JPS6125128A - Liquid crystal element - Google Patents
Liquid crystal elementInfo
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- JPS6125128A JPS6125128A JP14649884A JP14649884A JPS6125128A JP S6125128 A JPS6125128 A JP S6125128A JP 14649884 A JP14649884 A JP 14649884A JP 14649884 A JP14649884 A JP 14649884A JP S6125128 A JPS6125128 A JP S6125128A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示素子や液晶−光シャッタ等で用いる
液晶素子に関し、更に詳しくは液畢分子の初期配向状態
を改善することにより、表示ならびに駆動特性を改善し
た液晶素子に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a liquid crystal device used in a liquid crystal display device, a liquid crystal light shutter, etc., and more specifically, a liquid crystal device with improved display and driving characteristics by improving the initial orientation state of liquid molecules. It is related to the element.
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。Conventionally, liquid crystal display elements display images or information by configuring a scanning electrode group and a signal electrode group in a matrix, and filling a liquid crystal compound between the electrodes to form a large number of pixels.
well known.
この表示素子の駆動法としては、走査電極群に順次周期
的にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定の
情報信号をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加
する時分割駆動が採用されているが、この表示素子及び
その駆動法には以下に述べる如き致命的とも言える大き
な欠点がある。The driving method for this display element is time-division driving, in which an address signal is selectively and periodically applied to a group of scanning electrodes, and a predetermined information signal is selectively applied in parallel to a group of signal electrodes in synchronization with the address signal. However, this display element and its driving method have major and fatal drawbacks as described below.
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから1表示素子として
実用に供されているのは殆んどが1例えば
M、S c had tとW、He1frich 著
”APpliedPhysics Letters”
Vo、 18、No、 4 (1971゜2.15)、
P127〜128の”Voltage−Depende
ntOptical Activity of a
TwistedNematic Liquid Cry
stal”に示されたTN(twisted nema
tic)型の液晶を用いたものであり、この型の液晶は
、無電界状態で正の誘電異方性をもつネマチック液晶の
分子が液晶層厚方向で れた構造(へりカル構造)を形
成し、両電極面でこの液晶の分子が平行に配列した構造
を形成している。一方、電界印加状態では、正の誘電異
方性をもつネマチック液晶が電界方向に配列し、この結
果光学変調を起すこができる。この型の液晶を用いてマ
トリクス電極構造によって表示素子を構成した場合、走
査電極と信号電極が共に選択される領域(選択点)には
、液晶分子を電極面に垂直に配列させるに要する閾値以
上の電圧が印加され、走査電極と信号電極が共に選択さ
れない領域(非選択点)には電圧は印加されず、従って
液晶分子は電極面に対して並行な安定配列を保っている
。このような液晶セルの上下に互いにクロスニコル関係
にある直線偏光子を配置することにより、選択点では光
が透過せず、非選択点では光が透過するため、画像素子
とすることが可能となる。然し乍ら、マトリクス電極構
造を構成した場合には、走査電極が選択され、信号電極
が選択されない領域、或いは走査電極が選択されず、信
号電極が選択される領域(所謂“半選択点パ)にも有限
に電界がかかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選
択点にかかる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界
に垂直に配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電
圧値に設定されるならば、表示素子は正常に動作するわ
けであるが、走査線数(N)を増やして行った場合1画
面全体(lフレーム)を走査する間に一つの選択点に有
効な電界がかかっている時間(duty比)がl/Nの
割合で減少してしまう、このために、くり返し走査を行
った場合の選択点と非選択点にかかる実効値としての電
圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果
的には画像コントラストの低下やクロストークが避は難
い欠点となっている。このような現象は、双安定性を有
さない液晶(電、極面に対し、液晶分子が水平に配向し
ているのが安定状態であり、電界が有効に印加さている
間のみ垂直に配向する)を時間的蓄積効果を利用して駆
動する(即ち、繰り返し走査する)ときに生ずる木質的
には避は難い問題点である。この点を改良するために、
電圧平均化法、2周波駆動法や、多重マトリクス法等が
既に提案されているが、いずれの方法でも不充分であり
、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数が充分に
増やせないことによって頭打ちになっているのが現状で
ある。That is, it is difficult to increase the pixel density or enlarge the screen. Among conventional liquid crystals, most of them have relatively high response speed and low power consumption, so most of them are in practical use as single display elements. APpliedPhysics Letters”
Vo, 18, No. 4 (1971°2.15),
“Voltage-Depende” on P127-128
ntOptical Activity of a
TwistedNematic Liquid Cry
TN (twisted nema) shown in "stal"
This type of liquid crystal forms a structure (helical structure) in which nematic liquid crystal molecules with positive dielectric anisotropy are arranged in the thickness direction of the liquid crystal layer in the absence of an electric field. However, a structure is formed in which the liquid crystal molecules are arranged in parallel on both electrode surfaces. On the other hand, when an electric field is applied, nematic liquid crystals with positive dielectric anisotropy are aligned in the direction of the electric field, resulting in optical modulation. When a display element is constructed with a matrix electrode structure using this type of liquid crystal, the area where both the scanning electrode and the signal electrode are selected (selected point) has a threshold value greater than or equal to the threshold required to align the liquid crystal molecules perpendicular to the electrode surface. A voltage is applied to the region where neither the scanning electrode nor the signal electrode is selected (unselected point), and therefore the liquid crystal molecules maintain a stable alignment parallel to the electrode plane. By arranging linear polarizers above and below a liquid crystal cell in a cross-Nicol relationship with each other, light does not pass through selected points, but light passes through non-selected points, making it possible to use it as an image element. Become. However, when a matrix electrode structure is configured, there may be a region where the scanning electrode is selected and the signal electrode is not selected, or a region where the scanning electrode is not selected and the signal electrode is selected (a so-called "half-selected point path"). A finite electric field is applied.The difference between the voltage applied to the selected point and the voltage applied to the half-selected point is sufficiently large, and the voltage threshold required to align the liquid crystal molecules perpendicular to the electric field is set to an intermediate voltage value. If this is the case, the display element will operate normally, but if the number of scanning lines (N) is increased, an effective electric field will be generated at one selected point while scanning the entire screen (1 frame). The time taken (duty ratio) decreases at the rate of l/N.For this reason, when repeated scanning is performed, the effective voltage difference between selected points and non-selected points increases as the number of scanning lines increases. The larger the number, the smaller it becomes, and as a result, a decrease in image contrast and crosstalk become unavoidable drawbacks.Such phenomena are caused by liquid crystals that do not have bistability (electrolyte, polar surface , the stable state is when the liquid crystal molecules are aligned horizontally, and they are aligned vertically only while an electric field is effectively applied) is driven using the temporal accumulation effect (i.e., repeatedly scanned). This is an unavoidable problem in terms of wood quality.In order to improve this point,
Voltage averaging methods, dual-frequency driving methods, multiple matrix methods, etc. have already been proposed, but all of them are insufficient. The current situation is that it has reached a plateau because it cannot be increased.
一方、プリンタ分野を眺めて見るに 電気信号を入力と
してハードコピーを得る手段として、画素密度の点から
もスピードの点からも電気画像信号を光の形で電子写真
感光体に与えるレーザービームプリンタ(LBP)が現
在量も優れている。ところがLBPには。On the other hand, looking at the field of printers, laser beam printers provide electrical image signals in the form of light to an electrophotographic photoreceptor, both in terms of pixel density and speed, as a means of obtaining hard copies using electrical signals as input. LBP) is also excellent in current quantity. However, for LBP.
1、 プリンタとしてのが装置が大型になる;2、 ポ
リゴンスキャナの様な高速の駆動部分があり騒音が発生
し、また厳しい機械的精度が要求される;など
の欠点がある。この様な欠点を解消すべく電気信号を光
信号に変換する素子として、液晶シャッターアレイが提
案されている。ところが、液晶シャッタアレイを用いて
画素信号を与える場合、たとえば210mmの長さの中
に画素信号を16dot/mmの割合で書き込むために
は、3000個以上の信号発生部を有していなければな
らず、それぞれに独立した信号を与えるためには、元来
それぞれの信号発生部会てに信号を送るリード線を配線
しなければならず、製作上困難であった。There are disadvantages such as 1. The printer is large in size; 2. It has high-speed moving parts such as a polygon scanner, which generates noise and requires strict mechanical precision. In order to overcome these drawbacks, a liquid crystal shutter array has been proposed as an element that converts electrical signals into optical signals. However, when providing pixel signals using a liquid crystal shutter array, for example, in order to write pixel signals at a rate of 16 dots/mm within a length of 210 mm, it is necessary to have 3000 or more signal generating sections. First, in order to provide independent signals to each, it was originally necessary to wire lead wires to send signals to each signal generating section, which was difficult to manufacture.
