JPS61225668A - クライストロン試験装置 - Google Patents
クライストロン試験装置Info
- Publication number
- JPS61225668A JPS61225668A JP6619785A JP6619785A JPS61225668A JP S61225668 A JPS61225668 A JP S61225668A JP 6619785 A JP6619785 A JP 6619785A JP 6619785 A JP6619785 A JP 6619785A JP S61225668 A JPS61225668 A JP S61225668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collector
- voltage
- loss
- klystron
- aging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、タライネトロン試験装置、特に大電力ノクラ
イスト１４ンのエージングを効率良〈実施でき、かつ省
力化の可能なりライストロン試験装置に関するものであ
る。
イスト１４ンのエージングを効率良〈実施でき、かつ省
力化の可能なりライストロン試験装置に関するものであ
る。
クライストロンは数１００ ＭＨｚから数ＧＨｚの周波
数帯の大電力増幅管として、放送器及びレーダー装置な
どに幅広く使用されている速度変調型電子管であシ、近
年は高エネルギー加速器の高周波空胴の高周波源として
、或いは核融合装置に用いられているＬＯＷＥＲＨＹＢ
ＲＩＤ周波数帯の高周波によるプラズマ加熱装置の高周
波源として用いられ、出力電力が数麗からパルスで数十
鼎の大電力管が開発されている。
数帯の大電力増幅管として、放送器及びレーダー装置な
どに幅広く使用されている速度変調型電子管であシ、近
年は高エネルギー加速器の高周波空胴の高周波源として
、或いは核融合装置に用いられているＬＯＷＥＲＨＹＢ
ＲＩＤ周波数帯の高周波によるプラズマ加熱装置の高周
波源として用いられ、出力電力が数麗からパルスで数十
鼎の大電力管が開発されている。
この種の大電力クライストロンでは、製作後定格の動作
を得るのにエージング処理が必要である。
を得るのにエージング処理が必要である。
即ち、これらのクライストロンは、通常数十ｋＶかち数
百ｋＶと云う高いコレクタ電圧で動作するが、製作後は
先ず低い電圧で動作させ、クライストロンの真空度を監
視しながら徐々に動作電圧を上昇させ、最終的に定格の
電圧で動作することを確認して使用する。このエージン
グ処理を行なうのがクライストロン試験装置である。
百ｋＶと云う高いコレクタ電圧で動作するが、製作後は
先ず低い電圧で動作させ、クライストロンの真空度を監
視しながら徐々に動作電圧を上昇させ、最終的に定格の
電圧で動作することを確認して使用する。このエージン
グ処理を行なうのがクライストロン試験装置である。
第６図は従来のクライストロン試験装置の構成図である
。第６図において、１はクライストロン、２は？テンシ
ロメータ４ａの設定値を基準電圧ｖｃｒ＠ｆとして出力
電圧を制御するコレクタ電源、３はポテンショメータ４
ｂの設定値を基準電圧ｖａｒｌａｆとして出力電圧を制
御するアノード電源、５はフィラメント電源、６は収束
マグネット７に電流を供給する収束マグネット電源、８
はイオン４ンデ９に電流を供給するイオンポンプ電源で
ある。
。第６図において、１はクライストロン、２は？テンシ
ロメータ４ａの設定値を基準電圧ｖｃｒ＠ｆとして出力
電圧を制御するコレクタ電源、３はポテンショメータ４
ｂの設定値を基準電圧ｖａｒｌａｆとして出力電圧を制
御するアノード電源、５はフィラメント電源、６は収束
マグネット７に電流を供給する収束マグネット電源、８
はイオン４ンデ９に電流を供給するイオンポンプ電源で
ある。
先ず、製作されたクライストロンはｖｃｒｌｌｌｆ。
ｖ、ｒｅｆを低い値に設定して通電し、運転員がイオン
ポンｆ９を流れる電流値を監視して、イオン電流値が設
定された基準値よりも低くなると、Ｉテンショメータ４
ｍ、４ｂを調節してｖｅｒｅｆ、ｙａ、ｒｅｆを上昇さ
せる。ｖｅｒｏｆ 、 ａｒｅｆが上昇すると、コレ
クタからのガス放出等によシ管内の真空度が一旦劣化し
、イオン電流値も一旦増加するが、イオン４ンデの排気
