JPS61236215A - Voltage controlled oscillation circuit - Google Patents

Voltage controlled oscillation circuit

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JPS61236215A
JPS61236215A JP60076541A JP7654185A JPS61236215A JP S61236215 A JPS61236215 A JP S61236215A JP 60076541 A JP60076541 A JP 60076541A JP 7654185 A JP7654185 A JP 7654185A JP S61236215 A JPS61236215 A JP S61236215A
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JP
Japan
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circuit
charging
voltage
current
discharging
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JP60076541A
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Japanese (ja)
Inventor
Fumiaki Fujii
文明 藤井
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a voltage controlled oscillation circuit while the stabilized operation is realized by detecting the self-running oscillation frequency when a prescribed control is applied and applying additively a constant current according to the difference with a set self-running oscillation frequency to a variable current. CONSTITUTION:Each conductance ratio is set in MOSFETs Q2-Q5 so that they have a current weight according to a binary signal stored in a latch circuit FF. When outputs of the circuit FF are all at low level, the FETs Q2-Q5 flow currents i1-i14 according to a constant voltage V0 and its conductance, they are added to a control current IC to increase the charging current to capacitors C1, C2 thereby increasing the self-running frequency. When the outputs of the circuit FF are all at high level, the FETs Q2-Q5 are all turned off because of the high source potential regardless of the supply of the voltage V0 to the gates and only the current IC actslike a charging current. The provision of the compensation circuit in this way allows an objective oscillation frequency at the midpoint potential of the control voltage.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、電圧制御型発振回路に関するもので、例え
ば、PLL (フェーズ・ロックド・ループ)回路にお
ける電圧制御型発振回路に利用して有効な技術に関する
ものである。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention relates to a voltage-controlled oscillation circuit, and for example, to a technology that is effective when used in a voltage-controlled oscillation circuit in a PLL (phase-locked loop) circuit. It is.

〔技術背景〕[Technical background]

MOSFET (絶縁ゲート型電界効果トランジスタ)
は、そのプロセス変動による素子特性のバラツキが比較
的大きい。例えば、一対のキャパシタのうち一方のキャ
パシタへの充電電圧が一定のレベルに達したことをイン
バータ回路のロジンクスレッショルド電圧により検出し
て、放電動作に切り換えるとともに、他方のキャパシタ
を放電動作から充電動作に切り換えるという動作を交互
に行うことによって発振回路を構成することが考えられ
る。そして、上記キャパシタの充電電流を制御電圧に従
った可変電流源回路により形成することにより、電圧制
御型発振回路を構成することができる。この場合、上記
MOS F ETのプロセス変動による素子バラツキを
受けるので、その自走発振周波数は大きなバラツキを生
じてしまう。
MOSFET (insulated gate field effect transistor)
The variation in device characteristics due to process variations is relatively large. For example, when the charging voltage of one of a pair of capacitors reaches a certain level is detected by the rosin threshold voltage of the inverter circuit, the operation is switched to discharging operation, and the other capacitor is switched from discharging operation to charging operation. It is conceivable to construct an oscillation circuit by alternately performing the operation of switching between the two. A voltage-controlled oscillation circuit can be constructed by forming a charging current for the capacitor using a variable current source circuit according to a control voltage. In this case, the free-running oscillation frequency is subject to element variations due to process variations in the MOS FET, resulting in large variations in its free-running oscillation frequency.

このため、第3図の特性図に示した特性Aのように、目
標の周波数fを得るためには制御電圧VCに対して、最
低周波数と最高周波数の比を大きくして、引き込み周波
数範囲を広くする必要がある。しかしながら、この場合
は、制御電圧VCが電源電圧の変動やノイズの影響を受
けて僅かに変化しても、その周波数fが大きく変化して
しまうので安定性に欠けるという問題を生じる。
Therefore, in order to obtain the target frequency f, as shown in characteristic A shown in the characteristic diagram of Fig. 3, the ratio of the lowest frequency to the highest frequency is increased with respect to the control voltage VC, and the pull-in frequency range is widened. It needs to be widened. However, in this case, even if the control voltage VC changes slightly due to fluctuations in the power supply voltage or noise, the frequency f changes significantly, resulting in a problem of lack of stability.

