JPS61259523A - 現像方法及びこれに使用する現像装置 - Google Patents
現像方法及びこれに使用する現像装置Info
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- JPS61259523A JPS61259523A JP10104285A JP10104285A JPS61259523A JP S61259523 A JPS61259523 A JP S61259523A JP 10104285 A JP10104285 A JP 10104285A JP 10104285 A JP10104285 A JP 10104285A JP S61259523 A JPS61259523 A JP S61259523A
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、現像方法及び現像装置に関する。例えば、本
発明は半導体製作工程のフォトリソグラフィ工程におけ
るフォトレジストの現像方法及び現像装置などに用いる
ことができる。
発明は半導体製作工程のフォトリソグラフィ工程におけ
るフォトレジストの現像方法及び現像装置などに用いる
ことができる。
この発明は被現像体の現像工程における現像方法及びそ
の装置において、現像液に破泡剤を添加することにより
、現像液中に生じ得る気泡を消失させ、気泡による現像
残りを防止することができるようにしたものである。
の装置において、現像液に破泡剤を添加することにより
、現像液中に生じ得る気泡を消失させ、気泡による現像
残りを防止することができるようにしたものである。
現在、種々の現像方法が行われているが、例えばフォト
レジストの現像においては静止現像法が主流である。静
止現像法は一般に、現像液をその表面張力を利用して被
現像面上に載せ（現像液が面上に盛られた如き状態にな
るのでこれを「液盛り」と称している）、被現像体を静
止させたままで現像を行うもので、物理的な力（例えば
スプレーの圧力など）に影響され易いＵＶポジレジスト
などの現像に適している。
レジストの現像においては静止現像法が主流である。静
止現像法は一般に、現像液をその表面張力を利用して被
現像面上に載せ（現像液が面上に盛られた如き状態にな
るのでこれを「液盛り」と称している）、被現像体を静
止させたままで現像を行うもので、物理的な力（例えば
スプレーの圧力など）に影響され易いＵＶポジレジスト
などの現像に適している。
しかし、この静止現像法では、現像液をウェハー上に盛
る際に気泡が発生し易い。この発生した気泡はその下の
現像液供給を不充分にし、現像残り、つまり現像液が供
給されないことによりできる非現像部分を生じさせるた
め、現像に対する信頼性が低下するという問題がある。
る際に気泡が発生し易い。この発生した気泡はその下の
現像液供給を不充分にし、現像残り、つまり現像液が供
給されないことによりできる非現像部分を生じさせるた
め、現像に対する信頼性が低下するという問題がある。
又最近はウェハーの大口径化が進んでいるが、この場合
現像均一性を良くするためウェハー上での現像液の広が
りスピードを上げる必要がある。
現像均一性を良くするためウェハー上での現像液の広が
りスピードを上げる必要がある。
さらに近年、高解像度をねらってレジストが低分子量化
しているため、レジスＩ・が現像液に溶は易くなってお
り、このためにもウェハー」二に素早く現像液を供給す
る必要がある。
しているため、レジスＩ・が現像液に溶は易くなってお
り、このためにもウェハー」二に素早く現像液を供給す
る必要がある。
以上のことから、現像液の供給は、ノズルで広げる方法
や、ノズル自体を動かす液盛り方法や、現像液をシャワ
ーノズルによって供給する方法を用いている。
や、ノズル自体を動かす液盛り方法や、現像液をシャワ
ーノズルによって供給する方法を用いている。
しかし、このように現像液をノズルで広げたり、ノズル
を動かず液盛りや、現像液をシャワーノズルでウェハー
全面に供給する方法をとると、さらに気泡が発生し易く
なってしまうという問題がある。
を動かず液盛りや、現像液をシャワーノズルでウェハー
全面に供給する方法をとると、さらに気泡が発生し易く
なってしまうという問題がある。
このため現像残りの防止は一層重要な課題となっている
。
。
上記フォトレジストの現像残りの問題は、一般の現像に
おいても同様であり、気泡を原因とする現像残りを防止
する現像方法及び現像装置が強く要望されている。
おいても同様であり、気泡を原因とする現像残りを防止
する現像方法及び現像装置が強く要望されている。
本発明の目的は現像工程において、現像液中に発生し得
る気泡を消失させることにより、現像残りの生じない信
頼性の高い現像方法及びこれを用いた現像装置を提供す
ることにある。
る気泡を消失させることにより、現像残りの生じない信
頼性の高い現像方法及びこれを用いた現像装置を提供す
ることにある。
本発明の現像方法は、被現像体の現像工程において、現
像液に、該現像液中に生し得る気泡を消失させる破泡剤
を添加する。
像液に、該現像液中に生し得る気泡を消失させる破泡剤
を添加する。
本発明の現像装置は、被現像体の現像に用いる現像装置
において、現像液とは界面張力が異なり、現像液中に生
じ得る気泡を消失させる破泡剤を現像液に添加する手段
を備える構成とする。
において、現像液とは界面張力が異なり、現像液中に生
じ得る気泡を消失させる破泡剤を現像液に添加する手段
を備える構成とする。
本発明の現像方法及びその装置は、上記のように現像液
に破泡剤つまり液体中の気泡を消失させる物質を添加す
る方法を採用し、破泡剤の添加手段を備える構成を採る
ことにより、現像液中に生じ得る気泡を消失せしめ、気
泡を原因とする現像残りを防止することができるため、
信頼性の高い現像を行うことが可能となる。
に破泡剤つまり液体中の気泡を消失させる物質を添加す
