JPS61243401A - 透明導電性基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業の利用分野〕 本発明は、光学歪の小さい合成樹脂を基材とする透明導
電性基板に関する。更に詳しくは、ガラス転移温度以下
において、光学歪が小さく、かつ加工性、耐衝撃性等に
優れた透明性の高い導電性基板に関する。

し従来の技術〕 透明性を有する導電性基材は、液晶デイスプ゛レイエレ
クトロルミネッセンス発光体などの電極、透明面発熱体
、静電遮蔽材料及び帯電防止材料などの広い用途に用い
られている。

従来、知られている透明な導電性基板は、ガラスが主体
であり、近年になってポリエステルやポリイミド等の耐
熱性高分子フィルムからなる基材に金、パラジウム、ア
ルミニウム等の金属薄膜又は酸化インジウム−スズ系の
半導体膜を被覆したものが提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

これらの技術において、ガラスを基材とした導電性基板
は、優れた透明性と導電性を有するものの、可撓性等の
加工性、耐衝撃性に劣り、さらに軽量化という面でも商
品化に対する妨げとなる。又、ポリエステルやポリイミ
ド等の耐熱性高分子フィルムを基材とした導電性材料は
加工性、耐衝撃性に優れ、軽量化にも寄与するものの、
ガラスに比べ基材自体の透明性が低いことから、板状の
ような厚い基材においての使用が困難であるという理由
で、実用上数１００μ以下のフィルム状に限定されてい
る。また、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム
のような場合、外部応力による変形量が５〜５０チ程度
変化させることによって光学的複屈折率は５０〜１００
×１０−３という大きな変化が生じるため、透過藁の低
下に加えて、光学的な歪斑が発生し、基材の厚さを出来
るだけ薄くする方向にせざるを得ない現状にある。また
、前述にのべたように、光学的歪が太きいため、液晶デ
ィスプレイ等の１！極として使用する場合、フィルムを
薄くしたとしても、均質な画像が得られないという大き
な欠点があった。

本発明者らは、これらの欠点を解決するために、鋭意検
討を行った結果、本発明に到達したものである。

〔問題を解決するための手段〕

本発明の要旨は、ガラス転移温度以下における光弾性定
数の絶対値が１５ブルースター以下であって、表面抵抗
が１０″″１Ω／口〜１０９Ω／口を満足した光学歪の
小さい合成樹脂を基材とする透明導電性基板である。本
発明において光弾性定数とは、主応力差による応力複屈
折の生じやすさの尺度であり、１ブルースタ；１０−”
ｔｗ？、／ｌｙｎで表示する。

本発明でいうガラス転移温度以下における光弾性定数の
絶対値が１５ブルースター以下とする理由は、基材の成
型加工、例えばインフレーション加工、射出成製加工、
重合成型加工、加圧成型加工時において様々な応力歪が
発生し、それにともなって光学的複屈折率の分布が生ず
る。この場合、複屈折率が大きいと基材を厚くしたと′
＠に透過光として縦方向と横方向のズレが発生し、像を
見る場合ゆらぎとなって見えるため大きな問題となる。

すなわち、光弾性定数の値が小さいほど好ましい。また
、これら応力複屈折は温度によっても大きく変化するた
め、実用性能としてガラス転移温度以下の規制が必要で
ある。そして、さらに基材を薄くした場合でも、例えば
液晶ディスプレイ用電極として使用するためには、偏光
板を用いるため、濃淡斑はもちろんのこと、複屈折が負
の値となるか、正の値となるかによって着色が減色側も
しくは加色側に移行するために、色素斑が発生すること
となる。本発明でいうガラス転移温度以下における光弾
性定数の絶対値が１５ブルースター以下とした理由は、
以上の実用性能上の問題に加えて、元を透過した像のゆ
らぎが目を被労させるということを含めて、種々検討を
行った値である。これは本発明の最も大きな特長でもあ
る。