一方、上記引き込み周波数を狭くして安定化を図ろうと
すると、第3図に示した特性B、B’ のように、最も
電流が流れる状態(P ower  Worst)では
特性Bのようになり、最も電流が流ない伏WE、 (S
peed  Worst)では特性B′のようになって
目標の周波数fが引き込み範囲から外れてしまう(なお
、PLL回路に関しては、例えば「電子技術1誌の第1
8巻第11号第24頁〜26頁参照、) 〔発明の目的〕 この発明の目的は、動作の安定化を実現した電圧制御型
発振回路を提供することにある。
On the other hand, if we try to stabilize the above-mentioned pull-in frequency by narrowing it, as shown in characteristics B and B' shown in FIG. When no current flows, (S
(worst), the target frequency f will be out of the pull-in range as shown in characteristic B'.
(See Vol. 8, No. 11, pp. 24-26.) [Object of the Invention] An object of the present invention is to provide a voltage-controlled oscillation circuit that achieves stable operation.

この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of this invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、制御電圧に従った可変電流によりその充電及
び/又は放電動作が行われる充放電回路と、上記充放電
回路の出力電圧を検出して上記充放電回路の放電動作と
充電動作を切り換える電圧検出回路とからなる発振回路
に、制御電圧の最大値のはW’ 1 / 2の制御電圧
を供給した時の自走発振周波数を検出して、設定される
べき自走発振周波数との差に従った定電流を形成して上
記可変電流に加暮して供給する自走発振周波数補償回路
を設けるものである。
That is, a charging/discharging circuit whose charging and/or discharging operation is performed by a variable current according to a control voltage, and a voltage detection circuit which detects the output voltage of the charging/discharging circuit and switches between the discharging operation and the charging operation of the charging/discharging circuit. The free-running oscillation frequency is detected when a control voltage with a maximum value of W' 1/2 is supplied to the oscillation circuit consisting of the A free-running oscillation frequency compensation circuit is provided which forms a constant current and supplies it to the variable current.

〔実施例〕〔Example〕

第1図には、この発明の一実施例の回路図が示されてい
る。同図の各回路素子は、公知のCMO8(相補型MO
3>集積回路の製造技術によって、1個の単結晶シリコ
ンのような半導体基板上において形成される。同図にお
いてPチャンネルMOSFETは、そのソース・ドレイ
ン間に直線が付加されてることにより、NチャンネルM
OSFETと区別される。
FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of the present invention. Each circuit element in the figure is a well-known CMO8 (complementary MO
3> Formed on a single semiconductor substrate, such as single crystal silicon, by integrated circuit manufacturing techniques. In the figure, the P-channel MOSFET has a straight line between its source and drain, so the N-channel MOSFET
Distinguished from OSFET.

特に制限されないが、集積回路は、単結晶P型シリコン
からなる半導体基板に形成される。NチャンネルMOS
FETは、かかる半導体基板表面に形成されたソース領
域、ドレイン領域及びソース領域とドレイン領域との間
の半導体基板表面に薄い厚さのゲート絶縁膜を介して形
成されたポリシリコンからなるようなゲート電極から構
成される。PチャンネルMOS F ETは、上記半導
体基板表面に形成されたN型ウェル領域に形成される。
Although not particularly limited, the integrated circuit is formed on a semiconductor substrate made of single-crystal P-type silicon. N channel MOS
The FET has a source region, a drain region formed on the surface of the semiconductor substrate, and a gate made of polysilicon formed on the surface of the semiconductor substrate between the source region and the drain region with a thin gate insulating film interposed therebetween. Consists of electrodes. The P-channel MOS FET is formed in an N-type well region formed on the surface of the semiconductor substrate.

これによって、半導体基板は、その上に形成された複数
のNチャンネルMOS F ETの共通の基板ゲートを
構成する。N型ウェル領域は、その上に形成されたPチ
ャンネルMOSFETの基一体ゲートを構成する。Pチ
ャンネルMOSFETの基板ゲートすなわちN型ウェル
領域は、第1図の電源端子Vccに結合される。
Thereby, the semiconductor substrate constitutes a common substrate gate for a plurality of N-channel MOS FETs formed thereon. The N-type well region constitutes the base gate of the P-channel MOSFET formed thereon. The substrate gate of the P-channel MOSFET, ie, the N-type well region, is coupled to the power supply terminal Vcc of FIG.

