JPS61217580A - 化学銅めつき液及び化学銅めつき方法 - Google Patents
化学銅めつき液及び化学銅めつき方法Info
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- JPS61217580A JPS61217580A JP5468185A JP5468185A JPS61217580A JP S61217580 A JPS61217580 A JP S61217580A JP 5468185 A JP5468185 A JP 5468185A JP 5468185 A JP5468185 A JP 5468185A JP S61217580 A JPS61217580 A JP S61217580A
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- copper
- chemical
- copper plating
- plating solution
- chemical copper
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化学銅めっきに係シ、特にプリント配線基板用
として好適な化学銅めっき液に関するものである。
として好適な化学銅めっき液に関するものである。
従来化学銅めっき液は、一般に銅膜として硫酸銅、錯化
剤として酒石酸ナトリウムカリウム、エチレンジアミン
四酢酸又はそのナトリウム塩、還元剤としてホルマリン
、ノぐラホルムアルデヒト９、次亜リン酸塩、アルカリ
としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が使用さ
れている。
剤として酒石酸ナトリウムカリウム、エチレンジアミン
四酢酸又はそのナトリウム塩、還元剤としてホルマリン
、ノぐラホルムアルデヒト９、次亜リン酸塩、アルカリ
としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が使用さ
れている。
しかし、主要成分として上記の組み合せから成る化学銅
めっき液で得られた銅膜は、一般に脆弱であり延性に欠
ける。プリント配線基板の導体部をめっきした膜が脆い
と、加工や熱的歪によって回路の断線を生ずる事がある
。
めっき液で得られた銅膜は、一般に脆弱であり延性に欠
ける。プリント配線基板の導体部をめっきした膜が脆い
と、加工や熱的歪によって回路の断線を生ずる事がある
。
この点を考慮して該めっき液に、さらにシアン化合物や
ジピリジル、およびポリエチレングリコール等を添加し
て銅めっき膜の延性を向上する方法が実用されている。
ジピリジル、およびポリエチレングリコール等を添加し
て銅めっき膜の延性を向上する方法が実用されている。
このようなめつき液を使用して得られるめっき膜は、３
〜７％の延性と３０〜５０ ｋｇｗ／ｍｍ の引張シ
強さがあシブリント配線基板の導体膜として実用に供し
得るものである。
〜７％の延性と３０〜５０ ｋｇｗ／ｍｍ の引張シ
強さがあシブリント配線基板の導体膜として実用に供し
得るものである。
しかしながら、近年高密度又は多層線板用の需要が多く
なるに従って、さらに延性に優れた銅めっき膜が望まれ
ている現状にある。
なるに従って、さらに延性に優れた銅めっき膜が望まれ
ている現状にある。
又このプリント配線基板上に、３０〜４０μｍと厚い銅
膜を形成する場合には、めっき反応を維持するために、
銅、還元剤、アルカリ等を順次補給しなければならない
が、そうすると該浴中に硫酸ナトリウム塩が蓄積するた
めか析出する銅膜の延性は低下する項内を示し、該めっ
き液の安定性も損われる。
膜を形成する場合には、めっき反応を維持するために、
銅、還元剤、アルカリ等を順次補給しなければならない
が、そうすると該浴中に硫酸ナトリウム塩が蓄積するた
めか析出する銅膜の延性は低下する項内を示し、該めっ
き液の安定性も損われる。
この問題点に対して１）イオン交換膜を用いて反応副成
物を分離する。２）隔膜電解によりエチレンジアミン４
酢酸（以下Ｅ、Ｄ、Ｔ、Ａと略す）水溶液に銅を溶解さ
せてＥ、Ｄ、Ｔ、Ａ−Ｃｕ 錯体を調整する方法など
が提案されているが、■）の方法は抽出効率が低いので
実用性に乏しい。２）の方法は、銅濃度を２０〜２５
Ｅ／／ｌ とするまでに長時間を要し効率的ではない
。
物を分離する。２）隔膜電解によりエチレンジアミン４
酢酸（以下Ｅ、Ｄ、Ｔ、Ａと略す）水溶液に銅を溶解さ
せてＥ、Ｄ、Ｔ、Ａ−Ｃｕ 錯体を調整する方法など
が提案されているが、■）の方法は抽出効率が低いので
実用性に乏しい。２）の方法は、銅濃度を２０〜２５
