JPS61264771A - 磁気制御可変電流増幅率トランジスタ - Google Patents
磁気制御可変電流増幅率トランジスタInfo
- Publication number
- JPS61264771A JPS61264771A JP60106490A JP10649085A JPS61264771A JP S61264771 A JPS61264771 A JP S61264771A JP 60106490 A JP60106490 A JP 60106490A JP 10649085 A JP10649085 A JP 10649085A JP S61264771 A JPS61264771 A JP S61264771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- collector
- emitter
- base
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は外部から印加された磁気により電流増幅率が変
化して磁気検出器として利用出来る磁気制御可変Ｉｔ流
増幅率トランジスタに関する。
化して磁気検出器として利用出来る磁気制御可変Ｉｔ流
増幅率トランジスタに関する。
従来の技術
従来の磁気検出器は、例えばＮ型半導体の抵抗率の磁場
による変化を利用しているものや、ボール電圧を利用す
るものが普通である。
による変化を利用しているものや、ボール電圧を利用す
るものが普通である。
発明が解決しようとする問題点
磁気抵抗効果やホール効果を上記のような従来の磁気検
出器を集積回路に内蔵する場合、抵抗のバラツキや応力
による変動及び感度が低い点が問題となっている。
出器を集積回路に内蔵する場合、抵抗のバラツキや応力
による変動及び感度が低い点が問題となっている。
問題点を解決するための手段
本発明の磁気制御可変電流増幅トランジスタは、−１４
電型の半導体領域内に、上記一導電型と反対導電型の互
に分離したエミッタ領域とコレクタ領域とを有し、上記
エミッタ領域とコレクタ領域外の一導電型の半導体領域
をベース領域とする横型バイポーラトランジスタを構成
すると共に、上記エミッタ領域とコレクタ領域間の分離
領域に、上記一導電型と同一導電型の高不純物濃度ベー
ス領域を設けたことを特徴とする。
電型の半導体領域内に、上記一導電型と反対導電型の互
に分離したエミッタ領域とコレクタ領域とを有し、上記
エミッタ領域とコレクタ領域外の一導電型の半導体領域
をベース領域とする横型バイポーラトランジスタを構成
すると共に、上記エミッタ領域とコレクタ領域間の分離
領域に、上記一導電型と同一導電型の高不純物濃度ベー
ス領域を設けたことを特徴とする。
作用
このように構成したため、横型バイポーラトランジスタ
の基板方向に垂直方向に磁界を印加すると、エミッタ領
域と］レクタ領域間の゛分離領域に於ける小数担体キャ
リヤの運動方向が曲げられ、上記の高不純物濃度ベース
領域に、多量に上記小数担体キャリヤが注入されてベー
ス領域での再結合が増大して、電流増幅率が低下する。
の基板方向に垂直方向に磁界を印加すると、エミッタ領
域と］レクタ領域間の゛分離領域に於ける小数担体キャ
リヤの運動方向が曲げられ、上記の高不純物濃度ベース
領域に、多量に上記小数担体キャリヤが注入されてベー
ス領域での再結合が増大して、電流増幅率が低下する。
この低下の程度は、磁界の強さに依存するので、高感度
の磁気検出器として利用出来る。
の磁気検出器として利用出来る。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図と第２図に基づいて説
明する。このトランジスタは、約１０１５／ＣＣのボロ
ン濃度を有するＰ型シリコン基板８に約１０＋７〜１０
１８７７ＣＣの燐濃度を有するｎ０型埋込１１７を形成
し、この上に燐濃度が約５ ’ｘ １０’５ ／ ｃｃ
のｎ型エピタキシャル層を形成し、このエピタキシャル
層内に島領域５を形成する様に約１０’ ／ｃｃのボロ
ン濃度を有する素子分離［１６をＰＩ基板８に達するま
で拡散する。
明する。このトランジスタは、約１０１５／ＣＣのボロ
ン濃度を有するＰ型シリコン基板８に約１０＋７〜１０
１８７７ＣＣの燐濃度を有するｎ０型埋込１１７を形成
し、この上に燐濃度が約５ ’ｘ １０’５ ／ ｃｃ
のｎ型エピタキシャル層を形成し、このエピタキシャル
層内に島領域５を形成する様に約１０’ ／ｃｃのボロ
