JPS61261900A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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Publication number
JPS61261900A
JPS61261900A JP60103415A JP10341585A JPS61261900A JP S61261900 A JPS61261900 A JP S61261900A JP 60103415 A JP60103415 A JP 60103415A JP 10341585 A JP10341585 A JP 10341585A JP S61261900 A JPS61261900 A JP S61261900A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask rom
test
eprom
integrated circuit
memory
Prior art date
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Pending
Application number
JP60103415A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobunari Morita
森田 展功
Kenji Kanamaru
健次 金丸
Toru Tsutsui
徹 筒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NipponDenso Co Ltd filed Critical NipponDenso Co Ltd
Priority to JP60103415A priority Critical patent/JPS61261900A/en
Publication of JPS61261900A publication Critical patent/JPS61261900A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To execute easily the effective test of an EPROM by providing a mask ROM to store an EPROM and a program for a test in the same chip. CONSTITUTION:An EPROM 11 and a mask ROM 12 are arranged in the same chip, the chip is connected to a micro processor 13, the enable signal is supplied from a terminal 16, the ROM 12 is made active and then, based upon the test program stored at the ROM 12, the EPROM 11 is tested. Consequently, it is not necessary to connect the large-sized tester and the test of the EPROM can be easily executed effectively.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、特にEPROMによって構成される半導体
不揮発性メモリの試験が効果的に実行されるようにする
半導体集積回路装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device that enables effective testing of a semiconductor nonvolatile memory, particularly an EPROM.

[背景技術] 半導体集積回路装置に対して組込み設定されるEPRO
M等による不揮発性メモリの試験を行うには、従来にあ
っては高価な大型テスタによって実行するのが一般的で
ある。このため、このような不揮発性メモリを簡単な手
段によって試験が実行されるようにすることが種々考え
られているもので、例えば特開昭58−53093号公
報に示されるような手段が考えられている。
[Background technology] EPRO installed in a semiconductor integrated circuit device
Conventionally, testing of non-volatile memories using M or the like has generally been carried out using large, expensive testers. For this reason, various methods have been proposed to test such non-volatile memories by simple means, such as the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-53093. ing.

すなわち、ここに示されている手段は、マスクROMの
試験を実行するに際して、その試験プログラムに対応す
るコードを記憶したメモリセルを別途用意するものであ
り、これによってマスクROMの基板の試験を自動化し
て実行されるよにするものである。具体的には、被試験
マスクROMに対して格納された情報内容に対応して定
められたコードを、同じマスクROM構造のメモリセル
に記憶設定させる。そして、テスタ自身が予め用意され
ている試験プログラムを選択して、自動的に試験が実行
されるようにするものである。
In other words, the means shown here is to separately prepare a memory cell that stores a code corresponding to the test program when testing a mask ROM, thereby automating the test of the mask ROM board. This is what you want to do so that it can be executed. Specifically, a code determined corresponding to the information content stored in the mask ROM under test is stored and set in a memory cell having the same mask ROM structure. Then, the tester itself selects a test program prepared in advance, and the test is automatically executed.

またワンチップマイクロコンピュータにあっては、試験
プログラムを格納させたマスクROMを内蔵させるよう
にするものであり、マイクロプロセッサ自身が、上記マ
スクROM内のプログラムを実行するようにしている。
In addition, a one-chip microcomputer has a built-in mask ROM in which a test program is stored, and the microprocessor itself executes the program in the mask ROM.

そして、これによりセルフテストが実行されるようにす
るものである。
This allows the self-test to be executed.

さらに汎用EPROMICにおいて、 EPROMとマスクROMとを一体化させた例として、
シリコンシグネチャがある。これは、EPROMの書込
みに際して、書込み条件等に対応したコードをマスクR
OMに対して記憶設定しておき、書込みに際してPRO
Mライタがそのコードを読み出すようにして、書込み動
作を容易にしているものである。
Furthermore, as an example of integrating EPROM and mask ROM in general-purpose EPROMIC,
It has a silicon signature. This is used to mask the code corresponding to the writing conditions etc. when writing to EPROM.
Make memory settings for OM, and set PRO when writing.
The M writer reads the code to facilitate the write operation.

