JPS61221762A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記録体に画像を形成する装置に関し、特に画像
形成条件を検出し表示する画像形成装置に関する。

一般に、複写機等の画像形成装置において、帯電器、露
光ランプ等の多数の構成要素が組合わされ、それらが適
正な関係を保って動作しなければならない。

従って装置が適正状態にあるか否かをチェックするには
、種々の専用の測定器が必要となり、又その測定にはか
なりの熟練と時間が必要であつた。

本発明は上記点に鑑みてなされたもので、簡単な構成で
精度良く装置の動作状態をチェックすることが可能な画
像形成装置を提供することにあ即ち本発明は、記録体上
に画像を形成する画像形成手段と、前記画像形成手段の
画像形成条件を検出する検出手段と、前記検出手段の出
力値をレベル表示する表示手段と、を有することを特徴
とする画像形成装置を提供するものである。

以下本発明の実施例を図面に従い説明する。

第１図は本発明を適用し得る複写装置の断面図である。

ドラム１１の表面は、ＣｄＳ光導電体を用いた三層構成
の感光体より成り、軸１２上に回動可能に軸支され、コ
ピー命令により矢印１３の方向に回転を開始する。

ドラム１１が定位置速回転してくると、原稿台ガラス１
４上に置かれた原稿は、第１走査ミラー１５と一体に構
成された照明ランプ１６で照射され、その反射光は、第
１走査ミラー１５及び第２走査ミラー１７で走査される
。第１走査ミラー１５と第２走査ミラー１７は１；％の
速比で動くことによりレンズ１８の前方の光路長が常に
一定に保たれたまま原稿の走査が行なわれる。

上記の反射光像はレンズ１８．第３ミラー１９を経た後
、第４ミラー２０を経て露光部２１で、ドラム１１上に
結像する。

ドラム１１は、−成帯電器２２により帯電（例えば＋）
された後、前記露光部２１で、照明ランプ１６により照
射された像をスリット露光される。

それと同時に、ＡＣ又は−次と逆極性（例えば−）の除
電を除電器２３で行ない、その後頁に全面露光ランプ２
４による全面露光により、ドラム１１上に高コントラス
トの静電潜像を形成する。感光ドラム１１上の静電潜像
は、次に現像器２５により、トナー像として可視化され
る。現像方法には液現像、磁気ブラシ現像等使用しつる
が、本実施例においては磁気ブラシ現像を用いている。

カセット２６−１もしくは２６〜２内の転写紙２７−１
もしくは２７−２は、給紙ローラ２８−１．もしくは２
８−２により機内に送られ、第ルジスタローラ２９−１
もしくは２９−２で概略のタイミングをとり、第２レジ
スタローラ３０で正確なタイミングをとって、感光ドラ
ム１１方向に送出される。

次いで、転写帯電器３１とドラム１１の間を転写紙２７
が通る間に該転写紙上にドラムｌｌ上のトナー像が転写
される。

転写終了後、転写紙は搬送ベルト３２ヘガイドされ、更
に定着ローラ対３３−１．３３−２へ導かれ、加圧、加
熱により定着され、その後トレー３４へ排出される。

又、転写後のドラム１１は弾性ブレードで構成されたク
リーニング装置３５で、その表面を清掃し、次サイクル
へ進む。

又以上の画像形成サイクルを各々の時点において制御す
るためにドラム１１の回転とともに回転するクロック盤
１１ａのクロック点を光学的に検知するセンサｌｌｂと
によりドラムクロックパルスＤＣＫを発生する。

５０はドラム１１上の表面電位を検出する表面電位計で
あって現像器２１に取付けである。

該表面電位計５０について説明する。第２図は表面電位
計５０とドラム１１上との取付位置を示す横断面図、第
３図は電位計５０の側断面図、第４図は表面電位検出回
路、第５図は被測定面と測定電極とを遮蔽するかご形チ
ョッパ５３の斜視図である。

第２図、第３図、第４図において５２は黄銅またはアル
ミニウムで形成された導電性外筒で外筒５２は表面電荷
検出窓６５を有している。５５はチョッパ５３を回転せ
しめる駆動手段としてのセンサモータ、５３は円筒形チ
ョッパで電位測定窓６４を有している。５４は表面電位
測定電極、５６は前記電極５４の出力を検出する検出回
路を形成したプリアンププリント板である。