ン濃度を有する素子分離［１６をＰＩ基板８に達するま
で拡散する。
島領域５の中心に約１０ ／（ｉＣのボロン濃度を有
するエミッタ領域１を円筒状に拡散し、この周辺に、約
１０ ／ｃｃの燐濃度を有する多数の矩形状の高不純
物ｌ！１度のベース領域３を放射状に形成し、更にこの
領域３を取り囲むように約１０ ／ｃｃのボロン１１
度を有する、コレクタ領域２を形成する。
するエミッタ領域１を円筒状に拡散し、この周辺に、約
１０ ／ｃｃの燐濃度を有する多数の矩形状の高不純
物ｌ！１度のベース領域３を放射状に形成し、更にこの
領域３を取り囲むように約１０ ／ｃｃのボロン１１
度を有する、コレクタ領域２を形成する。
即ち、エミッタ領域１とコレクタ領域２間の分離領域に
、高不純物濃度のベース領域３が位置する構成になって
いる。島領域５は全体としてベース領域を形成し、図面
ではコレクタ領域２の右側に約１０１９／ｃｃの燐濃度
を有するベースコンタクト領域４が形成されている。
、高不純物濃度のベース領域３が位置する構成になって
いる。島領域５は全体としてベース領域を形成し、図面
ではコレクタ領域２の右側に約１０１９／ｃｃの燐濃度
を有するベースコンタクト領域４が形成されている。
表面に酸化ｌＩ！９を形成後、エミッタ領域１、コレク
タ領域２の一部、ベースコンタクト領域４に対応する位
置を開口し、各開口部にそれぞれアルミ電極１０を蒸着
して、本トランジスタは完成される。
タ領域２の一部、ベースコンタクト領域４に対応する位
置を開口し、各開口部にそれぞれアルミ電極１０を蒸着
して、本トランジスタは完成される。
次に本発明の動作について説明する。エミッタ１から注
入された正孔がベース領域５を通ってコレクタ２へ到着
するのは、通常の横型トランジスタと同様である。ベー
ス領域中のＮ型高濃度半導体領域３は外部ｖｍｓが無い
ときには、エミッタ１から注入された正孔の流れの妨げ
にはならない。
入された正孔がベース領域５を通ってコレクタ２へ到着
するのは、通常の横型トランジスタと同様である。ベー
ス領域中のＮ型高濃度半導体領域３は外部ｖｍｓが無い
ときには、エミッタ１から注入された正孔の流れの妨げ
にはならない。
次に外部！ｉｓが加わると、注入された正孔の流れは磁
場により曲げられ、ベース領域に設けられたＮ’！高濃
度半導体領域中の電子と再結合するため、コレクタへ到
達する正孔数は減少し、電流増幅率は低下する。外部磁
場の大きさにより正孔の流れの角度が変化するので、電
流増幅率が変化する。
場により曲げられ、ベース領域に設けられたＮ’！高濃
度半導体領域中の電子と再結合するため、コレクタへ到
達する正孔数は減少し、電流増幅率は低下する。外部磁
場の大きさにより正孔の流れの角度が変化するので、電
流増幅率が変化する。
尚、Ｐ型シリコン基板８はグランド電極として用いられ
るので、コレクタ領ｔｉ！！２、ベース領域５、エミッ
タとしてのＰ型シリコン基板８で構成される寄生トラン
ジスタが生じる。この寄生トランジスタの電流増幅率を
減少させて回路の安定化を計る目的で、ベース領域に高
不純物濃度のｎ゛型埋込層７が挿入されている。
るので、コレクタ領ｔｉ！！２、ベース領域５、エミッ
タとしてのＰ型シリコン基板８で構成される寄生トラン
ジスタが生じる。この寄生トランジスタの電流増幅率を
減少させて回路の安定化を計る目的で、ベース領域に高
不純物濃度のｎ゛型埋込層７が挿入されている。
発明の詳細
な説明のように本発明の磁気制御可変ｔｍ増幅率トラン
ジスタは、一導電型の半導体領域内に、上記一導電型と
反対ｗａ導電型互に分離したエミッタ領域とコレクタ領
域とを有し、上記エミッタ領域とコレクタ領域外の一導
電型の半導体領域をベース領域とする横型バイポーラト
ランジスタを構成すると共に、上記エミッタ領域とコレ
クタ領域間の分離領域に、上記エミッタ領域とコレクタ
領域間の分離領域に、上記一導電型と同一導電型の高不
純物濃度ベース領域を設けたため、磁界変化に対する電
流増幅率の変化が高感度であり、出力信号レベルが安定
しており、半導体集積回路への応用に適している。また
このような本発明の構成によると、従来のこの種の素子
に見られた特性のバラツキや応力による性能の変動も少
くなり、磁気検出素子として大きな効果が期待出来るも
のである。
ジスタは、一導電型の半導体領域内に、上記一導電型と
反対ｗａ導電型互に分離したエミッタ領域とコレクタ領