電圧制御型発振回路VCOは、次の各回路素子により構
成される。一対のキャパシタC1,C2の一方の電極は
、回路の接地電位に接続される。
The voltage controlled oscillation circuit VCO is composed of the following circuit elements. One electrode of the pair of capacitors C1 and C2 is connected to the ground potential of the circuit.

このキャパシタCI、C2には、放電回路を構成するN
チャンネル型のスイッチM OS ’F E T Q 
9 。
These capacitors CI and C2 have N
Channel type switch MOS'FETQ
9.

Qllがそれぞれ並列形態に設けられる。上記キャパシ
タC1,C2の他方の電極と後述する電流源回路との間
には、充電回路を構成するPチャンネル型のスイッチM
O5FETQ8.QIOがそれぞれ設けられる。上記キ
ャパシタCI及びC2の充電動作と放電動作との切り換
えを行うため、上記MO3FETQB、Q9及びMOS
FETQ10、Qllのゲートは、それぞれ共通化され
て、次に説明するフリップフロップ回路の相補出力信号
が供給される。
Qll are each provided in parallel form. A P-channel switch M constituting a charging circuit is connected between the other electrode of the capacitors C1 and C2 and a current source circuit to be described later.
O5FETQ8. A QIO is provided for each. In order to switch between the charging operation and discharging operation of the capacitors CI and C2, the MO3FETQB, Q9 and MOS
The gates of FETQ10 and FETQll are shared, and complementary output signals of a flip-flop circuit, which will be described next, are supplied.

上記フリップフロップ回路は、一方の入力と出力とが互
いに交差結線されたナンド(NAND)ゲート回路Gl
、G2と、他方の入力にそれぞれ設けられたインバータ
回路IVI、IV2とにより構成される。上記インバー
タ回路IVIとrv2の入力には、それぞれ上記キャパ
シタC2と01の充放電電圧が供給される。上記各イン
バータ回路IV1.IV2は、電圧検出回路として動作
する。例えば、フリップフロップ回路を構成するナント
ゲート回路G1の出力信号がハイレベルで、ナントゲー
ト回路G2の出力信号がロウレベルなら、上記ナントゲ
ート回路G1の出力信号のハイレベルによってNチャン
ネルMO3FETQI 1がオン状態となってキャパシ
タC2の放電動作を行い、上記ナントゲート回路G2の
出力信号のロウレベルによって、チャンネルMO3FE
TQBがオン状態となってキャパシタC1の充電動作を
行うものである。
The flip-flop circuit is a NAND gate circuit Gl whose input and output are cross-connected to each other.
, G2, and inverter circuits IVI and IV2 respectively provided at the other input. The charging and discharging voltages of the capacitors C2 and 01 are supplied to the inputs of the inverter circuits IVI and rv2, respectively. Each of the above inverter circuits IV1. IV2 operates as a voltage detection circuit. For example, if the output signal of the Nant gate circuit G1 constituting the flip-flop circuit is at a high level and the output signal of the Nant gate circuit G2 is at a low level, the N-channel MO3FET QI 1 is turned on due to the high level of the output signal of the Nant gate circuit G1. Therefore, the capacitor C2 is discharged, and the low level of the output signal of the Nant gate circuit G2 causes the channel MO3FE to be discharged.
TQB is turned on and charges the capacitor C1.

上記キャパシタC1への充電動作によって、その充電電
圧がインバータ回路IV2のロジックスレッショルド電
圧に達すると、その出力がロウレベル(論理論理“O”
)となるので、ナントゲート回路G2の出力信号はハイ
レベルに変化する。
When the charging voltage of the capacitor C1 reaches the logic threshold voltage of the inverter circuit IV2 due to the charging operation of the capacitor C1, its output becomes low level (logic "O").
), the output signal of the Nant gate circuit G2 changes to high level.

