JPS61268080A - 情報表示方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、情報表示方法に関し、特にフラットパネル表
示装置上に情報を表示する方法に関する。

現在の表示技法は、高分解能を特に必要としない多くの
用途において、大容積でパワー消費量の大きいＣＲＴに
代って、フラットパネル構造に向けて急速に進展してい
る。

この種の表示装置には、大きく分けて２種類ある。即ち
、能動表示装置と受動表示装置である。

能動表示装置は、表示すべき可視パターンに従って平坦
表面上に光を発生する。この表示装置は、ＣＲ７画面と
非常によ（似ており、ＣＲ７画面と同様の長所と制限を
有している。例えば、その可視性は光環境に依存し、高
輝度の光が画面上に当ると読易さが妨げられる。

受動表示装置は、選択的に光を反射または吸収して、像
形成パターンを形成する。この表示装置は、印刷紙に似
ており、周囲の光が強ければ強い程画像は良好になる。

この表示装置は、周囲の光が強い条件下での表示に最も
適切である。

フラット表示装置のアドレス指定は、一般に、直交する
Ｘ−Ｙの交点に画素を配置したクロスバ−導体系のデジ
タル制御に基づいて行なわれる。

Ｘ−Ｙ交点を一列ずつラスタ一様式でアドレス指定する
ためのシフトレジスターを用いることにより、ＴＶ型走
査が可能である。

従来数多くのフラット表示装置が提案されており、受動
タイプ（光変調タイプ）としては例えば液晶表示装置（
ＬＣＤ）　、磁気光学表示装置（ＭＯＤ）およびエレク
トロクロミック表示装置（ＥＣＤ）等、能動タイプ（光
発生タイプ）としては例えば発光ダイオードアレイ（Ｌ
ＥＤ）　、プラズマパネル（ＧＤＤ）およびエレクトロ
ルミネセンス表示装置（ＥＬＤ）等、種々のタイプがあ
る。

液晶表示装置（ＬＣＤ＞は、現在の市場において最も普
及しているフラット表示装置である。この表示装置は、
製造費が比較的安く、良好なコントラストの画像を生じ
、その分解能はＣＲＴの分解能と同程度であり、また単
色画像よりも幾分低い分解能でカラー画像を表示できる
。しかし、液晶表示装置は、画像の観測角が変わるとコ
ントラストが変化するという欠点を有する。アドレス指
定に要する時間は尚まだ比較的遅く、またＴＶ走査用に
４！！雑な回路が必要となる。

磁気光学表示装置（ＭＯＤ＞は、必然的に高価な単結晶
（大結晶）を必要とし、またはモザイク構造の場合には
アセンブリや小結晶を必要とするので、製造費が非常に
高い。また、この表示装置は、アドレス指定が困難であ
り、液晶表示装置よりも高い信号電圧を必要とする。

エレクトロクロミック表示装置（ＥＣＤ）は、フラット
表示装置としては液晶に次いで好ましい。

この表示装置は、散乱ではなく吸光に基づいて光学濃度
を生ずるので、観測方向によるコントラストの変化がな
いという点で、液晶表示装置よりも得策である。また、
液晶表示装置よりも構造が簡単であり、製造がより一層
経済的であると思われる。従来のエレクトロクロミック
表示装置の欠点は、応答時間が遅いことと寿命が短いこ
とである。

能動表示装置は光が強い環境では可視性が低いという点
で不都合であるが、このタイプの中で、発光ダイオード
アレイ（ＬＥＤ）は製造コストおよびパワー消費量が高
く、また分解能が個々のダイオードの最小サイズによっ
て制限される。カラー表示は可能であるが、この場合に
は受動型液晶表示装置よりも分解能がはるかに低くなる
。

プラズマパネル（ＧＤＤ）は、ＬＥＤアレイよりもはる
かに価格が安く得策である。プラズマパネルの主な欠点
は、分解能が低いことと寿命が限られていることである
。

エレクトロルミネセンス表示装置（ＥＬＤ）、特に薄膜
ＥＬＤは、受動型液晶表示装置に対して競争力のある唯
一の能動表示装置であろう。この種の表示装置は、高分
解能を有し製造費が安い。

しかし、寿命およびカラー表示の点で問題がある。

本発明は、応答（スイッチング）時間が早く、分解能お
よびコントラストが高く、観測角度によってコントラス
トがさほど変らず、同一アドレス指定点で種々のカラー
を表示でき、低い信号電圧および低電流で動作できる新
規な情報表示方法を提供することを目的とする。

従って本発明は、電子注入層と正孔注入層との間に半導
体酸化物層を配置し、前記酸化物層の両端間に電圧を選
択的に印加し、前記電子注入層を前記正孔注入層に対し
て負にバイアスして、前記酸化物層への電子および正孔
を二元的に注入し、それによって前記酸化物層内のカラ
ーセンター形成を促進する構造欠陥中に電子をトラップ
して画像を発生させ、前記電子注入層と前記正孔注入層
との間に逆極性の電圧を印加して前記画像を消去するこ
とを特徴とする情報表示方法を提供する。