本発明でいう光学歪の小さい合成樹脂基材としては、可
視光線領域において透明性を肩するものであれば特に限
定されないが、例えばポリメチルメタクリレートを主成
分とするメタクリル樹脂あるいはメチルメタクリレート
を主成分とするメタクリル系共重合体樹脂、アタクチッ
クポリスチレン、アタクチックポリ（ａ−メチルスチレ
ン）無定形状態のアイソタクチックポリスチレン等が含
まれる。この場合、ガラス転移温度以下における光弾性
定数の絶対値が１５ブルースターを越える樹脂、例えば
ポリエチレンテレフタレート、フェノール、エポキシ、
ゼラチン、ジアリルフタレート、ポリイミド樹脂は本発
明から除かれる。

本発明の透明導電性基板は例えば液晶ディスプレイ、エ
レクトロルミネッセンス、プラズマディスプレイ等の電
極に使用する場合、あるいは透明面発熱体等の可視光域
での光学的透過性を要求される分野においては、可視光
域での全光線透過率が７５％以上であることが好ましい
。

また本発明の基板はディスプレイにおける例えば白黒や
カラー表示用ブラウン管の電磁シールド性あるいは静電
防止を兼ねたフィルター分野で用いる場合、画質の同上
を目的として演色性の改善ならびにグレア（眩惑）′ｉ
ｋ防止する丸めに基板に有機系または無機系物質を混在
させたものも含まれる。

これら物質は、例えば特公昭５８−２２５１４８号公報
に開示されているネオジウム化合物、常緑、褐色等に着
色させるための着色用染顔料であり、この場合の可視光
域での全光線透過率として４０％以上が望ましい。

本発明は、以上の用途分野に便用されるため基板の表面
抵抗値として１０−１Ω／口〜１０・Ω／口を満足す゛
る必要がある。

本発明において合成樹脂基板上に付与する導電層は１．
金、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム合金などの
金属薄膜、金属薄膜を金属酸化物等の薄膜で被覆したり
した多層膜、酸化インジウム〜スズ系、酸化スズルアン
チモン系、酸化カドミウム−スズ系、酸化亜鉛等の酸化
物半導体薄膜を用いることができるが、肝ましくは光透
過性、耐環境性、電気抵抗値等からみて酸化物半導体薄
膜を用いることが特に望ましい。

以上のことから本発明の合成樹脂基板として、光学的歪
の小さい、すなわち、光弾性定数の絶対値として１５ブ
ルー°スタ以下で、光透過率、表面電気抵抗値をすべて
満足するものとしてアクリル樹脂板が最も好ましい。

本発明の例えば透明導電アクリル樹脂板を得るためには
熱可塑性であるため、高温度雰囲気にて透明導電膜を付
与することが出来ない。すなわちポリエステルやポリイ
ミドのような耐熱性樹脂と同じような方法では全く不可
能である。

本発明者らは、このような低軟化点ｔＶするアクリル樹
脂の場合、板の表面が硬化処理された上に本発明でいう
酸化物半導体薄膜と例えばスパッタリング法、エレクト
ロンビーム法、イオンスパッタリング法のそれぞれによ
って基板温度が１００℃以下の温度で真空蒸着すること
によって優れた透明導電膜を得ることができる。

本発明で用いられるアクリル樹脂はポリメチルメタクリ
レートに代表されるポリアルキルメタクリレートやアル
キル（メタ）アクリレートを主成分とするコポリマーが
含まれ、コポリマーを形成する他の重合性モノマー、例
えばスチレン、アクリロニトリル等を、本発明に規定す
る範囲内において使用してもよい。

本発明でいう例えば基板の表面を硬化処理するための処
理剤としては、公知の種々の硬化処理が可能であり、例
えばアクリレート系のＵＶ硬化樹脂等が挙げられる。

表面硬化処理されたアクリル樹脂基板は、処理されてい
ない基板に比べ、透明導電膜形成時に高真突域にさらす
ため基板表面付近の残留上ツマ−やそのオリゴマー等の
低沸分の蒸発が抑制され、真空状態を安定化できるため
か、アクリル樹脂基板と導電性薄膜と＠層性に優れると
ともに、耐環境性においても光分満足したものが得られ
る。

さらに本発明は、透明導電薄膜の耐摩耗性を同上させる
ために、本発明の諸条件を満足する範囲内で、透明導電
膜上に保護膜を形成させたものを使用してもよい。この
保護膜としては、例えばアクリル系等の高分子薄膜ある
いは酸化硅素、窒化チタン、窒化硅素等のような、無機
物質の薄膜等が挙げられる。