この出力信号のハイレベルによりナントゲート回1iG
1の出力信号は、ハイレベルからロウレベルに変化させ
られる。したがって、キャパシタC1に着目すれば、P
チャンネルMO3FETQBはオフ状態に、Nチャンネ
ルMO3FETQ9はオン状態に切り換えられるのでキ
ャパシタC1に対しては放電動作がなされる。キャパシ
タC2に着目すれば、PチャンネルMO3FETQIO
はオン状態に、NチャンネルMO3FETQI 1はオ
フ状態に切り換えられるのでキャパシタC2に対しては
充電動作がなされる。以上の動作の繰り返しにより発振
動作がなされる。
The high level of this output signal causes the Nantes gate to turn 1iG.
The output signal of No. 1 is changed from high level to low level. Therefore, if we focus on capacitor C1, P
Since the channel MO3FETQB is switched to the OFF state and the N-channel MO3FETQ9 is switched to the ON state, a discharging operation is performed on the capacitor C1. If we pay attention to capacitor C2, P-channel MO3FETQIO
is turned on, and the N-channel MO3FET QI1 is turned off, so that the capacitor C2 is charged. Oscillation operation is performed by repeating the above operations.

上記発振回路の発振周波数を制御電圧VCに従って制御
するため、上記キャパシタC1,C2への充電電流は、
次の電流源回路により形成される。
In order to control the oscillation frequency of the oscillation circuit according to the control voltage VC, the charging current to the capacitors C1 and C2 is as follows.
It is formed by the following current source circuit.

制御電圧VCは、NチャンネルMO3FETQ1のゲー
トに供給され、このMO3FETQIのドレインから上
記制御電圧VCに従った制御電流iCが形成される。こ
の制御電流icは、PチャンネルMO5FETQ6.C
7により構成された電流ミラー回路を介して、上記キャ
パシタC1,C2の充電電流として用いられることによ
って、その周波数制御を行うものである。
The control voltage VC is supplied to the gate of the N-channel MO3FETQ1, and a control current iC according to the control voltage VC is generated from the drain of the MO3FETQI. This control current ic is applied to the P-channel MO5FETQ6. C
The frequency is controlled by being used as a charging current for the capacitors C1 and C2 via a current mirror circuit configured by 7.

しかしながら、MO3FETQI等は、そのプロセスバ
ラツキによって上記制御電圧VCに対する上記充電電流
1cに大きなバラツキが生じる。
However, in MO3FETQI and the like, large variations occur in the charging current 1c with respect to the control voltage VC due to process variations.

そこで、この実施例では、次の自走発振周波数の補償回
路が設けられる。
Therefore, in this embodiment, the following compensation circuit for the free-running oscillation frequency is provided.

図示しないが、上記MO5FETQIのゲートには、制
御電圧VCの最大値の約1/2の電圧を選択的に供給す
る初期設定回路が設けられる。上記電圧制御型発振回路
VCOの出力信号(ナントゲート回路G2の出力信号)
は、インバータ回路IV3を介して分周回路としてのカ
ウンタ回路C0UNTに供給される。このカウンタ回路
C0UNTは、上記初期設定回路からの電圧に従った電
圧制御型発振回路VCOの発振周波数を計数する。
Although not shown, the gate of the MO5FETQI is provided with an initial setting circuit that selectively supplies a voltage approximately 1/2 of the maximum value of the control voltage VC. Output signal of the above voltage controlled oscillator circuit VCO (output signal of Nant gate circuit G2)
is supplied to the counter circuit C0UNT as a frequency dividing circuit via the inverter circuit IV3. This counter circuit C0UNT counts the oscillation frequency of the voltage controlled oscillation circuit VCO according to the voltage from the initial setting circuit.

論理回路LOGは、上記計数出力と設定すべき周波数と
の差に従ったディジタル値を算出して、特に制限されな
いが、ラッチ回路FFに出力する。
The logic circuit LOG calculates a digital value according to the difference between the count output and the frequency to be set, and outputs it to the latch circuit FF, although this is not particularly limited.