以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。

本発明においては、金属酸化物半導層内のカラーセンタ
ーの生成および消去に基づいて画像形成がなされる。こ
の基本概念は、他の三種類の受動表示装置、即ち、液晶
、磁気光学およびエレクトロクロミックタイプとは全く
異なる。

カラーセンターは、構造欠陥付近に電子がトラップされ
る結果として固体内に生成される。トラップされた電子
は、構造欠陥に弱く結合し、スペクトルの可視部または
ＬＩＶ部に対応する撮動周波数を有する。カラーセンタ
ーは、前者の場合にはＦセンター、後者の場合にはｖセ
ンターと呼ばれる。カラーセンターは、そのカラーセン
ターのトラップされた電子の振動周波数に対応した周波
数の光を吸収して、その補色を発生させる。

従って、構造欠陥の存在とこれらの欠陥内にトラップさ
れるべき電子の送り込みとが、固体内でカラーセンター
を生成するための条件となる。この電子の送り込みとト
ラップは、構造欠陥がその材料のバンド図における成る
エネルギ一単位に対応する場合に可能になる。これらの
準位の位置によって、カラーセンターの色と、これらの
準位へ電子を送り込むのに必要なエネルギーが決まる。

下記の二つの場合がある。即ち、 （ａ＞　　材料内に既に構造欠陥が存在する場合。

この場合には、電子を対応するエネルギ一単位へ送り込
むことによってカラーセンターが生成される。

（ｂ）　　構造欠陥を生成し、そのエネルギ一単位へ電
子を送り込まなければならない場合。

この場合が最も普通であり、下記の項目が含まれる。

Ａ、材料の成分のうちのいずれかの蒸気の存在下での材
料の加熱。

典型的な例はハロゲン化アルカリの場合であり、この場
合には、アルカリ金属蒸気の存在下に材料を加熱して、
ハロゲン化物の格子構造中に金属原子を拡散させフレン
ケル型の欠陥を生成する。電子は、格子の陽イオンの熱
励起によって与えられる。

Ｂ、高エネルギー粒子または放射線（Ｘ線、ガンマ線、
ベータ線）による衝撃。

この衝突により、構造体の原子は格子中の永久位置から
割込み位置に転置し、空位が残される。この空位に閉じ
込められる電子は、照射に続くイオン化によって発生す
る。

Ｃ，ショットキー効果： とがった電極による非常に集中した電界により、高エネ
ルギーの局部的電子流が生じ、その結果上記Ｂのベータ
線の場合と同様にしてカラーセンターが発生する。

Ｄ、注入構造： 電子線は、或種の電子部材に用いられる「コールドカソ
ードコに似た金属−絶縁体−金属構造の金属層からなり
、負の金属から離れる電子は薄い誘電体層を通抜けて、
第二の金属層を通してカラーセンター材料に注入される
。

カラーセンター表示装置は１９４０年代から知られ、て
おり、レーダー投影表示用に使用された（ＲＯ３ｅｎｔ
ｈａｌ、　Ａ、　Ｈ，Ｐｒｏｃ、　　ＩＲＥ、　　５，
２０３（１９４０））。この表示装置は、ＣＲ７画面の
代りに塩化カリウムの微結晶層からなる。表面を走査す
る電子ビームによって生じたカラーセンターにより画像
が形成され、この画像は適切な光学手段によって拡大投
影される。画像の消去は、熱によってなされ、従って比
較的遅い。この理由から、スカイアトロンと呼ばれるこ
の管がテレビ用に考えられなかったと言える。

ハロゲン化アルカリに関する資料が容易に入手可能であ
ったため、ハロゲン化アルカリを用いてフラットカラー
センター表示装置を設計する試みがなされた（Ｒｏｂｉ
ｌｌａｒｄ　　Ｊ、、　　Ｃ，Ｒ，ＮＡＴＯＣｏｎｆ、
　　Ｑｎ　０ｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　３ｉｎｇａ
ｌ　Ｐｒ。

ｃｅｓｓｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ、　　０ｓｌｏ
、　　Ｎｏｒｗａｙ　　（１９６９））。電子注入は、
通常のＣＲＴと同様にして、電子ビームを用いてなされ
た。消去は、電極導電ガラスを抵抗体として用いること
により実施された。

本発明のカラーセンター表示方法においては、ある範囲
の色を形成するために、半導体金属酸化物を単独でまた
は混合物として用い（Ｎ、Ｐ、Ｂｏｇｏｒｏｄｉｔｓｋ
ｉｉ、　Ｖ、　Ｋｒ１ｓｔｙａ　ａｎｄ　　Ｙ、　Ａ、
　　Ｉ　。