る方法を採用し、破泡剤の添加手段を備える構成を採る
ことにより、現像液中に生じ得る気泡を消失せしめ、気
泡を原因とする現像残りを防止することができるため、
信頼性の高い現像を行うことが可能となる。
以下、本発明の一実施例を第１図に従って説明する。こ
の実施例は、本発明をフォトレジストの現像装置に適用
したものである。
の実施例は、本発明をフォトレジストの現像装置に適用
したものである。
この装置は半導体製作工程中のフォトリソグラフィ工程
において使用されるもので、第１図に示すような構造を
もつ。以下これを説明する。
において使用されるもので、第１図に示すような構造を
もつ。以下これを説明する。
第１図に示すように、被現像体であるウェハー４をブリ
ウェットした後、ウェハー４上に現像液ノズル１で現像
液５を供給する。現像液の供給方法は、現像液５を現像
液ノズル１によって滴下するなどの液盛り方法や、例え
ばシャワーノズルなどでウェハー全面に現像液５１をか
ける方法などがある。しかしこれらの現像液５の供給の
際には、現像液５中に気泡が生じ得ることがあり、これ
を消失させるため、破泡剤８を現像液に添加する。
ウェットした後、ウェハー４上に現像液ノズル１で現像
液５を供給する。現像液の供給方法は、現像液５を現像
液ノズル１によって滴下するなどの液盛り方法や、例え
ばシャワーノズルなどでウェハー全面に現像液５１をか
ける方法などがある。しかしこれらの現像液５の供給の
際には、現像液５中に気泡が生じ得ることがあり、これ
を消失させるため、破泡剤８を現像液に添加する。
前述したように、現像残りの原因となる現像液中の気泡
を消失させることにより、現像の信頼性を上げることが
できる。このため破泡剤８を現像液５に添加する方法を
用いて気泡の消失を行うわけであるが、破泡剤８として
はヘーパライズ（Ｖａ−ｐｏｒｉｚｅ） シやすく、か
つレジスト現像液５に悪影響を与えない、低沸点のハイ
ドロカーボン（Ｉｌｙ−ｄｒｏｃａｒｂｏｎ）系の有機
溶剤や、その他エーテルやアミルアルコール等を使用す
ることができる。本実施例ではエーテルを使用した。な
お低級アルコールを用いる場合は、レジストを溶解する
危険性があるので注意を要する。これらの破泡剤８が現
像液５中の気泡を消す理由は、界面張力の大きく異なる
材料を混合したり、接触させたりすると、局部的に界面
張力が異なるため、気泡が破裂することに基づくものと
推測される。ちなみに現像液の表面張力は５０〜７５ｄ
ｙｎｅ／ ｃｉ、エーテルは１７ｄｙｎｅ／ｃＴａ、一
般有機剤は２０〜３０ｄｙｎｅ／ ｃｎ！である。
を消失させることにより、現像の信頼性を上げることが
できる。このため破泡剤８を現像液５に添加する方法を
用いて気泡の消失を行うわけであるが、破泡剤８として
はヘーパライズ（Ｖａ−ｐｏｒｉｚｅ） シやすく、か
つレジスト現像液５に悪影響を与えない、低沸点のハイ
ドロカーボン（Ｉｌｙ−ｄｒｏｃａｒｂｏｎ）系の有機
溶剤や、その他エーテルやアミルアルコール等を使用す
ることができる。本実施例ではエーテルを使用した。な
お低級アルコールを用いる場合は、レジストを溶解する
危険性があるので注意を要する。これらの破泡剤８が現
像液５中の気泡を消す理由は、界面張力の大きく異なる
材料を混合したり、接触させたりすると、局部的に界面
張力が異なるため、気泡が破裂することに基づくものと
推測される。ちなみに現像液の表面張力は５０〜７５ｄ
ｙｎｅ／ ｃｉ、エーテルは１７ｄｙｎｅ／ｃＴａ、一
般有機剤は２０〜３０ｄｙｎｅ／ ｃｎ！である。
なお破泡剤８の種類は以上記述のものに限定されるもの
ではない。
ではない。
破泡剤８の添加手段としては、レジストへの影響をでき
るだけ少なくして破泡を行うため、本実施例では破泡剤
８をヘーパライズして内部を該破泡剤の蒸気雰囲気で満
たす装置を用いた。第１図で示すように、エーテルＣ２
Ｈｓ ＯＣ２Ｈ５（又はアミルアルコール等）の入った
タンク７にパイプＡから不活性なガス、例えばＮ２を注
入し、反対側のパイプＢからエーテルの蒸気を取り出す
。弁３を開くことにより、エーテルの蒸気が破泡剤ノズ
ル２からウェハー４上の現像液５に流れ出し、界面張力
の大きく異なる物質の接触により気泡が消失する。この
場合、流れ出したエーテル蒸気が拡散しないように、ウ
ェハー４の周囲を現像カップ６でカバーし、エーテル蒸
気の雰囲気で満たすようにすると、破泡が効率良く行わ
れ、エーテル蒸気も無駄にならない。
るだけ少なくして破泡を行うため、本実施例では破泡剤
８をヘーパライズして内部を該破泡剤の蒸気雰囲気で満
たす装置を用いた。第１図で示すように、エーテルＣ２
Ｈｓ ＯＣ２Ｈ５（又はアミルアルコール等）の入った
タンク７にパイプＡから不活性なガス、例えばＮ２を注
入し、反対側のパイプＢからエーテルの蒸気を取り出す
。弁３を開くことにより、エーテルの蒸気が破泡剤ノズ
ル２からウェハー４上の現像液５に流れ出し、界面張力
の大きく異なる物質の接触により気泡が消失する。この
場合、流れ出したエーテル蒸気が拡散しないように、ウ
ェハー４の周囲を現像カップ６でカバーし、エーテル蒸
気の雰囲気で満たすようにすると、破泡が効率良く行わ
れ、エーテル蒸気も無駄にならない。
以上のような破泡剤８の添加手段以外にも、ウェハー４
上の現像液５に破泡剤８を直接吹きっけたり又は滴下す
るノズル又はスプレーを設けて添加するようにしてもよ
い。
上の現像液５に破泡剤８を直接吹きっけたり又は滴下す
るノズル又はスプレーを設けて添加するようにしてもよ
い。
このように本実施例の現像方法及び現像装置を用いるこ
とにより、レジストに影響を与えることなく、レジスト
現像液中に発生し得る現像残りの原因となる気泡を効率
良く消失させ、フォトレジストの現像の信頼性を向上さ
せることが可能となった。
とにより、レジストに影響を与えることなく、レジスト
現像液中に発生し得る現像残りの原因となる気泡を効率