しかし、これらの手段にあっては、メモリの容量が増大
するような状態となった場合、その容量増大に伴って試
験が複雑化するようになる。
However, with these means, when the capacity of the memory increases, the test becomes more complicated as the capacity increases.

[発明が解決しようとする問題点] この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、外部
に設定され、あるいは内蔵される状態のマイクロプロセ
ッサによって、内Rn9定されたEPROM等による不
揮発性メモリの試験が容易且つ確実に実行され、特にメ
モリ容量が増大するようになっても、これに対して効果
的に対処できるようにした半導体集積回路装置を提供し
ようとするものである。
[Problems to be Solved by the Invention] This invention has been made in view of the above-mentioned points. It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit device in which a memory test can be easily and reliably executed, and in particular can effectively cope with the increase in memory capacity.

[問題点を解決するための手段] すなわち、この発明に係る半導体集積回路装置にあって
は、同一のチップ内にEPROMによる不揮発性メモリ
と、このメモリの試験用のプログラムを格納したマスク
ROMとを形成設定し、マイクロプロセッサによって上
記マスクROMをアクセスし、上記格納された試験用プ
ログラムにしたがって、上記不揮発性メモリの試験が実
行されるようにするものである。
[Means for Solving the Problems] That is, in the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, a nonvolatile memory using an EPROM, a mask ROM storing a test program for this memory, and a mask ROM that stores a program for testing this memory are included in the same chip. The microprocessor accesses the mask ROM and tests the nonvolatile memory in accordance with the stored test program.

[作用] 上記のように構成される半導体集積回路装置にあっては
、マスクROMに対して試験用プログラムが格納設定さ
れているものであるため、マイクロプロセッサによって
マスクROMをアクセスすれば、上記格納設定された試
験用プログラムによって、不揮発性メモリの試験が実行
されるようになる。この場合、マスクROMに対して格
納された試験用プログラムは、不揮発性メモリの容量お
よびビット構成等の種類に対応して設定されるものであ
り、このプログラムはマイクロプロセッサの命令コード
によって格納されるようにしている。
[Operation] In the semiconductor integrated circuit device configured as described above, the test program is stored in the mask ROM, so if the mask ROM is accessed by the microprocessor, the above storage A test of the nonvolatile memory will be executed according to the set test program. In this case, the test program stored in the mask ROM is set according to the capacity and bit configuration of the nonvolatile memory, and this program is stored in accordance with the instruction code of the microprocessor. That's what I do.

このため、不揮発性メモリの内容に対応した、また容量
状態に対応した試験が効果的に実行されるようになるも
のである。
Therefore, tests corresponding to the contents of the nonvolatile memory and corresponding to the capacity state can be effectively executed.

[発明の実施例] 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。[Embodiments of the invention] Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図はその構成を示すもので、この場合汎用EPRO
MICを示している。すなわち、この半導体集積回路に
あっては、EPROMによる不揮発性メモリ11が設定
されているものであり、このメモリ11と同一集積回路
内に設定されるようにしたマスクROM12が形成され
ている。このマスクROM12には、上記不揮発性メモ
リ11の試験用プログラムが格納設定されている。また
、この集積回路に対してはマイクロプロセッサ13が組
合わせ使用されるものであり、このマイクロプロセッサ
13と上記不揮発性メモリ11、およびマスクROM1
2との間には、アドレスバス14およびデータバス15
が設定されている。そして、上記マスクROM12に対
しては、テスト端子16からの例えばイネーブル指令が
与えられるようになっている。
Figure 1 shows its configuration; in this case, a general-purpose EPRO
MIC is shown. That is, in this semiconductor integrated circuit, a nonvolatile memory 11 made of EPROM is set, and a mask ROM 12 is formed which is set in the same integrated circuit as this memory 11. This mask ROM 12 stores and sets a test program for the nonvolatile memory 11. Further, a microprocessor 13 is used in combination with this integrated circuit, and this microprocessor 13, the nonvolatile memory 11, and a mask ROM 1 are used in combination.
2, an address bus 14 and a data bus 15 are connected to
is set. For example, an enable command is given to the mask ROM 12 from a test terminal 16.