Ｐａｎｏｖａ、Ｆｉｚ、　Ｔｖｅｒｄ、　Ｔｅ１ａ　　
９，２５３（１９６７）　）、コストと性能の両方で従
来のものよりはるかに優れた結果を得た。

第１図は、本発明の表示方法の一興体例によって動作す
るフラットパネル構造体を示す断面図である。この構造
体は、ＮＥＳＡガラスのプレート１０を有し、このガラ
スは一表面、この場合には第１図に示すように内側また
は右側表面に、薄い導電層（図示せず）を有した既知の
ものである。ＮＥＳＡガラス１０の導電面には半導材料
製の正孔注入層１１を形成し、次に半導体金属酸化物層
１２を形成する。この半導体金属酸化物層１２は、カラ
ーセンター形成を促進する構造欠陥１３を高密度で形成
するように高度にドーピングされている（または非化学
量論的とされる）。正孔注入層１１に対して酸化物層１
２の反対側には、電子注入層１５が形成され、この電子
注入層は、電子エミッタを構成する金属！１１４、トン
ネル層を構成する薄い誘電体層１５、および極薄金属層
１６からなる複合トンネル注入構造体である。これらの
層の材料、厚さおよびその製作のための蒸着技法につい
ては後で詳細に記″Ｌ動作時には、金属層１４はＮＥＳ
Ａガラス１０上の導電層に対して負電位にバイアスされ
、トンネル注入構造体１４〜１６の右側の金属層１４は
左側の層１６に対して負電位になる。この状態で金属！
１１４内のフェルミ単位に近い電子は、誘電体層１５の
導電帯に入り、正の金属層１６に達する。この比較的正
のｊｌ１６は電子の平均自由工程と比べて薄く、そのた
め誘電体層１５を通抜けた電子は層１６を横切り、層１
６の金属の仕事関数に打勝つのに充分なエネルギーを有
した電子１７は、カラーセンター酸化物層１２内の欠陥
のエネルギ一単位にトラップされる。電子１７がトンネ
ル注入構造体から！！１２に注入されるにつれて、系の
電子平衡を保つために正孔注入層１１から同数の正孔１
８が注入される必要がある。これらの正孔１８は、層１
２と＠１６との間の界面付近にとどまり、この領域に空
間電荷を生じる。

欠陥１３内に電子１７がトラップされることによって、
カラーセンターが発生する。勿論、意味のある画像を形
成するには、電子と正孔の二元注入が構造体の選択され
た領域のみに生じるように構造体を選択的にバイアスで
きなければならない。従って、全点アドレス指定表示を
達成するために、ＮＥＳＡガラス１０上の薄い導電層を
、一連の平行細片（Ｘバー）状に、通常は数ミクロン間
隔で、パターン化し、同様に金属層１４をもガラス１０
上の細片に直角な一連の平行細片（Ｙバー）状にパター
ン化する。この場合には、所定の対をなすＸバーとＹバ
ー間に電位差を与えると（ＸバーをＹバーに対して正と
する）、これら二つのバーの交点に一つの画素が生じ、
クロスバ−アドレス指定において周知のように所定の組
のＸバーおよびＹバーを励起することにより画像全体を
形成できる。

第２図は、本発明に係る表示方法の他の具体例によって
動作するフラットパネル構造体を示す断面図である。、
第１図と異なり、第２図においては、薄い金属＠１６が
省略されている。動作時には、金属層１４は正孔注入層
１１に対して負電位にバイアスされる。この状態で金属
層１４内のフェルミ単位に近い電子１７は、誘電体層１
５の導電帯に入り、カラーセンター酸化物層１２内の欠
陥のエネルギ一単位にトラップされる。電子１７が層１
２に注入されるにつれて、系の電子平衡を保つために正
孔注入層１１から同数の正孔１８が注入され、その多く
は層１２と＠１５との界面付近にとどまり、この領域に
空間電荷を生ずる。この空間電荷は誘電体＠１５を通り
扱けた電子を引出して加速するのに充分なものである。

したがって、正孔注入層１１を設ける場合には、薄い金
属層１６は必ずしも必要でない。

正孔注入層１１および半導体酸化物１１２でのカラーセ
ンターの生成に必要な欠陥において半導体性を発揮する
ためには、これらの材料をドーピングする必要がある。

ドーピング材料および手順は対象材料によって幾分異な
り、エネルギー帯構造および伯の固体性状により決まる
。層１１または１２が（ａ＞半導体材料の蒸着薄膜であ
るか、または（ｂ＞バインダー中に分散され塗布層を形
成する半導体粒子であるかによって、一般に二つの方法
が用いられる。

（ａ＞の場合には、半導体−の形成後にその上面に極め
て薄いドーパント膜を蒸着しこの層の温度を上げてドー
パントを半導体層中に拡散させる。

（ｂ）の場合には、ドーパントの塩、例えば硫化銅、の
水溶液中に半導体材料を導入し、数時間撹拌し、デ別乾
燥する。ドーパント塩を表面に吸収したこれらの乾燥粒
子を、真空がま内で、粒子中゛へのドーパントの拡散に
必要な温度に数時間加熱する。この加熱温度は、ドーピ
ングされる材料およびドーパントに応じて、半導体への
ドーパントの拡散特性によって異なる。表工に、正孔注
入層１１の形成に使用できる半導体材料、ドーパントお
よび拡散温度を示し、表■に、カラーセンター形成層１
２の形成に使用できる半導体金属酸化物材料、ドーパン
トおよび拡散温度を示す。