作用によって時間と共に減少する。
ポンｆ９を流れる電流値を監視して、イオン電流値が設
定された基準値よりも低くなると、Ｉテンショメータ４
ｍ、４ｂを調節してｖｅｒｅｆ、ｙａ、ｒｅｆを上昇さ
せる。ｖｅｒｏｆ 、 ａｒｅｆが上昇すると、コレ
クタからのガス放出等によシ管内の真空度が一旦劣化し
、イオン電流値も一旦増加するが、イオン４ンデの排気
作用によって時間と共に減少する。
イオン電流値が基準値よりも低くなると、再びｖａｒｅ
ｆ 、 ｖａｒｅｆを上昇させ、これを繰シ返すことに
よシ、最終的に定格電圧における使用が可能になる。
ｆ 、 ｖａｒｅｆを上昇させ、これを繰シ返すことに
よシ、最終的に定格電圧における使用が可能になる。
このようなエージング処理では、定格電圧で使用可能に
なるまでに上記のような操作を数百ステップに分割して
行なう必要があシ、又、エージング時間も２週間程度を
必要とするばかシでなく、上記の操作を全て運転員の手
動操作で行なった場合は、ｖｃｒａｆ 、 ａｒｅｆ
の設定が難かしく、誤操作によシ、保護装置が動作する
ことによるエージングの一時中断が避けられないため、
近年はこれを自動化した試験装置も検討されるようにな
った。
なるまでに上記のような操作を数百ステップに分割して
行なう必要があシ、又、エージング時間も２週間程度を
必要とするばかシでなく、上記の操作を全て運転員の手
動操作で行なった場合は、ｖｃｒａｆ 、 ａｒｅｆ
の設定が難かしく、誤操作によシ、保護装置が動作する
ことによるエージングの一時中断が避けられないため、
近年はこれを自動化した試験装置も検討されるようにな
った。
このような試験装置のブロック線図を第７図に示す。第
７図において、１０．１１は夫々エージングの各ステッ
プにおけるコレクタ電圧、アノード電圧の基準電圧ｖａ
ｒ＠ｆ 、 ｖａｒｅｆを記憶するコレクタ電圧パター
ン記憶装置及びアノード電圧パターン記憶装置で、これ
らの各ステップにおける値は・母ターン設定手段１２に
より設定される。又、１３は制御手段で、イオン電流検
出手段１５から検出したイオン電流値■１が設定値工、
。、以下になると、コレクタ電圧パターン記憶装置１０
、アノード電圧パターン記憶装置１１の次のステップ電
圧を、基準電圧ｖｃｒｅｆ 、 ｖａｒｅｆとしてコレ
クタ電源２、アノード電源３に出力すると共に、タイマ
１４を起動し、この設定時間経過後からイオン電流値１
１を再び監視して、イオン電流値Ｉｉが設定値工、。、
以下になれば、再び上記処理を行なう。
７図において、１０．１１は夫々エージングの各ステッ
プにおけるコレクタ電圧、アノード電圧の基準電圧ｖａ
ｒ＠ｆ 、 ｖａｒｅｆを記憶するコレクタ電圧パター
ン記憶装置及びアノード電圧パターン記憶装置で、これ
らの各ステップにおける値は・母ターン設定手段１２に
より設定される。又、１３は制御手段で、イオン電流検
出手段１５から検出したイオン電流値■１が設定値工、
。、以下になると、コレクタ電圧パターン記憶装置１０
、アノード電圧パターン記憶装置１１の次のステップ電
圧を、基準電圧ｖｃｒｅｆ 、 ｖａｒｅｆとしてコレ
クタ電源２、アノード電源３に出力すると共に、タイマ
１４を起動し、この設定時間経過後からイオン電流値１
１を再び監視して、イオン電流値Ｉｉが設定値工、。、
以下になれば、再び上記処理を行なう。
次に第８図のフローチャートによって第７図の動作を説
明する。先ず・母ターン設定手段１２で段階的に増幅し
、最終ステップＫｍａＸで定格電圧となるようなりｅｒ
ｅｆ 、 ａｒｅｆの電圧を、コレクタ電圧パターン
記憶回路１０、アノード電圧パターン記憶回路１１に設
定する。そのための制御手段１３はステラ７’８１でカ
ウンターＫに１をセットし、ステップ８２でコレクタ電
圧／臂ターン記憶装置１１０に＝１の値、即ち、Ｖ
（１）、Ｖ （１）をコレｃｒｅｆ
＆ｒｅｔ クタ電源２、アノード電源３に出力すると共に、ステッ
プ８３でタイマ１４を起動する。そしてステップ８４に
て設定時間が経過するのを待ち、次いでステップ８５で
イオン電流値！、が設定値Ｉｓ＠を以下になるのを待つ
。イオン電流値Ｉ、が設定値！、□以下になると、ステ
ラｆ８６でカウンターをカウントアツプして、再びステ
ップ８２以降のエーシング処理を繰り返す。この際、ス
テップ８６でカウンターをカウントアツプした時は、ス
テップ８７で指定したステップだけエージングを行なっ