表面電位計５０は被測定面であるドラム表面から２ｍｍ
離れた位置に前記電位測定窓６５がドラム表面に対向す
るように取付けられており、表面電位計５０内には前記
電極５４で検出した電圧を増幅するプリアンププリント
板５６が内蔵され一体に形成されている。第６図の制御
回路のＣＰＵ２０１よりセンサモータードライブ信号Ｓ
ＭＤが出力されると、センサモータ５５が回転し、ドラ
ム表面上の電荷が電位測定窓６４を介して前記電極５４
に誘起される。

前記電位測定窓６４はチョッパ５３上に等間隔に４箇所
設けられている。前記電極５４て誘起されるのはチョッ
パ５３が回転し、等間隔でドラム表面１と電極５４をさ
えぎる為に第７−１図に示すような交流電圧となる。こ
の交流電圧の周期ＴはＴ−□　となる。

センサーモータ回転数×４ またこの電圧振幅Ｖｐ−ｐは、ドラム電位Ｖｐと電位外
筒５２、チョッパ羽根５３およびプリアンプ板５６の基
準電圧となるセンサーバイアス電圧Ｖ　ＢＩＡＳの差分
に比例する。したがってＶ　ｐ　−ｐ　＝　Ｖ　ＢＩＡ
Ｓとなる場合交流電圧はＯとなる。プリアンプ板５６内
にもうけられた内部回路は前述のセンサーバイアス電圧
Ｖ　ＢＩＡＳに重畳されたセンサー電源５Ｖｃｃにより
駆動され、前記電極５４で検出された交流変換信号のイ
ンピーダンス変換を行っているＱｌは接合型ＦＥＴで電
極５４に誘起された微少な交流信号をゲートの高入力抵
抗で受けて低インピーダンスの信号に変換する。Ｒ３，
Ｒ４は保護用抵抗である。

第７−２はセンサーバイアスＶ　ＢＩＡＳをパラメータ
としたドラム電位Ｖｐとプリアンプからの出力６２のピ
ーク値の関係を示したもので、プリアンプからの出力６
２はドラム電位ＶｐとセンサーバイアスＶ　ＢＩＡＳの
差分が忠実に検出される。さらにドラム電位ＶｐがＶｐ
≧Ｖ　ＢＩＡＳまたはＶｐ≦Ｖ　ＢＩＡＳ　毎いずれか
一方の範囲で変化するなら、交流検出電圧はドラム電位
Ｖｐに応じて、単調増加または単調減少の特性を有する
ので極性判断のために新たに同期整流回路をもうける必
要はない。第７−２図でＶ　ＢＩＡＳが１５０Ｖの時は
ドラム電位ＶｐがＶｐ≦１５０ｖの範囲であるときは−
ｎＶ〜＋１５０ｖの範囲で検出電圧が単調増加となり正
負両方向の大小関係を判断できる。但し正の範囲は＋１
５０Ｖｍａｘであり、−ｎｖはプリアンプ板５６内にも
うけられた回路の飽和電圧により、制約される。

以上のように電位計筐体および電位計に内蔵された内部
回路にバイアス電圧より大きい範囲か又は小さい範囲の
いずれか一方の範囲で変化する如く正又は負の一定のバ
イアスを印加することにより被測定面電位の極性判別が
可能となった。このように構成することにより新たに同
期検出回路等を設ける必要がないばかりか外部雑音が電
位計内部回路に影響し測定電位のフラッキを防止するこ
とも可能となった。

ところで感光体上に光を与えて帯電電荷を除電する型の
複写装置に於いては１次帯電器２２の出力電圧Ｖｐ＋”
％ＡＣ除電器２３の出力電圧ＶＳＬ露光ランプ１６の露
光光量を一定に保ったまま連続的にコピーを作成した場
合、前回の潜像作成が次回の潜像作成に於ける感光特性
に対して影響を及ぼす。つまり感光板にはメモリ特性が
存在する該メモリ特性は感光板の作成条件により異なり
第８図に示すように感光板の感度が早くなる場合（２−
ｃ）と遅（なる場合（２−ｂ）があり基準光１１Ｅｏ（
ここでＥｏは不図示の発光量調整ダイヤルを５の位置に
して露光ランプが標準白原稿に光を当てた時の反射光量
）に対して感光板の表面電位が変動する。

又温度、湿度等の環境の変化により特にＡＣ除電後の電
位が変動する。ＡＣ除電の変動は特に原稿明部に対して
影響を及ぼす。ＡＣ除電が変動した場合の感光板の特性
を第９図に示す。