表示は以下のようになされる。特定のＸバーとＹバーと
の間にＹバーを負として直流電圧を印加すると、交点Ｘ
Ｙにおいて、この交点に位置する！＠１２の部分に電子
と正孔が注入され、表示装置上の色点として現われるカ
ラーセンターがこの部分に生じる。これらと同じバー間
に、トラップされた電子を弱く束縛された状態から引出
すのに充分な電界を生じるのに必要な振幅にて逆電圧を
印加すると、カラーセンターが破壊され、表示装置上の
点が消去される。この消去用電圧は、閉じ込められた電
子をそれらの位置から引出すのに必要な電界を発生する
ために、一般に高振幅を要する。

画像の任意点での温度は、材料中の欠陥密度とこの特定
点に注入された電子の数とに比例する。

電流変調によってグレースケール表示も可能でおる。

英数字表示が必要な場合には、ＸバーとＹバーを形成す
る代りに、バイアスを加える導電層の一つを既知の、例
えば液晶計算器表示装置のように、文字セグメントの形
に形成し、他の導電層は細片化またはセグメントイヒせ
ずに連続的に適用する。

複合トンネル注入構造体を用いずに、単一の電子注入層
によってカラーセンター形成層１２に電子を注入しても
よく、この場合には、層１５と層１６が省かれる。この
具体例を第３図に示す。第３図において、同じ１につい
ては第１図と同じ数字で示す。電子注入層として単一の
金属層を用いるこの具体例は、例えば第７図および第８
図について後記するように真空中でまたは重合体のよう
な水非透過性の材料に封入されて用いられる表示構造に
ついてのみ適用可能である。

第４図は第１図の構造に対応するものであり、各々ＮＥ
ＳＡガラス１０および層１４への電気接続部２０および
２１を示す。これらの電気接続部２０および２１は、前
記のバイアス印加を可能とする（これらは第２図にも示
しである）。但し、選択的バイアス印加のためには構造
体の少なくとも一方側に複数の接続部が必要となるが、
前記の接続部２０および２１は略図的に示しである。

第３図および第４図において、ガラス層１０は他の層を
連続的に蒸着するための比較的厚い支持体として作用す
る。しかし、前記の構造においてはガラス支持体は正孔
注入層に隣接して配置されているが、電子注入層が単一
金属層であっても複合トンネル構造であっても、ガラス
支持体１０を電子注入層に隣接させて反対側から構造体
を形成していくことも可能である。この形成方法につい
ては、後記の実施例で説明する。

第５図は、第４図に示すトンネル注入に基づく表示装置
に対応した具体例を示す。この具体例では、層１６を省
き、前記のような加速電位として誘電体層１５との界面
における正孔集中を利用して電子を通抜けさせる。

第６図は、カラーセンター形成層１２としてバインダー
中に半導体金属酸化物粒子を分散させた材料を用いた、
第１図に類似した構造を示す。その他の点では、第６図
の構造は第１図のものに対応する。

第７図は、第１図および第４図の表示構造体を真空ハウ
ジング内に取付けた例を示し、参照数字２３は真空ハウ
ジングのガラス壁を示し、２４はこのハウジング内の自
由真空空間を示す。第８図は、第１図および第４図の表
示構造体を、空気および水に対して不透過性の重合体２
５内に封入した例を示す。いずれの場合においても、ガ
ラスプレート１０は、ハウジング２３または重合体２５
を含めた構造全体を支持する支持体として作用する。第
７図と第８図において、他の参照数字は第１図と第４図
の参照数字に対応する。既に述べたように、これらの保
護形態は第３図の構造のために特に適切である。

表示には、二形態の電子注入層のいずれか、即ち第３図
に対応する単一金属注入層、または第１図や第２図、第
４図に対応する複合トンネル注入構造が可能である。ト
ンネル注入構造を用いる形態の主な長所は、多構造の層
への吸水（湿度）に起因して構造体内に望ましくないイ
オン電流が流れるのを防止できることでおる。また電流
に対する制限作用も得られる。第７図や第８図に示すよ
うに表示構造体が真空ガラスハウジングまたは水非透過
性の重合体により保護される場合には、トンネル注入層
を用いる形態は必要でない。

この第一および第二の形態においては、ガラスプレート
１０上に、硫化ＩＰｂ　Ｓ、テルル化鉛Ｐｂ７ｅ、セレ
ン化鉛ｐｂ　３ｅ　、テルル化カドミウムＣｄＴｅ、テ
ルル化錫Ｓｎ　Ｔｅ　、酸化バナジウムＶｚＯ＝、酸化
タンタルＴａｚＯ＝、酸化クロムＣｒ　２０＝　、　酸
化ベリリウムＢｅ　２０３　＊酸化インジウムＩｎ　０
２　、セレン化鉛−錫１）ｂ　９ｎ　３ｅ　。