そのため、ILINE(ライン)分の画素信号を数行に
分割された信号発生部により、時分割して与える試みが
なされている。この様にすれば、信号を与える電極を、
“複数の信号発生部に対して共通にすることができ、実
質配線を大幅に軽減することができるからである。とこ
ろが、この場合通常行われているように双安定性を有さ
ない液晶を用いて行数(N)を増して行くと、信号ON
の時間が実質的に17Nとなり感光体上で得られる光量
が減少してしまってた、クロストークの問題が生ずると
いう難点がある。Therefore, an attempt has been made to provide pixel signals for ILINE (line) in a time-division manner using a signal generating section divided into several lines. In this way, the electrode that gives the signal can be
“This is because it can be made common to multiple signal generators, and the actual wiring can be significantly reduced. When the number of rows (N) is increased using
The time required is essentially 17N, which reduces the amount of light that can be obtained on the photoreceptor, and there is a problem of crosstalk.
このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て双安定性を有する液晶素子の使用がC1arkおよび
Lagerwallにより。C1ark and Lagerwall proposed the use of bistable liquid crystal elements to improve the drawbacks of conventional liquid crystal elements.
提案されている(特開昭56−107216号公報、米
国特許第4367924号明細書等)。It has been proposed (Japanese Unexamined Patent Publication No. 56-107216, US Pat. No. 4,367,924, etc.).
双安定性液晶としては、一般に、カイラルスメクチイッ
クC相(SmC’)又は他のカイラルスメクティック相
、具体的にはカイラルスメクティックHa(SmH’)
、カイラルスメクティックF相(SmF本)、カイラル
スメクティック■相(SmI本)、およびカイラルスメ
クティックG相(SmG )を有する強誘電性液晶が
用いられる。Bistable liquid crystals generally include chiral smectic C phase (SmC') or other chiral smectic phases, specifically chiral smectic Ha (SmH').
, a chiral smectic F phase (SmF), a chiral smectic ■ phase (SmI), and a chiral smectic G phase (SmG).
この液晶は電界に対して第1の光学的安定常態と第2の
光学安定状態からなる双安定状態を有し、従って前述の
TN型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり、例
えば一方の電界ベクルトに対して第1の光学的安定状態
に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対して第2の光
学的安定状態に液晶が配向される。またこの型の液晶は
、加えられる電界に応答して、°極めて速やかに上記を
2つの安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のな
いときはその状態を維持することにより、上述した従来
のTN型素子の問題点の多くに対して、かなり本質的な
改善が得られる。この点は、本発明と関連して、以下に
、更に詳細に説明する。しかしながら、この双安定性を
有する液晶を用いる光学変調素子が所定の駆動特性を発
揮するためには、一対の平行基板間に配置される液晶が
、電界の印加状態とは無関係に、上記2つの安定状態の
間での変換が効果的に起るような分子配列状態にあるこ
とが必要である。たとえばS m C本又は他のカイラ
ルスメクティック相を有する強誘電性液晶については、
5m0本又は他のカイラルスメクティック相を有する液
晶分子層が基板面に対して垂直で、したがって液晶分子
軸が基板面にほぼ平行に配列した領域(モノドメイン)
が形成される必要がある。しかしながら、従来の双安定
性を有する液晶を用いる光学変調素子においては、この
ようなモノドメイン構造を有する液晶の配向状態が、必
ずしも満足に形成されなかったために、充分な特性が得
られなかったのが実情である。This liquid crystal has a bistable state consisting of a first optically stable normal state and a second optically stable state with respect to an electric field, and therefore, unlike the optical modulation element used in the above-mentioned TN type liquid crystal, for example, one The liquid crystal is aligned in a first optically stable state with respect to the electric field vector, and the liquid crystal is aligned in a second optically stable state with respect to the other electric field vector. In addition, this type of liquid crystal can respond to an applied electric field by very quickly taking one of the two stable states described above, and maintaining that state when no electric field is applied. Considerable substantial improvements are obtained over many of the problems of TN-type devices. This point will be explained in more detail below in connection with the present invention. However, in order for an optical modulation element using this bistable liquid crystal to exhibit predetermined driving characteristics, the liquid crystal placed between a pair of parallel substrates must be It is necessary that the molecules be in such a state that conversion between stable states can occur effectively. For example, for ferroelectric liquid crystals with S m C or other chiral smectic phases,
A region in which 5m0 or other liquid crystal molecular layers having a chiral smectic phase are perpendicular to the substrate surface, and therefore the liquid crystal molecular axes are arranged almost parallel to the substrate surface (monodomain)
needs to be formed. However, in conventional optical modulation elements using liquid crystals with bistability, the alignment state of the liquid crystals having such a monodomain structure was not always formed satisfactorily, and therefore sufficient characteristics could not be obtained. is the reality.
たとえば、このような配向状態を与えるために、磁界を
印加する方法、せん断力を印加する方法、などが提案さ
れている。しかしながら、これらは、いずれも必ずしも
満足すべき結果を与えるものではなかった。たとえば、
磁界を印加する方法は、大規模な装置を要求するととも
に作動特性の良好な薄層セルとは両立しがたいトイう難
点があり、また、せん断力を印加する方法は、セルを作
成後に液晶を注入する“方法と両立しないという難点が
ある。For example, methods of applying a magnetic field, methods of applying shear force, etc. have been proposed in order to provide such an orientation state. However, none of these methods necessarily gave satisfactory results. for example,
The method of applying a magnetic field requires large-scale equipment and is incompatible with thin-layer cells with good operating characteristics. The problem is that it is incompatible with the "method of injecting."
本発明の主要な目的は、上述した事情に鑑み高速応答性
、高密度画素と大面積を有する表示素子、あるいは高速
度のシャッタスピードを有する光学シャッタ等としての
潜在的な適性を有する双安定性を有する液晶を使用する
光学変調素子において、従来問題であったモノドメイン
形成性ないしは初期配向性を改善することによれ、その
特性を充分に発揮させ得る液晶の配向制御法を提供する
ことにある。In view of the above-mentioned circumstances, the main object of the present invention is to provide a bistable device which has potential suitability as a display element with fast response, high density pixels and a large area, or an optical shutter with a high shutter speed. An object of the present invention is to provide a method for controlling the alignment of liquid crystal that can fully demonstrate its properties by improving monodomain formation or initial alignment, which has been a problem in the past in optical modulation elements using liquid crystals having .
本発明者らは、上述の目的で更に研究した結果、特に液
晶材料が別の相(例えば等吉相等の高温状S)より、ス
メクティック相例えばSmA (スメクティックA相)
等の低温状態へ移行する降温過程に於ける配向性に着目
したと少なくとも力イラルスメスティック相を示す2種
以上の液晶を、かつそのうち少なくとも一種はさらにコ
レステリック相を示す液晶を含有する液晶組成物を用い
た場合、液晶と界面で接する基板の面に液晶の分子軸方
向を優先して一方向に配列したモノドメインを形成する
ことができ、この結果液晶の双安定性に基づく素子の作
動特性と液晶層のモノドメイン性を両立し得る構造−の
液晶素子が得られることを見い出した。As a result of further research for the above-mentioned purpose, the present inventors have found that, in particular, the liquid crystal material is less likely to have a smectic phase, such as SmA (smectic A phase), than another phase (for example, high-temperature S such as Tokichi phase).
A liquid crystal composition containing two or more types of liquid crystals exhibiting at least an irradial smectic phase, and at least one of them further exhibiting a cholesteric phase. When using , it is possible to form monodomains aligned in one direction with priority given to the molecular axis direction of the liquid crystal on the surface of the substrate that contacts the liquid crystal at the interface, and as a result, the operating characteristics of the device based on the bistability of the liquid crystal can be improved. It has been found that it is possible to obtain a liquid crystal element having a structure that can achieve both the monodomain property of the liquid crystal layer and the monodomain property of the liquid crystal layer.
