JPS61211849A - 記録素子 - Google Patents
記録素子Info
- Publication number
- JPS61211849A JPS61211849A JP60053111A JP5311185A JPS61211849A JP S61211849 A JPS61211849 A JP S61211849A JP 60053111 A JP60053111 A JP 60053111A JP 5311185 A JP5311185 A JP 5311185A JP S61211849 A JPS61211849 A JP S61211849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- electrolyte
- semiconductor layer
- electrochromic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は音声９画像、電気信号を記憶、再生。
消去するだめの記録素子に関する。
従来の技術
音声１画像、電気信号を記憶、再生、消去するために従
来から磁気および光記憶方式がとられて２ ベーン いる。光記憶方式のものは磁気記憶方式に較べて記憶密
度が高く出来るととから注目されて来ている。光記憶方
式のものｄｌ、アクリル基板上に形成されたＴｅＣ記憶
膜等に信号に応じてレーザー光を照射して熱モードで記
録膜に孔をあけることにより情報を記録するものと、記
録膜としてＴｅＯｘ膜等を用いてレーザー光照射により
熱モードで晶質−非晶質の変化を行なわせ光反射率の異
なる状態を作る方式が一般的である。
来から磁気および光記憶方式がとられて２ ベーン いる。光記憶方式のものは磁気記憶方式に較べて記憶密
度が高く出来るととから注目されて来ている。光記憶方
式のものｄｌ、アクリル基板上に形成されたＴｅＣ記憶
膜等に信号に応じてレーザー光を照射して熱モードで記
録膜に孔をあけることにより情報を記録するものと、記
録膜としてＴｅＯｘ膜等を用いてレーザー光照射により
熱モードで晶質−非晶質の変化を行なわせ光反射率の異
なる状態を作る方式が一般的である。
発明が解決しようとする問題点
これらの光記録方式は、いずれも熱モードによる状態変
化を利用したものであり、特に耐熱性の点で信頼性に欠
けると云う問題を有１−でいた。
化を利用したものであり、特に耐熱性の点で信頼性に欠
けると云う問題を有１−でいた。
本発明は、従来の光記録拐料の問題点である耐熱性を改
善した新しい記録素子を提供する。
善した新しい記録素子を提供する。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、光により起電力を発生する半導体層と、発生
した電子もしくは正孔により電気化学的に発色−消去す
るエレクＩ・ロクロミノク層と消去に必要な電極を具備
した記録素子を用いて熱モー３ ・・ 。
した電子もしくは正孔により電気化学的に発色−消去す
るエレクＩ・ロクロミノク層と消去に必要な電極を具備
した記録素子を用いて熱モー３ ・・ 。
ドとは全く異なった光記録−消去を行う素子を提供する
ものである。
ものである。
作 用
半導体層にエレクトロクロミック層を設け、該エレクト
ロクロミック層と対向電極を電解質を介して接触さぜた
記録素子を構成し、該素子の半導体層にバンドギャップ
以上のスポット状の光ビームを当てると、照射された部
分に電子と正孔が発生する。今、半導体層のエレクトロ
クロミック層の反対面に設けた電極と対向電極をショー
ト状態（捷たは一定の電圧を印加した状態）にすると電
子（も（−＜は正孔）が、エレクトロクロミック層側に
注入され、正孔（もしくは電子）が、電極を通じて対向
電極に流れる。この時、エレクトロクロミンク層は、注
入された電荷に応じてスポット状に発色する。
ロクロミック層と対向電極を電解質を介して接触さぜた
記録素子を構成し、該素子の半導体層にバンドギャップ
以上のスポット状の光ビームを当てると、照射された部
分に電子と正孔が発生する。今、半導体層のエレクトロ
クロミック層の反対面に設けた電極と対向電極をショー
ト状態（捷たは一定の電圧を印加した状態）にすると電
子（も（−＜は正孔）が、エレクトロクロミック層側に
注入され、正孔（もしくは電子）が、電極を通じて対向
電極に流れる。この時、エレクトロクロミンク層は、注
入された電荷に応じてスポット状に発色する。
光照射を止めるか、寸たは電極と対向電極間を開回路状
態にすると発色反応は停止し、発色状態がメモリー保持
