JPS6125307A - 増幅回路 - Google Patents

増幅回路

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Publication number
JPS6125307A
JPS6125307A JP14556184A JP14556184A JPS6125307A JP S6125307 A JPS6125307 A JP S6125307A JP 14556184 A JP14556184 A JP 14556184A JP 14556184 A JP14556184 A JP 14556184A JP S6125307 A JPS6125307 A JP S6125307A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
transistor
voltage
base
emitter
Prior art date
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Pending
Application number
JP14556184A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Maruta
丸田 勝
Mamoru Hizawa
日沢 衛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP14556184A priority Critical patent/JPS6125307A/ja
Publication of JPS6125307A publication Critical patent/JPS6125307A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【発明の属する技術分野】
この発明はトランジスタを複数個接続して高利得を得る
増幅回路に関する。
【従来技術とその問題点】
この種の増幅回路として、従来第1図に示すようなダー
リントン回路が知られている。この回路は、2つのトラ
ンジスタ1および2のコレクタを共通接続し、トランジ
スタ1のエミッタをトランジスタ2のベースに接続する
ことによって、端子3.4.5をそれぞれコレクタ、ベ
ース、エミッタとする1つの合成NPN  )ランジス
タを構成していて、トランジスタi2の電流増幅率をそ
れぞれIIFEl、 h FE! とすると、該合成ト
ランジスタの電流増幅率A c +は Ac+= htezchyl:+  + 1 ) + 
hrit#11.。・hrt+  ・・・m・・・・,
(1)となり、もし、hrt+  ” hreZ ””
 hFE  が成り立てば、  A c+ #h re
” ”’−’−”−””””−’−”−・・−m−−・
−(2)となる。 ところが、この回路においてはトランジスタ1のベース
・エミッタとトランジスタ2のベース・エミッタが直列
になっているので、端子4.5間の電位差はトランジス
タのベース・エミッタ間順方向電圧降下2個(■。1 
+v11!2)となり、回、路を低電圧で動作させよう
とする時は、その最低値が前記ベース・エミッタ間順方
向電圧降下2個分に制限されると云う欠点があった。 特に、この回路を第2図に示すような電圧レギュレータ
に使用した場合には大きな不都合が生ずる。このレギユ
レータは、トランジスタ1.2をパストランジスタとし
て用い、負荷101の印加電圧を分圧回路102により
とり出し、これを基準電圧103と、誤差増幅器104
にて比較し、その出力により上記トランジスタを制御す
ることによって負Wi102に一定のレギュレート電圧
を供給するものである。ここで端子5に現れるレギュレ
ート電圧V、と端子3に入力される入力電圧V、との電
位差は1回路のパイ吸ス電流を供給している抵抗素子6
の両端の電圧降下をV、とすると、V+ ・Vt ・V
mt+ + Vsvx + Va・・(3)となり、該
電圧レギュレータの入出力差(v+−Vo)は、■、を
非常に小さくしたとしてもヘース・エミッタ間順方向電
圧降下2個分(■□、+y□υ以下にはならない、この
ことは、トランジスタ2における電力損失を小さくでき
ないと云うことと、特定のレギュレート電圧■。に対し
て入力電圧V。 の最低値を低くできないと云うことを意味している。
【発明の目的] この発明は、以下の欠点を除去するためになされたものであり、低電圧で動作する回路を構成でき、特に電圧レギュレータにおいて高利得を保持しつつ、入出力差を最低にできる回路を提供することを目的とする。 【発明の要点】
この発明は、入力段トランジスタと出力段トランジスタ
に加えてさらに出力電流を制御できる電流源を用いる。 そして入力段トランジスタのコレクタ電流とある関係を
もつ電流を前記電流源において発生させ、これを出力段
トランジスタのベースに供給する。
【発明の実施例】
第3図はこの発明の実施例を示すもので電流源を2つの
エミッタ面積が等しいPNP  トランジスタ7.8に
よるカレントミラーで構成し、トランジスタのコレクタ
に入力段トランジスタであるPNPトランジスタ9のコ
レクタを接続し、該トランジスタ8のコレクタに出力段
トランジスタであるPNP トランジスタ10のベース
を接続し、トランジスタ7.8のエミッタとトランジス
タlOのコレクタを接続し、トランジスタ9のエミッタ
とトランジスタ10のエミッタを接続することによって