本発明は前述の知見に基づくものであり、すなわち本発
明の液晶素子は、一対の基板間に、木本
SmH、SmF 、SmI木、3m0本などのカイラ
ルスメクティック相を示す2種以上の液晶を含有し、該
2種以上の液晶のうち少なくとも一種はさらにコレステ
ィック相を示す液晶とした液晶組成物で、且つ所定温度
でカイラルスメクティック相を示す液晶組成物を封入し
たセル構造をなし、前記一対の基板のうち、少なくりも
一方の基板の面が界面で接する液晶の分子軸方向を優先
して一方向に配向させる効果を有していることを特徴と
している。The present invention is based on the above-mentioned knowledge, that is, the liquid crystal element of the present invention has two or more types of liquid crystals exhibiting a chiral smectic phase such as SmH, SmF, SmI, and 3m0 wood between a pair of substrates. and at least one of the two or more types of liquid crystals further includes a liquid crystal exhibiting a cholestic phase; Among the substrates, at least one surface of the substrate has the effect of preferentially aligning the molecular axis direction of the liquid crystal that contacts at the interface in one direction.
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を更に詳
細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in further detail with reference to the drawings as necessary.
本発明で用いる液晶組成物は少なくともカイラルスメク
ティック相を示す2種以上の液晶を、かつそのうち夕な
くとも一種はさらにコレステリック相を示す液晶を含有
するものであって1強誘電性を有するものである。具体
的には、SmC、SmF木、5JIIIII木。The liquid crystal composition used in the present invention contains at least two or more types of liquid crystals exhibiting a chiral smectic phase, and at least one of them further contains a liquid crystal exhibiting a cholesteric phase, and has ferroelectricity. . Specifically, SmC, SmF trees, and 5JIII trees.
木
3m0本のカイラルスメクティック相を有する液晶組成
物を用いることができる。A liquid crystal composition having a chiral smectic phase of 3m0 trees can be used.
本発明の液晶組成物に用いるカイラルスメクティック相
を示す液晶の具体例を表1に示す。Table 1 shows specific examples of liquid crystals exhibiting a chiral smectic phase used in the liquid crystal composition of the present invention.
一方、カイラルスメクティック相を示し、さらにコレス
テリック相を示す液晶の具体例を表2に示す。On the other hand, Table 2 shows specific examples of liquid crystals that exhibit a chiral smectic phase and further exhibit a cholesteric phase.
表 ゛ 1
カイライルスメクティック相を示す液晶の具体例(化合
物名、構造式及び相転移点)
(1) ?H3
C10H210−@−CH= s−@−CH= CH=
COOCH2CHC2H5*
5rnH本 63℃
(2)0文
C6H130−@−CH=N舎CH=CH−C00CH
2CHCH3木
60℃ 64℃ 78℃結晶 → S
mH” → SmC木 → SmA → 等吉相2
7℃ 3m0本 38℃
−メチルブチルーα−メチルシンナメート〒83 0
−CO0CH2CHC2H5
木
(8) CH3
C2H5CHCH204CH= N 公Ce H17H
表 2
コレステリック相とカイラルスメクテイツク相を示す液
晶の具体例
(化合物名、構造式及び相転移点)
4−(2’−メチルブチル)フェニル−4′オクチルオ
キシビフエニル−4−カルボキシレート78℃
80℃ 128.3℃結晶 + Sm3
−+ SmC” → SmA171.0
℃ 174.2℃→ コレステリック
相 → 等吉相4−へキシルオキシフェニル−4−(
2″−メチルブチル)ビフェニル−4′−力ルポキシレ
ート
68.8℃ 80.2℃ 163.
5℃*
結晶 → SmC→ コレステリック相 →
等吉相4−オクチルオキシフェニル−4−(2”−
メチルブチル)ビフェニル−4′−力ルポキシレート
76℃ 88.6℃ 155.4℃
結晶 −SmC* −コレステリック相 −等吉相
4−ベチルフェニル−4−(4”−メチルヘキシル)ビ
フェニル−4′−力ルポキシレート
91.5℃ 93℃
結晶 −+ SmC本 −+ SmA112
℃ 131℃→ コレステリ
ック相 → 等吉相(E)
ビフェニル−4′−力ルポキシレート
83.4℃ 114℃H3
一◎−OCCH2) s呈I(C2H535℃
93℃ 145℃これ、らのカイ
ラルスメクテイ−2り相を示す液晶又はコレステリック
相を示す液晶は、それぞれ2種以上組合せて使用するこ
ともできる。Table ゛ 1 Specific examples of liquid crystals exhibiting a chilyle smectic phase (compound name, structural formula, and phase transition point) (1) ? H3 C10H210-@-CH= s-@-CH= CH=
COOCH2CHC2H5* 5rnH book 63℃ (2) 0 sentences C6H130-@-CH=Nsha CH=CH-C00CH
2CHCH3 Wood 60℃ 64℃ 78℃ Crystal → S
mH” → SmC tree → SmA → Tokichi phase 2
7℃ 3m0 pieces 38℃ -Methylbutyl-α-methylcinnamate Formula and phase transition point) 4-(2'-methylbutyl)phenyl-4'octyloxybiphenyl-4-carboxylate 78°C
80℃ 128.3℃ crystal + Sm3
−+ SmC” → SmA171.0
℃ 174.2℃ → Cholesteric phase → Tokichi phase 4-hexyloxyphenyl-4-(
2″-Methylbutyl)biphenyl-4′-rupoxylate 68.8°C 80.2°C 163.
5℃* Crystal → SmC → Cholesteric phase →
Tokichi phase 4-octyloxyphenyl-4-(2”-
Methylbutyl)biphenyl-4'-rupoxylate 76℃ 88.6℃ 155.4℃
Crystal -SmC* -Cholesteric phase -Tokiyoshi phase 4-Betylphenyl-4-(4''-methylhexyl)biphenyl-4'-rupoxylate 91.5°C 93°C Crystal -+ SmC book -+ SmA112
℃ 131℃→ Cholesteric phase → Tokichi phase (E) Biphenyl-4'-lupoxylate 83.4℃ 114℃H3 ◎-OCCH2) s Presentation I (C2H535℃
93°C 145°C Two or more liquid crystals exhibiting a chiral smectoid phase or liquid crystals exhibiting a cholesteric phase may be used in combination.
本発明で用いる液晶組成物でのカイラルスメクティック
相を示す液晶とコレステリック相とともにカイラルスメ
スティック相を示す液晶との割合は、使用する液晶の種
類によって相違するが、一般的にカイラルスメクティッ
ク相を示す液晶1重量部に対してコレステリック相を示
す0.1〜50重量部、好ましくはO,l −10重量
部の割合で含有することができる。The ratio of the liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase to the liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase as well as the cholesteric phase in the liquid crystal composition used in the present invention varies depending on the type of liquid crystal used, but in general, the liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase differs depending on the type of liquid crystal used. It can be contained in a proportion of 0.1 to 50 parts by weight, preferably O,l-10 parts by weight, which exhibits a cholesteric phase per 1 part by weight.
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶組成物
がカイラルスメクティック相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
銅ブロック等により支持することができる。When constructing an element using these materials, the element can be supported by a copper block with a heater embedded, etc., if necessary, in order to maintain the temperature state such that the liquid crystal composition becomes a chiral smectic phase. .
第1図は、強誘電性液晶の動作説明の為に、セルの例を
模式的に描いたものである。11と、11’は、I n
203.3n02あるいはITO(Indium T
in 0xide)等の薄膜からなる透明電極で被覆
された基板(ガラス板)であり、その間に液晶分子層1
2がガラス面に垂直になるよう配向したSmC*。FIG. 1 schematically depicts an example of a cell for explaining the operation of a ferroelectric liquid crystal. 11 and 11' are I n
203.3n02 or ITO (Indium T
A substrate (glass plate) coated with a transparent electrode made of a thin film such as
SmC* oriented so that 2 is perpendicular to the glass surface.
