JPS61218183A - 光電子装置 - Google Patents
光電子装置Info
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- JPS61218183A JPS61218183A JP60058422A JP5842285A JPS61218183A JP S61218183 A JPS61218183 A JP S61218183A JP 60058422 A JP60058422 A JP 60058422A JP 5842285 A JP5842285 A JP 5842285A JP S61218183 A JPS61218183 A JP S61218183A
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- light receiving
- optoelectronic device
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
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- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
- G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は光電子装置、特に発光素子とこの発光素子から
発光された光を受光する受光素子とが相互に電磁遮蔽体
によって電磁遮蔽された光電子装置に関する。〔背景技
術〕 光通信用光源の一つとして、半導体レーザ装置が使用さ
れている。この半導体レーザ装置の一つとして、たとえ
ば、日立評論社発行「日立評論」１９８３年第１０号、
昭和５８年ＩＯ月２５日発行、Ｐ３９〜Ｐ４４に記載さ
れているように、通信用レーザモジュール（半導体レー
ザ装置）が知られている。この半導体レーザ装置は半導
体レーザ素子の共振器端面に光ファイバの先端が対向す
る、いわゆる直接対向方式として組み立てられ、パッケ
ージが箱型となる偏平形モジュールとして提供されてい
る。この半導体レーザ装置は金属製ステムの主面中央部
を金属板からなるキャンプで封止した構造となっていて
、内部に半導体レーザ素子（レーザチップ）およびこの
レーザチップの共振器端面から発光されるレーザ光の光
出力を検出する受光素子が内臓されている。
発光された光を受光する受光素子とが相互に電磁遮蔽体
によって電磁遮蔽された光電子装置に関する。〔背景技
術〕 光通信用光源の一つとして、半導体レーザ装置が使用さ
れている。この半導体レーザ装置の一つとして、たとえ
ば、日立評論社発行「日立評論」１９８３年第１０号、
昭和５８年ＩＯ月２５日発行、Ｐ３９〜Ｐ４４に記載さ
れているように、通信用レーザモジュール（半導体レー
ザ装置）が知られている。この半導体レーザ装置は半導
体レーザ素子の共振器端面に光ファイバの先端が対向す
る、いわゆる直接対向方式として組み立てられ、パッケ
ージが箱型となる偏平形モジュールとして提供されてい
る。この半導体レーザ装置は金属製ステムの主面中央部
を金属板からなるキャンプで封止した構造となっていて
、内部に半導体レーザ素子（レーザチップ）およびこの
レーザチップの共振器端面から発光されるレーザ光の光
出力を検出する受光素子が内臓されている。
このような光通信用レーザモジュールは光通信用の半導
体レーザ装置として充分な機能を発揮しているが、いず
れの機器等と同様により高い性能が要請されている。
体レーザ装置として充分な機能を発揮しているが、いず
れの機器等と同様により高い性能が要請されている。
ところで、現時点では、光通信における情報の伝送速度
は、１４０〜２００Ｍビット／秒程度であるが、情報量
の飛躍的な増大に伴ない、将来は５６０Ｍビット／秒さ
らには数Ｇビット／秒が必要とされると推定される。こ
のような場合、発光素子である半導体レーザと、この半
導体レーザのレーザ光出力をモニタする受光素子が近接
していると、電磁結合を起してしまい、光出力のモニタ
ができなくなるということが本発明者によってあきらか
とされた。
は、１４０〜２００Ｍビット／秒程度であるが、情報量
の飛躍的な増大に伴ない、将来は５６０Ｍビット／秒さ
らには数Ｇビット／秒が必要とされると推定される。こ
のような場合、発光素子である半導体レーザと、この半
導体レーザのレーザ光出力をモニタする受光素子が近接
していると、電磁結合を起してしまい、光出力のモニタ
ができなくなるということが本発明者によってあきらか
とされた。
本発明の目的は情報伝送速度が早く大容量通信に適した
光電子装置を提供することにある。
光電子装置を提供することにある。