以上本発明に係る透明導電性基板は従来の耐熱性高分子
フィルムなどを基体とした透明導電材料では問題とされ
ていた液晶ディスプレイ用電極、ＣＲＴ、用フィルター
などに応用でき、さらにその他エレクトロルミネッセン
ス、プラズマ発覚体用にも応用でき、透明性、加工性、
軽量化に優れたものである。

以下、本発明を実施例にて説明する。

実施例１ 透明導電材料の基体として、エポキシアクリレート系の
紫外線硬化樹脂にて、表面硬化処理を施こした。厚みが
１■、３■及び５ｍのポリメチルメタクリレート樹脂板
と本発明の比較例として、厚さ１１１１ｔ−Ｎするポリ
エチレンテレフタレート、ポリイミド、エポキシ、フェ
ノール、ジアリルフタレートの各樹脂板を用いて、アル
ゴンと酸素を用いた反応スパッタリング法により、酸化
インジウム−スズ系半導体膜をスパッタリングした。

蒸着条件は、基体温度３０℃、陰極側に醸化インジウム
〜酸化スズ（酸化スズ含有量８重量％）にてスパッタリ
ングを行った。

得られた透明導電材料の特性を第・１表に示したＯ 第　　１　　表 なお、本発明において使用した測定は次に示す方法によ
った。

（１）全光線造過率（％）、Ａ８ＴＭ　　Ｄ−１００３
−６１に準じて測定した（可視光域）。

（２）　　光弾性定数二元弾性実験法（日刊工業新聞社
１９６５） に準じて測定し九。

（３）　　表面抵抗値二通常の４点支持法により測定し
たＯ 上述の如く、構成された本発明の透明導電性基板は、優
れた透明性に加えて光弾性定数の値が非常に小さく、ガ
ラス転移以下における光学歪がほとんど認められないの
に対し、比較例は非常に大きな光学歪を有していること
が明らかである。

実施例２ 透明導電材料の基体として、エポキシアクリレート系の
紫外線硬化樹脂にて表面処理を施こした、厚さ３縄のポ
リメチルメタクリレート樹脂板に酸化インジウム−スズ
系、酸化スズルアンチモン系、酸化カドミウム−スズ系
、酸化亜鉛の半導体膜をそれぞれスパッタリングした。

スパッタリング条件は、アルゴンと酸累雰囲気中で基体
温度３０℃とし常法に従い基体表面に１３０ＯＡ膜形成
を行うように実施した。

得られた透明導電材料の特性を第２表に示した。

第　　２　　表 以上の如く本発明を満足するものであり、ディスプレイ
用電極帯電防止、電子写真記録用材料として充分実用に
耐えるものである。

実施例３ メタクリル酸メチルの部分重合物（重合率１８％）１０
０重量部に、２．２′−アゾビス−（２，４−ジメチル
パレロニトリル）（１０４重量部、ジオクチルスルホサ
クシネート・ナトリウム塩１００５重量部、平均粒径α
５μの酸化ネオジウムα１重量部、アイゼンスピロンプ
ルー〇ＮＨ（０，工、４０８１保土谷化学）１００１ｘ
量部、ダイヤレジンレッドＳ　（Ｃ９工、　Ａ　５ｏｌ
ｖｅｎｔ　Ｒｅｄ　１５２三菱化成工業）０．００１重
量部を添加混合して１合し、さらに表面層を表面硬化処
理を行い１４インチ用ＣＲＴ前面板に装着するように圧
着プレス加工を行い２＋ａ＋厚の白墨を有するＣＲＴ前
面板を得た。

上記τ゛クリル前面板の片面に実施例１と同様な方法で
、酸化インジウム−スズ系半導体膜を表面に形成させた
。

得られた性能は 表面抵抗値２３００７口 全光線透過率：６Ｑ％ ガラス転移温度以下の光弾性定数の絶対値＝６ブルース
ター 電磁シールド性：　４０　ｄＢ　（周波数帯域４００に
〜１００ＭＨ２） 上述の如く、光学歪が小さく防眩性ならびにネオジウム
による演色効果が発揮され゛、画ｇＲが見やすくなって
目の彼方を大巾に軽減する。

