜を形 □成したことを
特徴とする耐湿型超音波センサーを用いたガス濃度測定
装置である。
以下1図面を参照して本発明を説明する。
第5図、第6図及び第7図は、本発明c二従う実施例の
超音波センサー(43)、(53) 、(56)の側面
の断面形状を示すものである。いずれもその基本構造は
、第8図に示した従来の超音波センサーと同様であ
”す、超音波振動子(45)−二は第8図伽)のごと
く電極(ω) 、 (61)が設けてあり、該超音波振
動子(4))は、接着剤(62) t:よってホルダー
(44)−二貼り合せである。電極(6の、(61)は
ケーブル(46) 、 (47)により端子(48)
、 (49)と結ばれている。端子(48) 、(49
)は基板(5o)で固定され、その上を封止物質(51
)で封止してある。
超音波センサー(43)、(53) 、(56)の側面
の断面形状を示すものである。いずれもその基本構造は
、第8図に示した従来の超音波センサーと同様であ
”す、超音波振動子(45)−二は第8図伽)のごと
く電極(ω) 、 (61)が設けてあり、該超音波振
動子(4))は、接着剤(62) t:よってホルダー
(44)−二貼り合せである。電極(6の、(61)は
ケーブル(46) 、 (47)により端子(48)
、 (49)と結ばれている。端子(48) 、(49
)は基板(5o)で固定され、その上を封止物質(51
)で封止してある。
第5図は、超音波センナ−(43)の封止物質(51)
等の表面(=薄膜(52)を形成した超音波センサーを
示す。薄膜(52)の材質は、非導電性物質1例えば真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の薄
膜形成方法で形成できる物質が対象であり、特にSiO
、SIO,、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系
樹脂等が良い。膜厚は5001〜5000λとし、好ま
しくは1500λ〜3000Åとするのが好適である。
等の表面(=薄膜(52)を形成した超音波センサーを
示す。薄膜(52)の材質は、非導電性物質1例えば真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の薄
膜形成方法で形成できる物質が対象であり、特にSiO
、SIO,、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系
樹脂等が良い。膜厚は5001〜5000λとし、好ま
しくは1500λ〜3000Åとするのが好適である。
薄膜(52)は非導電性であるから。
封止物質(51)よりホルダー(44)の外部C:出て
いる端子(48) 、 (49)部分C:は、薄膜が形
成されないように1例えばテフロン(商標名)テープ等
を巻きつけ、カバーをして薄膜(52)を形成させる。
いる端子(48) 、 (49)部分C:は、薄膜が形
成されないように1例えばテフロン(商標名)テープ等
を巻きつけ、カバーをして薄膜(52)を形成させる。
第6図は、超音波センサー(53)“の端子(48)、
(49)の薄膜(57) l二接する部分C:絶縁皮膜
(54) 、 (55)をっけ、封止物質、(51)の
表面C:薄膜(57)を形成した超音波センサーを示す
。薄膜(57)の材質は、導電性物質、例えば真空蒸着
、スパッタリング、イオンブレーティング等の薄膜形成
方法で形成できる物質が対象であり、特CAl 、 A
u 、 Pb 、 Cu 、チタン合f 金、m 、 Cr 、 Mob、 1MgFt等が良い
。その膜厚は500λ〜5000λ、好ましくは150
0人〜aoooAが好適である。薄膜(57)は導電性
であるから、端子(48)、(49)の基板(50)
、封止物質(51)、及び薄膜(57) に接する部分
(=は、絶縁被膜(54) 、 (55)を設けである
。
(49)の薄膜(57) l二接する部分C:絶縁皮膜
(54) 、 (55)をっけ、封止物質、(51)の
表面C:薄膜(57)を形成した超音波センサーを示す
。薄膜(57)の材質は、導電性物質、例えば真空蒸着
、スパッタリング、イオンブレーティング等の薄膜形成
方法で形成できる物質が対象であり、特CAl 、 A
u 、 Pb 、 Cu 、チタン合f 金、m 、 Cr 、 Mob、 1MgFt等が良い
。その膜厚は500λ〜5000λ、好ましくは150
0人〜aoooAが好適である。薄膜(57)は導電性
であるから、端子(48)、(49)の基板(50)
、封止物質(51)、及び薄膜(57) に接する部分
(=は、絶縁被膜(54) 、 (55)を設けである
。
また、端子(48) 、(49)の封止物質(51)よ
りホルダーを巻きつけ、カバーをして薄膜(57)を形
成させる。
りホルダーを巻きつけ、カバーをして薄膜(57)を形
成させる。
第7図は、超音波センサー(56)の封止物質(51)
の表面と、端子(48) 、 (49)の薄膜(57)
t:接する部分に薄膜(58)を形成し、更C:薄膜