域とを有し、上記エミッタ領域とコレクタ領域外の一導
電型の半導体領域をベース領域とする横型バイポーラト
ランジスタを構成すると共に、上記エミッタ領域とコレ
クタ領域間の分離領域に、上記エミッタ領域とコレクタ
領域間の分離領域に、上記一導電型と同一導電型の高不
純物濃度ベース領域を設けたため、磁界変化に対する電
流増幅率の変化が高感度であり、出力信号レベルが安定
しており、半導体集積回路への応用に適している。また
このような本発明の構成によると、従来のこの種の素子
に見られた特性のバラツキや応力による性能の変動も少
くなり、磁気検出素子として大きな効果が期待出来るも
のである。
【図面の簡単な説明】
第１図と第２図は本発明の磁気可変電流増幅率トランジ
スタの一実施例を示し、第１図は第２図のＢ−８’線に
沿った水平断面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線に沿っ
た縦断１面図である。 １・・・エミッタ領域、２・・・コレクタ領域、３・・
・高不純物濃度ベース領域、４・・・ベースコンタクト
領域、５・・・ベース領域、６・・・素子分離層、７・
・・ｎ゛型埋込層、８・・・Ｐ型シリコン基板 第１図 ２−−− ］し７ダａＡ ３−御名４４屯句４度へ゛−人々飯域 第Ｚ図 ／−ｎミ・ｙｆＩ員域 ７−７Ｚ”Ｓ！埋ｌ
スタの一実施例を示し、第１図は第２図のＢ−８’線に
沿った水平断面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線に沿っ
た縦断１面図である。 １・・・エミッタ領域、２・・・コレクタ領域、３・・
・高不純物濃度ベース領域、４・・・ベースコンタクト
領域、５・・・ベース領域、６・・・素子分離層、７・
・・ｎ゛型埋込層、８・・・Ｐ型シリコン基板 第１図 ２−−− ］し７ダａＡ ３−御名４４屯句４度へ゛−人々飯域 第Ｚ図 ／−ｎミ・ｙｆＩ員域 ７−７Ｚ”Ｓ！埋ｌ
Claims (1)
- １、一導電型の半導体領域内に、上記一導電型と反対導
電型の互に分離したエミッタ領域とコレクタ領域とを有
し、上記エミッタ領域とコレクタ領域外の一導電型の半
導体領域をベース領域とする横型バイポーラトランジス
タを構成すると共に、上記エミッタ領域とコレクタ領域
間の分離領域に、上記一導電型と同一導電型の高不純物
濃度ベース領域を設けた磁気制御可変電流増幅率トラン
ジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60106490A JPS61264771A (ja) | 1985-05-18 | 1985-05-18 | 磁気制御可変電流増幅率トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60106490A JPS61264771A (ja) | 1985-05-18 | 1985-05-18 | 磁気制御可変電流増幅率トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61264771A true JPS61264771A (ja) | 1986-11-22 |
Family
ID=14434897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60106490A Pending JPS61264771A (ja) | 1985-05-18 | 1985-05-18 | 磁気制御可変電流増幅率トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61264771A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086457A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 磁気検出装置 |
-
1985
- 1985-05-18 JP JP60106490A patent/JPS61264771A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086457A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 磁気検出装置 |
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