される。次に、スポット状の発色を消去するには、一定
の消去電圧を電極と対向電極間に印加し、発色部に光を
照射し強制的に発色時とは逆の電流を流すことで達成で
きる。又、この現象は繰返し、発色消去を行うことも可
能であ第１図に示すごとく、ガラス基板１の土に透明電
極２（実験ではＩＴ○を用いたがＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ２
，Ａｕ、Ａ、ｇ、Ｃｒ、Ｎｉでもよい）を蒸着法で設け
、その上にグロー放電分解法によりアモルファスシリコ
ン（以下ａ−３ｔと略す）の半導体層３を設ける。半導
体層はｐ−１−ｎ結合；ａ−８ｉＣ（ｐ層）／ａ−８ｉ
（ｉ層）／ａ−３ｉ（ｎ層）となるよう形成時のドーパ
ントを制御した。電極２とａ−３ｉＣ（ｐ層）はほぼオ
ーミック接触となるようにした。次にａ−３ｔ（ｎ層）
上に、エレクトロクロミック層４（ＷＯ３を用いたがＭ
ｏ Ｏ３単独もしくはＭ２Ｏ３とＷＯ３との混合物で
もよい）を蒸着法により設けた。該基板と対向電極６
（Ｉ ｎ２０３゜ＳｎＯ２、Ａ ｕ 、 Ｐ ｄ 等）
と電解質５（Ｌｉ塩−有機電解質）を用いて記録素子を
組み立てた。なお、５ へ−７ ７は背面基材（ガラス）である。
態にすると発色反応は停止し、発色状態がメモリー保持
される。次に、スポット状の発色を消去するには、一定
の消去電圧を電極と対向電極間に印加し、発色部に光を
照射し強制的に発色時とは逆の電流を流すことで達成で
きる。又、この現象は繰返し、発色消去を行うことも可
能であ第１図に示すごとく、ガラス基板１の土に透明電
極２（実験ではＩＴ○を用いたがＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ２
，Ａｕ、Ａ、ｇ、Ｃｒ、Ｎｉでもよい）を蒸着法で設け
、その上にグロー放電分解法によりアモルファスシリコ
ン（以下ａ−３ｔと略す）の半導体層３を設ける。半導
体層はｐ−１−ｎ結合；ａ−８ｉＣ（ｐ層）／ａ−８ｉ
（ｉ層）／ａ−３ｉ（ｎ層）となるよう形成時のドーパ
ントを制御した。電極２とａ−３ｉＣ（ｐ層）はほぼオ
ーミック接触となるようにした。次にａ−３ｔ（ｎ層）
上に、エレクトロクロミック層４（ＷＯ３を用いたがＭ
ｏ Ｏ３単独もしくはＭ２Ｏ３とＷＯ３との混合物で
もよい）を蒸着法により設けた。該基板と対向電極６
（Ｉ ｎ２０３゜ＳｎＯ２、Ａ ｕ 、 Ｐ ｄ 等）
と電解質５（Ｌｉ塩−有機電解質）を用いて記録素子を
組み立てた。なお、５ へ−７ ７は背面基材（ガラス）である。
今、外光を遮光し、電極２と対向電極６を閉回路にした
状態で、Ｈｅ −Ｎ ｅレーザ（６３２，８ｎｍ。
状態で、Ｈｅ −Ｎ ｅレーザ（６３２，８ｎｍ。
８ｍＷ）を照射したのち、電極間を開回路状態にして、
エレクトロクロミック層４を対向電極６側から観測した
ところ、レーザビーム照射部がスポット状に発色してい
ることが判った。この発色状態は室温状態において長く
メモリ保持できるものであった。次に電極２と対向電極
６との電極間に電極２側を正極として→−○、ｓＶ以上
の電圧を印加し、素子に外光（螢光灯）を照射したとこ
ろスポット状の発色は、完全に消去できた。又、暗状態
でも、＋１．○■以」二の電圧を印加することで完全に
消去できた。さらに、７０°Ｃにおける高温保存試験に
おいて、特性劣化がほとんどないことが確認できた。な
お、再生は、開回路状態において長波長側の可視光を用
いて行うことができた。
エレクトロクロミック層４を対向電極６側から観測した
ところ、レーザビーム照射部がスポット状に発色してい
ることが判った。この発色状態は室温状態において長く
メモリ保持できるものであった。次に電極２と対向電極
６との電極間に電極２側を正極として→−○、ｓＶ以上
の電圧を印加し、素子に外光（螢光灯）を照射したとこ
ろスポット状の発色は、完全に消去できた。又、暗状態
でも、＋１．○■以」二の電圧を印加することで完全に
消去できた。さらに、７０°Ｃにおける高温保存試験に
おいて、特性劣化がほとんどないことが確認できた。な
お、再生は、開回路状態において長波長側の可視光を用
いて行うことができた。
実施例１と同様に種々のエレクトロクロミック層と電解
質を用いて実験を行った結果、次の材料が使用できるこ
とが判った。すなわち、エレクトロ ベーン ロクロミソク層としては、ＷＯｓ、ＭｏＯ２，ＴｌＯ２
゜ｖ２０．、Ｃｒ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５、プルシアンブル
ー。
