JPS6123321A - 半導体ウエ−ハのベ−キング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発゛明の技術分野〕 本発明は半導体ウェーハのベーキング装置に関し、特に
半導体ウェーハの表面に微細なパターンを形成するため
に使用されるものである。

（発明の技術向合Ｆ８−１　） 半々体つ■−ハに微細なパターンを形成覆る際にはフＡ
ｌ−リソグラフィー技術が用いられる。この技術は感光
性樹脂（）Ａ１〜ｌノジスｌ−）を半々体つ］−ハに添
イー１した後にフＡ］・マスクバクーンを焼付転写Ｊる
もので、焼４１１Ｊ転′！７後に現像処理を施すことに
よりフＡ１〜レジメ１〜バクーンが半導体ウェーハーに
に形成される。どころで、フォトレジスト ハに被着した後にフＡ１〜レジスｌ〜に含まれた溶剤を
揮発させる目的ヤ）、現像後に現像液ヤ）リンス液を発
揮させて半導体つ１−ハの密着１ノ１を強くＪる目的で
半導体つ■−ハのベーキングが４１される。

前者の目的でなされるベーキングをソフ１へベータと呼
び、後者の目的で（’１されるベーキングをハードベー
クと呼ぶ。

添１４図面の第５図はこのＪ、う４丁べ−ｉングに用い
られる従来装［９に係るホラ１〜プレー１〜の２８１視
図である。なお、以下の図面の説明において同一・要素
は同−符化で示しである。例えばアルミニウｌ＼製の箱
体１内にはヒータ２が配設され、これらにＪ：ってボッ
１ヘプレー１〜が形成されている。ボッ１ヘプレートの
加熱【、１．ヒータ２に電流を通すことにＪ、り行い、
冷却は電流を切って自然に放熱さｌることににり行イｒ
う。

〔背相技術の問題点〕

上記の如〈従来のベーキング装置では、ボッ１ヘプレー
１〜の温度制御はヒータのオン、オフの切換えのみによ
って行なわれるため、ある一定温度でのみ使用される場
合には有効であるが、使用温１臭が変更される場合には
使用効率が低下り−る＜−１どの不都合が生じる。

この事情をより詳しく説明づるど、べ−４ング渇度はフ
Ａ１〜レジストの種類にＪζつ−Ｃ異＜＞す、例えば△
７１３５０Ｊ　□Ｋｌ’ｕ、　シフｔ、ｚＪＩＩ！ＩＪ
）　ｒｌａ９０二ｌＴ５℃、０ＲＰＲ８００（東京応化
に、１〈製）では８７．５±２．５℃、１−ＩＮＲ９９
９（米１１、ハントケミカル着装）では７５±１０℃と
／１つている。またベーキング温度はつＩ−ハ表面層の
（Φ類によってし異４ｊす、例えば上記のＡ７：１３５
０Ｊを用いる場合にはつ「−八人面層が８１０２のどき
に１２０℃、Ｓｉ３Ｎ４のどε＼゛に１５０”′０、△
１のとぎに１３５℃どなっている。？；Ｙ−）（−）４
トレジス１への種類、つＴ−八人面層の種類１イ；りが
変る１＝びに４＼ツ１ヘプレート０′）設定温ＩＩｉを
変え４丁４−Ｊ　＊ｙばなら４【いが、従来装置ではｉ
ｊ＼ツ１−ＩＩソノ−・の冷Ｉｎに長い時間を要Ｊるの
でＨｊｉ度変更があると使用効率が箸しく低下づるどい
−）欠Ｊ：、ｔがあった。

Ｊ：た、所定の種類の表面層で所定のｒ！　ｉｆｆのノ
Δ１ヘレジス１へのものにのみ使用（１１）用）でさる
３にうに設定温度を固定にすると、レジメ１〜処叩装置
とパターン転写装置を連結した場合の一体１幾どじでの
用途が限定されるという欠貞がある。

なお、上記の事情は表面層Ｋ＜４１１！＋ｉ等の他のへ
分子樹脂を付着しｌご半導体つ■−ハの場合に１）あて
１１まる。

〔発明の目的〕

本発明は上記の従来技術の欠Ｌ、ｊを克服Ｉｌるために
４１され！ごもので、設定温１σの変更を容易かつ迅速
（こ行なうことのできる半）９体つＴ−ハのベー二１ン
グ装置を提供Ｊることを目的どする。