たかを調べ、これが満たされれば、目標値までのエージ
ングは終了したと判断して終了する。
明する。先ず・母ターン設定手段１２で段階的に増幅し
、最終ステップＫｍａＸで定格電圧となるようなりｅｒ
ｅｆ 、 ａｒｅｆの電圧を、コレクタ電圧パターン
記憶回路１０、アノード電圧パターン記憶回路１１に設
定する。そのための制御手段１３はステラ７’８１でカ
ウンターＫに１をセットし、ステップ８２でコレクタ電
圧／臂ターン記憶装置１１０に＝１の値、即ち、Ｖ
（１）、Ｖ （１）をコレｃｒｅｆ
＆ｒｅｔ クタ電源２、アノード電源３に出力すると共に、ステッ
プ８３でタイマ１４を起動する。そしてステップ８４に
て設定時間が経過するのを待ち、次いでステップ８５で
イオン電流値！、が設定値Ｉｓ＠を以下になるのを待つ
。イオン電流値Ｉ、が設定値！、□以下になると、ステ
ラｆ８６でカウンターをカウントアツプして、再びステ
ップ８２以降のエーシング処理を繰り返す。この際、ス
テップ８６でカウンターをカウントアツプした時は、ス
テップ８７で指定したステップだけエージングを行なっ
たかを調べ、これが満たされれば、目標値までのエージ
ングは終了したと判断して終了する。
第９図はｖｃｒｅｆ 、 ａｒｅｆの時間的変化を示
したものである。
したものである。
以上の説明では管内の真空度をイオン電流値工、が設定
値！ｓｅｔ以下か、或いはこれを超えるか否かで管理し
ている場合であるが、真空度が限界値よりも劣化し、一
旦二一ジングを停止して真空排気後、再び最初のステッ
プからエージングを行なう再エージング処理の方が良い
場合もある。
値！ｓｅｔ以下か、或いはこれを超えるか否かで管理し
ている場合であるが、真空度が限界値よりも劣化し、一
旦二一ジングを停止して真空排気後、再び最初のステッ
プからエージングを行なう再エージング処理の方が良い
場合もある。
この場合の制御手段１３の動作の流れを第１０図に示す
。第１０図において、ステップ８１〜８７の処理は第８
図と同じであるが、第１０図ではタイマ１４を起動して
設定時間が経過するのを待つ間、及び工、がＩ、。、以
下になるまでの間、ステラ７’ＩＯ１，１０２で！ が
！ 以下であるｉ １１ｍｆｔ ことを監視しておシ、■ が工 を超えた場合ｉ
ｌ ｉｍｉ ｔ は、ステップ１０３でエージングを一旦中断し、ステラ
７’１０４でＴＩが再エージング可能な電流値Ｉ
以下になるのを待って、再びステップｔａｒｔ ８１〜８７の処理を行なう。第１１図′はｖｅｒ、ｆ。
。第１０図において、ステップ８１〜８７の処理は第８
図と同じであるが、第１０図ではタイマ１４を起動して
設定時間が経過するのを待つ間、及び工、がＩ、。、以
下になるまでの間、ステラ７’ＩＯ１，１０２で！ が
！ 以下であるｉ １１ｍｆｔ ことを監視しておシ、■ が工 を超えた場合ｉ
ｌ ｉｍｉ ｔ は、ステップ１０３でエージングを一旦中断し、ステラ
７’１０４でＴＩが再エージング可能な電流値Ｉ
以下になるのを待って、再びステップｔａｒｔ ８１〜８７の処理を行なう。第１１図′はｖｅｒ、ｆ。
■□、の時間的変化を示したものである。
〔背景技術の問題点〕−
上記した従来方式のクライストロン試験装置においては
、第６図及び第７図に示したように、エージングのパラ
メータとして、コレクタ電圧とアノード電圧を変化して
いた。このためコレクタ電流はコレクタ電圧パターン記
憶装置１０及びアノード電圧パターン記憶装置１１で設
定した■ｃｒｅｆ（転）。
、第６図及び第７図に示したように、エージングのパラ
メータとして、コレクタ電圧とアノード電圧を変化して
いた。このためコレクタ電流はコレクタ電圧パターン記
憶装置１０及びアノード電圧パターン記憶装置１１で設
定した■ｃｒｅｆ（転）。
ｖａｒｅｆ（転）をクライストロン１に印加した結果と
して決定され、当然のことながらコレクタ損失も同様で
あった。
して決定され、当然のことながらコレクタ損失も同様で
あった。
一方、エージングあるいは実際の使用で問題になるのは
、コレクタ電圧とコレクタ損失であシ、従来のクライス
トロン試験装置ではエージングパラメータの選定が適切
でなかりた。
、コレクタ電圧とコレクタ損失であシ、従来のクライス
トロン試験装置ではエージングパラメータの選定が適切
でなかりた。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
シ、効率が良く、シかも操作性の優れたクライストロン