質を用いて実験を行った結果、次の材料が使用できるこ
とが判った。すなわち、エレクトロ ベーン ロクロミソク層としては、ＷＯｓ、ＭｏＯ２，ＴｌＯ２
゜ｖ２０．、Ｃｒ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５、プルシアンブル
ー。
ベルリンブルー等のＦｅ−シアノ錯体、フタロシアニン
錯体、バイオロゲン、ポリピロール、ポリチオフェン等
の有機エレクトロクロミック材が使用できる。また、電
解質としては、Ｌ ｉＢ Ｆ ４・。
錯体、バイオロゲン、ポリピロール、ポリチオフェン等
の有機エレクトロクロミック材が使用できる。また、電
解質としては、Ｌ ｉＢ Ｆ ４・。
ＬＩＣ１０４等のＬｉ 塩を溶解した、プロピレンカー
ボネート、γ−ブチロラクトン等の有機電解質。
ボネート、γ−ブチロラクトン等の有機電解質。
ＫＢ ｒ 、 Ｋ（Ｊ等を溶解した水溶液、 Ｌｉ
Ｎ、ＬｉＡｌＦ４゜β−Ａ１２０３，５ｉＯ−ｘ（Ｈ２
Ｏ） 、 Ｔ ａ ２０６’Ｘ（Ｈ２Ｏ） 。
Ｎ、ＬｉＡｌＦ４゜β−Ａ１２０３，５ｉＯ−ｘ（Ｈ２
Ｏ） 、 Ｔ ａ ２０６’Ｘ（Ｈ２Ｏ） 。
Ｌｉ４Ｓｉ０４−Ｌｉ３ＰＯ４等の固体電解質も有効で
ある。なお、エレクトロクロミック層の発色効率が低い
場合は、ｐ−１−ｎ接合を２重にし起電力電圧を２倍に
することで達成できた。寸だ、電解質が固体の場合、背
面基材７は不必要である。
ある。なお、エレクトロクロミック層の発色効率が低い
場合は、ｐ−１−ｎ接合を２重にし起電力電圧を２倍に
することで達成できた。寸だ、電解質が固体の場合、背
面基材７は不必要である。
〔実施例２〕
実施例１と同じ記録素子において対向電極上に電極活物
質層を設けたところ、発色及び消去速度が向上した。該
活物質として効果的であったものは、Ｉｒ（ＯＨ） Ｘ
、 Ｎ ｉ（ＯＨ） ！、 ＷＯ３（多結晶体）。
質層を設けたところ、発色及び消去速度が向上した。該
活物質として効果的であったものは、Ｉｒ（ＯＨ） Ｘ
、 Ｎ ｉ（ＯＨ） ！、 ＷＯ３（多結晶体）。
７ ′・
Ｌｉ ＷＯＶ Ｏ鉄シアノ錯体等の蒸着薄膜２ ４Ｉ
２５１ である。
２５１ である。
Ｃ実 施 例 ３コ
実施例１において、ａ−８ｉ光起電力層のかわりに、半
導体層としてＣｄＳ、ＣｄＳｅを用いて同様の実験を行
った。その結果、半導体層の光吸収が強く発色状態が確
認しにくいものの実施例１と同様の作用を認めだ。
導体層としてＣｄＳ、ＣｄＳｅを用いて同様の実験を行
った。その結果、半導体層の光吸収が強く発色状態が確
認しにくいものの実施例１と同様の作用を認めだ。
〔実施例４〕
実施例１において、電極１側にｎ層（ａ−８ｉ）を形成
しｐ層（ａ−８ｉＣ）Ｊ二にエレクトロクロミック層４
（Ｉｒ（ＯＨ）ｘ、Ｎ１（ＯＨ）ｘ、フタロシアニン錯
体、鉄シアノ鎖体）を形成し、その他の構成は、実施例
１と同様にして記録素子を作成した結果、光書き込み、
メモリー保持、電気的消去の各機能が確認できた。
しｐ層（ａ−８ｉＣ）Ｊ二にエレクトロクロミック層４
（Ｉｒ（ＯＨ）ｘ、Ｎ１（ＯＨ）ｘ、フタロシアニン錯
体、鉄シアノ鎖体）を形成し、その他の構成は、実施例
１と同様にして記録素子を作成した結果、光書き込み、
メモリー保持、電気的消去の各機能が確認できた。
を実施例５〕
第２図に示すように、シリコン単結晶基板３を用いてｐ
層側に電極２を蒸着し、ｎ層側にエレクトロクロミック
層４を形成し、対向電極６及び電解質５と組み合せて記
録素子を作成した。ただし、各構成月利は、実施例１及
び２の各材料を使用した。
層側に電極２を蒸着し、ｎ層側にエレクトロクロミック
層４を形成し、対向電極６及び電解質５と組み合せて記
録素子を作成した。ただし、各構成月利は、実施例１及
び２の各材料を使用した。
実施例１と同様に光書き込み、メモリ保持、電気的消去
実験を行ったところ、発色スポットが若干にじむものの
同様の効果を確認した。。
実験を行ったところ、発色スポットが若干にじむものの
同様の効果を確認した。。
また、半導体基板として、Ｓｉのほか、ＧａＡｓ。
ＩｎＰ 等の化合物半導体も使用できることが判った
。
。
発明の効果
本発明を用いることにより、光書き込みによる情報記憶
が可能となり、かつ、電気的に消去可能で、書き込み消
去を繰り返し行うことができる面Ｊ熱性の優れた全く新
しい記録素子を提供できる。
が可能となり、かつ、電気的に消去可能で、書き込み消
去を繰り返し行うことができる面Ｊ熱性の優れた全く新
しい記録素子を提供できる。
第１図および第２図は、本発明の記録素子の異方る実施