本発明の他の目的は電磁結合がなく、光出力を高積度に
モニタできる光電子装置を提供することにある。
モニタできる光電子装置を提供することにある。
本発明の他の目的は高信顛度の光電子装置を提供するこ
とにある。
とにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、本発明の光電子装置においては、レーザチッ
プとこのレーザチップから発光されるレーザ光をモニタ
する受光素子は、強磁性体のパッケージの一部で構成さ
れる電磁遮蔽体で相互に分離され、かつレーザ光はパッ
ケージ内に埋め込まれたガラスロンドを介して受光素子
に到達する構 造となっているため、レーザチップと
受光素子とは電磁結合が起きな（なり、レーザ光の出力
モニタの高精度化が達成できるとともに、数Ｇビット／
秒にも及ぶ情報伝送速度向上が達成できる。
プとこのレーザチップから発光されるレーザ光をモニタ
する受光素子は、強磁性体のパッケージの一部で構成さ
れる電磁遮蔽体で相互に分離され、かつレーザ光はパッ
ケージ内に埋め込まれたガラスロンドを介して受光素子
に到達する構 造となっているため、レーザチップと
受光素子とは電磁結合が起きな（なり、レーザ光の出力
モニタの高精度化が達成できるとともに、数Ｇビット／
秒にも及ぶ情報伝送速度向上が達成できる。
第１図は本発明の一実施例による光電子装置の要部を示
す一部が切り欠かれた斜視図、第２図は同じく出力光の
周波数に対する相対強度を示すグラフである。 この実
施例による光フアイバ付光電子装置（半導体レーザ装置
）は、第１図に示されるように、偏平形モジュールとな
っていて、パッケージ１は、各部品をその主面側窪みに
組み込んだ箱型金属製のステム２と、このステム２の窪
み部分を気密的に塞ぐ金属製のキャップ３とによって形
成されている。また、このパッケージ１からは、一本の
光フアイバケーブル４と、一対２組合計４本のリード５
．６が突出した構造となっている。なお、ステム２の四
隅には取付孔７が設けられている。
す一部が切り欠かれた斜視図、第２図は同じく出力光の
周波数に対する相対強度を示すグラフである。 この実
施例による光フアイバ付光電子装置（半導体レーザ装置
）は、第１図に示されるように、偏平形モジュールとな
っていて、パッケージ１は、各部品をその主面側窪みに
組み込んだ箱型金属製のステム２と、このステム２の窪
み部分を気密的に塞ぐ金属製のキャップ３とによって形
成されている。また、このパッケージ１からは、一本の
光フアイバケーブル４と、一対２組合計４本のリード５
．６が突出した構造となっている。なお、ステム２の四
隅には取付孔７が設けられている。
前記ステム２の窪み底中央の台座部８上には、レーザチ
ップ９が固定されている。このレーザチップ９は導電性
の支持小片１０を介して台座部８に固定されている。こ
の支持小片１０上にはレー。
ップ９が固定されている。このレーザチップ９は導電性
の支持小片１０を介して台座部８に固定されている。こ
の支持小片１０上にはレー。
ザチップ９以外にペデスタル１１が固定されている。こ
のペデスタル１１はレーザチップ９を台座部８に取付け
る前に行われる特性検査時のワイヤが張られる小片であ
って、表面部分が導電層となった絶縁体で構成されてい
る。したがって、この支持小片１０は台座部８に固定さ
れた段階では不要となる。
のペデスタル１１はレーザチップ９を台座部８に取付け
る前に行われる特性検査時のワイヤが張られる小片であ
って、表面部分が導電層となった絶縁体で構成されてい
る。したがって、この支持小片１０は台座部８に固定さ
れた段階では不要となる。
また、前記ステム２の周壁には、筒状のファイバガイド
１２が貫通され鑞材によって気密的にステム２に固定さ
れている。このファイバガイド１２は、ステム２に挿入
される長いスリーブ１３、ステム２の側面に当接する大
径のストッパー１４、ストッパー１４部分よりも細いカ
シメ部１５とによって構成されている。なお、前記スリ
ーブ１３は、たとえば、外径が０．４ｍｍ、内径が０．
２ｍｍとなっている。そして、このファイバガイド１
２には、光フアイバケーブル４の一部が挿入されている
。この挿入部分は、ジャケット１６が付いた部分と、そ
の先端のジャケット１６が剥がされｔコアとクラッドか
らなる芯線１７とからなっている。また、芯線１７の先
端は円錐状に形成され、その先端のコアをレーザチップ
９の一方の共振器の端面（発光面）に対面させ、レーザ
チップ９から発光されるレーザ光１８をコア内に取り込
むようになっている。また、芯、ｖＩ１７の先端部分は
光軸合わせのために、ステム２に固定された固定ボスト
１９の挿入孔内に挿入され、かつ固定材で固定された状
態となっている。この結果、芯線１７の先端はレーザチ
ップ９に対して位置が変動せず、常に良好な光軸合わせ