このように連続コピー又は環境の変化により原稿の暗部
濃度、中間調濃度、明部カブリ等の画像状態が変化する
ことになるが良好なコピー作成の為特に原稿明部のカブ
リを押えられることが重要な要素となる。

以下に明部カブリを押える為に現像器のバイアス電圧を
制御する制御方式を詳細に説明する。

本実施例においては明部のドラム表面電位を検出するた
めに原稿照明用ランプ１６を用いないでブランク露光ラ
ンプ１０を用いている。前記ブランク露光ランプ１０は
前回転および光学系後進中にドラム表面に照射される。

この時のドラム表面の表面電位を明部表面電位として測
定し、この検出電圧に応じて現像器２５に印加する現像
バイアスを制御する。この際前記ブランク露光ランプ１
０がドラム表面に照射する光量は操作部上の発光量調節
ダイヤル（図示せず）が５の位置で白原稿を置いたとき
の原稿照明用ランプ１６の反射光と同じ光量に可変抵抗
ＶＲ３によって調整されている。したがって前記ブラン
ク露光ランプＩＯの照射によるドラムの表面電位を検出
することは原稿白がコピー中にドラム表面に生じさせる
表面電位と同じとなり、検出電圧に応じて一定の正極性
の電圧を上乗せして現像バイアスを印加することで、ド
ラム１１の感光特性が変動して明部電位が変動してもコ
ピーがかぶることを防止することができる。

本実施例ではブランク露光ランプ１０による明部表面電
位測定は前述の前回転中の非画像部および連続する静電
潜像の間の非画像部の電位を測定し、測定出力は前記非
画像部につづく潜像の現像時の現像バイアスを印加する
基準電圧となる。

第６図および第１５図のタイミングチャートにおいて、
キー人力手段２０８からコピースタート信号が入力され
るとＣＰＵ２０１からモータードライブ信号ＭＤがでて
、高圧ＡＣ除電器２３、高圧−成帯電器２２、全面照射
ランプ２４、ブランク露光ランプｌＯ、センサーモータ
５５がＯＮＬ、、前述の前回転を行なう。この時センサ
ーモータ５５にはセンサーモータードライブ回路により
駆動される。電位外筒５２、チョッパ５３には前述の一
定のセンサーバイアスＶ　ＢＩＡＳ（＋１５０Ｖ）、プ
リアンプ板５６内の回路には一定のセンサー電源５Ｖｃ
ｃ　（＋１７５Ｖ）が現像バイアス制御回路２０７から
それぞれリード線６０．６１を通して印加されている。

電位計５０で検出された交流信号はリード６２を通して
交流増幅器２０４で増幅され、さらに整流平滑回路２０
５で直流に再生する。この直流再生電圧は、サンプルホ
ールド回路２０６に入力され、ＣＰＵ２０１から自失さ
れるＳＴＢ信号“Ｈ”時の直流再生電圧がこの回路２０
６に記憶される。前回転が終了すると給紙、露光用ラン
プ１６が点灯しランプ１６とミラー１５．１７からなる
光学系が原稿サイズに従って走査し、現像器モータが回
転し、現像が行なわれる。現像バイアス制御回路２０７
はＣＰＵ２０１からリード線７４を通して入力される現
像器駆動信号ＤＶＬによって前述の直流再生信号と一定
値との切換を行っている。したがって検出明部電位に応
じた現像バイアスが現像器２５に印加されるのは現像器
モータが回転し潜像の現像を行っているときだけとなる
。

多数枚コピーの場合は各コピーの光学系後進（ＳＣＲＶ
）中に毎回ストローブ信号ＳＴＢがＣＰＵ２０１より出
匁され、光学系後進中にブランク光を照射し明部電位を
測定、記憶し、同様に前記現像バイアス制御回路２０７
が制御される。つまり連続的に潜像を形成する際に２つ
の連続する潜像の間の非画像部に所定の光量を投影して
静電像を形成し、該静電像の電位を測定することにより
該静電像に続く潜像を制御しているので前述した如き連
続画像形成による感光体の特性変化及び環境変化による
帯電器の出力の変化を現像器を制御することによる帯電
器の出力の変化を現像器を制御することにより補償する
ことができ安定した画像形成を行うことができ、特に明
部領域のカブリの防止効果が大きい。