を九表面抵抗値が小さい丸め、静電気によるほこりが全
く付着しない効果も併せもつものである。

実施例４ 実施例２にて実施した本発明の透明導電アクリル基板の
各表面にエポキシアクリレート系の紫外線硬化剤をスプ
レー法により膜形成させ、２μの膜厚となるようにトッ
プコートを行い紫外線硬化を行った所、光弾性定数、全
元線透過率共に同様な特性が得られた。

本実施例の基板は、耐摩耗性に優れ、その用途として、
静電容量形タッチスイッチの電極として使用できるとい
う非常に優れた基板が得られた。

実施例５ メタクリル樹脂（三菱レイヨン製アクリライト′Ｌ）の
２ｍ厚を肩する板へ５μの厚さとなるように表面硬化処
理を行った。該表面へ酸化インジウム−スズ系牛導体膜
を実施例１の方法でスパッタリングし、さらにその上へ
窒化チタンを１０ＯＡの膜厚となるようにスパッタリン
グしたＯ 得られた特性は以下の通りであり、本発明を満足するも
のであった。

表面抵抗値：ｌＸ１０”Ω／口 、　　光弾性定数の絶対値：３ 全光線透過率：５０％ ｉ九窒化チタンでトップコートされているため耐摩性に
優れ赤外線を反射する機能を有し熱線反射分野に使用で
きる特性も併せもつものである。