状態が維持されるようになっている。
１２が貫通され鑞材によって気密的にステム２に固定さ
れている。このファイバガイド１２は、ステム２に挿入
される長いスリーブ１３、ステム２の側面に当接する大
径のストッパー１４、ストッパー１４部分よりも細いカ
シメ部１５とによって構成されている。なお、前記スリ
ーブ１３は、たとえば、外径が０．４ｍｍ、内径が０．
２ｍｍとなっている。そして、このファイバガイド１
２には、光フアイバケーブル４の一部が挿入されている
。この挿入部分は、ジャケット１６が付いた部分と、そ
の先端のジャケット１６が剥がされｔコアとクラッドか
らなる芯線１７とからなっている。また、芯線１７の先
端は円錐状に形成され、その先端のコアをレーザチップ
９の一方の共振器の端面（発光面）に対面させ、レーザ
チップ９から発光されるレーザ光１８をコア内に取り込
むようになっている。また、芯、ｖＩ１７の先端部分は
光軸合わせのために、ステム２に固定された固定ボスト
１９の挿入孔内に挿入され、かつ固定材で固定された状
態となっている。この結果、芯線１７の先端はレーザチ
ップ９に対して位置が変動せず、常に良好な光軸合わせ
状態が維持されるようになっている。
また、前記ファイバガイド１２とは反対側に位置する箇
所には、電磁遮蔽体２０が配設されている。この電磁遮
蔽体２０は前記レーザチップ９と後述する受光素子２１
との間の電磁結合を防ぐために設けられるものであり、
強磁性体である鉄合金系のパンケージ１と電気的に導通
状態になっていて、レーザチップ９の動作待受光素子２
１が電磁シールドされるようになっている。また、この
電磁遮蔽体２０には、透明体からなるガラス体２２が貫
通固定され、レーザチップ９から出射されたレーザ光１
８を受光素子２１に案内するようになっている。
所には、電磁遮蔽体２０が配設されている。この電磁遮
蔽体２０は前記レーザチップ９と後述する受光素子２１
との間の電磁結合を防ぐために設けられるものであり、
強磁性体である鉄合金系のパンケージ１と電気的に導通
状態になっていて、レーザチップ９の動作待受光素子２
１が電磁シールドされるようになっている。また、この
電磁遮蔽体２０には、透明体からなるガラス体２２が貫
通固定され、レーザチップ９から出射されたレーザ光１
８を受光素子２１に案内するようになっている。
他方、前記ファイバガイド１２とは反対側に位置する２
本のり−ド６の内端には、絶縁体からなるブロック２３
が取付けられている。前記リード６はブロック２３の主
面からその側面に亘って延在する導体層２４．２５の一
部に半田等の鑞材２６によって接続されている。前記一
方の導体層２４には受光素子２１が固定され、他方の導
体層２５には前記受光素子２１の電極に一端が接続され
たワイヤ２７の他端が接続されている。したがって、こ
れら一対のリード６は受光素子２１の出力端子となる。
本のり−ド６の内端には、絶縁体からなるブロック２３
が取付けられている。前記リード６はブロック２３の主
面からその側面に亘って延在する導体層２４．２５の一
部に半田等の鑞材２６によって接続されている。前記一
方の導体層２４には受光素子２１が固定され、他方の導
体層２５には前記受光素子２１の電極に一端が接続され
たワイヤ２７の他端が接続されている。したがって、こ
れら一対のリード６は受光素子２１の出力端子となる。
なお、これら一対のリード６は絶縁体２８を介してステ
ム２に固定されている。
ム２に固定されている。
また、レーザチップ９用の一方のり−ド５は、前記リー
ド６と同様に絶縁体２９を介してステム２に貫通固定さ
れ、ワイヤ３０を介してレーザチップ９の表面電極に固
定されている。また、レーザチップ９用の他のリード５
は、ステム２に直接固定されている。このリード５は、
ステム２．支持小片１０を介してレーザチップ９の下部
電極に電気的に接続されている。したがって、この一対
のリード５間に所定の電圧が印加されると、レーザチッ
プ９の両端の発光面からレーザ光１８が発光される。
ド６と同様に絶縁体２９を介してステム２に貫通固定さ
れ、ワイヤ３０を介してレーザチップ９の表面電極に固
定されている。また、レーザチップ９用の他のリード５
は、ステム２に直接固定されている。このリード５は、
ステム２．支持小片１０を介してレーザチップ９の下部
電極に電気的に接続されている。したがって、この一対
のリード５間に所定の電圧が印加されると、レーザチッ
プ９の両端の発光面からレーザ光１８が発光される。
このような、光フアイバ付光電子装置（半導体レーザ装
置）は一対のリード５間に所定の電圧が印加されること
により、レーザチップ９の共振器の端面からレーザ光１
８を発光する。レーザ光１８による光情報は光フアイバ
ケーブル４を伝送媒体として、所望箇所に伝送される。
置）は一対のリード５間に所定の電圧が印加されること