ラッチ回路FFは、その出力を定電流源としてのNチャ
ンネルMOS F ETQ 2〜Q5のソースに伝える
。これらのMOSFETQ2〜Q5のゲートには、図示
しない定電圧回路により形成された定電圧■0が供給さ
れる。そして、上記MOSFETQ2〜Q5のドレイン
は、上記MO3FETQ1のドレイン、言い換えるなら
ば電流ミラー回路(Q6.Q7)の入力端子であるMO
SFETQ6のドレインに共通接続される。
The latch circuit FF transmits its output to the sources of the N-channel MOS FETQ2 to Q5 as constant current sources. A constant voltage 0 formed by a constant voltage circuit (not shown) is supplied to the gates of these MOSFETs Q2 to Q5. The drains of the MOSFETs Q2 to Q5 are the drains of the MOSFET Q1, in other words, the MOSFETs are the input terminals of the current mirror circuit (Q6 and Q7).
Commonly connected to the drains of SFETQ6.

特に制限されないが、上記MO3FETQ2〜Q5は、
ラッチ回路FFに保持されたバイナリ−信号に従った電
流の重みを持つように、それぞれのコンダクタンス比が
設定されている。これにより、例えばラッチ回路FFの
出力が全てロウレベル(回路の接地電位)なら、MOS
FETQ2〜Q5は、上記定電圧Voと、そのコンダク
タンス暑う に従った電流11〜i4を流し、上記制御電流iCと加
算されてキャパシタC1,C2の充電電流を大きくして
その自走周波数を高くする。また、ラッチ回路FFの出
力が全てハイレベル(電源電圧Vcc)なら、上記MO
SFETQ2〜Q5は、上記定電圧vOがゲートに供給
されるにもかかわらず、そのソース電位が高くされるこ
とによって全てオフ状態にされ、上記制御電流icのみ
が上記充電電流として作用する。この実施例では、上記
電流11xi4に2値の筐み付けをすることに才って、
16通りの加算電流を形成することができる。
Although not particularly limited, the above MO3FETQ2 to Q5 are:
Each conductance ratio is set to have a current weight according to the binary signal held in the latch circuit FF. With this, for example, if the outputs of the latch circuit FF are all low level (ground potential of the circuit), the MOS
FETs Q2 to Q5 flow currents 11 to i4 according to the constant voltage Vo and its conductance, which are added to the control current iC to increase the charging current of the capacitors C1 and C2 and increase their free-running frequency. . Moreover, if all the outputs of the latch circuit FF are high level (power supply voltage Vcc), the above MO
Although the constant voltage vO is supplied to the gates of SFETs Q2 to Q5, all of them are turned off by raising their source potentials, and only the control current ic acts as the charging current. In this embodiment, the current 11xi4 is given a binary casing.
It is possible to form 16 different summation currents.

このような補償回路を設けることによって、例えば、第
2図の特性i r、のように、制御電圧VCのみによる
発振周波数の制御範囲が目標の周波数fより低くなるよ
うに予めオフセットを持たせておい“ζ、これに上記電
流11〜i4を選択的に加算することにより、制御電圧
VCのはソ゛中点電位の時に、目標の発振周波数fが得
られるようにすることができる。
By providing such a compensation circuit, for example, an offset can be provided in advance so that the control range of the oscillation frequency by only the control voltage VC is lower than the target frequency f, as shown in the characteristic i r in FIG. By selectively adding the currents 11 to i4 to this, the target oscillation frequency f can be obtained when the control voltage VC is at the midpoint potential.

上記M OS F E ’l’ Q 2〜Q5そのもの
もプロセスバラツキの影響を受けるので、電圧制御型発
振回路が動作を開始する前に、上記カウンタC0UNT
によって検出された発振周波数と設定すべき周波数数f
との差が少なくなるように上記加算電流の修正を行うよ
うにすればよい。
The above MOSFE 'l' Q2 to Q5 themselves are also affected by process variations, so before the voltage controlled oscillator circuit starts operating, the counter C0UNT
The oscillation frequency detected by and the number of frequencies f to be set
The above-mentioned addition current may be corrected so that the difference between the current and the current is reduced.