試験装置を提供することを目的としている。
シ、効率が良く、シかも操作性の優れたクライストロン
試験装置を提供することを目的としている。
本発明では、ニージングツ臂ラメータとして二一ジンダ
の各ステップにおけるコレクタ電圧ｖｃｒｅｆ及びコレ
クタ損失Ｐ を用い、コレクタ損失がｒａｆ 設定値に等しく々るように、アノード電圧を制御しよう
とするものである。
の各ステップにおけるコレクタ電圧ｖｃｒｅｆ及びコレ
クタ損失Ｐ を用い、コレクタ損失がｒａｆ 設定値に等しく々るように、アノード電圧を制御しよう
とするものである。
以下図面を参照して実施例を説明する。第１図は本発明
によるクライストロン試験装置の一実施例の構成図であ
る。
によるクライストロン試験装置の一実施例の構成図であ
る。
第１図において、１６はコレクタ損失の基準Ｐｃｒｅｆ
を記憶するコレクタ損失／４’ターン記憶装置、１７は
コレクタ損失検出手段で乗算器１８と加算器１９とで構
成される。乗算器１８ではコレクタ電流検出手段２５で
検出されたコレクタ電流Ｉ と、コレクタ電圧検出手段
２６で検出されたコレクタ電圧ｖｌ！とにより、クライ
ストロン１で消費される電カニ。・ｖｃを算出する。
を記憶するコレクタ損失／４’ターン記憶装置、１７は
コレクタ損失検出手段で乗算器１８と加算器１９とで構
成される。乗算器１８ではコレクタ電流検出手段２５で
検出されたコレクタ電流Ｉ と、コレクタ電圧検出手段
２６で検出されたコレクタ電圧ｖｌ！とにより、クライ
ストロン１で消費される電カニ。・ｖｃを算出する。
一方、クライストロン１の高周波出力電力Ｐ０は、方向
性結合器２２、検波器２３及び検波器の特性を補償する
補償器２４によシ求められ、加算器１９を介して、 ｐｃ＝ｘｃ−、ｖｅ−ｐｏ、、・・・（１）からクライ
ストロン１のコレクタ損失Ｐを求める。
性結合器２２、検波器２３及び検波器の特性を補償する
補償器２４によシ求められ、加算器１９を介して、 ｐｃ＝ｘｃ−、ｖｅ−ｐｏ、、・・・（１）からクライ
ストロン１のコレクタ損失Ｐを求める。
そして７ノ一ド電圧制御手段２０は、前記コレクタ損失
検出手段１７によって検出された実際のコレクタ損失Ｐ
と、コレクタ損失パターン記憶装置１６から出力され
るコレクタ損失基準Ｐ より、ｒｅｆ ７ノード電圧基準Ｖ を制御する。２１はイオａｒ＊
ｆ ン電流検出手段１５から検出されたイオン電流値！、が
設定値”ｓｅｔ以下になると、コレクタ電圧ノ４ターン
記憶装置１０、コレクタ損失ノ４ターン記憶装置１６の
次のステップ電圧を基準電圧ｖｃｒｅｆ・Ｐ として
、コレクタ電源２及びアノード電圧ｃ′ｒ ｅ ｆ 制御手段２０に出力すると共に、タイマー４を起動し、
この設定時間経過後からイオン電流値Ｉ。
検出手段１７によって検出された実際のコレクタ損失Ｐ
と、コレクタ損失パターン記憶装置１６から出力され
るコレクタ損失基準Ｐ より、ｒｅｆ ７ノード電圧基準Ｖ を制御する。２１はイオａｒ＊
ｆ ン電流検出手段１５から検出されたイオン電流値！、が
設定値”ｓｅｔ以下になると、コレクタ電圧ノ４ターン
記憶装置１０、コレクタ損失ノ４ターン記憶装置１６の
次のステップ電圧を基準電圧ｖｃｒｅｆ・Ｐ として
、コレクタ電源２及びアノード電圧ｃ′ｒ ｅ ｆ 制御手段２０に出力すると共に、タイマー４を起動し、
この設定時間経過後からイオン電流値Ｉ。
を再び監視して、イオン電流値工、が設定値”ｓｅｔ以
下になると、再び上記処理を行なう制御手段である。
下になると、再び上記処理を行なう制御手段である。
その他の構成は第６図と同様である。
次に第２図によって動作説明をする。第２図から明らか
表ように１ステップ８１．８３〜８７は第８図と同様で
ある。第２図の処理で異なっている部分は、ステップ２
１の処理である。
表ように１ステップ８１．８３〜８７は第８図と同様で
ある。第２図の処理で異なっている部分は、ステップ２
１の処理である。
即ち、コレクタ損失／やターン記憶装置１６からのコレ
クタ損失基準Ｐｃｒｅｆが実際のコレクタ損失Ｐｏと等
しくなるように、アノード電源３の基準電圧Ｖ を制
御している点である。したがって、ａｒｅｆ ステラ７’２１ではＶ （イ）、ｐ （ＩＯを出
力するｃｒｅｆ ｃｒ＠ｆ ようにしている。そのため、第３図においては、第９図
に示されるｖ Ｋ代えてＰ が用いらａｒｅｆ
ｃｒｅｆれている点を除いては第９
図と同様である。