により、レーザチップ９の共振器の端面からレーザ光１
８を発光する。レーザ光１８による光情報は光フアイバ
ケーブル４を伝送媒体として、所望箇所に伝送される。
また、レーザ光１８の光出力は常時受光素子２１によっ
てモニタされ、光出力が一定となるように制御される。
てモニタされ、光出力が一定となるように制御される。
このような光電子装置では、レーザチップ９と受光素子
２１とは電磁遮蔽体２０で区画されているため、情報の
伝送速度を５６０Ｍビット／秒あるいは数Ｇビット／秒
にしても、電磁結合は生じなくなり、受光素子２１によ
るレーザ光１８のモニタは正確かつ高精度で行なえるよ
うになる。すなわち、周波数Ｆ（Ｈｚ）に対するモニタ
信号の結合相対強度Ｒ１（ｄＢ）を調べてみると、第２
図のグラフに示すように、電磁結合（Ｅｌｅｃ−ｔｒｏ
−ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）のみの場合
では、実線で示す曲線Ｉとなり、光学的および電磁結合
による強度（Ｑｐｔｉｃａｌａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏ
−ｍａｇｎｅｔｉｃＣｏｕｐｌｉｎｇ）の場合は、二点
鎖線で示す曲線■となる。この結果、周波数が６００Ｍ
Ｈｚ前後を越えると、光強度の出力変化は電磁結合の影
響によってまったく検出できなくなってしまうことにな
る。しかし、この実施例の光電子装置の場合は、受光素
子２１とレーザチップ９との間には電磁遮蔽体２０が設
けられ、電磁結合が起きないように配慮されていること
、また、レーザ光１８は電磁遮蔽体２０に貫通配設され
たガラス体２２を通って受光素子２１に到達するため、
レーザ光１８の出力は正確かつ確実に検出できることに
なる。すなわち、実施例の光電子装置は電磁結合が生じ
ない構造となっていることから、レーザチップ９から発
振された信号は受光素子２Ｉの遮断周波数Ｄｒ、ｔｒ）
域内あるいは半導体レーザの変調可能範囲内までモニタ
ー可能となる。また、本発明の光電子装置は高周波域で
も電磁結合が生じないことから、高周波域内の通信が可
能となり、情報伝送速度が数Ｇビラ１フ秒と極めて早い
光通信にも適し、大容量通信も可能となる。
２１とは電磁遮蔽体２０で区画されているため、情報の
伝送速度を５６０Ｍビット／秒あるいは数Ｇビット／秒
にしても、電磁結合は生じなくなり、受光素子２１によ
るレーザ光１８のモニタは正確かつ高精度で行なえるよ
うになる。すなわち、周波数Ｆ（Ｈｚ）に対するモニタ
信号の結合相対強度Ｒ１（ｄＢ）を調べてみると、第２
図のグラフに示すように、電磁結合（Ｅｌｅｃ−ｔｒｏ
−ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）のみの場合
では、実線で示す曲線Ｉとなり、光学的および電磁結合
による強度（Ｑｐｔｉｃａｌａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏ
−ｍａｇｎｅｔｉｃＣｏｕｐｌｉｎｇ）の場合は、二点
鎖線で示す曲線■となる。この結果、周波数が６００Ｍ
Ｈｚ前後を越えると、光強度の出力変化は電磁結合の影
響によってまったく検出できなくなってしまうことにな
る。しかし、この実施例の光電子装置の場合は、受光素
子２１とレーザチップ９との間には電磁遮蔽体２０が設
けられ、電磁結合が起きないように配慮されていること
、また、レーザ光１８は電磁遮蔽体２０に貫通配設され
たガラス体２２を通って受光素子２１に到達するため、
レーザ光１８の出力は正確かつ確実に検出できることに
なる。すなわち、実施例の光電子装置は電磁結合が生じ
ない構造となっていることから、レーザチップ９から発
振された信号は受光素子２Ｉの遮断周波数Ｄｒ、ｔｒ）
域内あるいは半導体レーザの変調可能範囲内までモニタ
ー可能となる。また、本発明の光電子装置は高周波域で
も電磁結合が生じないことから、高周波域内の通信が可
能となり、情報伝送速度が数Ｇビラ１フ秒と極めて早い
光通信にも適し、大容量通信も可能となる。
（１）本発明の光電子装置にあっては、レーザチップで
ある発光素子と受光素子とは電磁遮蔽体で区画されてい
るため、情報の伝送速度を５６０Ｍビット／秒あるいは
数Ｇビラ１フ秒にしても、電磁結合は生じなくなり、受
光素子によるレーザ光のモニタは正確かつ高精度で行な
えるようになるという効果が得られる。
ある発光素子と受光素子とは電磁遮蔽体で区画されてい
るため、情報の伝送速度を５６０Ｍビット／秒あるいは
数Ｇビラ１フ秒にしても、電磁結合は生じなくなり、受
光素子によるレーザ光のモニタは正確かつ高精度で行な
えるようになるという効果が得られる。
（２）上記＋１）より、本発明の光電子装置は、電磁結