更に潜像形成毎、毎回検知することにより、明部電位の
変動に対して忠実にフォローできるため有効である。

第１０図は第６図のセンサーモータドライブ回路２０３
の詳細回路図であり、モータードライブ信号ＭＤが“Ｈ
”になると、オープンコレクタのインベータ出力が“Ｌ
”になりコンデンサＣ１間の電圧はＱ３゜Ｑ６で構成さ
れる定電圧回路のＲ７，Ｒ８で決定される電圧をモータ
ー巻線に供給する。第１１図は、前記交流増幅器２０４
、整流平滑回路２０５、サンプルホールド回路２０６の
詳細回路図である。電位計５０で検出された交流電圧波
形はＪｌからカップリングコンデンサＣ３に入力され増
幅器Ｑ６で交流増幅されて＋１２Ｖを中心とする増幅さ
れた交流信号となる。ＶＨ２は検出利得調整用ボリュウ
ムである。

整流回路２０５はオペアンプＱ７、ダイオードＤ３゜Ｄ
４、抵抗Ｒ２０からなり＋１２Ｖ中心で正成分のみリニ
アに増１幅する直線検波回路を構成している。

オペアンプＱ７の反転入力端子の入力端子が非反転入力
端子の入力電圧に対して正のとき０点は負になりダイオ
ードＤ４がオフ、Ｄ３がオンになる。Ｑ７の負入力端子
はＤ３オンにより＋１２Ｖになるので、出力（Ｂ点）は
＋１２Ｖになる。また反転入力端子の入力電圧が非反転
入力端子の入力電圧に対して負のとき０点は正になりダ
イオードＤ４がオンダイオードＤ３がオフする為ゲイン
は−Ｒ２０となりり二アに増幅検波される。このような
直線検波回路を使用している為、ドラムの表面電位に対
する直流再生電圧特性の直線性を改善しており、更に温
度に対する補償も十分となった。

検波された信号はオペアンプＱ８からなるバッファ増幅
器を経て平滑コンデンサＣ６で平滑される。

さらにＱ９バッファ増幅器で増幅される。ここの信号は
、ボルテージホロワＱ１３を介して電位設定用のチェッ
ク端子Ｊ５として外部に出されている。Ｊ５の出力すな
わち積分出力とドラム表面の電位との関係は第１２図（
Ａ）に示すように、センサーバイアスＶ　ＢＩＡＳを中
心に対称な特性をもつ。加算増幅器ＱＩＯの反転入力端
子に１２のセンサーバイアス補償信号ＣＯＭＰが現像バ
イアス制御回路２０７から７１を介して入力されており
、センサーバイアスＶ　ＢＩＡＳから抵抗で分割して電
圧を取り出し、実施例では＋ＩＶ　（＋１２Ｖ基準）で
ある。センサーバイアス補償信号Ｖ　ＣＯＭＰはオペア
ンプＱ１４で極性を反転して−ＩＶ　（＋１２基準）で
ＱＩＯの加算増幅器の１つの入力となる。そしてＱＩＯ
の出力は第１２図（Ｂ）の特性を示す。したがってセン
サーバイアス補償信号Ｖ　ＣＯＭＰはセンサーバイアス
Ｖ　ＢＩＡＳをかけることでドラムの表面電位が０７時
に直流再生された検出出力がＯｖ　（＋１２Ｖ基準）に
なるようレベルシフトしてオフセットをな（す役割をし
ている。またさらにＶ　ＢＩＡＳの変動で上述の直流再
生された検出出力の変動を相殺するように働（。つまり
電位計筐体に印加するバイアス電圧から抵抗分割した電
圧を直流再生された電位計の測定出力に加えることによ
り、前記バイアス電圧の変動分を相殺しているので安定
した測定が可能となる。この場合本実施例のかご型電位
計に限らず被測定面の電位を交流信号としてとりだし直
流再生する型の電位計にはすべて適用可能である。