SmI木、SmF’ 、SmI*SmG*などのカイラ
ルスメクティック相の液晶が封入されている。太線で示
した線13が液晶分子を表わしており、この液晶分子1
3はその分子に直交した方向に双極子モーメン)(P工
)14を有している。基板11と11’上の電極間に一
定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子13のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメント(Pよ)14がすべ
て電界方向に向くよう、液晶分子13は配向方向を変え
ることができる。液晶分子13は、細長い形状を有して
おり、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、
従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏
光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる
液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。Chiral smectic phase liquid crystals such as SmI wood, SmF', and SmI*SmG* are sealed. A thick line 13 represents a liquid crystal molecule, and this liquid crystal molecule 1
3 has a dipole moment (P) 14 in the direction perpendicular to its molecule. When a voltage higher than a certain threshold is applied between the electrodes on the substrates 11 and 11', the helical structure of the liquid crystal molecules 13 is unraveled, and the liquid crystal molecules 13 are aligned so that all the dipole moments (P) 14 are directed in the direction of the electric field. You can change direction. The liquid crystal molecules 13 have an elongated shape and exhibit refractive index anisotropy in the long axis direction and short axis direction,
Therefore, it is easily understood that, for example, if crossed Nicol polarizers are placed above and below a glass surface, a liquid crystal optical modulation element whose optical characteristics change depending on the polarity of applied voltage can be obtained.
本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く(例えば10ル以下)すること
ができる。このように液晶層が薄くなることにしたがい
、第2図に示すように電界を印加していない状態でも液
晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、そ
の双極子モーメントPまたはP′は上向き(24)又は
下向き(24’)のどちらかの状態をとる。このような
セルに、第2図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る
電界E又はE′を電圧印加手段21と21’により付与
すると、双極子モーメントは、電界E又はE′の電界ベ
クトルに対応して上向き24又は下向き24′と向きを
変え、それに応じて液晶分子は、第1の安定状s23か
あるいは第2の安定状態23′の何れか一方に配向する
。The liquid crystal cell preferably used in the optical modulation element of the present invention can have a sufficiently thin thickness (for example, 10 μl or less). As the liquid crystal layer becomes thinner in this way, the helical structure of the liquid crystal molecules unwinds and becomes a non-helical structure even when no electric field is applied, as shown in Figure 2, and the dipole moment P or P' is directed upward. (24) or downward (24'). When an electric field E or E' with a different polarity, which is equal to or higher than a certain threshold value, is applied to such a cell by the voltage applying means 21 and 21' as shown in FIG. The direction is changed to upward direction 24 or downward direction 24' in accordance with the vector, and accordingly, the liquid crystal molecules are aligned in either the first stable state s23 or the second stable state 23'.
このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが2つある。As mentioned earlier, there are two advantages to using such ferroelectricity as an optical modulation element.
その第1は、応答速度が極めて速いことであり、第2は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第2の
点を、例えば第2図によって更に説明すると、電界Eを
印加すると液晶分子は第1の安定状s23に配向するが
、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの
電界E′を印加すると、液晶分子は第2の安定状態23
′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を
切ってもこの状態に留っている。The first is that the response speed is extremely fast, and the second is that the alignment of liquid crystal molecules has bistability. To further explain the second point, for example, with reference to FIG. 2, when the electric field E is applied, the liquid crystal molecules are aligned in a first stable state s23, and this state remains stable even when the electric field is turned off. Furthermore, when an opposite electric field E' is applied, the liquid crystal molecules enter a second stable state 23.
', and changes the orientation of the molecule, but it remains in this state even when the electric field is turned off.
又、与える電界Eが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態にやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセルと
しては出来るだけ薄い方が好ましい。Further, as long as the applied electric field E does not exceed a certain threshold value, each orientation state is maintained. In order to effectively realize such fast response speed and bistability, it is preferable that the cell be as thin as possible.
この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成するに当た
って最も問題となるのは、先にも述べたように、S m
C木、 S m H木、SmF木。As mentioned earlier, the biggest problem in forming devices using liquid crystals with such ferroelectricity is S m
C-tree, SmH-tree, SmF-tree.
SmI 、SmG”などのカイラルスメクティ本
ツク相を有する層が基板面に対して垂直に配列し且つ液
晶分子が基板面に略平行に配向した、モノドメイン性の
高いセルを形成することが困難なこ、とであり、この点
に解決を与えることが本発明の主要な目的である。It is difficult to form a highly monodomain cell in which a layer with a chiral smectic phase such as SmI or SmG is aligned perpendicular to the substrate surface, and liquid crystal molecules are aligned approximately parallel to the substrate surface. This is the main objective of the present invention to provide a solution to this point.
第3図(A)と(B)は、本発明の液晶素子の一実施例
を示している。第3図(A)は1本発明の液晶素子の平
面図で、第3図(B)はそのA−x断面図である。FIGS. 3(A) and 3(B) show an embodiment of the liquid crystal element of the present invention. FIG. 3(A) is a plan view of a liquid crystal element according to the present invention, and FIG. 3(B) is a sectional view taken along the line A-x.
第3図で示すセル構造体100は、ガラス板又はプラス
チック板などからなる一対の基板101と101’をス
ペーサ104で所定の間隔に保持され、この一対の基板
をシーリングするために接着剤106で接着したセル構
造を有しており、さらに基板101の上には複数の透明
電極102からなる電極群(例えば、マトリクス電極構
造のうちの走査電圧印加用電極群)が例えば帯状パター
ンなどの所定パターンで形成されている。基板101′
の上には前述の透明電極102と交差させた複数の透明
電極102′からなる電極群(例えば、マトリクス電極
構造のうちの信号電圧印加用電極群)が形成されている
。In the cell structure 100 shown in FIG. 3, a pair of substrates 101 and 101' made of glass or plastic plates are held at a predetermined distance by a spacer 104, and an adhesive 106 is used to seal the pair of substrates. It has a bonded cell structure, and furthermore, an electrode group (for example, an electrode group for applying a scanning voltage in a matrix electrode structure) consisting of a plurality of transparent electrodes 102 is arranged on a substrate 101 in a predetermined pattern such as a strip pattern. It is formed of. Substrate 101'
An electrode group (for example, a signal voltage application electrode group in a matrix electrode structure) is formed on the transparent electrode 102 and a plurality of transparent electrodes 102' intersecting with each other.
この様な透明電極102′を設けた基板101′には1
例えば、−酸化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウム、
ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ
化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素
窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
リパラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、
ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、エリア
樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜形
成した配向制御膜105を設けることができる。The substrate 101' provided with such a transparent electrode 102' has a
For example - silicon oxide, silicon dioxide, aluminum oxide,
Inorganic insulating materials such as zirconia, magnesium fluoride, cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, polyvinyl alcohol, polyimide, polyamideimide, polyesterimide, polyparaxylerin, polyester, polycarbonate,
polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polyamide,
The alignment control film 105 may be formed using an organic insulating material such as polystyrene, cellulose resin, melamine resin, area resin, or acrylic resin.
この配向制御膜105は、前述の如き無機絶縁物質又は
有機絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード
、布や紙で一方向に摺擦(ラビング)することによって
得られる。The orientation control film 105 is obtained by forming a film of an inorganic insulating material or an organic insulating material as described above, and then rubbing the surface of the film in one direction with velvet, cloth, or paper.
本発明の別の好ましい具体例では、SiOやSiO2な
どの無機絶縁物質を基板101′の上に斜め蒸着法によ
って被膜形成することによって、配向制御膜105を得
ることができる。In another preferred embodiment of the present invention, the alignment control film 105 can be obtained by forming a film of an inorganic insulating material such as SiO or SiO2 on the substrate 101' by oblique vapor deposition.
第5図に示された装置に於いてペルジャー501は吸出
口505を有する絶縁基板503上に載置され前記吸出
口505から伸びる(図示されていない)真空ポンプに
よりペルジャー501が真空にされる。タングステン製
又はモリブデン製のるつぼ507はペルジャー501の
内部及び代部に配置され、るつぼ507には数グラhの
S io 、S io2 、MgF2などの結晶508
が@置される。るつぼ507は下方の2つのアーム50
7a、507bを有し、前記アームは夫々導線509,
510に接続される。電源506及びスイッチ504が
ペルジャー501の外部導線509,510間に直列に
。In the apparatus shown in FIG. 5, a Pel jar 501 is placed on an insulating substrate 503 having a suction port 505, and a vacuum pump (not shown) extending from the suction port 505 evacuates the Pel jar 501. A crucible 507 made of tungsten or molybdenum is disposed inside and in the Pelger 501, and the crucible 507 contains crystals 508 of several grams of S io , S io2 , MgF2, etc.
is placed @. The crucible 507 has two lower arms 50
7a, 507b, and the arms have conductive wires 509, 507b, respectively.