(58)の上に薄膜(57)を形成した超音波センサー
を示す。薄膜(58)は、真空蒸着、スパッタリング、
イオンブレーティング等の薄膜形成方法で形成できる物
質が対象であり、その材質の種類は限定されるものでは
ないが、 □特に、封止物質(51)と薄膜(57)
との間の線膨張係 □数を有する物質が好適である
。簿膜(58)の膜厚は、100λ〜4000X、好マ
シ<ハ500λ〜100oXカ好適テ:ある。また、薄
膜(58)及び(57)を形成する際には。
の表面と、端子(48) 、 (49)の薄膜(57)
t:接する部分に薄膜(58)を形成し、更C:薄膜
(58)の上に薄膜(57)を形成した超音波センサー
を示す。薄膜(58)は、真空蒸着、スパッタリング、
イオンブレーティング等の薄膜形成方法で形成できる物
質が対象であり、その材質の種類は限定されるものでは
ないが、 □特に、封止物質(51)と薄膜(57)
との間の線膨張係 □数を有する物質が好適である
。簿膜(58)の膜厚は、100λ〜4000X、好マ
シ<ハ500λ〜100oXカ好適テ:ある。また、薄
膜(58)及び(57)を形成する際には。
封止物質(51)よりホルダー(44)の外部に出てい
る端子(48) 、 (49)部分で、薄膜(57)と
接する部分以外に薄膜(58)が形成されないようC:
、更c:N膜(58)テープ等、を巻きつけ、カバーを
してから薄膜(58)及び(57)の形成を夫々行なう
。
る端子(48) 、 (49)部分で、薄膜(57)と
接する部分以外に薄膜(58)が形成されないようC:
、更c:N膜(58)テープ等、を巻きつけ、カバーを
してから薄膜(58)及び(57)の形成を夫々行なう
。
尚、本発明で用いられる超音波振動子(45) 、ホル
ダー(44) 、基板(50) 、及び封止物質(51
)の材質は、従来の超音波センサーと同様で特に限定さ
れるものではなく、超音波振動子としてはPZT等の圧
電磁器や圧電特性を有する樹脂、ホルダーとしては金属
やプラスチック、基板としてはフェノール樹脂、エボキ
ン樹脂等の積層板、また封止物質としてはシリコーン樹
脂、エボキン樹脂、ボリクレタン等が使用できる。
ダー(44) 、基板(50) 、及び封止物質(51
)の材質は、従来の超音波センサーと同様で特に限定さ
れるものではなく、超音波振動子としてはPZT等の圧
電磁器や圧電特性を有する樹脂、ホルダーとしては金属
やプラスチック、基板としてはフェノール樹脂、エボキ
ン樹脂等の積層板、また封止物質としてはシリコーン樹
脂、エボキン樹脂、ボリクレタン等が使用できる。
更に第9図は、第5図、第6図及び第7図で説明した本
発明による超音波センナ−(68)をブロック(67)
(ニー内蔵する事C:より、本発明の目的とする耐湿
性を更に向上させ得るl実施例である。第9図中、ブロ
ック(67)は、アルミニウム、ステンレ ゛スス
ティール等の耐蝕性(=優れた金属または合成 。
発明による超音波センナ−(68)をブロック(67)
(ニー内蔵する事C:より、本発明の目的とする耐湿
性を更に向上させ得るl実施例である。第9図中、ブロ
ック(67)は、アルミニウム、ステンレ ゛スス
ティール等の耐蝕性(=優れた金属または合成 。
樹脂等からなり、超音波センサー(68)の端子(48
) ′及び(49)側の端面(69)は、ブロッ
ク(67)のセンナ−受は部(7のにて超音波セン”7
− (68)の振動端面 :(71)とブロック(
67)のブロック端面部(72)がほぼ □同一面
内“:なるよう“:位置決めを行なう。超音波 ]
″。
) ′及び(49)側の端面(69)は、ブロッ
ク(67)のセンナ−受は部(7のにて超音波セン”7
− (68)の振動端面 :(71)とブロック(
67)のブロック端面部(72)がほぼ □同一面
内“:なるよう“:位置決めを行なう。超音波 ]
″。
1町
センナ−(68)とブロック(67)との環状空隙部(
73) !、には、超音波センサー(68)の超
音波振動を吸収し ′得るシリコン樹脂、ゴム等の
弾性材料からなる弾性封止材(74) 、 (75)に
で超音波センサー(68)をプロ ニック(67)
に固定する。ケーブル(76)は、超音波センナ−(
68)の端子(48) 、(49)に超音波高周波信号
を送受信する二芯の電線であり、ブロック(67)の図
中左端面部に側孔した穴(77)を介して端子C48)
、 ”(49) c接続される。ブロック(67
)とケーブル(76)との隙間C:は、ネジプッV二ま
たはポリブタジェン、ポリ塩化ビニ9デン等の高耐湿性
樹脂等を封 入する。
73) !、には、超音波センサー(68)の超
音波振動を吸収し ′得るシリコン樹脂、ゴム等の
弾性材料からなる弾性封止材(74) 、 (75)に
で超音波センサー(68)をプロ ニック(67)
に固定する。ケーブル(76)は、超音波センナ−(
68)の端子(48) 、(49)に超音波高周波信号
を送受信する二芯の電線であり、ブロック(67)の図
中左端面部に側孔した穴(77)を介して端子C48)