ところで加算増幅器ＱＩＯの出力は接合型ＦＥＴＱＩＩ
、増幅器Ｑ１２、もれ電流の少ないコンデンサＣ７、抵
抗Ｒ４４からなるサンプルホールド回路に入力される。

この時Ｊ３から入力されるストローブ信号暗］が“Ｈ”
のときはトランジスタＱ１５はＯＦＦとなり接合型ＦＥ
ＴＱ１１のゲート、ソース間は逆バイアスされＦＥＴＱ
ＩＩはＯＦＦとなるので増幅器ＱＩＯの出力はコンデン
サＣ７に貯えられない。ｎ］が“Ｌ”のときはトランジ
スタＱ１５がＯＮとなりＦＥＴＱｌｌのゲート、ソース
間はＯｖとなりゲート、ソース間は順バイアスされＱＩ
Ｏの出力はコンデンサＣ７に充電される。次にまた劉１
が“Ｈ”になるとＦＥＴＱＩＩはオフとなりコンデンサ
Ｃ７の片方の端子はオーブン状態になるので充電された
電荷は保持される。以上の動作でサンプルホールド回路
は蓬１がＬのときのＱＩＯの出力をサンプルし保持する
ことができる。さらにＲ４１，Ｒ４４によってゲインが
１／２倍されるので第１２図（Ｃ）の特性を示す。この
信号はＪ４から第６図の７２を介して現像バイアス制御
回路２０７へ送出される。第１３図は第６図の現像バイ
アス制御回路２０７の詳細回路図である。ブロック６−
１．６−２はそれぞれ高圧発生回路である。ブロック６
−２について説明する。電源＋２４Ｖがインバータトラ
ンスＴ２に供給されると、トランジスタＱ２４またはＱ
２５のどちらかがＯＮＬだす。トランジスタＱ２４がＯ
Ｎしだすとすると、Ｑ２４のコレクタ電流が増加し、ト
ランスＴ２にはコレクタ電流の増加分に応じた逆起電力
が発生し、Ｑ２５のベース■　にもっていく、するとＱ
２４はコレクタ電流がさらに増加する。この正帰還によ
ってＱ２４は抵抗Ｒ８６，Ｒ８８，トランジスタＴ２の
インダクタンスによって決まる時定数で飽和する。Ｑ２
４のコレクタ電流が飽和するとコイルＴ２の逆起電力は
０となりＱ２４はＯｆｆシ、トランスＴ２にはコレクタ
電流の減少分に応じた逆起電力が発生し、Ｑ２５をＯＮ
する。同様な正帰還によってトランジスタＱ２４゜Ｑ２
５は発振を持続する。Ｄｌｌ、ＤＩ２はＱ２４．　Ｑ２
５の保護用ダイオード抵抗Ｒ８９はトランジスタＱ２４
゜Ｑ２５のｈＦＥのバラツキによってコレクタ電流がバ
ラツ（のを防ぎ、発振のデユーティ−がｌ：１でなくな
るのを防止するための抵抗である。発振振幅はＴ２に供
給される電圧のほぼ２倍となる。

この発振電圧はＴ２の巻数比で決まる電圧に昇圧されＤ
１４．Ｃ１５で整流、平滑され直流高圧が出力される。

ブロック６−１も同様の動作で高圧が出力されるがＴ１
に供給する電圧がＱ１７の出力電圧に応じて変化する可
変高圧出力である。端子Ｊ７から入力される現像器駆動
信号ＤＶＬを“Ｈ”または“Ｌ“に切換えてオペアンプ
Ｑ１７の入力を前述のサンプルホールド電圧値にするか
可変抵抗ＶＲＩＯで決まる電圧にするかを選択している
。Ｄ、ＶＬが“Ｈ”のときはトランジスタＱ１６．Ｑ１
９がＯＦＦとなりＦＥＴＱ１８のゲートはＲ６２を介し
てソース電位と同じになりソース、ゲート間が順バイア
スされるので、ＦＥＴＱ１８がＯＮする。したがって演
算増幅器Ｑ１７に入力される電圧は可変抵抗ＶＲＩＯで
決まる電圧が入力される。］１が“Ｌ”のときは全く逆
の動作で１６から入力されるサンプルホールド電圧がＱ
１７の入力となる。Ｑ１７に入力された信号は可変抵抗
ＶＲ８とＶＲ９で決まる反転入力電圧と比較され増幅さ
れトランジスタＱ２０．Ｑ２１で構成される。電流ブー
スターを経てトランスＴ１の電源として供給される。ト
ランスＴｌに加える電圧が上昇すると発振振幅が大きく
なり、トランスＴ２の２次側の負高圧はさらに負に大き
くなる。この電圧はブロック６−２の正の固定出力と重
ね合わされ現像バイアスＤＢＩＡＳとしてリレーに２を
介して現像器に加えられる。Ｑ１７の入力が端子Ｊ６の
サンプルホールド電圧の場合は、ドラム電位に対する現
像バイアスＤ　ＢＩＡＳの特性は第１２図りに示すよう
になる。ここで可変抵抗ＶＲ８は第１２図りにおいてＹ
軸切片、を決定し、抵抗ＶＲ９は傾きを決定する。した
がってドラム明部電位が１５０Ｖ以下であれば現像バイ
アス電圧Ｄ　ＢＩＡＳは明部電位＋７５Ｖとなる。　　
一 端子Ｊ８に入力される信号ＭＯＤＥは後述する電位設定
時には“Ｈ”となりＱ１７の入力としてはＪ６からのサ
ンプルホールド電圧を選択し、さらにリレーＫｌをオー
プンにして、現像バイアス電圧Ｄ　ＢＩＡＳが現像器に
かかるのを防いでいる。端子Ｊ９のモータドライブ信号
■はリレーに２をＯＮｔ、現像器２５に現像バイアス電
圧Ｄ　ＢＩＡＳをかける。センサーバイアス切換え信号
５ＶＣＨは電位設定時には、“Ｈ”。