合が生じない構造となっていることから、受光素子の遮
断周波数域内あるいは半導体レーザの変調可能範囲内に
おいてモニタ可能となり、情報伝送速度が数Ｇビラ１フ
秒と極めて早い光通信にも使用でき、大容量通信にも対
処できるという効果が得られる。
合が生じない構造となっていることから、受光素子の遮
断周波数域内あるいは半導体レーザの変調可能範囲内に
おいてモニタ可能となり、情報伝送速度が数Ｇビラ１フ
秒と極めて早い光通信にも使用でき、大容量通信にも対
処できるという効果が得られる。
（３）上記（２）より、本発明の光電子装置は、レーザ
チップおよび受光素子が単一のステムに取付けられ、か
つキャップで気密的に封止されているため、耐湿性が高
く装置の信頼度が高いという効果が得られる。
チップおよび受光素子が単一のステムに取付けられ、か
つキャップで気密的に封止されているため、耐湿性が高
く装置の信頼度が高いという効果が得られる。
（４）上記（１３〜（３）により、本発明によれば情報
伝送能力の高くかつ信頼度の高い光電子装置を提供する
ことができるという相乗効果が得られる。
伝送能力の高くかつ信頼度の高い光電子装置を提供する
ことができるという相乗効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。すなわち、電磁遮蔽体に
はガラス体に代えて、第３図で示すように、細長のガラ
スロッド３１ （あるいはセルフォックレンズ）を取付
けても前記実施例同様な効果が得られる。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。すなわち、電磁遮蔽体に
はガラス体に代えて、第３図で示すように、細長のガラ
スロッド３１ （あるいはセルフォックレンズ）を取付
けても前記実施例同様な効果が得られる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体レーザによる
光通信用技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、たとえば、端面発光型の発
光ダイオード、光集積回路（ＯＥＩＣ）等による光通信
技術、あるいは光による計測技術等に適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体レーザによる
光通信用技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、たとえば、端面発光型の発
光ダイオード、光集積回路（ＯＥＩＣ）等による光通信
技術、あるいは光による計測技術等に適用できる。
本発明は少なくとも光出力検出用の受光素子を組み込ん
だ光電子装置技術には適用できる。
だ光電子装置技術には適用できる。
第１図は本発明の一実施例による光電子装置の要部を示
す一部が切り欠かれた斜視図、第２図は同じく出力光の
周波数に対する相対強度を示すグラフ、 第３図は本発明の他の実施例による電磁遮蔽体２０部分
を示す断面図である。 １・・・パッケージ、２・・・ステム、３・・・キャッ
プ、４・・・光フアイバケーブル、５・・・リード、６
・・・リード、７・・・取付孔、８・・・台座部、９・
・・レーザチップ、１０・・・支持小片、１１・・・ペ
デスタル、１２・・、・ファイバガイド、１３・・・ス
リーブ、１４・・・ストッパー、１５・・・カシメ部、
１６・・・ジャケット、１７・・・芯線、１８・・・レ
ーザ光、１９・・・固定ポスト、２０・・・電磁遮蔽体
、２１・・・受光素子、２２・・・ガラス体、２３・・
・ブロック、２４．２５・・・導体、２６・・・鑞材、
２７・・・ワイヤ、２８．２９・・・絶縁体、３０・・
・ワイヤ、３１・・・ガラ第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
す一部が切り欠かれた斜視図、第２図は同じく出力光の
周波数に対する相対強度を示すグラフ、 第３図は本発明の他の実施例による電磁遮蔽体２０部分
を示す断面図である。 １・・・パッケージ、２・・・ステム、３・・・キャッ
プ、４・・・光フアイバケーブル、５・・・リード、６
・・・リード、７・・・取付孔、８・・・台座部、９・
・・レーザチップ、１０・・・支持小片、１１・・・ペ
デスタル、１２・・、・ファイバガイド、１３・・・ス
リーブ、１４・・・ストッパー、１５・・・カシメ部、
１６・・・ジャケット、１７・・・芯線、１８・・・レ
ーザ光、１９・・・固定ポスト、２０・・・電磁遮蔽体
、２１・・・受光素子、２２・・・ガラス体、２３・・
・ブロック、２４．２５・・・導体、２６・・・鑞材、
２７・・・ワイヤ、２８．２９・・・絶縁体、３０・・
・ワイヤ、３１・・・ガラ第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、発光素子と、この発光素子から発光された光を受光