、トランジスタ10のコレクタ端子11ならびにエミッ
タ端子13がそれぞれ出力端子を、そしてトランジスタ
9のベース端子12が入力端子を構成するようにしてい
る。 このような構成において、トランジスタ9.10の電流
増幅率をh rt*+ h FE+。とじ、端子11に
流入する電流を■6、端子12に流入する電流をI、と
し、電流増幅率Ac2−1 c / I mを求めると
、トランジスタ7と8で構成するカレントミラーの電流
比はほぼ1:1であるから、 I富 ” l’Diq(hyz+*+2)崎h□、・h、え、
。−・−(4)となる、よって、電流増幅率は従来のダ
ーリントン回路の増幅率であるl (2)式のACIと
同一となる。 次に、トランジスタが飽和領域に入つた時のトランジス
タ10の飽和電圧VCE□。は、トランジスタ10のベ
ース・エミッタ間順方向電圧をVSX+1トランジスタ
8の飽和電圧を■、。、とすれば、V C!! 10 
= V me+ o + V ctss  ・=・・(
6)となる、一方■。□。は、トランジスタ7のベース
・エミッタ間順方向電圧をVszv、)ランジスタ9の
飽和電圧をvcxsqとすれば、Vctsvo ・Vm
tq + Vctsv  ・・・(7)とも表せるから
、実際のV C! II @は6式と7式のどちらか高
い方の値になる。従って、トランジスタ10の飽和電圧
は従来のダーリントン回路の飽和電圧とほぼ同等となる
。 この合成トランジスタを駆動させるためのベースバイア
ス電圧は、トランジスタ9のベース・エミッタ間順方向
電圧降下VIE9そのものであるから、ダーリントン回
路に比ベベース・エミッタ問順方向電圧降下1個分だけ
低くできる。よって、本発明の増幅回路を用いると、従
来のダーリントン回路を用いた場合に比べ、動作電圧と
してベース・エミッタ間順方向電圧降下1個分低い電圧
を使用できるので、低電圧動作型回路に適する。しかも
、その場合電流増幅率および飽和電圧は従来のダーリン
トン回路と同様である。 第4図は、第3図の回路を電圧レギュレータの出力を供
給するパストランジスタとして使用した場合の応用例で
ある。第4図において端子13に現われるレギュレート
電圧■。と端子11に入力される入力電圧■1との電位
差は、回路のバイアス電流を供給している抵抗素子14
の両端の電圧降下を■1、トランジスタ9のベース・エ
ミッタ間順方向電圧降下を■1.とすれば、 V + ・V o ・V saw + V Ia ・・
・(8)となり、■、を小さくしていけば、該電圧レギ
ュレータの入出力差(V、−V。)を6式あるいは7式
で示すような(ベース・エミッタ間順方向電圧降下+飽
和電圧)の程度まで下げることができる。 これを従来のダーリントン回路を使用した第2図に示す
電圧レギュレータと比較した場合、3式と8式より明ら
かなように、入出力差(v+−V*)をベース・エミッ
タ間順方向電圧降下1個分小さくすることができる。そ
れにより電圧レギュレータの入出力差による電力損失を
低減でき、特定のレギュレート電圧v0に対して入力電
圧■、の最低値を低くできる電圧レギュレータを構成で
きる。 第5図はこの発明の別の実施例を示すもので、第3図の
ものと相異する点は電流源を構成するエミッタ面積の等
しいPNP  )ランジスタフと8をエミツタ面積比が
1:nであるPNP  )ランジスタ15と16に置き
換えた点で、これにより、もしhrt* ” hFl!
l1l−hrt  が成り立っていれば、この回路の電
流増幅率Ac5−It/IsはAc3− hyt (n
 hyl+n + 1) # n hrz” −”−(
9)となり、第2図のものの電流増幅率A−の約0倍に
することができる。 第6図はこの発明のさらに他の実施例を示すもので、第
3図のものと相異する点は電流源を構成するエミッタ面
積の等しいPNP  )ランジスタフと8のエミッタに
直列にそれぞれ抵抗17と18を接続した点で、トラン
ジスタ7と8のコレクタ電流をそれぞれIct+Ice
とし、抵抗17と18の抵抗値をR+?+L、とすれば
、周知の通り次式が成り立つ。 Ic、R+s  R+alcy   Ic+(■、:サ
ーマルボルテージ) よって、第5図と第6図を比較すると明らかなように(
10)式の■、。/Icqは(9)式におけるnに相当
し、I c a / I c q = n・・・・・(
11)と表現できるから、この場合の電流増幅率AC4
−夏、/■、はA(3と等しくなる。 A 、 、 z A 、、  ・・・・・・・・・・・
・(12)従って、第6図の回路を用いれば、第3図の
電流増幅率Ac1に対してエミッタ面積をn倍にするこ
となく、2つの抵抗を接続しただけで電流増幅率A(4
をn倍にすることができる。第7図の実施例は第3図の
それと、電流源を構成するエミッタ面積の等しいPNP
  トランジスタ7.8をPNP  トランジスタ19
に置き換えた点で相異する。 PNP )ランジスタ1
9の電流増幅率をhyc+*とし、hrt9”hFE+
。−hF!  が成り立っているとすれば、第7図の回
路の電流増幅率Ac5= I c / I mは   
Aca #h yz+9 ・ h FE”  ・・・(
13)となり、第2図の回路の電流増幅率Actのhr
z+w倍と言う高利得にすることができる。 第8図は、第7図とPNP  )ランジスタ19のベー
ス・エミッタ間に並列に抵抗20を接続した点で異なり
、抵抗20の値をRi・、トランジスタ19のベース・
エミッタ間順方向電圧降下をV、口9とし、hF!?”
hFE+。−h□が成り立っているとすれば、この回路