テルル化鉛−錫Ｐｂ　Ｓｎ　Ｔｅまたは表■の他の材料
のいずれかを、Ｏ６２乃至１ミクロンの厚さに真空蒸着
させることによって正孔注入層１１を形成できる。まず
蒸発を従来の技法を用いて１０−１ｉｍＨｇの真空室内
で実施し、次いで前記の如き適切なドーパントを蒸着拡
散させる。

また、第一および第二の形態において、カラーセンター
形成層１２は、正孔注入層１１上に半導体金属酸化物を
蒸着させることにより、または適切なバインダー中に半
導体金属酸化物を分散させた層を正孔注入層上に形成す
ることによって得ることができる。いずれの場合におい
ても、半導体金属酸化物として用いられる材料は、酸化
錫、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、または
酸化セリウムや酸化ランタンの如き希土類材料から選ば
れる。

前記の第一の場合においては、厚さ０．２乃至１ミクロ
ンまでのタンタル、モリブデンまたはタングステンのボ
ートを用いて１０４ｓＨＤの真空中で酸化物を蒸発させ
、次に表■の適切なドー・パントを蒸発拡散させる。

第二の場合においては、０．１乃至１０ミクロンの大き
ざのドーピングされた粒子の状態の酸化物をバインダー
溶液に分散させ（酸化物：バインダー比は３：１乃至５
：１重量部である）、標準の塗布方法によって正孔注入
層上に塗布する。溶剤除去後の塗布された層の最終厚さ
は１乃至１０ミクロンである。バインダーとしては、ブ
タジェン重合体、スチレン重合体またはブタジェン−ス
チレン共重合体を用い得る。正孔注入［１１１も同様に
して形成でき、但しこの場合には使用するドーピングさ
れた粒子は表工から選択される。

第一の形態において、単一の金属注入層１４としては、
１０−’ｍＨ９の圧力での真空蒸着によって直接カラー
センター形成層１２上に形成された薄い金属膜を用いる
ことができる。この薄模は、０．５乃至５ミクロンの厚
さのアンチモン、ビスマス、ジルコニウム、銀、金、銅
、タングステン、モリブデン、ニッケル、アルミニウム
、珪素またはタンタルの如き低仕事関数の金属であって
よい。クロスバ−構造の場合には、ガラス支持体１０の
対応する導電ストライプに直角に配置した平行ストライ
プを形成するマスクを通して金属を蒸発させる。

英数字表示の場合には、文字の構成要素に対応した基本
セグメントを形成するマスクを用い、ガラス支持体１０
には、ストライプ化していない連続した導電層を備える
。

第二の形態（トンネル注入構造）で薄い金属膜１６を設
ける場合には、１０’ｍＨｇの圧力での真空ｉ看によっ
て得られた極めて薄い金属膜を層１６として用い、この
層は厚さ１０乃至５０オンゲストＯ−ムの金、銀、クロ
ム、アルミニウム、タンタル。

モリブデン、ニッケルまたはタングステン等の金属のい
ずれかで形成される。また誘電体層１５としては、厚ざ
５０乃至１００オングストロームの酸化アンチモン、酸
化ビスマス、二酸化珪素および酸化ジルコンからなる材
料群から選択される酸化物の真空蒸着または真空スパッ
タリングによって得られた薄い誘電体層を用いることが
できる。また、電子放出層である層１４としては、１０
４ｓＨＤでの真空蒸着によって厚ざ０゜２乃至１ミクロ
ンのアルミニウム、アンチモン、ビスマス、ジルコニウ
ム。

珪素、銀、金、銅、タングステン、モリブデンまたはタ
ンタルを用いて得られた金属薄膜を用いることができる
。

クロスバ−アドレス指定の場合には、導電ガラス支持体
１Ｇ上の対応するストライプに対して直角に配置した平
行ストライプを形成するマスクを通して真空蒸着するこ
とによって金属層１４を得る。

英数字表示の場合には、文字を形成するセグメントを形
成するマスクを用いる。

＠１６の厚さは、誘電体１１５を通抜ける電子の平均自
由工程よりも小ざい。また前記のように、誘電体！ｌ１
１５と半導体酸化物層１２とが直接接触するように層を
省いてもよい。

既に配したように、前記の順序とは逆の順序で表示構造
体をガラス支持体上に形成してもよい。

即ち、電子注入層が単一金属層である場合も複合構造層
である場合も、最初にガラスプレート（この場合には非
導電性）上に電子注入層を蒸着し、次いで半導体金属酸
化物層１２と正孔注入層１１を形成してもよい。こうす
ると、層１４の金属の熱的にまたは電気化学的に成長し
た酸化物として誘電体！１１５を形成できる。