【図面の簡単な説明】

第１〜４図は本発明の透明導電性基板の断面図を示すも
のであり、１は合成樹脂基材、２は透明導電膜、３は硬
化処理膜及び４は保護膜をそれぞれ示す。 ネ１　図 率２ヅ 阜　３　口 率４ヅ 手続補正書 昭和６０年７月２日 １、事件の表示 特願昭６０−８３９５７号 ２、発明の名称 透明導電性基板 ３、補正をする者　　　　　゛ 事件との関係　　特許出願人 東京都中央区京橋二丁目３番１９号 （６０３）三菱レイヨン株式会社 取締役社長　河　崎　晃　夫 ４、代理人 東京都中央区京橋二丁目３番１９号 三菱レイヨン株式会社　内 明細書全文を別紙の訂正明細書のように補正する。 訂　　正　　明　　細　　書 １、発明の名称 透明導電性基板 一特許請求の範囲 ｔ　ガラス転移温度以下における光弾性定数の絶対値が
１５ブルスター以下である合成樹脂基、材上に１表面抵
抗が１０−１〜勺〜１０−Ωルの透明導電性皮膜を形成
してなる透明導電性基板。 ２　全光線透過率が７５％以上である特許請求の範囲第
１項記載の透明導電性基板。 五　合成樹脂基材が、その中罠防眩性および高演色性を
付与する有機系または無機系物が添加されたものである
特許請求の範囲第１項記載の透明導電性基板。 ４、　全光線透過率が４０％以上である特許請求の範囲
第３項記載の透明導電性基板。 ５　合成樹脂基材がアクリル樹脂でかつその表面が硬化
処理されたもので、透明導電膜が、酸化インジウム−酸
化スズ系、酸化スズ−酸化アンチモン系、酸化カドミウ
ム−酸化スズ系又は酸化亜鉛の膜である特許請求の範囲
第１項記載の透明導電性基板。 ＆　合成樹脂基材の表面が、１分子中に少なくとも２個
のアクリロイル基及び／又はメタクリロイル基を有する
多官能性単量体を含有する硬化処理剤で架橋硬化処理さ
れたものである特許請求の範囲第５項記載の透明導電性
基板。 ２　透明導電性皮膜が、その膜上に保護膜として有機系
高分子薄膜が形成されているものである特許請求の範囲
第１項〜第６項記載の透明導電性基板。 ＆　透明導電性皮膜が、その膜上に保護膜として無機系
高分子薄膜が形成されているものである特許請求の範囲
第１項〜第６項記載の透明導電性基板。 ３発明の詳細な説明 〔産業の利用分野〕 本発明は、光学歪の小さい合成樹脂を基材とする透明導
電性基板に関する。更に詳しくは、ガラス転移温度以下
において、光学歪が小さく、かつ加工性、耐衝撃性等に
優れた透明性の高い導電性基板に関する。 〔従来の技術〕 透明性を有する導電性基材は、液晶ディスプレイ、エレ
クトロルミネッセンス発光体などの電極、透明面発熱体
、静電遮蔽材料及び帯電防止材料などの広い用途に用い
られている。 従来、知られている透明な導電性基板は、ガラスが主体
であり、近年になってポリエステルやポリイミド等の耐
熱性高分子フィルムからなる基材に金、パラジウム、ア
ルミニウム等の金属薄膜又は酸化インジウム−スズ系の
半導体膜を被覆したものが提案されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 これらの技術において、ガラスを基材とした導電性基板
は、優れた透明性と導電性を有するものの、可撓性等の
加工性、耐衝撃性に劣り、さらに軽量化という面でも商
品化に対する妨げとなる。又、ポリエステルやポリイミ
ド等の耐熱性高分子フィルムを基材とした導電性材料は
加工性、耐衝撃性に優れ、軽量化にも寄与するものの、
ガラスに比べ基材自体の透明性が低いことから、板状の
ような厚い基材においての使用が困難であるという理由
で、実用上数１００μ以下のフィルム状に限定されてい
る。また、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム
のような場合、外部応力による変形量が５〜３０％程度
変化させることによって光学的複屈折率は５０〜１００
ｘ１０″″３という大きな変化が生じるため、透過率の
低下に加えて、光学的な歪斑が発生し、基材の厚さを出
来るだけ薄くする方向にせざるを得ない現状にある。ま
た、前述にのべたように、光学的歪が大きいため、液晶
ディスプレイ等の電極として使用する場合、フィルムを
薄くシタとしても、均質な画像が得られないという大き
な欠点があった。 本発明者らは、これらの欠点を解決するために、鋭意検
討を行った結果、本発明に到達したものである。　　　
゛ 〔問題を解決するための手段〕 本発明は、ガラス転移温度以下における光弾性定数の絶
対値が１５ブルースター以下である合成樹脂基材上に、
表面抵抗が１０−１Ω／口〜１０９Ω／口の透明導電性
皮膜を形成した、透明導電性基板に関するものである。 本発明において光弾性定数とは、主応力差による応力複
屈折の生じやすさの尺度であシ、１ブルースター１０−
ｕｔＪ／　（１７ｎで表示する。 本発明において、透明導電性基板用の基材として、ガラ
ス転移温度以下における光弾性定数の絶対値が１５ブル
ースター以下の合成樹脂を使用する理由は、この値が１
５以上の合成樹脂を使用したときは、基材の成型加工、
例えばインフレーション加工、射出成型加工、重合成型
加工、加圧成型加工時において様々な応力歪が発生し、
それにともなって光学的複屈折率の分布が生ずるからで
ある。この場合、複屈折率が大きいと基材を厚くしたと
きに透過光として縦方向と横方向のズレが発生し、像を