すなわち、このように構成される集積回路装置にあって
は、デス1−モード設定に際しては、テスト端子16を
イネーブルの状態に設定する。そして、マイクロプロセ
ッサ13がアドレスバス14およびデータバス15を介
して、マスクROM12をアクセスするものであり、こ
のアクセスによってマスクROM12に格納された試験
用プログラムが読み出され、不揮発性メモリ11の試験
が実行されるようになる。
That is, in the integrated circuit device configured as described above, the test terminal 16 is set to an enabled state when setting the D1-mode. The microprocessor 13 accesses the mask ROM 12 via the address bus 14 and the data bus 15. Through this access, the test program stored in the mask ROM 12 is read out, and the nonvolatile memory 11 is tested. will be executed.

この場合、マスクROM12に対しては、不揮発性メモ
リ11の容量、およびビット構成等に対応した試験プロ
グラムが、マイクロプロセッサ13の命令コードを用い
て格納されている。したがって、上記不揮発性メモリ1
1の試験が、このメモリ11の内容に適合する状態で、
マイクロプロセッサ13の命令に対応して実行されるよ
うになる。
In this case, a test program corresponding to the capacity, bit configuration, etc. of the nonvolatile memory 11 is stored in the mask ROM 12 using the instruction code of the microprocessor 13. Therefore, the non-volatile memory 1
1 matches the contents of this memory 11,
It comes to be executed in response to instructions from the microprocessor 13.

このような試験を実行させる場合、不揮発性メモリ11
とマスクROM12のアドレス空間は別に設定する必要
がある。しかし、これはアドレスバスを追加設定するこ
とによって簡単に実現できる。
When performing such a test, the nonvolatile memory 11
The address space of the mask ROM 12 must be set separately. However, this can be easily achieved by additionally configuring an address bus.

第2図は試験用プログラムを格納設定するマスクROM
12のアドレス空間の構成を示しているもので、この場
合不揮発性メモリ11の容量は64Kbit、ビット構
成は8ビツトとする。すなわち、このROM12の$0
000〜$1 FFFまでが不揮発性メモリ11のアド
レス空間21であり、$2000からがマスクROM1
2のアドレス空間となる。そして、上記アドレス空間2
1に対して、不揮発性メモリ11の試験用プログラムが
格納設定されるようにする。
Figure 2 shows the mask ROM that stores and sets the test program.
This figure shows the configuration of 12 address spaces. In this case, the capacity of the nonvolatile memory 11 is 64 Kbits, and the bit configuration is 8 bits. In other words, $0 of this ROM12
The address space 21 of the nonvolatile memory 11 is from 000 to $1 FFF, and the address space 21 from $2000 is the mask ROM 1.
2 address space. And the above address space 2
1, the test program is set to be stored in the nonvolatile memory 11.

すなわち、このような手段によってメモリ11の試験を
実行するようにすれば、EPROM(特に0TP)を含
む半導体集積回路装置において、そのシステム動作モー
ドから、EPROM試験診断モードに切換えることによ
って、不揮発性メモリ11を構成するEPROMの自己
診断が実行されるものであり、このシステムの信頼性の
向上に大きな効果を発揮するものである。
In other words, if the memory 11 is tested by such means, in a semiconductor integrated circuit device including an EPROM (particularly 0TP), by switching from the system operation mode to the EPROM test diagnosis mode, the non-volatile memory can be tested. A self-diagnosis of the EPROM constituting part 11 is executed, and it is highly effective in improving the reliability of this system.

また、不揮発性メモリ11の内容が紫外線等によって消
去されるようになっても、マスクROM12内の試験用
プログラムは消去されることがなく、不揮発性メモリ1
1の消去後の試験も可能となるものである。
Furthermore, even if the contents of the nonvolatile memory 11 are erased by ultraviolet rays or the like, the test program in the mask ROM 12 will not be erased, and the nonvolatile memory 11 will not be erased.
Testing after erasing step 1 is also possible.