良く消失させ、フォトレジストの現像の信頼性を向上さ
せることが可能となった。
なお当然のことではあるが、本発明は以上の実施例にの
み限定されるものではない。
み限定されるものではない。
上述の如く、本発明の現像方法及び現像装置を用いるこ
とにより、現像液中に発生し得る気泡を容易に消失させ
ることができるため、気泡を原因とした現像残りを防止
できた。このため信頼性の高い現像が可能となる。
とにより、現像液中に発生し得る気泡を容易に消失させ
ることができるため、気泡を原因とした現像残りを防止
できた。このため信頼性の高い現像が可能となる。
第１図は、本発明の現像装置の一実施例を示す構成図で
ある。 ■・・・現像液ノズル、２・・・破泡剤ノズル、４・・
・被現像体（ウェハー）、５・・・現像液、６・・・現
像カップ、８・・・破泡剤。 特許出願人 ソニー株式会社 ゛ 代理人 弁理士 高 月 亨−１２１′
ある。 ■・・・現像液ノズル、２・・・破泡剤ノズル、４・・
・被現像体（ウェハー）、５・・・現像液、６・・・現
像カップ、８・・・破泡剤。 特許出願人 ソニー株式会社 ゛ 代理人 弁理士 高 月 亨−１２１′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被現像体の現像工程において、 現像液に、該現像液中に生じ得る気泡を消 失させる破泡剤を添加することを特徴とする現像方法。 ２、被現像体の現像に用いる現像装置において、現像液
とは界面張力が異なり、現像液中に 生じ得る気泡を消失させる破泡剤を現像液に添加する手
段を備えたことを特徴とする現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10104285A JPS61259523A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 現像方法及びこれに使用する現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10104285A JPS61259523A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 現像方法及びこれに使用する現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61259523A true JPS61259523A (ja) | 1986-11-17 |
Family
ID=14290086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10104285A Pending JPS61259523A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 現像方法及びこれに使用する現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61259523A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6033475A (en) * | 1994-12-27 | 2000-03-07 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus |
| US6956233B2 (en) | 2002-08-26 | 2005-10-18 | Sin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Plated substrate for hard disk medium |
| US7238384B2 (en) | 2002-08-26 | 2007-07-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Substrate for perpendicular magnetic recording hard disk medium and method for producing the same |
| JP2009162734A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 自動分析装置 |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP10104285A patent/JPS61259523A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6033475A (en) * | 1994-12-27 | 2000-03-07 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus |
| US6956233B2 (en) | 2002-08-26 | 2005-10-18 | Sin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Plated substrate for hard disk medium |
| US7238384B2 (en) | 2002-08-26 | 2007-07-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Substrate for perpendicular magnetic recording hard disk medium and method for producing the same |
| JP2009162734A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 自動分析装置 |
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