JPS61214522A - フラツシユ光源 - Google Patents

フラツシユ光源

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Publication number
JPS61214522A
JPS61214522A JP60054630A JP5463085A JPS61214522A JP S61214522 A JPS61214522 A JP S61214522A JP 60054630 A JP60054630 A JP 60054630A JP 5463085 A JP5463085 A JP 5463085A JP S61214522 A JPS61214522 A JP S61214522A
Authority
JP
Japan
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light source
tube
mercury
light
temperature
Prior art date
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Pending
Application number
JP60054630A
Other languages
English (en)
Inventor
Susumu Komoriya
進 小森谷
Hiroshi Nishizuka
西塚 弘
Shinya Nakagawa
慎也 中川
Yoichiro Tamiya
洋一郎 田宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP60054630A priority Critical patent/JPS61214522A/ja
Publication of JPS61214522A publication Critical patent/JPS61214522A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は投影露光装置に用いて好適な光源に関  。
し、特に水銀を利用してフラッシュ発光させるよ−うに
した光源に関するものである。
〔背景技術〕
半導体装置の製造工程の一つであるフォトリソグラフィ
工程に使用される投影露光装置は、近年の半導体素子の
微細化、高集積化に伴って益々高解像化、低歪化が要求
されてきており、これに使用するレンズの設計にも極め
て厳しい条件が加えられている。このため、レンズに色
収差補正を施すような余裕はなくなり、使用する光の種
類を限定することによって色収差に対処する方策が取ら
れている。たとえば、波長が436±4nmと狭いバン
ド幅の光を露光用として使用し、略単色光に近いその光
特性により色収差やこれに基づ(歪の防止を図っている
このようなことから、これまでの水銀ランプを光源とし
ている露光装置では、光源の前にバンドパスフィルタを
設置して前記した単色光に近い波長光を得る構成を採用
しているが、このフィルタを透過させる分だけ透過光量
が50〜60%低減され、ウェハ等の露光体に対する照
度が低下して露光に要する時間が長くなり、スループッ
トの低下を生ずることになる。
この不具合に対処するためには、水銀ランプを高出力化
してその光度を増大すればよいが、現状の水銀ランプは
高出力化によってランプの温度が著しく上昇し、レチク
ルを始めとして露光装置に悪影響を及ぼす恐れがある。
また、消費電力も著しく増大し、ランニングコストの増
加を招くことにもなる。
一方、他の対策として光源にフラッシュランプ(閃光ラ
ンプ)を用いることが考えられるが、現状のフラッシュ
ランプは常温で気体のXs(キセノン)ガスを使用して
いるものであるため、この光源では前述したような露光
に好ましい波長に強いスペクトル光が存在せず、半導体
装置製造用の露光装置の光源としては好ましくない。
なお、光露光システム技術を詳しく述べである例として
は、工業調査会発行電子材料1982年11月号別冊、
昭和57年11月15日発行、P。
117〜P、124がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は所定の波長光を強いエネルギの閃光とし
て得ることができ、これにより露光装置に適用した場合
にも光源ないし露光装置の温度上昇を抑えて高信顛性を
確保でき、かつこれと共にエネルギ消費の低減を図るこ
とのできるフラッシュ光源を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、内部に水銀を封入し、かつ高電圧が印加され
る一対の電極を有する光源管と、この光源管を加熱して
前記封入された水銀を気化した状態に保ち得る加熱手段
とで光源を構成することにより、電極への電圧印加を瞬
時に行なっても水銀による発光を得ることができ、これ
により光源の高温度化を防止すると共に、消費エネルギ
の低減化を達成することができる。
また、光源管の温度を温度センサと、温度制御部とでフ
ィードバック制御して一定に保持し得るように構成する
ことにより、安定した発光を行なうことができる。
〔実施例〕
第1図は本発明を縮小型投影露光装置に適用した実施例
を示しており、この露光装置1は、光源2を含む照明系
3と、この照明系3によって照明されたレチクル5のパ
ターンをウェハ6に投影露光する結像系4を備えている
前記光源2は詳細を後述するように水銀フラッシュラン
プとして構成している。また、照明系3は、光源2の光
を横方向に反射する反射鏡7、光源2の光を所要の関数
分布に調整するフライアイ8.436±4nmの波長光
を透過させるパンドパスフフィルタ9、反射鏡10およ
びコンデンサレンズ11を備えている。更に、結像系4
は高縮小倍率のレンズ12を有し、レチクル5のパター
ンをウェハ6の表面上に縮小して結像する。
前記光源2は、第2図に拡大図示するように、円筒状の
ガラスチューブ21内に適宜量の水銀(Hg)を入れ、
その両端に一対の電極22゜22を配設した上で内部を
真空ないしこれに近い状態に封止して光源管20を構成
している。これら電極22.22はスイッチ24を介し
て電源23に接続し、スイッチ24の閉成によって電極
22゜22間に高電位を印加し得るようにしている。更
に、前記ガラスチューブ21の周囲にはヒータ25を配
設し、かつその外周を断熱材26で囲っている。そして