“Ｌ″切換られ、センサーバイアスＶ　ＢＩＡＳを抵抗
Ｒ７６、Ｒ７７間の電圧２２５ｖか、Ｒ７７、Ｒ７８間
の電圧１５０Ｖかを選択する。通常のコピ一時は５ＶＣ
Ｈは“Ｈ”でありＶ　ＢＩＡＳには＋１５０ｖが供給さ
れる。

センサー電源５ＶｃｃはトランスＴ２の独立巻線Ｌ１か
らＤ１５．　　Ｃ１６，Ｒ９，Ｃ１７，Ｃ１８によって
整流平滑された電圧を電源として、センサーバイアス電
圧Ｖ　ＢＩＡＳに＋２４Ｖ上乗せしているのでＶ　ＢＩ
ＡＳを切換えても常に５Ｖｃｃは＋２４Ｖになる。

又、第１５図のタイムチャートに示すように本実施例に
おいてはブランク露光ランプｌＯの光量を示す信号ＢＥ
ＸＰを電位測定を行う時には、所定光量に調光し記録体
上に画像記録が終了した後には光量を前記所定光量以上
に切換えている。つまり表面電位を測定するときには表
面電位が光量に対して変化するダイナミックレンジ内の
光量にブランク露光ランプの光量を調光し、記録が終了
した後にはブランク露光ランプの光量を強震光して感光
層内に生起したキャリヤによる不均一電界を消去するこ
とが可能となった。

次にドラム電位設定としてのモードスイッチについて、
第６図及び表１に従い説明をする。

ドラム交換時や、機械組立時の画像調整の際ドラムに適
正な電位を設定するためには表１にあるように、暗部電
位ＶＤ、明部飽和電位ＶＳｔ、、標準白原稿の明部電位
Ｖ　ＩＭＡＧＥなどがあり、現像バイアスを制御すると
さらにブランク弱による明部電位ＶＬを、それぞれ適正
に設定しなければならない。この際第６図のモードスイ
ッチ２０２に示すように各設定モードを選択できるスイ
ッチをもうけることにより、スイッチを押すだけで各設
定電位をドラムに生じさせるような負荷の駆動条件を選
択できる。モードスイッチ〜ＳＷＩはブランク露光ラン
プを消灯して原稿の暗部電位に相当する暗部電位ＶＤを
目標電位＋４５０Ｖに設定する為のものであり、表面電
位計の出力をみつつ一次帯電器のワイヤを調整して目標
電位に設定する。

モードスイッチＳＷ２はブランク露光ランプを強点灯し
て感光ドラムの明部側飽和電位ｖＳＬを目標電位−１５
０ｖに設定する為のものであり、表面電位計の出力を検
知しながらＡＣ除電器の出力を調整して目標電位に設定
する。

モードスイッチＳＷ３はブランク露光ランプを弱点灯し
て感光ドラムの明部に相当する明部電位ｖＬを目標電位
−７５Ｖに設定する為のものであり、表面電位計の出力
を検知しながらブランク露光ランプの光量調節の為の可
変抵抗ＶＲ３を調整して明部電位ＶＬを目標電位に設定
する。

モードスイッチＳＷ４はＳＷ３によって設定されたブラ
ンク調光による明部電位ｖＬと原稿露光用ハロゲンラン
プの発光量調節ダイヤル５の位置で標準白原稿にハロゲ
ンランプの光を当てた時の反射光による明部電位Ｖ　Ｉ
ＭＡＧＥとが一致するように、ハロゲンランプの絞りを
調整する為のスイッチである。