上記実施例では、不揮発性メモリ11およびマスクRO
M12を形成したチップから独立した状態でマイクロプ
ロセッサ13を設定するようにして示した。しかし、マ
イクロプロセッサ13は不揮発性メモリ11およびマス
クROM12と集積一体化し1こ状態で構成されている
ようにしてもよ(71ものであり、このように構成する
ことによってセルフテストh<実行させられるようにな
る。これ&よ、EPROM内蔵の1チツプマイクロコン
ピユータ(こおQ)で、EPROMの試験プログラムを
内蔵させた場合に相当するものとなる。
In the above embodiment, the nonvolatile memory 11 and the mask RO
The microprocessor 13 is shown to be set up independently of the chip that forms M12. However, the microprocessor 13 may be integrated with the nonvolatile memory 11 and the mask ROM 12 and configured in a single state (71). This is equivalent to a 1-chip microcomputer (Ko-Q) with a built-in EPROM and a built-in EPROM test program.

[発明の効果] 以上のようにこの発明に係る半導体集積回路装置にあっ
ては、この集積回路内に設定された不揮発性メモリの容
量、ビット構成等に対応した試験用プログラムが、同一
チップ内に設定されたマスクROMに対して格納設定さ
れているものであり、したがってマイクロプロセッサ等
からの指令によって、上記不揮発性メモリの試験が効果
的に実行されるようになるものである。この場合、上記
マスクROMに対して格納された試験用プログラムは、
被試験対象である不揮発性メモリの構成内容に対応する
状態に設定されているものであるため、例えば不揮発性
メモリの容量が増大されたような場合であっても、簡単
にその試験が実行できるものである。
[Effects of the Invention] As described above, in the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, a test program corresponding to the capacity, bit configuration, etc. of the nonvolatile memory set in the integrated circuit can be stored in the same chip. The non-volatile memory is stored and set in a mask ROM set to 1, so that the test of the non-volatile memory can be effectively executed by commands from a microprocessor or the like. In this case, the test program stored in the mask ROM is
Since the state is set to correspond to the configuration of the non-volatile memory being tested, the test can be easily performed even if the capacity of the non-volatile memory has been increased, for example. It is something.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例に係る半導体集積回路装置
を説明する構成図、第2図は上記実施例に使用されるマ
スクROMのアドレス空間の構成を示す図である。 11・・・不揮発性メモリ(EPROM) 、12・・
・マスクROM、13・・・マイクロプロセッサ、14
・・・アドレスバス、15・・・データバス、16・・
・テスト端子、21・・・EPROMアドレス空間、2
2・・・マスクROMアドレス空間。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the structure of an address space of a mask ROM used in the above embodiment. 11...Nonvolatile memory (EPROM), 12...
・Mask ROM, 13...Microprocessor, 14
...Address bus, 15...Data bus, 16...
・Test terminal, 21... EPROM address space, 2
2...Mask ROM address space.

Claims (1)

【特許請求の範囲】  半導体不揮発性メモリと、 上記不揮発性メモリと共に同一の半導体チップに形成さ
れ、上記メモリの試験用のプログラムを格納したマスク
ROMと、 上記マスクROMをアクセスし、このROMに格納され
た試験用プログラムによつて上記不揮発性メモリの試験
を実行させる手段とを具備し、上記マスクROMには、
上記不揮発性メモリのアドレス空間が特定設定されるよ
うにしたことを特徴とする半導体集積回路装置。
[Scope of Claims] A semiconductor non-volatile memory; a mask ROM formed on the same semiconductor chip with the non-volatile memory and storing a program for testing the memory; and a mask ROM that is accessed and stored in the ROM. means for executing a test of the non-volatile memory by a test program written in the mask ROM, and the mask ROM includes:
A semiconductor integrated circuit device characterized in that an address space of the nonvolatile memory is set in a specific manner.
JP60103415A 1985-05-15 1985-05-15 Semiconductor integrated circuit device Pending JPS61261900A (en)

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JPS61261900A true JPS61261900A (en) 1986-11-19

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0276396U (en) * 1988-11-25 1990-06-12
JP2007164839A (en) * 2005-12-09 2007-06-28 Toshiba Corp Nonvolatile semiconductor memory device and its self-test method

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