本発明の方法によって動作する構造の実施例により、本
発明をざらに説明する。全ての実施例において、半導体
材料は前記のようにドーピングされることを前提とする
。実施例■乃至■およびＩＶ乃至■は電子注入層として
単一金属層を用いた例であり、残りの実施例ＩＶ、Ｖ、
ＩＸおよびＸはトンネル注入構造を用いた例である。ま
た、これら後者の実施例では、電子注入側から正孔注入
側へと、即ち、前記とは逆の方向に層状表示構造をガラ
ス支持体上に形成した。

実施例■ １０°６ｓＨ（ｌの真空中で導電ＮＥＳＡガラス上に厚
さ０．５ミクロンの硫化鉛ＰｂＳ層を蒸着した。

次に酸化錫層を１ミクロンの厚さに前記の層の上面に蒸
着した。厚さ０．２ミクロンの金の真空蒸着フィルムか
らなる第三の層を、英数字セグメントの形成する適切な
マスクを通して形成した。各金セグメントと導電ガラス
プレートとの間に５ボルトの電圧を印加すると、電圧を
印加したセグメントに対応する領域に青色が生じた。５
ボルトの逆電圧を印加すると、この情報は消えた。

実施例■ 簀空中でＮＥＳＡガラス製の導電支持体上に、セレン化
鉛Ｐｂ５ｅの層を０．５ミクロンの厚さに装着した。

トルエン２４９中にビリット（シェル社製のスチレンブ
タジェン＞１９を溶かした溶液中に酸化セリウム５ｇを
分散させたエマルジョンを、２４時間のボールミル粉砕
によって調製した。前もって蒸着したセレン化鉛層上に
２ミクロンの厚さにこのエマルジョンを塗布した。

次いで蒸着ジルコニウムからなる第三の層を、前記の塗
布された層の上面に形成した。この蒸着層の厚さは０．
５ミクロンであった。この最債の層上への蒸着は、英数
字セグメントを形成するマスクを通して実施した。各セ
グメントと導電ガラス支持体との間に８ボルトの電圧を
印加すると、電圧を印加したセグメントに対応する領域
が赤褐色に着色した。１０ボルトの逆電圧を印加すると
、表示上の着色領域は消去された。

実施例■ 次の組成のエマルジョンを調製した。ＴａｚＯ５９、ブ
リオライド（グツドイヤー社製のスチレンブタジェン樹
脂）１ｇ、トルエン１５９．この組成物を２４時間ボー
ルミル粉砕し、導電ガラス（ＮＥＳＡ）上に０．８ミク
ロンの厚さに塗布した。塗布膜の乾燥後に、真空中で５
ｎＯｚ＠を０．８ミクロンの厚さに蒸着した。ニッケル
からなる第三の１を次に５ｎＯｚ層の上面に蒸着した。

この最後の層の厚さは０．５ミクロンであり、蒸着は英
数字セグメント形成用のマスクを通して実施した。個々
のセグメントと導電ガラスプレートとの間に６ボルトの
電圧を印加すると、電圧を印加したセグメントに対応す
る領域が緑青色に着色したｃ８ボルトの逆電圧を印加す
ると、着色は消えた。

実施例ＩＶ 厚さ０．２ミクロンのアンチモン層を真空蒸着によって
ＮＥＳＡガラス上に形成した。次いでこのプレートを真
空系から除去して炉に入れ、炉内で４００℃に２０分間
保って誘電体層を形成した。次にプレートを再び真空系
に導入して、厚さ５０オングストロームの極薄の金層を
蒸着した。しかる後、ドーピングされた酸化錫の第三の
層を厚さ１ミクロンに蒸着した。次いでテルル化カドミ
ウムＣｄＴｅからなる第四の層を０．２ミクロンの厚さ
に蒸着し、その上に、英数字セグメント形成用マスクを
通して金属電極ＡＵを蒸着した。導電ガラスプレートと
各セグメントとの間に８ボルトの電圧を印加する左、セ
グメントに対応する領域が暗青色に着色した。１２ボル
トの逆電圧を印加すると、情報は消去された。

実施例Ｖ 厚さ０．８ミクロンのビスマス層を蒸着によって導電ガ
ラスプレート上に形成した。プレートを真空系から除去
して炉に入れ、炉内で３００℃に３０分間加熱して誘電
体層を形成した。次にプレートを再び真空系に入れて、
酸化ランタン層を０．８ミクロンの厚さに蒸着した。！
ｔｉ化亜鉛亜鉛２１９０９のベンゼン中に溶解した７ｇ
のポリスチレンを含む組成物を２４時間ボールミル粉砕
することによって工マルジョンを調製し、これを最後の
蒸着層の上面　゛に２ミクロンの厚さに塗布した。ニッ
ケルやアルミニウムの如き金属を、英数字セグメント形
成用マスクを通して蒸着して、構造体を完成した。各金
属セグメントと導電ガラスプレートとの間に８ボルトの
電圧を印加すると、セグメントに対応する領域が暗赤色
に着色したｅ１１ボルトの逆電圧を印加すると着色は消
去された。