なお、上記カウンタ回路C0UNTは、上記修正動作が
終了した後は、PLL回路における分周回路としても用
いられる。すなわち、このカウンタ回路C0UNTの出
力は、基準周波数φrefとともに位相比較回路PFC
に入力される。この位相比較回路PFCの出力は、ルー
プフィルタ(ロウバスフィルタ)LFPの入力に供給さ
れる。
Note that the counter circuit C0UNT is also used as a frequency dividing circuit in the PLL circuit after the correction operation is completed. That is, the output of this counter circuit C0UNT is sent to the phase comparison circuit PFC along with the reference frequency φref.
is input. The output of this phase comparison circuit PFC is supplied to the input of a loop filter (low-pass filter) LFP.

ロウパスフィルタLFPは、位相比較回路PFCの出力
信号up、downを積分して、電圧制御型発振回路V
COの発振周波数の制御電圧VCを形成する。この電圧
制御型発振回路VCOの発振周波数信号は、分周回路C
0UNTによって17Nに分周されているので、電圧制
御型発振回路VCOから、上記基准周波数φrefに対
してN倍とされた発振出力信号が形成される。
The low-pass filter LFP integrates the output signals up and down of the phase comparator circuit PFC and outputs the voltage-controlled oscillator circuit V.
A control voltage VC for the oscillation frequency of CO is formed. The oscillation frequency signal of this voltage controlled oscillator circuit VCO is transmitted by the frequency dividing circuit C
Since the frequency is divided by 0UNT to 17N, the voltage-controlled oscillation circuit VCO generates an oscillation output signal that is N times the reference frequency φref.

前記C0DECにあっては、ディジタル電話交換システ
ム側から供給された8KHzの信号を上記基準周波数信
号φrefとして用い、上記電圧制御型発振回路VCO
から内部回路動作に必要な数十M Hzの高い周波数の
クロック信号を形成するものである。
In the C0DEC, an 8 KHz signal supplied from the digital telephone exchange system side is used as the reference frequency signal φref, and the voltage controlled oscillation circuit VCO
A clock signal with a high frequency of several tens of MHz necessary for internal circuit operation is formed from the above.

〔効 果〕〔effect〕

(1)制御電圧に従った制御電流に自走発1辰周波数の
ずれに対応した補償電流を形成して加えることによって
、周波数引き込み範囲の修正を行うことができる。これ
により、プロセスバラツキの補償を行うことができるか
ら、制御電圧に対する引き込み範囲を狭くでき、結果と
して電源電圧変動やノイズに対して安定な電圧制御型発
振回路を得ることができるという効果が得られる。
(1) The frequency pull-in range can be corrected by forming and adding a compensation current corresponding to the shift in the free-running oscillation frequency to the control current according to the control voltage. This makes it possible to compensate for process variations, narrowing the pull-in range for the control voltage, and resulting in a voltage-controlled oscillator circuit that is stable against power supply voltage fluctuations and noise. .

(2)上記(1)により、PLL回路が動作不能に陥る
ことが防止できるから、PLL回路を含む半導体集積回
路装置の製品歩留りを高くできるという効果が得られる
(2) Since the above (1) prevents the PLL circuit from becoming inoperable, it is possible to achieve the effect of increasing the product yield of semiconductor integrated circuit devices including the PLL circuit.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではな(、その要旨、金逸説しない範囲で種・ヤ変
更可能であることはい・うまでもない。例えば、自走発
振周波数の修正を行うための加算電流は、ポリシリコン
等からなるヒユーズ手段の選択的に溶所によって、上記
修正用の定電流を形成するMOSFETを選択的に動作
状態にさせることによって形成するものであってもよい
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained based on the examples above, this invention is not limited to the above examples (the gist of the invention can be changed without deviating from the scope of the invention). For example, the addition current for correcting the free-running oscillation frequency is generated by selectively melting the fuse means made of polysilicon or the like to connect a MOSFET that forms the constant current for correction. It may also be formed by selectively activating it.

また、このような(U正動作を回路的に行う場合、上記
PLL回路を構成する基準周波数信号を利用して、上記
差分のディジタル信号を形成するものであってもよい。
Further, when performing such a (U-direct operation) using a circuit, the digital signal of the difference may be formed using a reference frequency signal constituting the PLL circuit.