〔発明の概要〕

上記の目的を達成するため本発明は、ボッ１ヘプレー１
−を加熱−リ゛るヒータと、これを冷１４］リ−る熱交
換媒体を循環させる循環手段とを兼ね備えた半導イ木つ
丁−ハのベーキング装置を捉（共するものである。

〔発明の実施例〕

以下、添付図面の第１図乃至第４図を参照して本発明の
一実施例を説明する。第１図は同実施例に係るポットプ
レー１〜の斜視図である。第５図の従来例と−“１．な
る点は、アルミニウム製の箱体１内にヒータ２の他に、
熱交換媒体を循環さけるためのパイプ３が配設されてい
ることである。熱交換媒体としては水等の熱容量の大ぎ
い流体が望ましい。

第２図は第１図に示すホットプレー１・の断面図である
。ヒータ２とバイブ３は箱体１内にりいに平行に配設さ
ｆｌている。

第３図（，１ベーキング装胃の全体の構成図である。

第１図および第２図に示１ホッ１〜プレー１−を含むホ
ラ１−プレー１〜型ベーカ一部４の裏面には温度【？フ
サ６が設けられ、この湿度レンリ゛６の１１１力は電気
信号としてコン１〜ローラ７に！）えられる。ボッｉ・
プレート型ベーカ一部４に、Ｉ−５Ｌ−Ｊるヒータ２の
オン、オフの切り変えと、バイブ３にお【ノる熱交換媒
体の循環のオン、オフの切り変え（、（スイッチング装
置５によってなされる。スイッチング装置の動作はコン
ト［１−ラフによ、って制御される。

次に第１図乃至第３図に承り実施例の動作を説明する。

図示しない制御装置等から］ン１〜１１−ラフに対して
設定温度が入力されると、］ントローラ７は温度センサ
６からの入力悟りにムどづいてスイッチング装置５の動
作を制御する。’ｌ−＜’にゎノう、温度レンサ６で検
出された温度が設定温度Ｊ：す１１（いとぎはヒータ２
に電流を通し−（加熱するようにし、設定温度より高い
どきはパイプ３に水等の熱交換媒体を通して冷却する。

）品度［ンリ６の検出温度と設定温ｒ復が一致したとぎ
は、ボットプレート型ベーｈ一部４からの放熱量に等し
い電流をヒ−タ２に通すことによって一定温度に保つよ
う（。゛づる。

第４図は時間経過と温度変化の関係の説明図であり、点
線は従来装置に対応し、実線は本発明に係る駅詔に対応
している。図示の如〈従来装％９７　には、例えば１５
０℃から１２０℃まで冷ｕ１されるのに１２０分近くも
かかっているのに対し、本発明に係る装置では極めて知
１１Ｓ間で冷ＩＪＩされている。

なお、ヒータ２、パイプ３の形状等は必要どされる渇瓜
条１！１、特性等に応じて任意に変更することができる
。また、第３図にホラ１〜プレー１〜型べ一力一部４は
フォトレジスｉ〜スピン］−ター等と接続してｂ　Ｊ：
　＜、フＡ１〜レジメ１〜ビンディベロツバと接続して
もよい。このようにする場合には、アルミニウム製のプ
レー１一部を加工して半導体つＴ−ハを搬送するための
搬送ベルトを設けてもＪ、い。

上記実施例の説明ではつＩ−ハ表面にフッ１１〜レジス
１−を被着した場合のみ示したが、一般に高分子樹脂を
被着したつ丁−ハをベーキングＭるためのものでｄｉ）
ｉｔばどのにう４ｉもので−ｂＪ二い。

（発明の効果） 上記の如く本発明によれば、ホラ１ヘプレー１〜を加熱
Ｊるヒータと、これを冷却り゛るための熱交換媒体を循
環させる循環手段とを兼ね備えさＩるにうにしたので、
設定温度を迅速かつ容易に変更することのできる半導体
つ丁−ハのベーキング装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の要部の斜視図、第２図は第
１図に示Ｊ実施例の要部の断面図、第３図は第１図おＪ
：び第２図に承り実施例の全体の描成図、第４図は時間
経過と温度変化の関係の３）開口、第５図は従来装置の
要部の斜視図である。 １・・・箱イホ、２・・・ヒータ、３・・・パイプ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　表面にフォトレジスト、表面保護膜等の高分子樹脂を
   被着した半導体ウェーハをホットプレートでベーキング
   する半導体ウェーハのベーキング装置において、前記ホ
   ットプレートを加熱するヒータと、前記ホットプレート
   を冷却するための熱交換媒体を循環させる循環手段とを
   備えることを特徴とする半導体ウェーハのベーキング装
   置。