510. A power supply 506 and switch 504 are in series between external conductors 509 and 510 of Pelger 501.
接続される。基板502はペルジャー501の内部でる
つぼ507の真上にペルジャー501の垂直軸に対しθ
の角度を成して配置される。Connected. The substrate 502 is placed inside the Pelger 501 and directly above the crucible 507 at an angle of θ with respect to the vertical axis of the Pelger 501.
are arranged at an angle of
スイッチ504が開放されると、ペルジャー501はま
ず約10−5mmHg圧の真空状態にされ、次にスイッ
チ504が閉じられて、るつぼ507が適温で白熱して
結晶508が蒸発されるまで電源506を調節して電力
が供給される。適温範囲(700−1000℃)に対し
て必要な電流は約100 a m p sである。結晶
508は次に蒸発され図中Sで示された上向きの分子流
を形成し、流体Sは、基板502に対してθの角度を成
して基板502上に入射され、この結果基板502が被
膜される。角度θは上記の“入射角”であり、流体Sの
方向は上記“斜め蒸着方向”である、この被膜の膜厚は
基板502をペルジャー501に挿入する前に行なわれ
る装置の時間に対する厚みのキャリブレーションにより
決定される。適宜な厚みの被膜が形成されると電950
6からの電力を減少させ、スイッチ504を開放してペ
ルジャー501とその内部を冷却する0次に圧力を大気
圧まで上げ基板502をペルジャー501から取り外す
。When the switch 504 is opened, the Pel jar 501 is first evacuated to approximately 10-5 mmHg pressure, and then the switch 504 is closed and the power supply 506 is turned on until the crucible 507 becomes incandescent at a suitable temperature and the crystal 508 is evaporated. Power is supplied in a regulated manner. The required current for a suitable temperature range (700-1000°C) is about 100 am ps. The crystal 508 is then evaporated to form an upward molecular stream indicated by S in the figure, and the fluid S is incident on the substrate 502 at an angle θ with respect to the substrate 502, so that the substrate 502 coated. The angle θ is the above-mentioned "incident angle", and the direction of the fluid S is the above-mentioned "oblique deposition direction". Determined by calibration. When a film of appropriate thickness is formed, the electric current 950
6 and open the switch 504 to cool the Pel jar 501 and its interior.Then, the pressure is raised to atmospheric pressure and the substrate 502 is removed from the Pel jar 501.
又、別の具体例ではガラス又はプラスチックからなる基
板101’の表面あるいは基板101’の上に前述した
無機絶縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被
膜の表面を斜方エツッチング法によりエツチングするこ
とにより、その表面に配向制御効果を付与子ることがで
きる。In another specific example, after forming a film of the above-mentioned inorganic insulating material or organic insulating material on the surface of the substrate 101' made of glass or plastic or on the substrate 101', the surface of the film is etched by an oblique etching method. By doing so, it is possible to impart an orientation control effect to the surface.
前述の配向制御膜105は、同時に絶縁膜としても機能
されることが好ましく、このためにこの配向制御膜10
5の膜厚は一般に100人〜IJL、好ましくは500
人〜5000人の範囲に設定することができる。この絶
縁膜は、液晶層103に微量に含有される不純物等のた
めに生ずる電流の発生を防止できる利点をも有しており
、従って動作を繰り返し行なっても液晶化合物を劣化さ
せることがない。It is preferable that the above-mentioned alignment control film 105 also functions as an insulating film at the same time.
The film thickness of No. 5 is generally 100 to IJL, preferably 500
It can be set to a range of 5,000 to 5,000 people. This insulating film also has the advantage of being able to prevent the generation of current caused by trace amounts of impurities contained in the liquid crystal layer 103, and therefore does not deteriorate the liquid crystal compound even if the operation is repeated.
また、本発明の液晶素子では前述の配向制御。Further, in the liquid crystal element of the present invention, the above-mentioned alignment control is performed.
膜105と同様のものをもう一方の基板101に設ける
ことができる。Something similar to membrane 105 can be provided on the other substrate 101.
第3図に示すセル構造体lOOの中の液晶層カイラルス
メクティック相とすることができる。このカイラルスメ
クティック相を示す液晶相103は、カイラルスメクテ
ィック相より高温側の別相、例えば等吉相、コレステリ
ック相からの降温過程でスメクティックA相に相転移さ
れ、ざらに降温過程でカイラルスメクティック相に相転
移されることによって形成されている。The liquid crystal layer in the cell structure lOO shown in FIG. 3 may have a chiral smectic phase. The liquid crystal phase 103 exhibiting this chiral smectic phase undergoes a phase transition from another phase on the higher temperature side than the chiral smectic phase, such as the Toyoyoshi phase or the cholesteric phase, to the smectic A phase during the cooling process, and roughly changes to the chiral smectic phase during the cooling process. It is formed by being transferred.
本発明で重要な点は、コレステリック相を示す液晶を含
有する液晶組成物を用いて、高温相からSmAに相転移
させる際、SmAの液晶分子軸が配向制御膜105に付
与された配向制御方向に沿って配列し、この結果均一な
モノドメイが形成される点にある。An important point in the present invention is that when a liquid crystal composition containing a liquid crystal exhibiting a cholesteric phase is used to cause a phase transition from a high temperature phase to SmA, the liquid crystal molecular axis of SmA is aligned in the alignment control direction given to the alignment control film 105. As a result, a uniform monodomain is formed.
第4図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わしてい
る。第4図で示す液晶素子は、一対の基板101と10
1’の間に複数のスペーサ部材201が配置されている
。このスペーサ部材201は、例えば配向量@[910
5が設けられていない基板101′の上にStO、Si
O2゜A文203.TiO2などの無機化合物あるいは
ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド
、ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ
塩化ビニル、ポリ酢酸ビ、ニル、ポリアミド、ポリスチ
レン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリヤ樹脂、ア
クリル樹脂やフォトレジスト樹脂などの樹脂類を適当な
方法で被膜形成した後に、所定の位置にスペーサ部材2
03が配置される様にエツチングすることによって得る
ことができる。FIG. 4 shows another specific example of the liquid crystal element of the present invention. The liquid crystal element shown in FIG. 4 consists of a pair of substrates 101 and 10.
A plurality of spacer members 201 are arranged between 1'. This spacer member 201 has, for example, an orientation amount @[910
On the substrate 101' where 5 is not provided, StO, Si
O2゜A sentence 203. Inorganic compounds such as TiO2, polyvinyl alcohol, polyimide, polyamideimide, polyesterimide, polyparaxylylene, polyester, polycarbonate, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea After forming a film of resin such as resin, acrylic resin, or photoresist resin by an appropriate method, spacer member 2 is placed in a predetermined position.
It can be obtained by etching so that 03 is arranged.
この様なセル構造体100は、基板101と101’の
両側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とし
た偏光子107と108がそれぞれ配置されて、電極1
02と102’の間に電圧を印加した時に光学変調を生
じることになる。In such a cell structure 100, polarizers 107 and 108 in a crossed nicol state or a parallel nicol state are arranged on both sides of the substrates 101 and 101', respectively, and the electrode 1
Optical modulation will occur when a voltage is applied between 02 and 102'.
次に、本発明の液晶素子の作成法について、液晶層10
3の配向制御法について第3図を用いて具体的に説明す
る。Next, regarding the method for manufacturing the liquid crystal element of the present invention, the liquid crystal layer 10
The orientation control method No. 3 will be specifically explained using FIG. 3.
まず、液晶組成物が封入されているセル構造体100は
、セルlOO全体が均一に加熱される様な加熱ケース(
図示せず)にセットされる。First, the cell structure 100 in which the liquid crystal composition is sealed is placed in a heating case (
(not shown).