クタ損失基準Ｐｃｒｅｆが実際のコレクタ損失Ｐｏと等
しくなるように、アノード電源３の基準電圧Ｖ を制
御している点である。したがって、ａｒｅｆ ステラ７’２１ではＶ （イ）、ｐ （ＩＯを出
力するｃｒｅｆ ｃｒ＠ｆ ようにしている。そのため、第３図においては、第９図
に示されるｖ Ｋ代えてＰ が用いらａｒｅｆ
ｃｒｅｆれている点を除いては第９
図と同様である。
以上説明したように、上記実施例によればコレクタ電圧
とコレクタ損失をパラメータとしてエージングを行なっ
ているため、実際の使用に最適のパターンで、効率良く
エージングを行なうことができる。
とコレクタ損失をパラメータとしてエージングを行なっ
ているため、実際の使用に最適のパターンで、効率良く
エージングを行なうことができる。
第４図は再エージングを考慮した場合のフローチャート
であり、第１０図に示すステップ８２の処理をステップ
２１に置き換えただけである。この場合も前記同様にス
テップ２１にてＶ （イ）。
であり、第１０図に示すステップ８２の処理をステップ
２１に置き換えただけである。この場合も前記同様にス
テップ２１にてＶ （イ）。
ａｒｅｆ
Ｐｃｒｅｆ（６）を出力している。その他の処理は第１
０図と同様である。したがって第５図に示すｖｅｒ、ｆ
及びＰｃｒｅｆの時間的変化も第１１図に示すｖ＆ｒ１
．ｆに代えてＰｃ ｒｅ ｆとした点を除けば第１１図
と同様である。
０図と同様である。したがって第５図に示すｖｅｒ、ｆ
及びＰｃｒｅｆの時間的変化も第１１図に示すｖ＆ｒ１
．ｆに代えてＰｃ ｒｅ ｆとした点を除けば第１１図
と同様である。
以上説明したように、クライストロンの高周波出力電力
を、常時コレクタ損失検出手段１７で監視するようにし
ているので、クライストロン１で消費される電カニ。・
ｖｃに比べて、高周波出力電力Ｐｃが小さい場合に警報
を発生することも可能であり、ロフト不良を容易に発見
することができる。
を、常時コレクタ損失検出手段１７で監視するようにし
ているので、クライストロン１で消費される電カニ。・
ｖｃに比べて、高周波出力電力Ｐｃが小さい場合に警報
を発生することも可能であり、ロフト不良を容易に発見
することができる。
以上説明した如く、本発明によればエージングパラメー
タとしてコレクタ電圧パターンとコレクタ損失パターン
とを使用し、コレクタ損失／４’ターンの基準に実際の
コレクタ損失が一致するようにアノード電圧を制御する
よう構成したので、実際の使用に最適なパターンでエー
ジングが可能であシ、ロフト不良なども容易に発見でき
るため、結果として操作性の優れた効率的なりライスト
ロン試験装置を提供できる。
タとしてコレクタ電圧パターンとコレクタ損失パターン
とを使用し、コレクタ損失／４’ターンの基準に実際の
コレクタ損失が一致するようにアノード電圧を制御する
よう構成したので、実際の使用に最適なパターンでエー
ジングが可能であシ、ロフト不良なども容易に発見でき
るため、結果として操作性の優れた効率的なりライスト
ロン試験装置を提供できる。
第１図は本発明によるクライストロン試験装置の一実施
例の構成図、第２図は動作説明のフローチャート、第３
図は第２図の処理における基準値ｖｃｒｅｆ 、 Ｐｃ
ｒ、、及びイオン電流！、の時間的変化を示す図、第４
図は第４図は第１図の他の実施例による動作説明の７０
−チャート、第５図は第４図の処理における基準値ｖｃ
ｒｅｆ ” ｃｒｖｆ及びイオン電流工、の時間的変化
を示す図、第６図は従来方式のクライストロン試験装置
の構成図、第７図は従来方式の自動化されたクライスト
ロン試験装置の構成図、第８図は第７図の動作説明のフ
ローチャート、第９図は第８図の処理における基準値ｖ
ｃｒｅｆ ｌ ｖａｒ＠ｆ及びイオン電流Ｉｉの時間的
変化を示す図、第１０図は第７図の他の実施例による動
作説明のフローチャート、第１１図は第１０図の処理に
おける基準値ｖｃｒ＠ｆ ＋ ａｒ＠ｆ及びイオン電
流■、の時間的変化を示す図である。 １・・・クライストロン ２・・・コレクタ電源３・・
・アノード電源 ４ｍ、４ｂ・・・ポテンショメー
タ５・・・フィラメント電源 ６・・・収束マグネッ
ト電源７・・・収束マグネット ８・・・イオンＩング
電源９・・・イオンデンプ
例の構成図、第２図は動作説明のフローチャート、第３
図は第２図の処理における基準値ｖｃｒｅｆ 、 Ｐｃ
ｒ、、及びイオン電流！、の時間的変化を示す図、第４