Ｅ／／ｌ とするまでに長時間を要し効率的ではない
。
又１）、２）の双方とも電解を伴なうため、化学めっき
工程と対応させて装置を稼動させる必要があシ煩雑でコ
スト高などの欠点がある。
工程と対応させて装置を稼動させる必要があシ煩雑でコ
スト高などの欠点がある。
本発明の目的は、上記の欠点がなく優れた延性と物性と
を備えた銅膜が得られる化学銅めっき液及び化学銅めっ
き方法を提供することにある。
を備えた銅膜が得られる化学銅めっき液及び化学銅めっ
き方法を提供することにある。
この目的を達成するため本願発明者等は鋭意研究の結果
、従来の錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、２．２′ジピリ
ジルおよびポリエチレングリコール等の主要組成物に銅
膜として、該めっき液中に含有される硫酸根（Ｓ０４−
″）が、めっき膜の延性に悪影響を及ぼす事、このＳＯ
４”−量を含まないか、あるいは３００ｐ−以下に制限
した銅膜を用いると優れためつき液が得られる事を見出
し本発明に到達した。
、従来の錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、２．２′ジピリ
ジルおよびポリエチレングリコール等の主要組成物に銅
膜として、該めっき液中に含有される硫酸根（Ｓ０４−
″）が、めっき膜の延性に悪影響を及ぼす事、このＳＯ
４”−量を含まないか、あるいは３００ｐ−以下に制限
した銅膜を用いると優れためつき液が得られる事を見出
し本発明に到達した。
即ち本発明の銅膜は、該めっき液中に３ｏｏｐｐｍ以上
の硫酸イオンを含有しなければ良く特定されないが、好
ましいものとして塩化銅、硝酸銅、ピロリン酸銀、炭酸
銅、リン酸銀、酢酸銅、酢酸銅、シユウ酸銅等があげら
れる。これらの銅膜のうち１種以上を用い、他は公知の
組成の水溶液が使用できる。
の硫酸イオンを含有しなければ良く特定されないが、好
ましいものとして塩化銅、硝酸銅、ピロリン酸銀、炭酸
銅、リン酸銀、酢酸銅、酢酸銅、シユウ酸銅等があげら
れる。これらの銅膜のうち１種以上を用い、他は公知の
組成の水溶液が使用できる。
その１例を示せば第１表の如くである。
第１表
銅塩 ０．００４〜０．２モル／ｌ
錯化剤 ０．００６〜０．５モル／ｌ還元剤
０．００４〜１０モル／１２．２′ジピリジル ０
．０１〜１．０モル／ｌポリエチレン グ、：Ｉ−２０，０５〜１００ ｇ／ｌ残部 水 〔作用〕 本発明に於ける銅板外の主要組成物は、前にも述べたよ
うに公知のものが所定範囲内で使用できるが、銅分とし
てはＳＯ２−一が極力少ないものの所定量を使用する。
０．００４〜１０モル／１２．２′ジピリジル ０
．０１〜１．０モル／ｌポリエチレン グ、：Ｉ−２０，０５〜１００ ｇ／ｌ残部 水 〔作用〕 本発明に於ける銅板外の主要組成物は、前にも述べたよ
うに公知のものが所定範囲内で使用できるが、銅分とし
てはＳＯ２−一が極力少ないものの所定量を使用する。
めっき液中に８０４−一が３００ｐｐｍ以上存在すると
、比較例に見られるように得られた銅膜の延性が大巾に
低下する。
、比較例に見られるように得られた銅膜の延性が大巾に
低下する。
他の条件としては酸に易溶性を示し望ましくは水に可溶
性のものが扱い易いが、水溶液中で錯化剤と反応して錯
体を形成して溶解する例えば水酸化銅等も使用すること
ができる。
性のものが扱い易いが、水溶液中で錯化剤と反応して錯
体を形成して溶解する例えば水酸化銅等も使用すること
ができる。
好ましい銅塩としては、塩化銅、硝酸銅、ピロリン酸銀
、炭酸鋼、リン酸銀、酢酸銅、酢酸銅、シユウ酸銅等が
あげられる。
、炭酸鋼、リン酸銀、酢酸銅、酢酸銅、シユウ酸銅等が
あげられる。
次にめっきの操作は６０Ｃ以上８０Ｃ以下で行うがその
理由はこれ以下の温度ではめつき所要時間が長く実用的
でなく、よシ高温では還元反応が強くなシすぎ、めっき
液が分解する等するので好ましくない。めっきを施す前
の板の活性化は、通常の方法が適用できるが、その１例
を示すとエポキシ樹脂をガラスクロスに含浸し積層させ
て造られた基板を、常法による脱脂を行ったのち軽く工
ツチングし、被エツチ部に少量の錫を付着させ更に・ξ
ラジウムを含む水溶液中に浸漬してパラジウムと置換す
ることによって行われる。めっきする際のｐＨ範囲は１
１．５〜】３，０とする。ｐＨがこの範囲を外れると好
適なめつき膜は得られず、めっき膜のコーナークラック
発生の原因ともなるからである。本発明のめつき液を用
いると、めっき膜に求められる物性を満足した上で延性
が大巾に向上する。
理由はこれ以下の温度ではめつき所要時間が長く実用的
でなく、よシ高温では還元反応が強くなシすぎ、めっき