する受光素子とが近接配置された光電子装置であって、
前記発光素子と受光素子とが相互に電磁遮蔽されるよう
に電磁遮蔽体が設けられていることを特徴とする光電子
装置。 ２、前記電磁遮蔽体には前記発光素子から発光された光
を前記受光素子に案内する透明なガラス体が設けられて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電
子装置 ３、前記発光素子と受光素子はパッケージの中央に設け
られた区割壁である電磁遮蔽体の両側にそれぞれ配設さ
れ、電磁遮蔽体に貫通状態で取付けられた透明なガラス
体を介して光学的に接続されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の光電子装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60058422A JPS61218183A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 光電子装置 |
| US06/843,760 US4719358A (en) | 1985-03-25 | 1986-03-25 | Photoelectronic device with an electromagnetic shielding member for electromagnetically isolating a light emitting element from a light receiving element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60058422A JPS61218183A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 光電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61218183A true JPS61218183A (ja) | 1986-09-27 |
Family
ID=13083942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60058422A Pending JPS61218183A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 光電子装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4719358A (ja) |
| JP (1) | JPS61218183A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3633251A1 (de) * | 1986-09-30 | 1988-03-31 | Siemens Ag | Optoelektronisches koppelelement |
| DE3850036D1 (de) * | 1987-10-23 | 1994-07-14 | Fujitsu Ltd | Vorrichtung und Verfahren zur Nachweisung vom Umspringen der Wellenart in einem Halbleiterlaser. |
| US4977329A (en) * | 1988-05-23 | 1990-12-11 | Hughes Aircraft Company | Arrangement for shielding electronic components and providing power thereto |
| US4995695A (en) * | 1989-08-17 | 1991-02-26 | At&T Bell Laboratories | Optical assembly comprising optical fiber coupling means |
| US5061859A (en) * | 1989-09-13 | 1991-10-29 | Hewlett-Packard Company | Circuits for realizing an optical isolator |
| US5005939A (en) * | 1990-03-26 | 1991-04-09 | International Business Machines Corporation | Optoelectronic assembly |