図は第４図は第１図の他の実施例による動作説明の７０
−チャート、第５図は第４図の処理における基準値ｖｃ
ｒｅｆ ” ｃｒｖｆ及びイオン電流工、の時間的変化
を示す図、第６図は従来方式のクライストロン試験装置
の構成図、第７図は従来方式の自動化されたクライスト
ロン試験装置の構成図、第８図は第７図の動作説明のフ
ローチャート、第９図は第８図の処理における基準値ｖ
ｃｒｅｆ ｌ ｖａｒ＠ｆ及びイオン電流Ｉｉの時間的
変化を示す図、第１０図は第７図の他の実施例による動
作説明のフローチャート、第１１図は第１０図の処理に
おける基準値ｖｃｒ＠ｆ ＋ ａｒ＠ｆ及びイオン電
流■、の時間的変化を示す図である。 １・・・クライストロン ２・・・コレクタ電源３・・
・アノード電源 ４ｍ、４ｂ・・・ポテンショメー
タ５・・・フィラメント電源 ６・・・収束マグネッ
ト電源７・・・収束マグネット ８・・・イオンＩング
電源９・・・イオンデンプ
Claims (1)
- クライストロンのコレクタ電源及びアノード電源に対し
て複数の基準値を設定し、イオンポンプを流れるイオン
電流値を監視し、前記イオン電流値が所定値よりも低く
なった場合に、前記コレクタ電源及びアノード電源に対
する印加電圧を順次所要時間にわたって階段状に上昇さ
せ、その都度イオン電流値を監視してエージングを行な
うクライストロン試験装置において、エージングパラメ
ータとしてコレクタ電圧パターンとコレクタ損失パター
ンとを使用し、前記コレクタ損失パターンの各基準値に
対して実際のコレクタ損失が一致するように設定すると
共に、制御手段を介してアノード電圧を制御することを
特徴とするクライストロン試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6619785A JPS61225668A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | クライストロン試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6619785A JPS61225668A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | クライストロン試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61225668A true JPS61225668A (ja) | 1986-10-07 |
Family
ID=13308879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6619785A Pending JPS61225668A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | クライストロン試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61225668A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103513164A (zh) * | 2012-06-25 | 2014-01-15 | 中国科学院电子学研究所 | 一种对速调管放电能量瞬时值和累积值监测的方法 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6619785A patent/JPS61225668A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103513164A (zh) * | 2012-06-25 | 2014-01-15 | 中国科学院电子学研究所 | 一种对速调管放电能量瞬时值和累积值监测的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3121017B2 (ja) | ビーム調整方法 | |
| US7683556B2 (en) | System with acceleration tube conditioning apparatus and acceleration tube conditioning method | |