次に、セル100中の液晶組成物が等吉相となる温度ま
で加熱する。しかる後に、加熱ケースの温度を降温させ
て、セル100中の等吉相となっている液晶組成物を降
温過程に移す、この降温過程で等吉相の液晶組成物は、
SmAに、あるいはグランシュアン組織のコレステリッ
ク相からSmAに粗転移を生じることが1きる。Next, the liquid crystal composition in the cell 100 is heated to a temperature at which the liquid crystal composition becomes an isotonic phase. After that, the temperature of the heating case is lowered, and the liquid crystal composition in the isokyoshi phase in the cell 100 is transferred to a cooling process.
It is possible that a coarse transition occurs to SmA or from the cholesteric phase of the Grand Shuan structure to SmA.
この時、SmAの液晶分子軸は、ラビング方向に揃う。At this time, the liquid crystal molecular axes of SmA are aligned in the rubbing direction.
しかる後に、このSmAより降温過程でカイラルスメク
ティック相に相転移することによって、例えばセル厚を
lILm程度とすると非らせん構造をもつモノドメイン
のSmC”などのカイラルスメクティック相が得られる
。Thereafter, this SmA undergoes a phase transition to a chiral smectic phase in the process of cooling down, and a chiral smectic phase such as monodomain SmC'' having a non-helical structure is obtained, for example, when the cell thickness is set to approximately 1ILm.
第6図は、中間に強誘電性液晶化合物が挟まれたマトリ
クス電極構造を有するセル41の模式図である。42は
走査電極群であり、43は信号電極群である。第7図(
a)と(b)は、それぞれ選択された走査電極42 (
s)に与えられる電気信号とそれ以外の走査電極(選択
されない走査電極)42 (n)に与えられる電気信号
を示し、第6図(C)と(d)はそれぞれ選択された信
号電極43(S)に与えられる電ネ信号と選択されない
信号電極43(n)に与えられる電気信号を表わす、第
7図(a)〜(d)においては、それぞれ横軸が時間を
、縦軸が電圧を表わす。例えば、動画を表示するような
場合には、走査電極群42は逐次、周期的に選択される
。今、双安定性を有する液晶セルの第1の安定状態を与
えるたの閾値電圧をVthlとし、第2の安定状態を与
えるための閾値電圧を−vt h2とすると、選択され
た走査電極42 (s)に与えられる電気信号は、第7
図(a)に示される如く1位相(時間)tlでは■を、
位相(時間)t2では−Vとなるような交番する電圧で
ある。又、それ以外の走査電極42(n)は、第7図(
b)に示す如くアース状態となっており、電%信号Oで
ある。一方、選択された信号電極43 (s)に与えら
れる電気信号は第7図(C)に示される如くVであり、
又選択されない信号型Jii43(n)に与えられる電
気信号は第7図(d)に示される如<−Vである。以上
に於て、電圧Vは
V<Vthl<2Vと−V<−Vth2<−2vを満足
する所望の値に設定される。このような電気信号が与え
られたときの各画素に印加される電圧波形を第8図に示
す。第8図(a)〜(d)は、それぞれ第6中の画素A
、B、CおよびDと対応している。すなわち第8図より
明らかな如く、選択された走査線上にある画素Aでは、
位相t2に於て閾値Vthlを越える電圧2Vが印加さ
れる。又同一走査線上に存在する画素Bでは位相t1で
閾値−vth2を越える電圧−2Vが印加される。従っ
て1選択された走査電極線上に於て信号電極が選択され
たか否かに応じて、選択された場合には液晶分子は第1
の安定状態に配向を揃え、選択されない場合には第2の
安定状態に配向を揃える。いずれにしても各画素の前歴
には、関係することはない。FIG. 6 is a schematic diagram of a cell 41 having a matrix electrode structure in which a ferroelectric liquid crystal compound is sandwiched between. 42 is a scanning electrode group, and 43 is a signal electrode group. Figure 7 (
a) and (b) respectively show the selected scanning electrode 42 (
6(C) and (d) respectively show the electrical signals given to the selected signal electrodes 42(n) and the electrical signals given to the other scanning electrodes (unselected scanning electrodes) 42(n). In FIGS. 7(a) to 7(d), which represent the electric signal applied to the signal electrode S) and the electric signal applied to the unselected signal electrode 43(n), the horizontal axis represents time and the vertical axis represents voltage, respectively. represent. For example, when displaying a moving image, the scanning electrode groups 42 are sequentially and periodically selected. Now, if the threshold voltage for providing the first stable state of the liquid crystal cell having bistable property is Vthl, and the threshold voltage for providing the second stable state is -vt h2, then the selected scan electrode 42 ( s) is the electrical signal given to the seventh
As shown in figure (a), in one phase (time) tl,
It is an alternating voltage that becomes -V at phase (time) t2. Further, the other scanning electrodes 42(n) are as shown in FIG.
As shown in b), it is in a grounded state and the electric % signal is O. On the other hand, the electric signal given to the selected signal electrode 43 (s) is V as shown in FIG. 7(C),
Further, the electric signal applied to the unselected signal type Jii43(n) is <-V as shown in FIG. 7(d). In the above, the voltage V is set to a desired value that satisfies V<Vthl<2V and -V<-Vth2<-2v. FIG. 8 shows the voltage waveform applied to each pixel when such an electric signal is applied. FIGS. 8(a) to 8(d) respectively show pixel A in the sixth
, B, C and D. That is, as is clear from FIG. 8, in pixel A on the selected scanning line,
At phase t2, a voltage of 2V exceeding the threshold value Vthl is applied. In addition, to the pixel B existing on the same scanning line, a voltage of -2V exceeding the threshold value -vth2 is applied at phase t1. Therefore, depending on whether a signal electrode is selected on one selected scanning electrode line, if a signal electrode is selected, the liquid crystal molecules are
If it is not selected, the orientation is aligned to the second stable state. In any case, it has nothing to do with the previous history of each pixel.
一方、画素CとDに示される如く、選択されない走査線
上では、すべての画素CとDに印加される電圧は+V又
は−■であって、いずれも閾値電圧を越えない。従って
各画素CとDにおける液晶分子は、配向状態を変えるこ
となく前回走査されたときの信号状態に対応した配向を
、そのまま保持している。即ち、走査電極が選択された
ときにその一ライン分の信号の書き込みが行われ、−フ
レームが終了して次回選択されるまでの間は、その信号
状態を保持し得るわけである。従って、走査電極数が増
えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コントラス
トの低下とクロスト−り等は全く生じない。この際、電
圧値Vの値及び位相(t 1+t 2) =Tの値とし
ては、用いられる液晶材料やセルの厚さにも依存するが
、通常3ポルト〜70ポルトで0.1 gs e c
〜2ms e cの範囲が用いられる。従って、この場
合では選択された走査電極に与えられる電気信号が第1
の安定状8(光信号に変換されたとき「明」状態である
とする)から第2の安定状態(光信号に変換されたとき
「暗」状態であるとする)へ、又はその逆のいずれの変
化をも起すことができる。On the other hand, as shown in pixels C and D, on unselected scanning lines, the voltage applied to all pixels C and D is +V or -■, neither of which exceeds the threshold voltage. Therefore, the liquid crystal molecules in each pixel C and D maintain the orientation corresponding to the signal state when scanned last time without changing the orientation state. That is, when a scanning electrode is selected, a signal for one line is written, and the signal state can be maintained until the next frame is selected. Therefore, even if the number of scanning electrodes increases, the actual duty ratio does not change, and there is no reduction in contrast or crosstalk. At this time, the value of the voltage value V and the value of the phase (t 1 + t 2) = T depend on the liquid crystal material used and the thickness of the cell, but are usually 0.1 gs e c at 3 ports to 70 ports.
A range of ˜2 msec is used. Therefore, in this case, the electrical signal given to the selected scanning electrode is
from the stable state 8 (supposed to be a "bright" state when converted into an optical signal) to a second stable state (supposed to be a "dark" state when converted to an optical signal), or vice versa. Either change can occur.
カイラルスメクティック相を示す液晶(D。Liquid crystal exhibiting chiral smectic phase (D.
