JPS61237461A - トランジスタモジユ−ル装置 - Google Patents

トランジスタモジユ−ル装置

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Publication number
JPS61237461A
JPS61237461A JP7843485A JP7843485A JPS61237461A JP S61237461 A JPS61237461 A JP S61237461A JP 7843485 A JP7843485 A JP 7843485A JP 7843485 A JP7843485 A JP 7843485A JP S61237461 A JPS61237461 A JP S61237461A
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JP
Japan
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voltage rise
transistor
inductance
capacitor
transistor module
Prior art date
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Pending
Application number
JP7843485A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Suzuki
功 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS61237461A publication Critical patent/JPS61237461A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/645Inductive arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はトランジスタモジュール装置I:係り、%:
:インパータ装置の直−交変換器を構成するスイッチン
グ素子のスイッチング時(:、回路の浮遊インダクタン
ス1;よる電圧上昇を抑制するようにしたトランジスタ
モジュール装置4=関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
第2図はトランジスタモジュールを複数接続して構成し
た一般的なインバータ装置の回路を示す〇第2図儂;お
いて、直流電源(2)は交流電源(1)を直流−二変換
するものである。コンデンサ(3)は直流電源(2)か
らの直流電流を平滑するものである。直−交変換器(5
)はコンデンサ(3)で平滑された直流を交流1:変換
するもので、この例ではトランジスタモジエール(5a
15b15C)  3個儂二より構成され、入力端子(
501) 、 (502)がコンデンサ(3)の両端(
=接続され、順次トランジスタモジュール5b、5cの
入力端子   ゛(503) 、 (504) 、 (
505) 、 (506) l::銅帯により接続され
、この銅帯部分償;は浮遊インダクタンス(6)が存在
する。第3図はトランジスタモジュール(5a〜5C)
の回路構成を示す。
次1:動作C:ついて説明する。今、直−交変換器(5
)のトランジスタがオフすると、銅帯部分−電流れでい
た電流iは浮遊インダクタンスの値をLとすれば、−L
Li”のエネルギとなり、電圧上昇の形で銅帯部分に現
われる。この種の電圧上昇はコンデンサ(3)、抵抗器
(4)で吸収され、その電圧上昇をV。
ダクタンスLの値が大きいときはコンデンサ(3)とし
て大きな容量を必要とし、またトランジスタモジュール
(5a〜5c)内のトランジスタの電圧定格を上げなけ
ればならない欠点があった。
尚、第4図は従来のトランジスタモジュールの構造を示
しでいる。
〔発明の目的〕
本発明は上記点(=鑑みなされたもので、回路の浮遊イ
ンダクタンス(=よる電圧上昇を抑制しインバータを構
成するコンデンサを小容量化できるトランジスタモジュ
ール装置を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
かかる目的を達成するため、本発明はトランジスタモジ
ュールを複数接続して構成するトランジスタモジュール
装置C二おいて、トランジスタモジュール間を接続する
導体を近接させ、相互インダクタンス(=より浮遊イン
ダクタンスを抑制するよう(;シたことを特徴とする。
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第4図はこの発明に係るトランジスタモジュールの構造
の一実施例を示す構造図である。図中第4図と同一部分
(=は同一符号を付している。第1図1=おいでトラン
ジスタモジュールの接続銅帯α1は直流電源(2)の出
力端子(501)と(502)と直−交変換器(5)の
入力端子C1とl112間1:接続されたものである。
次に動作について説明する。今、直−交変換器(5)の
トランジスタがオフすると接続銅帯Qll二流れていた
電流iは浮遊インダクタンスの値をLF%相互インダク
タンスをMとすれば、−L (L、−M ) t*のエ
ネルギとなり、電圧上昇の形で接続銅帯α11;現れる
。この種の電圧上昇はコンデンサ(3)で吸収され、そ
の電圧上昇をVν、コンデンサ(3)の容量をCとすれ
ば、−(LデーM)i”=−Lcv″となり相互インダ
クタンスM分だけ浮遊インダクタンスが小さくなり、電
圧上昇V?も低く抑えることができる。
〔発明の効果〕
以上のようC二この発明によればトランジスタモジュー
ルの01と]132間を近接しで接続すること(=より
、接続銅帯(IIの相互インダクタンスで浮遊インダク
タンスを抑制することができるため、回路の電圧上昇を
抑制でき、インバータを構成するコンデンサを小容量化
でき、かつスイッチング素子の電圧定格を下げることが
でき、さら6:装置が安価(=なる等の諸効果を有する
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明1:係るトランジスタモジュールの一
実施例を示す構造図、第2図はトランジスタモジュール
を使用して構成した一般的なインバータ装置を示す電気
結線図、第3図はトランジスタモジュール1個当りの回
路構成図、第4図は従来のトランジスタモジュールの構
造図である。 5as5be5c・・・トランジスタモジュール10・
・・・・・接続銅帯 代理人弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名)第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  トランジスタモジュールを複数接続して構成するトラ
    ンジスタモジュール装置において、トランジスタモジュ
    ール間を接続する導体を近接させ、相互インダクタンス
    により浮遊インダクタンスを抑制するようにしたことを
    特徴としたトランジスタモジュール装置。
JP7843485A 1985-04-15 1985-04-15 トランジスタモジユ−ル装置 Pending JPS61237461A (ja)

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JP7843485A JPS61237461A (ja) 1985-04-15 1985-04-15 トランジスタモジユ−ル装置

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JP7843485A JPS61237461A (ja) 1985-04-15 1985-04-15 トランジスタモジユ−ル装置

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JPS61237461A true JPS61237461A (ja) 1986-10-22

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JP7843485A Pending JPS61237461A (ja) 1985-04-15 1985-04-15 トランジスタモジユ−ル装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0593637A1 (en) * 1991-07-10 1994-04-27 KENETECH Windpower, Inc. Low impedance bus for power electronics
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US5579217A (en) * 1991-07-10 1996-11-26 Kenetech Windpower, Inc. Laminated bus assembly and coupling apparatus for a high power electrical switching converter

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EP0710983A3 (de) * 1994-11-07 1997-11-26 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Brücken-Modul

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