液が分解する等するので好ましくない。めっきを施す前
の板の活性化は、通常の方法が適用できるが、その１例
を示すとエポキシ樹脂をガラスクロスに含浸し積層させ
て造られた基板を、常法による脱脂を行ったのち軽く工
ツチングし、被エツチ部に少量の錫を付着させ更に・ξ
ラジウムを含む水溶液中に浸漬してパラジウムと置換す
ることによって行われる。めっきする際のｐＨ範囲は１
１．５〜】３，０とする。ｐＨがこの範囲を外れると好
適なめつき膜は得られず、めっき膜のコーナークラック
発生の原因ともなるからである。本発明のめつき液を用
いると、めっき膜に求められる物性を満足した上で延性
が大巾に向上する。
以下実施例について説明する。
実施例
第２表に示した銅膜以外の組成（銅膜は第３表に記載）
のめつき液を用いて、フェノール樹脂をガラスクロスに
含浸し積層させて造られた基板を、常法による脱脂を行
い、ついで酸でエツチングし、被エツチ部に少量の錫を
付着させ更にノミラジウムを含む水溶液中に浸漬してパ
ラジウムと置換したのちｐＨ１，３，ｏ、７０Ｃ一定で
各１５時間めっき液中に浸漬し、得られた銅箔を基板か
ら剥離し、夫々延性と抗張力は東洋測器社製の引張試験
機により測定した。その結果を従来法と対比して第３表
に示す。
のめつき液を用いて、フェノール樹脂をガラスクロスに
含浸し積層させて造られた基板を、常法による脱脂を行
い、ついで酸でエツチングし、被エツチ部に少量の錫を
付着させ更にノミラジウムを含む水溶液中に浸漬してパ
ラジウムと置換したのちｐＨ１，３，ｏ、７０Ｃ一定で
各１５時間めっき液中に浸漬し、得られた銅箔を基板か
ら剥離し、夫々延性と抗張力は東洋測器社製の引張試験
機により測定した。その結果を従来法と対比して第３表
に示す。
第２表
第３表より明らかなように、従来法実験７ｇ６７及び参
考側実験Ａ８以外は何れも延性が大巾に向上したが抗張
力は殆んど同様な値が得られた。
考側実験Ａ８以外は何れも延性が大巾に向上したが抗張
力は殆んど同様な値が得られた。
硫酸根は添加したが、めっき液中に本発明の範囲内の硫
酸根を含有する実験腐３は他の例と比較してや＼延性が
低下する程度で比較例の約２倍の延性を示した。
酸根を含有する実験腐３は他の例と比較してや＼延性が
低下する程度で比較例の約２倍の延性を示した。
本発明のめつき液を使用すれば、他の物性を損うことな
く延性を大巾に改善することができる。
く延性を大巾に改善することができる。
めっき液の調整も５Ｏ４−一濃度を極力低くするだけで
格別の添加剤を追加する必要がない。厚膜めつきの場合
でも、例えば硫酸ナトリウム塩の蓄積がなくプリント配
線基板用として好適のめつき膜が得られる等の利点が得
られる。
格別の添加剤を追加する必要がない。厚膜めつきの場合
でも、例えば硫酸ナトリウム塩の蓄積がなくプリント配
線基板用として好適のめつき膜が得られる等の利点が得
られる。
手続主甫正書（自発）
昭和６０年 ４月２２日
特許庁長官 志 賀 学 殿
１、事件の表示
昭和６０年特許願第０５４６８１号
２、発明の名称
化学銅めっき液及び化学銅めっき方法
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 東京都港区新１１５丁目１１番３号名称 住友金
属鉱山株式会社 ４、代理人 住所 ■１０４東京都中央区銀座８丁目１５番１０号銀
座ダイヤハイツ４１０号 〔発明の詳細な説明〕の欄 ６、補正の内容 手続主甫正書１発） 昭和６０年 ５月２５日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １゜事件の表示 昭和６０年特許願第０５４６８１号 ２、発明の名称 化学銅めっき液及び化学銅めっき方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都港区新橋５丁目１１番３号名称 住友金属
鉱山株式会社 ４、代理人 住所 ■１０４東京都中央区銀座８丁目１５番１０号銀
座ダイヤハイツ４１０号 〔発明の詳細な説明〕の欄 ６、補正の内容 明細書第９頁の第３表を別紙のとおり訂正する。
属鉱山株式会社 ４、代理人 住所 ■１０４東京都中央区銀座８丁目１５番１０号銀
座ダイヤハイツ４１０号 〔発明の詳細な説明〕の欄 ６、補正の内容 手続主甫正書１発） 昭和６０年 ５月２５日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １゜事件の表示 昭和６０年特許願第０５４６８１号 ２、発明の名称 化学銅めっき液及び化学銅めっき方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都港区新橋５丁目１１番３号名称 住友金属