| Zhou et al. | Commissioning of the SLAC linac coherent light source II electron source | |
| JPS61225668A (ja) | クライストロン試験装置 | |
| O'shea et al. | Initial results from the Los Alamos photoinjector-driven free-electron laser | |
| Kirby et al. | Transverse emittance and current of multi-GeV trapped electrons in a plasma wakefield accelerator | |
| Zhang et al. | Development of an S-band 22-kW-average-power-klystron with 7.14% relative bandwidth | |
| Sheffield et al. | Performance of the high brightness linac for the advanced free-electron laser initiative at Los Alamos | |
| Geisler et al. | Commissioning of the ACCEL 250 MeV proton cyclotron | |
| JPS61155872A (ja) | クライストロン試験装置 | |
| Boussard | Performance of the LEP2 SRF System | |
| Liu et al. | A 600kW C-Band Broadband Klystron with Wide Pulse-length | |
| Hajima et al. | Status of the free electron laser experiment at UT/NERL | |
| Conway et al. | Progress Toward 2 K High Performance Half-wave Resonators and Cryomodule | |
| Boussard | Operational experience with the LEP2 SC cavity system | |
| Miller | Pulse shortening in high-peak-power Reltron tubes | |
| Smith et al. | RF CONDITIONING OF THE PHOTO-CATHODE RF GUN AT THE ADVANCED PHOTON SOURCE–NWA RF MEASUREMENTS | |
| Kohno et al. | A multicharged heavy ion source for the IPCR cyclotron | |
| JPS61173172A (ja) | クライストロン試験装置 | |
| Shao et al. | Tuning of an S-band 10 MeV traveling-wave accelerating structure with a non-uniform section | |
| Bellodi | Source and LINAC3 studies | |
| Liu et al. | Effect of Bandwidth of Low Level Radio Frequency System on the Instability of an Electron Beam | |
| Sheikh et al. | Operation of a high-power CW klystrode with the RFQ1 facility | |
| El Khaldi et al. | Characterization of Higher-Order-Modes (HOM) in THOMX Storage Ring RF Cavity | |
| Shirkov et al. | Numerical simulation of highly charged ion production in RIKEN 18 GHz electron cyclotron resonance ion source |