BAMBC、HOBACPC、MBRA8など)単独で
用いた場合に較らべ本発明で用いるカイラルスメクティ
ック相を示し、さらにコレステリック相を示す液晶を含
有する液晶組成物を用いると、配向性が良好でしかも配
向欠陥が少ない配向状態が得られる。BAMBC, HOBACPC, MBRA8, etc.) When used in the present invention, the use of a liquid crystal composition containing a liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase and further exhibiting a cholesteric phase results in better alignment and fewer alignment defects than when used alone. An oriented state with less is obtained.
特に、セル厚が薄い場合、或いは双安定性(メモリ性)
をもつSmC、SmH木。Especially when the cell thickness is thin or bistability (memory property)
SmC, SmH trees with .
ネ
木 木
SmF 、SmI 、SmC木の場合には、スイッ
チング特性(応答速度)の点で基板表面の液晶分子に対
する拘束力(基板の配向処理による効果)は、弱い方が
好ましく、従って一方の基板表面のみを配向処理する場
合の方が1両側の基板表面を配向する場合に較べ速い応
答速度が得られる。この際、セル厚が2pmのセルにお
いては、片側の基板のみを配向処理した場合の方が両側
の基板を配向処理した場合の応答速度に較べ約2倍もの
速い応答速度が得られる。In the case of SmF, SmI, and SmC trees, in terms of switching characteristics (response speed), it is preferable that the restraining force (effect due to substrate alignment treatment) on the liquid crystal molecules on the substrate surface be weaker. A faster response speed can be obtained when only the surface is aligned than when the substrate surfaces on both sides are aligned. At this time, in a cell having a cell thickness of 2 pm, a response speed approximately twice as fast can be obtained when only one substrate is subjected to alignment treatment as compared to a response speed when both substrates are subjected to alignment treatment.
以下、本発明を実施例に従って説明する。Hereinafter, the present invention will be explained according to examples.
〔実施例1〕
ピッチ100gmで@ 62.5 pLmのストライプ
状の■TOII!l!を電極として設けた正方形状ガラ
ス基板を用意し、これの電極となるITO膜が設けられ
ている側を下向きにして第5図に示す斜め蒸着装置にセ
ットし、次いでモリブデン酸るつぼ内にSiO2の結晶
をセ・ントした。しかる後に蒸着装置内を10−5To
rr程度の真空状態としてから、所定の方法でガラス基
板上にS i02を斜め蒸着し、800人の斜め蒸着膜
を形成した(A電極板)。[Example 1] Striped ■TOII with a pitch of 100 gm @ 62.5 pLm! l! A square glass substrate provided with an ITO film serving as an electrode is prepared, and placed in the oblique evaporation apparatus shown in FIG. 5 with the side on which the ITO film serving as the electrode is facing downward. Next, SiO2 is placed in a molybdate crucible. I set the crystal. After that, the inside of the vapor deposition equipment was heated to 10-5 To
After establishing a vacuum state of about rr, Si02 was obliquely vapor-deposited on the glass substrate by a predetermined method to form an obliquely-deposited film of 800 people (electrode plate A).
一方、同様のストライプ状のITO膜が形成されたガラ
ス基板上にポリイミド形成溶液(日立化成工業(株)製
のrPIQに不揮発分濃度14.5 w t%)をスピ
ナー塗布機で塗布し、120℃で30分間、200℃で
60分間、そして350℃で30分間加熱を行なって8
00人の被膜を形成した(B電極板)。On the other hand, a polyimide forming solution (rPIQ manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. with a non-volatile content concentration of 14.5 wt%) was applied using a spinner coater onto a glass substrate on which a similar striped ITO film was formed. ℃ for 30 minutes, 200℃ for 60 minutes, and 350℃ for 30 minutes.
A film of 0.00 people was formed (B electrode plate).
次いでA電極板の周辺部に注入口とな個所を除いて熱硬
化型エポキシ接着剤をスクリーン印刷法によって塗布し
た後に、A電極板とB電極板のストライプ状パターン電
極が直交する様に重ね合せ、2枚の電極板の間隔が2p
Lとなるようポリイミドスペーサで保持し、セルとした
。Next, a thermosetting epoxy adhesive is applied to the periphery of the A electrode plate except for the injection hole by screen printing, and then the striped pattern electrodes of the A electrode plate and the B electrode plate are overlapped so that they are perpendicular to each other. , the distance between the two electrode plates is 2p
It was held with a polyimide spacer so as to have an L shape, and was made into a cell.
次にP−デシロキシベンジリデン−P′−アミノ−2−
メチルブチルシンナメート(DOBAMBC)100重
量部に対して、4−へキシルオキシフェニル4−(2″
−メチルブチル)ビフェニル−4′−力ルポキシレート
を8重量部加えて液晶組成物を調整した。Next, P-decyloxybenzylidene-P'-amino-2-
4-hexyloxyphenyl 4-(2″
A liquid crystal composition was prepared by adding 8 parts by weight of -methylbutyl)biphenyl-4'-rupoxylate.
この液晶組成物を加熱して等吉相とし、上記で作製した
セル内に注入口から注入し、その注入口を封口した。こ
のセルを徐冷によって降温させ、温度を約70 ’C!
で維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコル状態で
設けてから顕微鏡観察したところ、モノドメインのらせ
んのとけたSmC”が形成されていることが確認できた
。This liquid crystal composition was heated to form an isokyoshi phase, injected into the cell prepared above through the injection port, and the injection port was sealed. The temperature of this cell was lowered by slow cooling to about 70'C!
When a pair of polarizers were placed in a crossed nicol state and observed under a microscope, it was confirmed that a monodomain helical SmC'' was formed.
ピッチ100#Lmで幅62.5μmのストライプ状の
ITO膜を電極として設けた正方形状ガラス基板上にに
ポリイミド形成溶液(日立化成工業(株)製のrPIQ
に不揮発分濃度14゜5wt%)をスピナー塗布機で塗
布し、120℃で30分間、200℃で60分間、モし
て350°Cで30分間加熱を行なって800人の被膜
を形成した(A電極板)。A polyimide forming solution (rPIQ manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was placed on a square glass substrate on which a striped ITO film with a pitch of 100 #Lm and a width of 62.5 μm was provided as an electrode.
A film with a non-volatile content of 14°5 wt%) was applied using a spinner coating machine, and heated at 120°C for 30 minutes, 200°C for 60 minutes, and then heated at 350°C for 30 minutes to form a film of 800 people ( A electrode plate).
次に上記と同様にして得たポリイミド被膜電極板を布に
よりラビング処理を行った。(B電極板)
次いでA電極板の周辺部に注入口とな個所を除いて熱硬
化型エポキシ接着剤をスクリーン印刷法によって塗布し
た後に、A電極板とB電極板のストライプ状パターン電
極が直交する様に重ね合せ、2枚の電極板の間隔が2に
となるようポリイミドスペーサで保持し、セルとした。Next, the polyimide coated electrode plate obtained in the same manner as above was subjected to a rubbing treatment with a cloth. (B electrode plate) Next, after applying thermosetting epoxy adhesive to the periphery of the A electrode plate except for the injection hole, the striped pattern electrodes of the A electrode plate and the B electrode plate are perpendicular to each other. The two electrode plates were stacked one on top of the other and held with a polyimide spacer so that the distance between the two electrode plates was 2 to form a cell.
P−デシロキシベンジリデン−P′−アミノ−2−メチ
ルブチルシンナメー) (DOBAMBC)100重量
部に対して、4−へブチルフェニル−4−(4″−メチ
ルヘキシル)ビフェニル−4′−力ルポキシレートを5
重量部加えて液晶組成物を調整した。この液晶組成物を
加熱して等吉相としたセル内に注入口から注入し、その
注入口を封口した。このセルを徐冷によって降温させ、
温度を約70℃で維持させた状態で一対の偏光子をクロ
スニコル状態で設けてから顕微鏡観察したところ、モノ
ドメインのらせんのとけたSmC’が形成されているこ
とが確認できた。P-decyloxybenzylidene-P'-amino-2-methylbutylcinname) (DOBAMBC) 100 parts by weight, 4-hebutylphenyl-4-(4''-methylhexyl)biphenyl-4'-rupoxylate 5
A liquid crystal composition was prepared by adding parts by weight. This liquid crystal composition was injected into the cell through the injection port, and the injection port was sealed. The temperature of this cell is lowered by slow cooling,
When a pair of polarizers were placed in a crossed nicol state while the temperature was maintained at about 70° C., and microscopic observation was performed, it was confirmed that SmC' with a monodomain helix was formed.