見る場合ゆらぎとなって見えるため大きな問題となる。 すなわち、光弾性定数の値が小さいほど好ましい。 また、これら応力複屈折は温度によっても大きく変化す
るため、実用性能としてガラス転移温度以下の規制が必
要である。そして、さらに基材を薄くした場合でも、例
えば液晶ディスプレイ用電極として使用するためＫは、
偏光板を用いるため、濃淡斑はもちろんのこと、複屈折
が負の値となるか、正の値となるかによって着色が減色
側もしくは加色側に移行するために、色素斑が発生する
こととなる。本発明において合成樹脂基材のガラス転移
温度以下における光弾性定数の絶対値を１５ブルースタ
ー以下とした理由は、この値が１５以上の場合には、以
上の実用性能上の問題に加えて、前述した透過光のズレ
による像のゆらぎが目を疲労させるということを含めて
、色々な問題が発生するからである。これは本発明の最
も大きな特長でもある。 本発明でいう光学歪の小さい合成樹脂基材の種類として
は、可視光線領域において透明性を有するものであれば
特に限定されないが、例えばポリメチルメタクリレート
を主成分とするメタクリル樹脂あるいはメチルメタクリ
レートを主成分とするメタクリル系共重合体樹脂、アタ
クチックポリスチレン、アタクチックポリ（α−メチル
スチレン）、無定形状態のアイソタクチックポリスチレ
ン等が含まれる。ガラス転移温度以下における光弾性定
数の絶対値が１５ブルースターを越える樹脂、例えばポ
リエチレンテレフタレート、フェノール、エポキシ、ゼ
ラチン、ジアリルフタレート、ポリイミド樹脂は本発明
から除かれる。 本発明の透明導電性基板は例えば液晶ディスプレイ、エ
レクトロルミネッセンス、プラズマディスプレイ等の電
極に使用する場合、あるいは透明面発熱体等の可視光域
での光学的透過性を要求される分野においては、可視光
域での全光線透過率が７５％以上であることが好ましい
。 また本発明の基板はディスプレイにおける例えば白黒や
カラー表示用ブラウン管の電磁シールド性あるいは静電
防止を兼ねたフィルター分野で用いる場合、画質の向上
を目的として演色性の改善ならびにグレア（眩惑）を防
止するために基板に有機系または無機系物質を混在させ
たものも含まれる。 これら物質は、例えば特公昭５８−２２５１４８号公報
に開示されているネオジウム化合物。 葉緑、褐色等に着色させるための着色用染顔料であシ、
この場合の可視光域での全光線透過率として４０％以上
が望ましい。 本発明は、以上の用途分野に使用されるため基板の表面
抵抗値として１０″″ｌ　ａ／ａ〜１０會〜勺を満足す
る必要がある。 本発明において合成樹脂基板上に付与する導電層は、金
、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム合金などの金
属薄膜、金属薄膜を金属酸化物等の薄膜で被覆したシし
た多層膜、酸化インジウム−スズ系、酸化スズルアンチ
モン系、酸化カドミウム−スズ系、酸化亜鉛等の酸化物
半導体薄膜を用いることができるが、好ましくは光透過
性、耐環境性、電気抵抗値等からみて酸化物半導体薄膜
を用いることが特に望ましい。 以上のことから本発明の合成樹脂基材として、光学的歪
の小さい、すなわち、光弾性定数の絶対値として１５ブ
ルースター以下で、光透過率、表面電気抵抗値をすべて
満足するものとしてアクリル樹脂板が最４好ましい。 本発明にしたがって、例えば透明導電アクリル樹脂板を
得る際には、アクリル樹脂は熱可塑性であるため、高温
度雰囲気で基材に透明導電性皮膜を付与することが出来
ない。すなわちポリエステルやポリイミドのよう表耐熱
性樹脂と同じような方法では導電性皮膜を基材上に形成
させるととは全く不可能である。 とのような低軟化点を有するアクリル樹脂を基材として
使用する場合、基材の表面を硬化処理し、その上に例え
ば酸化物半導体薄膜を例えばスパッタリング法、エレク
トロンビーム法、イオンスパッタリング法等によって基
材温度が１００℃以下の温度で真空蒸着することによっ
て優れた透明導電性皮膜を得ることができる。 本発明で用いられるアクリル樹脂はポリメチルメタクリ
レートに代表されるポリアルキルメタクリレートやアル
キル（メタ）アクリレートを主成分とするコポリマーが
含まれ、コポリマーを形成する他の重合性モノマー、例
えばスチレン、アクリロニトリル等を、本発明に規定す
る範囲内において使用してもよい。 基板の表面を硬化処理するための処理剤としては、公知
の種々の硬化剤が使用可能であシ、例えばアクリレート
系のａＶ硬化樹脂等が用いられる。 表面硬化処理されたアクリル樹脂基材は、処理されてい
ない基材に比べ、透明導電性皮膜形成時に基材を高真空
域にさらす際に、基材表面付近の残留モノマーやそのオ
リゴマー等の低沸分の蒸発が抑制され、真空状態を安定
化できるためか、導電性薄膜との密着性に優れるととも
に、耐環境性においても充分満足したものが得られる。 さらに本発明は、透明導電薄膜の耐摩耗性を向上させる
ために、本発明の諸条件を満足する範囲内で、透明導電
性皮膜上に保護膜を形成させてもよい、この保護膜とし
ては、例えばアクＩＪ　／Ｌ−系等の高分子薄膜あるい
は酸化硅素、窒化チタン、窒化硅素等のよう表無機物質
の薄膜等が挙げられる。 本発明に係る透明導電性基板は、従来の耐熱性高分子フ
ィルムなどを基材とした透明導電材料では問題とされて
いた液晶ディスプレイ用電極、Ｏ，Ｒ，Ｔ、用フィルタ