モードスイッチＳＷ４を押す前に標準白原稿をプラテン
１４上におき、かつ操作部上の発光量調節ダイヤルを５
の位置に設定し、次にモードスイッチＳＷ５を押して光
学系前進クラッチを駆動させ原稿露光ランプとミラーか
らなる光学系を原稿露光ランプの光が前記白原稿に照射
される位置に停止させる。

その後モードスツチＳＷ４を押して表面電位計出力を検
知しながらハロゲンランプの絞りを調節することにより
前記Ｖ　ＩＭＡＧＥと前記明部電位ｖＬとを一致させる
。このようにして現像バイアス制御用のブランク露光ラ
ンプの光量゛（ブランク弱）と発光量調節ダイヤルが５
の位置で標準白原稿にハロゲンランプの光を当てた時の
反射光量を一致させ、現像バイアス制御をより正確なも
のとしている。さらに第６図のＣＰＵ２０１から各モー
ドに応じてセンサーバイアス電圧Ｖ　ＢＩＡＳを切換え
て、表１に示す目標のドラム電位とセンサーバイアス電
圧Ｖ　ＢＩＡＳの差を一定値にすることにより調整者は
異なった電位を設定するために、種々の数値を記憶する
ことなく、１つの数値に合わせるようにそれぞれの調整
を行うことができる。モードスイッチＳＷＩを押すとあ
らかじめプログラムされた出力がＣＰＵ２０１より出力
されドライバＤＲを介してメインモータ駆動信号ＭＤ、
高圧−広帯電器オン信号ＨＶＩ、高圧ＡＣ除電器オン信
号ＨＶ２が出力される。さらに信号ＭＤはセンサーモー
タ駆動回路２０３および現像バイアス制御回路２０７へ
もそれぞれ７６．７５を介して供給されており、センサ
ーモータは回転し、電位検出信号は、交流増幅器２０４
、直流再生回路２０５、サンプルホールド回路２０６、
現像バイアス制御回路２０７までの信号経路は閉じられ
る。このときストローブ信号ＳＴＢも“Ｈ”になるので
ＳＴＢは”Ｌ″になりサンプルホールド回路２０６の中
の第１１図のアナログスイッチＦＥＴＱＩＩはオンして
、センサーバイアス切換信号５ＶＣＨは“Ｈ”なのでＳ
ＶＣＭは“Ｌ″となり第１２図のリレーに３の接点は＋
１５０ｖ側に接続され現像バイアス電圧Ｖ　ＢＩＡＳと
してセンサ筺体、チョッパ及び内部回路に供給する。モ
ードスイッチ２０２を押すとモードスイッチが押されて
いるかどうかの判断信号ＭＯＤＥは“Ｈ”となり第１３
図のトランジスタＱ１９およびリレーＫ　１はＯＮし、
オペアンプＱ１７の入力はＪ６の信号が選択され、現像
器にいく現像バイアスＤ　ＢＩＡＳはしゃ断される。一
方策６図においてドラム１１は回転し、−広帯電器２２
、ＡＣ除電器２３、全面露光ランプ２４はそれぞれＯＮ
Ｌ、ておりその他の露光照射はされていないので、電位
計５０で測定しているドラムの表面電位は原稿の暗部に
相当する暗部電位ＶＤである。この時チェック用端子Ｊ
５は第１２図（Ａ）の特性を示すので、暗部電位の目標
が４５０Ｖのとき調整者は、−成帯電器ワイヤの調整Ｖ
ＲＩをして端子Ｊ５を２Ｖ　（１２Ｖ基準）にすればよ
い。表１に示す電位設定モードスイッチＳＷ２〜３も同
様にそれぞれのモードスイッチを押すとあらかじめプロ
グラムされた負荷駆動条件により、電位計５０で検出す
るドラムの表面電位は明部飽和電位Ｖｓｔ、、ブランク
調光による明部電位ｖＬ１標準白原稿のハロゲンの反射
光による電位Ｖ　ＩＭＡＧＥとなり、さらにモードスイ
ッチＳＷ３．４ではセンサーバイアスＶ　ＢＩＡＳを２
２５ｖに切換えて、第１２図（Ａ）を見ると明白である
が設定目標電位でモードスイッチＳＷＩ、３．４は異な
るにもかかわらず、チェック用端子Ｊ５を２Ｖ　（１２
Ｖ基準）になるよう、高圧ＡＣ出力調整器ＶＲ２ブラン
ク露光ランプの光量調整器ＶＲ３、ハロゲンの狡さい絞
り調整器ＶＲ４を調整すればよいことになる。このモー
ドスイッチ２０２をもうけることで、電位計５０は単に
現像バイアスを制御してカブリを防止するだけの役割に
とどまらず、内蔵された電位設定用の電位計としての役
割もになうことになる。さらに調整者はそれぞれの設定
電位の数値を記憶せず１つの数値のみで調整できる利点
がある。