鉱山株式会社 ４、代理人 住所 ■１０４東京都中央区銀座８丁目１５番１０号銀
座ダイヤハイツ４１０号 〔発明の詳細な説明〕の欄 ６、補正の内容 明細書第９頁の第３表を別紙のとおり訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）銅塩、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、２，２′ジピ
リジルおよびポリエチレングリコールを含有する化学め
つき液において、該液中の硫酸根が３００ｐｐｍ以下で
あることを特徴とする化学銅めつき液。 ２）銅膜は、塩化銅、硝酸銅、ピロリン酸銅、炭酸銅、
リン酸銅、酢酸銅、シユウ酸銅のうち一種以上である特
許請求の範囲第１項に記載の化学銅めつき液。 ３）板表面を脱脂し、活性化し、次いで化学銅めつき液
によるめつきを行なう化学銅めつき方法において、上記
化学銅めつき液の組成が、３００ｐｐｍ以下の硫酸イオ
ンと銅塩、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、２，２′ジピ
リジル、及びポリエチレングリコールとより成り、該め
つき浴を６０℃以上、ｐＨ１１．５〜１３として化学銅
めつきを行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項又
は第２項に記載の化学銅めつき液を使用する化学銅めつ
き方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5468185A JPS61217580A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 化学銅めつき液及び化学銅めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5468185A JPS61217580A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 化学銅めつき液及び化学銅めつき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61217580A true JPS61217580A (ja) | 1986-09-27 |
Family
ID=12977528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5468185A Pending JPS61217580A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 化学銅めつき液及び化学銅めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61217580A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202943A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5306336A (en) * | 1992-11-20 | 1994-04-26 | Monsanto Company | Sulfate-free electroless copper plating baths |
| CN105274504A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-01-27 | 中国科学院电工研究所 | 一种在膨胀石墨表面化学镀铜的方法 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP5468185A patent/JPS61217580A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202943A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5306336A (en) * | 1992-11-20 | 1994-04-26 | Monsanto Company | Sulfate-free electroless copper plating baths |
| CN105274504A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-01-27 | 中国科学院电工研究所 | 一种在膨胀石墨表面化学镀铜的方法 |
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