実施例Ｖｌ 実施例■と同様にし、但しマスキング手順によってＮＥ
ｓＡガラスの導電層を幅１０ミクロン、間隔１０ミクロ
ンの平行細片の形にパターン化し、構造体の第三の層を
同様にしてガラス上の細片方向に直角に細片を配置して
パターン化した。

実施例ｙＨ 実施例■と同様にし、但しＮＥＳＡガラスの導電層を前
記のように平行細片状にパターン化し、構造体の第三の
層を同様にしてガラス上の細片方向に直角に細片を配置
してパターン化した。

実施例■ 五−一一工 実施例■と同様にし、但しＮＥＳＡガラスの導電層を前
記のように平行細片状にパターン化し、構造体の第三の
層を同様にしてガラス上の細片方向に直角に細片を配置
してパターン化した。

実施例ＩＸ 実施例ＩＶの組成と同様とし、但しアンチモン層と金層
とを文字セグメント状に形成し、テルル化カドミウムＣ
ｄＴｅ層はセグメント化しなかった。

実施例Ｘ 実施例Ｖの組成と同様とし、但しビスマス層を文字セグ
メント状に形成し、金属層はセグメント化しなかった。

表　　　　■ ＺｎＯＮｉ　　　　　　　　　　３５０ＰｂＳ　　　　
　　　　　　Ｃｕ　　　　　　　　　　７００ＰｂＴｅ
　　　　　　　　　Ｓｎ　　　　　　　　　４００Ｐｂ
Ｓｅ　　　　　　　　　Ｓｂ　　　　　　　　　４００
Ｑｄ　Ｔｅ　　　　　　　　　Ｓｂ、　Ｌ　ｉ　　　　
　　４００／１２０ＳｎＴｅ　　　　　　　　　ｓｂ　
　　　　　　　　　４２０Ｖ２　０！　　　　　　　　
　　Ｖ ＡＩ２０３　　　　　　　　Ｙ、Ｃｏ　　　　　　　８
５０Ｃｒ　２０３　　　　　　　　ＨＯ，ＭＯ８００１
５５０ＢｅＯＡ！Ｊ　　　　　　　　　　７５０Ｉ　ｎ
　２０３　　　　　　　　Ｇｄ、Ｓｎ　　　　　　　ｇ
ｏ。

Ｐｂ　Ｓｎ　Ｓｅ　　　　　　Ｃｕ　　　　　　　　　
　７５０Ｐｂ　Ｓｎ　Ｔｅ　　　　　　　Ｃｕ　　　　
　　　　　　７５０Ｔａ　２０＝　　　　　　　　０２
　　　　　　　　　８５０３ｎ　０２　　　　　　　　
０２　　　　　　　　　８１０Ｚｎ　Ｓ　　　　　　　
　　　Ｓｂ、Ｌｉ　　　　　　４００／１２０ＣｄＳ　
　　　　　　　　Ｓｂ、Ｌｉ　　　　　　４００／１２
０半　導　体　　　　ドーパント　　　拡散温度（’Ｃ
）ＳｎＯｚ　　　　　　Ｎｉ、Ｌａ　　　　’　　　８
５０Ｔｉ　０２　　　　　　Ｔｉ、Ｌａ　　　　　　　
７００Ｚｎ　０２　　　　　　Ｌ　！、Ｇｄ　　　　　
　１２０１５５０Ｚｒ　０２　　　　　　Ｇｄ、Ｓｎ　
　　　　　８００Ｃｅ、Ｏｚ　　　　　　Ｃｕ　　　　
　　　　ｙｏ。