、 ”(49) c接続される。ブロック(67
)とケーブル(76)との隙間C:は、ネジプッV二ま
たはポリブタジェン、ポリ塩化ビニ9デン等の高耐湿性
樹脂等を封 入する。
入する。
弾性封止材(75)の外気C:曝される表面、即ち振動
端面(71)及びブロック端面部(72)の表面(=は
薄膜(78)及び/または薄膜(79)を形成する。薄
膜(78)の材質は1弾性封止材(75)との密着性の
良い材質、例えば弾性封止材(75)がシリコン樹脂の
場合には真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティ
ング等の薄膜形成方法で形成できる物質が対象であブロ
ック(67)及び振動端面(71)との密着性が良く。
端面(71)及びブロック端面部(72)の表面(=は
薄膜(78)及び/または薄膜(79)を形成する。薄
膜(78)の材質は1弾性封止材(75)との密着性の
良い材質、例えば弾性封止材(75)がシリコン樹脂の
場合には真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティ
ング等の薄膜形成方法で形成できる物質が対象であブロ
ック(67)及び振動端面(71)との密着性が良く。
真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の
薄膜形成方法で形成でき、且つピンホール等の発生の少
ない物質が対象であり、特に人)、Au。
薄膜形成方法で形成でき、且つピンホール等の発生の少
ない物質が対象であり、特に人)、Au。
Pb %Cu 、チタン合金、Ni 、 Cr 、 M
o8z 、 MgFl等の導電性薄膜が良い。薄膜(7
8)の膜厚は100λ〜4ooo!。
o8z 、 MgFl等の導電性薄膜が良い。薄膜(7
8)の膜厚は100λ〜4ooo!。
好ましくは5ooX〜1000λ、薄膜(79)の膜厚
は(3)λ〜5000又、好ましくは1500λ〜30
oO又、薄膜(78)と薄膜(79)との合計の厚みは
xoooi〜5oooA、好ましくはzoooi〜40
00又が良い。
は(3)λ〜5000又、好ましくは1500λ〜30
oO又、薄膜(78)と薄膜(79)との合計の厚みは
xoooi〜5oooA、好ましくはzoooi〜40
00又が良い。
本実施例では、薄膜(78)及び薄膜(79)からなる
2層の薄膜で説明したが1弾性封止材(75)、ブロッ
ク(67) 、振動端面(71)の材質の組み合わせ等
によっては、薄膜(78)または薄膜(79)のどちら
か一層でもよい。
2層の薄膜で説明したが1弾性封止材(75)、ブロッ
ク(67) 、振動端面(71)の材質の組み合わせ等
によっては、薄膜(78)または薄膜(79)のどちら
か一層でもよい。
〔発明の効果〕
本発明C:従うと、従来より使用されている超音波セン
サーのシーリング部材の上に薄膜を形成することにより
て、従来の超音波センサーの耐湿性を著しく向上させる
ことができ、超音波ガス濃度測定装置8二使用される超
音波センサーを、長期間連続して水蒸気雰囲気中で使用
できる。薄膜を形成している本発明による超音波センサ
ーと、従来の超音波センナ−とを促進試験にかけた結果
を第1O図に示した。試験は、60℃の温水中に超音波
センサーを浸漬し、直流電圧を印加して行なった。
サーのシーリング部材の上に薄膜を形成することにより
て、従来の超音波センサーの耐湿性を著しく向上させる
ことができ、超音波ガス濃度測定装置8二使用される超
音波センサーを、長期間連続して水蒸気雰囲気中で使用
できる。薄膜を形成している本発明による超音波センサ
ーと、従来の超音波センナ−とを促進試験にかけた結果
を第1O図に示した。試験は、60℃の温水中に超音波
センサーを浸漬し、直流電圧を印加して行なった。
iIg10図において、縦軸(66)は絶縁抵抗で単位
は顧、横軸(65)は、試験時間で単位は時間である。
は顧、横軸(65)は、試験時間で単位は時間である。
薄膜を形成しでいる本発明による超音波センチ−の変化
線(63)と、従来の超音波センサーの変化線(64)
とを比較すると、本発明に従う構造の超音波上ンサーに
は変化が見られず、絶縁抵抗の劣化がなく。
線(63)と、従来の超音波センサーの変化線(64)
とを比較すると、本発明に従う構造の超音波上ンサーに
は変化が見られず、絶縁抵抗の劣化がなく。
耐湿性が優れていることが分かる。また、本発明(=よ
る超音波センサーをブロック(67) に内蔵し。
る超音波センサーをブロック(67) に内蔵し。
弾性封止材(75) 、ブロック(67)及び振動端面
(71)上に薄膜を形成させる事により、超音波センサ
ーの耐湿性を更C:向上させる事が可能である。
(71)上に薄膜を形成させる事により、超音波センサ
ーの耐湿性を更C:向上させる事が可能である。
以上述べた如く1本発明による耐湿性を著しく向上させ
た超音波センサーを用いた超音波ガス濃度測定装置は、
温度及び湿度の変動に対する影響が少なく、且つ高湿度
下における長期の連続使用に対しても精度良く計測する