ーなどに応用でき、さらニソの他エレクトロルミネッセ
ンス、プラズマ発光体用にも応用でき、透明性、加工性
、軽量化に優れたものである。 以下、本発明を実施例にて説明する。 実施例１ 透明導電材料の基材として、エポキシアクリレート系の
紫外線硬化樹脂にて、表面硬化処理を施した、厚みが１
−１３−及び５−のポリメチルメタクリレート樹脂板と
本発明の比較例として、厚さ１１０１を有するポリエチ
レンテレフタレート、ポリイミド、エポキシ、フェノー
ル、ジアリルフタレートの各樹脂板を用いて、アルゴン
と酸素を用いた反応スパッタリング法によシ、酸化イン
ジウム−スズ系半導体膜をスパッタリングした。 蒸着条件は、基材温度３０℃、陰極側に酸化インジウム
−酸化スズ（酸化スズ含有量８重量％）にてスパッタリ
ングを行った。 得られた透明導電性基板の特性を第１表に示した。 第・　　１　　表 なお、実施例における全光線透過率等の測定は次に示す
方法によった。 （１）全光線透過率（至）二人ＳＴＭ　　Ｄ−１００３
−６１に準じて測定した（可視光域）。 （２）光弾性定数：光弾性実験法（日刊工業新聞社　　
１９６５） に準じて測定した。 （３）表面抵抗値二通常の４点支持法によシ測定した。 第１表よシ明らかな如く、本発明の透明導電性基板は、
優れた透明性に加えて光弾性定数の値が非常に小さく、
ガラス転移以下における光学歪がほとんど認められ危い
のに対し、比較例は非常に大きな光学歪を有しているこ
とが明らかである。 実施例２ 透明導電材料の基材として、エポキシアクリレート系の
紫外線硬化樹脂にて表面処理を施した、厚さ３−のポリ
メチルメタクリレート樹脂板に酸化インジウム−スズ系
、酸化スズルアンチモン系、酸化カドミウム−スズ系、
酸化亜鉛の半導体膜をそれぞれスパッタリングした。 スパッタリングは、アルゴンと酸素雰囲気中で基材温度
を３０℃とし、常法に従い基材表面に１ｇｏｏｆの膜形
成を行うような条件で実施した。 得られた透明導電性基板の特性を第２表に示した。 第　　２　　表 第２表よシ明らかな如く本発明の透明導電性基板は、デ
ィスプレイ用電極帯電防止、電子写真記録用材料として
充分実用に耐えるものである。 実施例３ メタクリル酸メチルの部分重合物（重合率１８％）１０
０重量部に、　２．２’−アゾビス−（２，４−ジメチ
ルバレロニトリル）（ＬＯ４重量部、ジオクチルスルホ
サクシネート・ナトリウム塩αＯＯＳ重量部、平均粒径
α５μの酸化ネオジウム１１重量部、アイゼンスピロン
プルー〇ＮＨ（ｃ、工、屓０８１保土谷化学）１００１
重量部、ダイヤレジンレッドｓ　（ｃ、工、　／［８ｏ
１ｖｓｎｔ　Ｒｅａ　１５２三菱化成工業）α００１重
量部を添加混合して重合し、さらに表面層を特開昭５５
−９８２６５の実施例１の方法で処理した後、１４イン
チ用ＣＲＴ前面板に装着するように圧着プレス加工を行
い２籠厚の曲率を有するＣＲＴ前面板を得た。 上記アクリル前面板の片方の表面に実施例１と同様な方
法で、酸化インジウム−スズ系半導体膜を形成させた。 得られた性能は 表面抵抗値＝３００／口 全光線透過率：６０％ ガラス転移温度以下の光弾性定数の絶対値：６ブルース
ター 電磁シールド性：４ＧｄＢ（周波数帯域４００に〜１０
０ＭＨｚ） 得られた基板は、光学歪が小さく、防眩性ならびにネオ
ジウムによる演色効果を発揮し、画像が見やすくなって
目の枝骨を大巾に軽減した。 また表面抵抗値が小さいため、静電気によるほとシが全
く付着しない効果も併せもっていた。 実施例４ 実施例２で得られた透明導電アクリル基板の各表面にエ
ポキシアクリレート系の紫外線硬化剤をスプレーによシ
、２μの淡厚となるように塗布し、紫外線硬化を行った
ところ、光弾性定数、全光線透過率共に実施例１と同様
な特性が得られた。 本実施例で得られた基板は、耐摩耗性に優れ、静電容量
形タッチスイッチの電極として使用できるものであった
。 実施例５ メタクリル樹脂（三菱レイヨン製アクリライ）Ｉ、）の
２霞厚を有する板へ５μの厚さとなるように特開昭５５
−１。７、９３６の実施例１に示された方法で表面硬化
処理を行った０次いで該表面へ酸化インジウム−スズ系
半導体膜を実施例１の方法でスパッタリングし、さらに
その上へ窒化チタンを１００１の膜厚となるようにスパ
ッタリングした。 得られた基板の特性は以下の通シであった。 表面抵抗値：　ｌＸ１０雪Ω／口 光弾性定数の絶対値＝３ 全光線透過率：５０％ また本実施例で得られた基板は、窒化チタンでトップコ
ートされているため耐摩耗性に優れ赤外線を反射する機
能を有し熱線反射分野に使用できる特性も併せもつもの
であった。 毛図面の簡単な説明 第１〜４図は本発明の透明導電性基板の断面図を示すも
のであシ、１は合成樹脂基材、２は透明導電膜、３は硬
化処理膜及び４は保護膜をそれぞれ示す。 手続補正書 昭和６０年８月８日 １、事件の表示 特願昭６０−８３９５７号 ２、発明の名称 透明導電性基板 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 東京都中央区京橋二丁目３番１９号 （６０３）三菱レイヨン株式会社 取締役社長　河　崎　晃　夫 ４、代　理　人 東京都中央区京橋二丁目３番１９号 昭和６０年７月８日に提出した手続補正書に添付した訂
正明細書第１３頁の第１表を次の通り補正する。 第　　１　　表