、このヒータ25および断熱材26の略中夫の一部を切
欠き、ここに前記ガラスチューブ21を露呈させて光束
の射出窓27を構成している。
一方、前記ガラスチューブ21の中央よりの一部には温
度センサ28を配設し、これに接続したセンサ回路29
とでガラスチューブ21の温度を検出可能としている。
そして、このセンサ回路29は更に温度制御回路30に
接続し、温度検出信号をこの温度制御回路30に出力す
る。この温度制御回路30は前記ヒータ25のヒータ電
源31を制御し、これによりヒータ25への通電量をコ
ントロールする。
なお、この温度制御回路30は少なくとも水銀が気化す
る温度(357℃)以上、好ましくは700〜1000
℃の温度となるようにコントロールしている。
以上の構成によれば、温度制御回路30は温度センサ2
8およびセンサ回路29の信号に基づいてヒータ電源3
1をフィードバック的に制御し、ヒータ25への通電量
をコントロールしてガラスチューブ21内を700−1
000℃に加熱する。
これにより、ガラスチューブ21内の水銀は気化され、
ガラスチューブ21内で気体となって充満される。した
がって、この状態でスイッチ24を閉じて電極22.2
2間に電源23の直流高電位を印加すると、両電極22
.22間に水銀ガスによる放電が生じ、瞬間的な発光、
即ちフラッシュ光(閃光)が発生される。このフラッシ
ュ光は、これまでの水銀ランプの光と同じスペクトルの
光テアリ、g、h、i線に強いスペクトルを有し、投影
露光装置として十分に利用できる。発生された光は反射
鏡7により反射された後、フライアイ8で所定の関数分
布とされ、バンドパスフィルタ9で例えば43G±4n
mの狭いスペクトル幅のみ透過され、反射鏡10によっ
て反射されかつコンデンサレンズ11を通った後レチク
ル5を照明する。この照明により、レチクル5のパター
ンは結像系4によってウェハ6上に結像され、投影露光
が行なわれる。
前記フラッシュ光の強度を上げるには、電源23の電圧
や電流を大きくすればよいが、このように電圧、電流を
大きくしても光源2はスイッチ24を閉成したときにの
み発光するため、消費するエネルギの増加を抑制できる
。一方、ガラスチューブ21はヒータ25で常時加熱さ
れているが、ガラスチューブ21は断熱材26で覆われ
ているので、この熱が投影露光装置に影響することは少
なく、投影露光装置の信鎖性が損なわれることはない。
更に、ガラスチューブ21内はヒータ25、温度センサ
28、センサ回路29、温度制御回路30および電源3
1からなるフィードバッグ回路4によって700〜10
00℃の温度に安定に保たれるので、ガラスチューブ2
1内の水銀蒸気圧を一定の圧力に保持することができ、
安定したスペクトル特性でかつ一定強度の発光を得るこ
とができる。
〔効果〕 (1)内部に水銀を封入し、一対の電極を有するチュー
ブと、この水銀が気化する温度にまで加熱する加熱手段
とを設け、水銀が気化された状態の下で電極間に高電位
を印加し得るように構成しているので、高電位を印加し
た時にのみ発光する水銀フラッシュ光源を得ることがで
きる。
(2)水銀を用いたフラッシュ光源であるので、所要の
スペクトル特性の発光を得ることができ、現用の投影露
光装置に好適に用いることができる。
(3)バンドパスフィルタによる光量低下に対処するた
めに光源の発光強度を大きくしても、瞬間の発光である
ために、消費エネルギを極めて少なくできる。
(4)発光光量を大きくすべく高電位を印加しても、チ
ューブは加熱手段の制御温度以上に上がることはなく、
しかも断熱材によって覆われているので投影露光装置に
悪影響を与えることはない。
(5)発光光量を容易に大きくできるので、投影露光装
置における、処理のスループットを向上できる。
(6)チューブの温度をフィードバック回路によりコン
トロールしているので、水銀の加熱条件を安定に保ち、
安定したスペクトル特性でかつ発光強度の発光を得るこ
とができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、ガラスチュ
ーブの形状、構造および電極の配置、更に加熱手段の構
成等は種々に変更することができる。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である縮小型投影露光装置
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、等倍の投影露光装置はもとより、フラッ
シュ光源を利用可能な光学装置であれば露光装置に限る
ことなく同様に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の全体構成図、第2図は光源
の拡大図である。 1・・・投影露光装置、2・・・光源、3・・・照明系
、4・・・結像系、5・・・レチクル、6・・・ウェハ
、8・・・フライアイ、9・・・バンドパスフィルタ、
20・・・光源管、21・・・ガラスチューブ、22・
・・電極、 23・・・電源、24・・・スイッチ、2
5・・・ヒータ、26・・・断熱材、27・・・射出窓
、28・・・温度センサ、29・・・センサ回路、30
・・・温度制御回路、31・・・ヒータ電源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、内部に水銀を封入し、かつ高電圧が印加される一対
    の電極を有する光源管と、この光源管を加熱して前記封
    入された水銀を気化した状態に保ち得る加熱手段とを備
    えることを特徴とするフラッシュ光源。 2、加熱手段はヒータと、前記光源管およびこのヒータ
    を覆う断熱材とを有してなる特許請求の範囲第1項記載
    のフラッシュ光源。 3、加熱手段には光源管の温度を検出する温度センサと
    、この温度センサの検出値に基づいて前記ヒータへの通
    電量を制御する温度制御手段とを有するフィードバック
    回路を付設し、少なくとも前記光源管を一定温度に保ち
    得るように構成してなる特許請求の範囲第1項または第
    2項記載のフラッシュ光源。
JP60054630A 1985-03-20 1985-03-20 フラツシユ光源 Pending JPS61214522A (ja)

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