ことができ、工業上極めて有用なる発明である。
た超音波センサーを用いた超音波ガス濃度測定装置は、
温度及び湿度の変動に対する影響が少なく、且つ高湿度
下における長期の連続使用に対しても精度良く計測する
ことができ、工業上極めて有用なる発明である。
第1図はCO,ガス濃度と超音波伝播速度の関係を示す
グラフ、第2図は測定系統図の1例、第3図はガス濃度
測定装置を用いてC01ガス濃度を測定する1例、第4
図は$2表をグラフ化したもの、第5図、第6図及び第
7図は本発明に従う超音波センサーの実施例を示し、夫
々、側面の断面図である。第8図(a)は従来の超音波
センサーの側面の断面形状を示し、第8図(b)は第8
図(a)の超音波振動子(45)の周辺部分の拡大図で
ある。第9図特許出願人 住友ベークライト株式会社
第1図 −CO2wt% 第2図 第3図 第4図 カ”スクロマトグラフ=LI vo1%第1%
第6図 第7図
グラフ、第2図は測定系統図の1例、第3図はガス濃度
測定装置を用いてC01ガス濃度を測定する1例、第4
図は$2表をグラフ化したもの、第5図、第6図及び第
7図は本発明に従う超音波センサーの実施例を示し、夫
々、側面の断面図である。第8図(a)は従来の超音波
センサーの側面の断面形状を示し、第8図(b)は第8
図(a)の超音波振動子(45)の周辺部分の拡大図で
ある。第9図特許出願人 住友ベークライト株式会社
第1図 −CO2wt% 第2図 第3図 第4図 カ”スクロマトグラフ=LI vo1%第1%
第6図 第7図
Claims (3)
- (1)帰環増幅器によって制御される信号発生器、該信
号発生器により発生される高周波信号を増幅する駆動増
幅器、該駆動増幅器により増幅された高周波信号を超音
波に変換し発信する電歪型振動子よりなる送波用超音波
素子と該超音波を受信し電気信号に変換する電歪型振動
子よりなる受波用超音波素子から構成される超音波セン
サー、該送波用超音波素子と駆動増幅器の間に接続した
負イミタンス変換器、該受波用超音波素子と並列に接続
した抵抗及び負イミタンス変換器、及び帰環増幅器に入
力するための前置増幅器より構成された帰環発信系と、
帰環発信系の周波数と水晶振動子等より発生された基準
周波数との差を演算する混合器、該混合器により演算さ
れた周波数を電圧に変換する周波数電圧変換器、該周波
数電圧変換器により出力された値と温度センサーによっ
て検出された温度情報とからガス濃度を演算し出力する
演算器よりなる演算出力系とから構成されるガス濃度測
定装置において、該超音波センサーが、超音波振動子、
ホルダー及び封止物質から基本的に構成され、該封止物
質の表面に導電性及び/または非導電性物質の膜を形成
した耐湿型超音波センサーであることを特徴とするガス
濃度測定装置。 - (2)超音波センサーが、封止物質の表面に非導電性物
質の膜を形成した後、該非導電性物質の膜の上に導電性
物質の膜を形成したことを特徴とする、特許請求の範囲
第(1)項記載のガス濃度測定装置。 - (3)超音波センサーをブロックに内蔵し、弾性封止材
、超音波センサー振動端面及びブロック端面部に非導電
性及び/または導電性物質の膜を形成したことを特徴と
する、特許請求の範囲第(1)項または第(2)項記載
のガス濃度測定装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60109420A JPH0617897B2 (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | ガス濃度測定装置 |
US06/752,535 US4662212A (en) | 1984-09-10 | 1985-07-08 | Measuring instrument for concentration of gas |
CN 85105865 CN1011441B (zh) | 1985-05-23 | 1985-08-02 | 气体浓度测量仪 |
DE8585111375T DE3587415D1 (de) | 1984-09-10 | 1985-09-09 | Geraet zur messung der konzentration eines gases. |
EP85111375A EP0174627B1 (en) | 1984-09-10 | 1985-09-09 | Measuring instrument for concentration of gas |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60109420A JPH0617897B2 (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | ガス濃度測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61269061A true JPS61269061A (ja) | 1986-11-28 |