Ｌａ０ｚ　　　　　　Ｌａ　　　　　　　　７００

【図面の簡単な説明】

第１図は、反対側からの電子および正孔の二元注入によ
って半導体金属酸化物層内にカラーセンターを形成する
ための表示構造体を示す概略断面図、 第２図は、単一の金属電子注入層を有した表示構造の概
略断面図、 第３図は、トンネル電子注入層を有した、第１図の表示
構造の概略断面図、 第４図は、第３図の表示構造の波形を示す概略断面図、 第５図は、カラーセンター形成に半導体粒子の−を用い
た表示構造の概略断面図、 第６図は、真空ガラスハウジング内に配置した表示構造
を示す概略図、そして 第７図は水体透過性の重合体の保！！！塗幌内に配置し
た表示構造を示す概略図である。 １０・・・ガラスプレート　　　　１１・・・正孔注入
層１２・・・半導体金属酸化物！１１３・・・構　造　
欠　陥１４・・・金属＠１５・・・誘電体層 １６・・・金　属　＠１７・・・電　　　子１８・・・
正　　　孔 第３図　　第４図　第５図 第６図 手続？ｔｎ正書（方創 ｉ・ 特許庁長官　殿　　　　　　　　　　　昭和６１年６月
１７日特願昭６１−４５６１６号 ２、発明の名称 情報表示方法 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　神奈川県南足柄市中沼２１０番地名　称　　
　富士写真フィルム株式会社４、代理人 東京都港区六本木５丁目２番１号 はうら０やビル　７階 （７３１８）弁理士　柳　１）征　史　（ほか２名）５
、補正命令の日付 昭和６１年５月７日　（発送日　昭和６１年５月２７日
）６、補正により増加する発明の数　　　な　　し８、
補正の内容 １）明細書第３４頁下から第８行〜第３５頁第７行「　
第１図・・・・・・該略図である。」を以下の通り補正
する。 ［第１図および第２図は、反対側からの電子および正孔
の二元注入によって半導体金属酸化物層内にカラーセン
ターを形成するための表示構造体を示す概略断面図、第
３図は、単一の金属電子注入層を有した表示構造の概略
断面図、 第４図は、トンネル電子注入層を有した、第１図の表示
構造の概略断面図、 第５図は、第４図の表示構造の変形を示す概略断面図、
第６図は、カラーセンター形成に半導体粒子の層を用い
た表示構造の概略断面図、 第７図は、真空ガラスハウジング内に配置した表示構造
を示す概略図、そして 第８図は水体透過性の重合体の保護塗膜内に配置した表
示構造を示す概略図である。」

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）電子注入層と正孔注入層との間に半導体酸化物層
   を配置し、前記酸化物層の両端間に電圧を選択的に印加
   し、前記電子注入層を前記正孔注入層に対して負にバイ
   アスして、前記酸化物層への電子および正孔を二元的に
   注入し、それによって前記酸化物層内のカラーセンター
   形成を促進する構造欠陥中に電子をトラップして画像を
   発生させ、前記電子注入層と前記正孔注入層との間に逆
   極性の電圧を印加して前記画像を消去することを特徴と
   する情報表示方法。
2. （２）前記電子注入層が、電子放出金属層と、カラーセ
   ンター形成用の前記半導体酸化物層に直接接触した誘電
   体層とからなる複合構造体であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項に記載の情報表示方法。
3. （３）前記電子注入層が、電子放出金属層と、誘電体層
   と、この誘電体層を通抜ける電子の平均自由工程よりも
   小さな厚さを有し前記半導体酸化物層と直接接触したも
   う一つの金属層とからなる複合構造体であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項に記載の情報表示方法。
4. （４）前記電子注入層が単一の電子放出金属層よりなる
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の情報表
   示方法。
5. （５）前記電子注入層が、アンチモン、ビスマス、ジル
   コニウム、銀、金、銅、タングステン、モリブデン、ニ
   ッケル、アルミニウム、珪素またはタンタルの真空蒸着
   膜からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項から
   第４項のいずれか１項に記載の情報表示方法。
6. （６）前記正孔注入層が、硫化鉛ＰｂＳ、テルル化鉛Ｐ
   ｂＴｅ、セレン化鉛ＰｂＳｅ、テルル化カドミウムＣｄ
   Ｔｅ、テルル化錫ＳｎＴｅ、酸化バナジウムＶ＿２Ｏ＿
   ５、酸化タンタルＴａ＿２Ｏ＿５、酸化クロムＣｒ＿２
   Ｏ＿３、酸化ベリリウムＢｅ＿２Ｏ＿３、酸化インジウ
   ムＩｎＯ＿２、セレン化鉛−錫ＰｂＳｎＳｅまたはテル
   ル化鉛−錫ＰｂＳｎＴｅの真空蒸着膜からなることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項から第５項のいずれか１
   項に記載の情報表示方法。
7. （７）前記正孔注入層が、３：１乃至５：１重量部の粒
   子：バインダー比にてバインダー中に含まれた半導体粒
   子からなり、この粒子の材料が酸化亜鉛ＺｎＯ、酸化ア
   ルミニウムＡｌ＿２Ｏ＿３、酸化タンタルＴａ＿２Ｏ＿
   ５、硫化亜鉛ＺｎＳまたは硫化カドミウムＣｄＳからな
   り、バインダーがブタジエン重合体、スチレン重合体ま
   たはスチレン−ブチジエン共重合体からなることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項から第５項のいずれか１項
   に記載の情報表示方法。
8. （８）前記半導体酸化物層が、酸化亜鉛、酸化錫、酸化
   チタン、酸化ジルコニウム、酸化セリウムまたは酸化ラ
   ンタンの真空蒸着膜からなることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項から第７項のいずれか１項に記載の情報表
   示方法。
9. （９）前記半導体酸化物層が、３：１乃至５：１重量部
   の酸化物：バインダー比にてバインダー中に含まれる酸
   化物粒子からなり、この酸化物は酸化亜鉛、酸化錫、酸
   化チタン、酸化ジルコニウム、酸化セリウムまたは酸化
   ランタンからなり、バインダーがブタジエン重合体、ス
   チレン重合体またはスチレン−ブタジエン共重合体から
   なることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第７項
   のいずれか１項に記載の情報表示方法。