第1図および第2図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第3図(A)は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第3図CB)はそのa−a断面図である
。第4図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わす断
面図である。第5図は本発明の液晶素子を作成する際に
用いる斜め蒸着装置を模式的に表わす断面図である。第
6図は1本発明で用いる液晶素子の電極構造を模式的に
示す平面図である。第7図(a)〜(d)は、本発明で
用いる液晶素子を駆動するための信号を示す説明図であ
る。第8図(a)〜(d)は、各画素に印加される電圧
波形を示す説明図である。
100 ; セル構造体
101.101’ : 基板
102.102’ 、 電極
103 : 液晶層−1
104,201;スペーサ部材
105 ; 配向制御膜
106 : 接着剤
107.108 ; 偏光子
109 、 発熱体
特許出願人 キャノン株式会社
第 7 図
(bン
Cd)(b)1 and 2 are perspective views showing a liquid crystal cell used in the present invention. FIG. 3(A) is a plan view showing the liquid crystal element of the present invention, and FIG. 3(CB) is a sectional view taken along line a-a. FIG. 4 is a sectional view showing another specific example of the liquid crystal element of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an oblique evaporation apparatus used in producing the liquid crystal element of the present invention. FIG. 6 is a plan view schematically showing the electrode structure of a liquid crystal element used in the present invention. FIGS. 7(a) to 7(d) are explanatory diagrams showing signals for driving the liquid crystal element used in the present invention. FIGS. 8(a) to 8(d) are explanatory diagrams showing voltage waveforms applied to each pixel. 100; cell structure 101, 101': substrate 102, 102', electrode 103: liquid crystal layer-1 104, 201; spacer member 105; alignment control film 106: adhesive 107, 108; polarizer 109, heating element patent application People Canon Co., Ltd. Figure 7 (b)
Cd) (b)
Claims (18)
液晶を2種以上含有し、該2種以上の液晶のうち、少な
くとも1種をコレステリック相を示す液晶とした液晶組
成物を封入したセル構造をなし、前記一対の基板のうち
、少なくとも一方の基板の面が界面で接する液晶の分子
軸方向を優先して一方向に配列させる効果を有している
ことを特徴とする液晶素子。(1) A cell structure in which a pair of substrates is filled with a liquid crystal composition containing two or more types of liquid crystals exhibiting a chiral smectic phase, at least one of which is a liquid crystal exhibiting a cholesteric phase. None. A liquid crystal element, characterized in that the surface of at least one of the pair of substrates has the effect of preferentially aligning the molecular axis direction of the liquid crystal that contacts at the interface in one direction.
からカイラルスメクティック相に順次相転移を生じる液
晶である特許請求の範囲第1項記載の液晶素子。(2) The liquid crystal element according to claim 1, wherein the liquid crystal composition is a liquid crystal that sequentially undergoes a phase transition from a smectic A phase to a chiral smectic phase during a cooling process.
、I相又はG相である特許請求の範囲第2項記載の液晶
素子。(3) The liquid crystal element according to claim 2, wherein the chiral smetic phase is a C phase, H phase, F phase, I phase, or G phase.
つ相である特許請求の範囲第2項又は第3項記載の液晶
素子。(4) The liquid crystal element according to claim 2 or 3, wherein the chiral smectic phase is a phase having a non-helical structure.
子軸方向を優先して一方向に配列させる効果を有し、他
方の基板の面が該効果を有していない特許請求の範囲第
1項記載の液晶素子。(5) A patent claim in which the surface of one of the pair of substrates has an effect of preferentially aligning the molecular axis direction of liquid crystal in one direction, and the surface of the other substrate does not have this effect. The liquid crystal element according to range 1.
よって得られた面である特許請求の範囲第1項又は第5
項記載の液晶素子。(6) Claim 1 or 5, wherein the surface having the effect is a surface obtained by rubbing the surface of the substrate.
The liquid crystal element described in .
よって形成された面である特許請求の範囲第6項記載の
液晶素子。(7) The liquid crystal element according to claim 6, wherein the surface is a surface formed by a coating of an organic insulating material or an inorganic insulating material.
イミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリ
パラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル
、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミ
ン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂およびフォトレジス
ト樹脂からなる樹脂群から少なくとも1種を選択した樹
脂である特許請求の範囲第7項記載の液晶素子。(8) The organic insulating material is polyvinyl alcohol, polyimide, polyamideimide, polyesterimide, polyparaxylylene, polyester, polycarbonate, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea. 8. The liquid crystal element according to claim 7, wherein the resin is at least one selected from the resin group consisting of resin, acrylic resin, and photoresist resin.
O_2である特許請求の範囲第7項記載の液晶素子。(9) The inorganic insulating material is SiO, SiO_2 or Ti
The liquid crystal element according to claim 7, which is O_2.
め蒸着することによって得られた面である特許請求の範
囲第1項又は第5項記載の液晶素子。(10) The liquid crystal element according to claim 1 or 5, wherein the surface having the effect is a surface obtained by diagonally depositing an insulating material on the surface of the substrate.
許請求の範囲第10項記載の液晶素子。(11) The liquid crystal element according to claim 10, wherein the insulating material is SiO or SiO_2.
グすることによって得られた面である特許請求の範囲第
1項又は第5項記載の液晶素子。(12) The liquid crystal element according to claim 1 or 5, wherein the surface having the effect is a surface obtained by obliquely etching the surface of the substrate.
又は基板によって形成された面である特許請求の範囲第
12項記載の液晶素子。(13) The liquid crystal element according to claim 12, wherein the surface is a surface formed of a film or a substrate of an organic or inorganic insulating material.
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
リパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラ
ミン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂およびフォトレジ
スト樹脂からなる樹脂群から少なくとも1種を選択した
樹脂である特許請求の範囲第13項記載の液晶素子。(14) the organic insulating material is polyvinyl alcohol, polyimide, polyamideimide, polyesterimide, polyparaxylylene, polyester, polycarbonate,
Claim 13: The resin is at least one selected from the resin group consisting of polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea resin, acrylic resin, and photoresist resin. The liquid crystal element described in .
2又はTiO_2である特許請求の範囲第13項記載の
液晶素子。(15) The inorganic insulating material is glass, SiO, SiO_
14. The liquid crystal element according to claim 13, which is TiO_2 or TiO_2.
所定の位置を除いてエッチングすることにより得たスペ
ーサ部材を備えている基板である特許請求の範囲第2項
記載の液晶素子。(16) The liquid crystal element according to claim 2, wherein the other substrate is a substrate provided with a spacer member obtained by forming a film of an insulating material and then etching except for a predetermined position.
請求の範囲第16項記載の液晶素子。(17) The liquid crystal element according to claim 16, wherein the spacer member is a band-shaped member.
子である特許請求の範囲第17項記載の液晶素子。(18) The liquid crystal element according to claim 17, which is an element comprising a plurality of the band-shaped spacer members.
Priority Applications (13)
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---|---|---|---|
JP14649884A JPS6125128A (en) | 1984-07-14 | 1984-07-14 | Liquid crystal element |
DE19853524803 DE3524803A1 (en) | 1984-07-13 | 1985-07-11 | LIQUID CRYSTAL DEVICE |
GB08517546A GB2163273B (en) | 1984-07-13 | 1985-07-11 | Liquid crystal device |
FR8510741A FR2567533B1 (en) | 1984-07-13 | 1985-07-12 | LIQUID CRYSTAL DEVICE |
US07/251,028 US5120466A (en) | 1984-07-13 | 1988-09-26 | Fluid crystal device |
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JP14649884A JPS6125128A (en) | 1984-07-14 | 1984-07-14 | Liquid crystal element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6125128A true JPS6125128A (en) | 1986-02-04 |
JPS6334450B2 JPS6334450B2 (en) | 1988-07-11 |
Family
ID=15408980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP14649884A Granted JPS6125128A (en) | 1984-07-13 | 1984-07-14 | Liquid crystal element |
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Country | Link |
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