| US5245198A (en) * | 1990-10-12 | 1993-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optoelectronic device, metal mold for manufacturing the device and manufacturing method of the device using the metal mold |
| US5202943A (en) * | 1991-10-04 | 1993-04-13 | International Business Machines Corporation | Optoelectronic assembly with alignment member |
| US5594579A (en) * | 1991-12-26 | 1997-01-14 | Motorola, Inc. | Radio permitting information transfer between radio frequency shielded sub-systems |
| US5943152A (en) * | 1996-02-23 | 1999-08-24 | Ciena Corporation | Laser wavelength control device |
| US5937114A (en) * | 1997-07-21 | 1999-08-10 | Hewlett-Packard Company | Micro-photonics module with a partition wall |
| KR100322138B1 (ko) * | 2000-03-10 | 2004-09-07 | 삼성전자 주식회사 | 광통신 모듈 |
| US8933393B2 (en) | 2011-04-06 | 2015-01-13 | Emprimus, Llc | Electromagnetically-shielded optical system having a waveguide beyond cutoff extending through a shielding surface of an electromagnetically shielding enclosure |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3418480A (en) * | 1965-10-19 | 1968-12-24 | Kenneth H. Miller | Lighting control circuit employing photocells and gas diodes to operate semiconductor switches |
| US4104533A (en) * | 1977-02-28 | 1978-08-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Wideband optical isolator |
| US4270029A (en) * | 1978-03-23 | 1981-05-26 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Selection system for digital signal repeaters |
| GB2113035B (en) * | 1981-12-03 | 1985-10-09 | Standard Telephones Cables Ltd | Optical transmission system and method |
| US4539480A (en) * | 1982-11-08 | 1985-09-03 | Cibertec S.A. | Electrical isolation system |
| US4570079A (en) * | 1983-02-16 | 1986-02-11 | Varian Associates, Inc. | rf Switching apparatus utilizing optical control signals to reduce spurious output |
-
1985
- 1985-03-25 JP JP60058422A patent/JPS61218183A/ja active Pending
-
1986
- 1986-03-25 US US06/843,760 patent/US4719358A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4719358A (en) | 1988-01-12 |
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