例の基本構造図である。 １・・・・・基板、２・・・・・・電極、３・・・・・
半導体層、４・・・・・・エレクトロクロミック層、５
・・・・・・電解質、６・・・・・・対向電極、７・・
・・・・背面基材。
例の基本構造図である。 １・・・・・基板、２・・・・・・電極、３・・・・・
半導体層、４・・・・・・エレクトロクロミック層、５
・・・・・・電解質、６・・・・・・対向電極、７・・
・・・・背面基材。
Claims (2)
- （１）光起電力を有する半導体層の片面に電極を設ける
とともに裏面にエレクトロクロミック層を設け、前記エ
レクトロクロミック層と対向電極とが電解質を介して対
向していることを特徴とする記録素子。 - （２）基板上に電極を設け、その上にアモルファスシリ
コンから成る半導体層を設け、更にエレクトロクロミッ
ク層を積層したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
の記載の記録素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053111A JPS61211849A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 記録素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053111A JPS61211849A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 記録素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61211849A true JPS61211849A (ja) | 1986-09-19 |
Family
ID=12933683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60053111A Pending JPS61211849A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 記録素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61211849A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0307210A2 (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Seiko Instruments Inc. | Memory writing apparatus |
| US5623476A (en) * | 1986-12-24 | 1997-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording device and reproduction device |
| CN105022199A (zh) * | 2015-08-13 | 2015-11-04 | 武汉大学 | 一种节能的显示装置和显示方法 |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP60053111A patent/JPS61211849A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5623476A (en) * | 1986-12-24 | 1997-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording device and reproduction device |
| EP0307210A2 (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Seiko Instruments Inc. | Memory writing apparatus |
| EP0307210A3 (en) * | 1987-09-10 | 1991-05-15 | Seiko Instruments Inc. | Memory writing apparatus |
| CN105022199A (zh) * | 2015-08-13 | 2015-11-04 | 武汉大学 | 一种节能的显示装置和显示方法 |
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