さらに、発振回路は、1つの充放電回路を用い、その充
電及び放電動作をヒテスリシス特性を持つ電圧比較回路
によって切り換えるようにするもの等充電及び又は放電
動作を交互に繰り返すとともに、その電流が可変にされ
るものであれば何であってもよい。
Furthermore, the oscillation circuit uses one charging/discharging circuit, and the charging and discharging operations are switched by a voltage comparator circuit having a hysteresis characteristic.The oscillating circuit alternately repeats charging and/or discharging operations, and the current is variable. It can be anything as long as it is done.

〔利用分野〕[Application field]

この発明は、半導体集、債回路装置に内蔵される電圧制
御型発振回路として広く利用できるものである。
The present invention can be widely used as a voltage controlled oscillator circuit built into a semiconductor integrated circuit or a bonded circuit device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明の一実施例を示す回路図、第2図は
、その動作の一例を説明するための特性図、 第3図は、従来の電圧制御型発振回路の動作を説明する
ための特性図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram for explaining an example of its operation, and FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of a conventional voltage-controlled oscillator circuit. FIG.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、制御電圧に従った可変電流によりその充電及び/又
は放電動作が行われる充放電回路と、上記充放電回路の
出力電圧を検出して上記充放電回路の放電動作と充電動
作を切り換える電圧検出回路とからなる発振回路と、制
御電圧の最大値のほゞ1/2の制御電圧を供給した時の
自走発振周波数と設定されるべき自走発振周波数との差
に従った定電流を形成して上記可変電流に加算して供給
する自走発振周波数補償回路とを含むことを特徴とする
電圧制御型発振回路。 2、上記発振回路は、フリップフロップ回路の相補出力
信号によりそれぞれ充電動作と放電動作とが制御され、
その充電電圧を上記フリップフロップ回路の入力に帰還
させることにより交互にその充放電動作が行われる一対
の充放電回路と、制御電圧に従った可変電流を上記充放
電回路に供給される充電電流として供給する電流源回路
とからなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の電圧制御型発振回路。 3、上記自走発振周波数補償回路は、上記発振周波数の
自走周波数信号を計数するカウンタ回路と、設定される
べき自走発振周波数に対応したディジタル計数値と上記
カウンタ回路の計数出力との差のディジタル信号形成す
る論理回路と、この論理回路の出力信号がソースに供給
され、ゲートに定電圧が供給されたMOSFETのドレ
インから加算すべき定電流を形成する定電流源回路とか
らなることを特徴とする特許請求の範囲第1又は第2項
記載の電圧制御型発振回路。
[Claims] 1. A charging and discharging circuit whose charging and/or discharging operation is performed by a variable current according to a control voltage, and a charging and discharging circuit that detects an output voltage of the charging and discharging circuit and performs the discharging operation of the charging and discharging circuit. The oscillation circuit consists of a voltage detection circuit that switches the charging operation, and the difference between the free-running oscillation frequency when a control voltage of approximately 1/2 of the maximum value of the control voltage is supplied and the free-running oscillation frequency that should be set. A voltage controlled oscillation circuit comprising: a free-running oscillation frequency compensation circuit that forms a constant current according to the above, and adds the constant current to the variable current to supply the same. 2. The oscillation circuit has a charging operation and a discharging operation controlled by complementary output signals of the flip-flop circuit, respectively,
A pair of charging/discharging circuits that perform charging/discharging operations alternately by feeding back the charging voltage to the input of the flip-flop circuit, and a variable current according to the control voltage as the charging current supplied to the charging/discharging circuit. 2. The voltage controlled oscillator circuit according to claim 1, further comprising a current source circuit that supplies current. 3. The free-running oscillation frequency compensation circuit includes a counter circuit that counts the free-running frequency signal of the oscillation frequency, and a difference between the digital count value corresponding to the free-running oscillation frequency to be set and the count output of the counter circuit. It consists of a logic circuit that forms a digital signal, and a constant current source circuit that forms a constant current to be added from the drain of a MOSFET whose source is supplied with the output signal of this logic circuit and whose gate is supplied with a constant voltage. A voltage controlled oscillation circuit according to claim 1 or 2, characterized in that:
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