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ガラス転移温度以下における光弾性定数の絶対値が
   １５ブルスター以下であって、表面抵抗が１０＾−＾１
   Ω／□〜１０＾９Ω／□である合成樹脂基材上に透明導
   電膜が積層された透明導電性基板。 ２、全光線透過率が７５％以上である特許請求の範囲第
   １項記載の透明導電性基板。 ３、合成樹脂基材が、その中に防眩性および高演色性を
   付与する有機系または無機系物が添加されたものである
   特許請求の範囲第１項記載の透明導電性基板。 ４、全光線透過率が４０％以上である特許請求の範囲第
   ３項記載の透明導電性基板。 ５、合成樹脂基材がアクリル樹脂でかつその表面が硬化
   処理されたもので、透明導電膜が、酸化インジウム−酸
   化スズ系、酸化スズ−酸化アンチモン系、酸化カドミウ
   ム−酸化スズ系又は酸化亜鉛の膜である特許請求の範囲
   第１項記載の透明導電性基板。 ６、合成樹脂基材の表面が、１分子中に少なくとも２個
   のアクリロイル基及び／又はメタクリロイル基を有する
   多官能性単量体を含有する硬化処理剤で架橋硬化処理さ
   れたものである特許請求の範囲第５項記載の透明導電性
   基板。 ７、透明導電膜が、その膜上に保護膜として有機系高分
   子薄膜が形成されているものである特許請求の範囲第１
   項〜第６項記載の透明導電性基板。 ８、透明導電膜が、その膜上に保護膜として無機系高分
   子薄膜が形成されているものである特許請求の範囲第１
   項〜第６項記載の透明導電性基板。