JPH0617897B2 JPH0617897B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=14509790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60109420A Expired - Lifetime JPH0617897B2 (ja) | 1984-09-10 | 1985-05-23 | ガス濃度測定装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0617897B2 (ja) |
CN (1) | CN1011441B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012521251A (ja) * | 2009-03-23 | 2012-09-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 超音波を用いるガス検出 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7677101B2 (en) * | 2003-12-30 | 2010-03-16 | 3M Innovative Properties Company | Estimating propagation velocity through a surface acoustic wave sensor |
CN100465613C (zh) * | 2005-06-28 | 2009-03-04 | 上海理工大学 | 一种在线检测大气颗粒物浓度的方法及其装置 |
US9217663B2 (en) | 2011-11-22 | 2015-12-22 | Inficon, Inc. | Multi-chambered acoustic sensor for determination gas composition |
CN103425099B (zh) * | 2013-07-16 | 2014-08-06 | 广东工业大学 | 一种硫化过程嵌入式碳排放监控与检测系统 |
US10302595B2 (en) * | 2015-11-06 | 2019-05-28 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic resonator devices and fabrication methods providing hermeticity and surface functionalization |
CN107246923A (zh) * | 2017-08-07 | 2017-10-13 | 李昕虎 | 一种基于TPoS谐振器的温度计及温度测量方法 |
CN110957178B (zh) * | 2019-12-13 | 2022-03-22 | 四川新能电力有限公司 | 一种真空开关在线检测方法 |
Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JPS554528A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method and apparatus for measuring gas concentration |
JPS58136734U (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-14 | 日本電子機器株式会社 | ノツキングセンサ− |
JPS6166126A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐湿型超音波センサ− |
-
1985
- 1985-05-23 JP JP60109420A patent/JPH0617897B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-02 CN CN 85105865 patent/CN1011441B/zh not_active Expired
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JP2012521251A (ja) * | 2009-03-23 | 2012-09-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 超音波を用いるガス検出 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN85105865A (zh) | 1986-11-19 |
CN1011441B (zh) | 1991-01-30 |
JPH0617897B2 (ja) | 1994-03-09 |
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