の電流増幅率Ach−1c/Imは・・・(14) となり、第2図の回路の電流増幅率ACXのh  yt
   I  mv ° Rx。 できる、しかも、第7図の回路の電流増幅率が高過ぎて
使用しにくいような応用においては、抵抗20を接続す
ることによって(14)式に示すように適当に電流増幅
率を下げて使うことができるという利点がある。 以上の第5図〜第8図の実施例におけるトランジスタl
Oの飽和電圧V C! X目は、第6図のものを除き、
回路図から明らかなように第3図のものとまったく同等
である。第6図のものは、第3図のものより抵抗1日の
両端のわずかな電圧降下分V。 たけ大きくなる。次に、端子12と13の間にかかる動
作電圧は■、、であるから、第3図のものとまった(同
等である。 【発明の効果] この発明によれば入力段トランジスタおよび出力段トラ
ンジスタに加えて電流源を用意し、入力段トランジスタ
のコレクタ電流とある関係をもつ電流を前記電流源にて
生じさせてこれを出力段トランジスタのベースに供給す
るようににしたので、その電流利得をダーリントン回路
とほぼ同等あるいはそれ以上とし、かつその動作電圧を
低く抑えることができる。この低電圧で動作する回路を
構成でき、特に電圧レギュレータにおいて高利得を保持
しつつその入出力差を最低にできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のダーリントン回路の回路図、第2図は従
来の回路を用いた電圧レギュレータの回路図、第3図は
この発明の一実施例の回路図、第4図は第3図の回路を
用いた電圧レギュレータの回路図、第5図ないし第8図
はこの発明のそれぞれ異なる実施例の回路図である。 ?、8.9,10,15,16,19: トランジスタ
、ll:コレクタ端子、12ベース端子、13エミフタ
端子、14,16.17゜18.20 :抵抗。 第2図 第3図 第4図 第5図 第7wJ 第6図 鵠8図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)入力段トランジスタと、出力段トランジスタと、電
    流源とを備え前記入力段トランジスタのエミッタと前記
    出力段トランジスタのエミッタとは相互に接続されてお
    り、前記入力段トランジスタのベースは入力端子を、前
    記出力段トランジスタのコレクタおよびエミッタはそれ
    ぞれ出力端子を構成し、前記電流源は入力段トランジス
    タのコレクタ電流とある関係をもつ電流を出力段トラン
    ジスタのベースに供給することを特徴とする増幅回路。
JP14556184A 1984-07-13 1984-07-13 増幅回路 Pending JPS6125307A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14556184A JPS6125307A (ja) 1984-07-13 1984-07-13 増幅回路

Applications Claiming Priority (1)

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JP14556184A JPS6125307A (ja) 1984-07-13 1984-07-13 増幅回路

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Publication Number Publication Date
JPS6125307A true JPS6125307A (ja) 1986-02-04

Family

ID=15387987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14556184A Pending JPS6125307A (ja) 1984-07-13 1984-07-13 増幅回路

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JP (1) JPS6125307A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2609213A1 (fr) * 1986-12-30 1988-07-01 Sgs Microelettronica Spa Transistor de puissance presentant une meilleure resistance a un claquage secondaire direct
US4879520A (en) * 1988-10-27 1989-11-07 Harris Corporation High accuracy current source and high accuracy transconductance stage

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2609213A1 (fr) * 1986-12-30 1988-07-01 Sgs Microelettronica Spa Transistor de puissance presentant une meilleure resistance a un claquage secondaire direct
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