更に第１４図に示した如き比較回路により表面電位検出
出力をレベル別に表示することが可能となる。

コンパレータＣＯＭＩ−ＣＯＭ５の非反転入力端子に表
面電位検出回路の直流再生電圧を入力し反転入力端子に
比較用電圧Ｖｌ−Ｖ５を入力する。比較用電圧ｖ１〜ｖ
５の大きさｔ；！Ｖ＋＞Ｖ２＞Ｖｓ＞Ｖ、ｉ＞Ｖｓに設
定されている。発光ダイオードＬＥＤ３のみ点灯する如
く調整器ＶＲＩ〜ＶＲ４を調整する。このように同じ発
光ダイオードの点灯のみで異なる表面電位を調整するこ
とが可能となった。又、前記モードスイッチは画像形成
の為の複数の処理手段のうち一部を選択的に駆動させる
ことが可能である。このような指令手段を設けることに
より複写機等の画像形成装置の動作状態を調べる際装置
全体を駆動させることな（、装置の一部の動作状態を綿
密に調べることが可能となった。更に表面電位計により
ドラム上の異なるモードの表面電位（明部電位、暗部電
位等）を測定する際、負荷を選択駆動できるため容易に
希望のモードの表面電位を測定でき有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を適用しつる複写装置の断面図、第２
図は表面電位計とドラムの取付位置を示す横断面図、第
３図は電位計の側断面図、第４図は表面電位検出回路図
、第５図はかご形チョッパの斜視図、第６図は第１図の
複写装置の制御回路図、第７−１図は電位計の出力波形
図、第７−２図はセンサバイアスＶ　ＢＩＡＳをパラメ
ータとしてドラム電位Ｖｐとプリアンプからの出力６２
のピーク値の関係を示した図、第８図は感光板の感光特
性図、第９図は環境変化による感光板の特性変化を示す
図、第１０図はセンサモータの回転制御回路図、第１１
図は第６図の増幅回路２０４、整流平滑回路２０５、サ
ンプルホールド回路２０６の詳細回路図、第１２図は表
面電位Ｖｐと第１１図の各部の出力との関係を示す図、
第１３図は第６図の現像バイアス制御回路図２０７の詳
細回路図、第１４図は比較表示回路図、第１５図は第１
図の複写装置のタイミングチャートを示す図である。 図においてｌＯはブランク露光ランプ、１１は感光ドラ
ム、１６は原稿露光ランプ、２２は一次帯電器、２３は
除電器、２４は全面露光ランプ、２５は現像器、５０は
表面電位計、５２は電位計筐体、５３はカゴ型チョッパ
、５４は測定電極、Ｑｌは接合型ＦＥＴ、ＶＢＩＡＳは
電位計バイアス電圧、Ｖ　ＣＯＭＰは補償電圧、５ＷＩ
−３Ｗ６はモードスイッチを各々示す。 堵２図 Ｉ 皓３図 壬■事 ↓ ど４５３ 毎７−／図 第７−ど図 手糸売ネ甫正書（方式） 昭和６１年　４月２３日 特許庁長官　　宇　賀　道　部　　殿　　　　　墾へ１
、事件の表示 昭和６０年特許願第２２８３５８号 ２、発明の名称 画像形成装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２居所　〒１４６
東京都大田区下丸子３−３０−２キャノン株式会社内（
電話７５８−２１１１）５、補正命令の日付（発送日） 昭和６１年３月２５日 ６、補正の対象 明細書及び図面 ７、補正の内容

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 記録体上に画像を形成する画像形成手段と、前記画像形
   成手段の画像形成条件を検出する検出手段と、前記検出
   手段の出力値をレベル表示する表示手段と、を有するこ
   とを特徴とする画像形成装置。