JPS6120931A - 光制御装置 - Google Patents
光制御装置Info
- Publication number
- JPS6120931A JPS6120931A JP14271084A JP14271084A JPS6120931A JP S6120931 A JPS6120931 A JP S6120931A JP 14271084 A JP14271084 A JP 14271084A JP 14271084 A JP14271084 A JP 14271084A JP S6120931 A JPS6120931 A JP S6120931A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- light
- voltage
- impressed
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、選択的にレーザ光を取り出すことができる光
制御装置に関するものである。
制御装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、光制御装置は光プリンタヘッド等の応用を見込ん
で広く開発されている。
で広く開発されている。
以下図面を参照しながら、上述したような従来の光制御
装置について説明する。
装置について説明する。
第1図は従来の光制御装置の構成である。第1図におい
て、10は発光ダイオードアレイ、11はレンズアレイ
、12は発光ダイオードに注入する電流、13は出力光
である。希望の発光位置に対応する発光ダイオードに電
流を注入することにより出力光13が得られる。
て、10は発光ダイオードアレイ、11はレンズアレイ
、12は発光ダイオードに注入する電流、13は出力光
である。希望の発光位置に対応する発光ダイオードに電
流を注入することにより出力光13が得られる。
しかしながら上記のような構成では、発光ダイオードア
レイの信頼性そのものが得られないことと高価になると
いう欠点を有していた。
レイの信頼性そのものが得られないことと高価になると
いう欠点を有していた。
さらに第2図は従来の異なる光制御装置の構成である。
第2図において、14は半導体レーザ、1.5はレンズ
、16は偏光子、17は液晶を用いた偏向素子マ) I
Jクス、18は検光子、19は出力光である。偏光子1
6を通過して直線偏光された光のうち偏光素子17に電
圧を印加した部分は液晶分子が回転して複屈折効果によ
り楕円偏光となり検光子18を一部通過して出力光とな
る。偏光素子17に電圧を印加した部分では偏光方向が
変化しないために出力光は出ない。
、16は偏光子、17は液晶を用いた偏向素子マ) I
Jクス、18は検光子、19は出力光である。偏光子1
6を通過して直線偏光された光のうち偏光素子17に電
圧を印加した部分は液晶分子が回転して複屈折効果によ
り楕円偏光となり検光子18を一部通過して出力光とな
る。偏光素子17に電圧を印加した部分では偏光方向が
変化しないために出力光は出ない。
しかしながら上記のような構成では、1個の半導体レー
ザの出力光を複数に分割するために出力光強度が弱くな
るという欠点と、十分な光の昇降比が得られないという
欠点を有していた。
ザの出力光を複数に分割するために出力光強度が弱くな
るという欠点と、十分な光の昇降比が得られないという
欠点を有していた。
発明の目的
本発明はこのような従来の問題に鑑み、基板中を導波す
る光を選択的に取り出すことのできる光制御装置を提供
することを目的とする。
る光を選択的に取り出すことのできる光制御装置を提供
することを目的とする。
発明の構成
本発明の光制御装置は、屈折率がnl なる第1の基体
および屈折率がn2なる第2の基体の間に。
および屈折率がn2なる第2の基体の間に。
対向して設置した電極間に、電圧を印加することにより
屈折率の値をn3とn4の間で変化し得る屈折率変化層
をはさんだ3層構造であって、nn)n かつn 3
) n 4 1 I 2 4 なる条件を満足し、第1の基体の該屈折率変化層とは反
対側の主面上に外部からレーザ光を第1の基体内にのみ
導波させる手段を有し、第1の基体内を導波するレーザ
光を、対向して設置した電極の配列の中から選択的に電
圧を印加することによシ選択的に第2の基体内に取り出
して第2の基体の屈折率変化層とは反対側の主面上に配
列して設置した光出力手段から外へ取り出すことを特徴
とするものである。
屈折率の値をn3とn4の間で変化し得る屈折率変化層
をはさんだ3層構造であって、nn)n かつn 3
) n 4 1 I 2 4 なる条件を満足し、第1の基体の該屈折率変化層とは反
対側の主面上に外部からレーザ光を第1の基体内にのみ
導波させる手段を有し、第1の基体内を導波するレーザ
光を、対向して設置した電極の配列の中から選択的に電
圧を印加することによシ選択的に第2の基体内に取り出
して第2の基体の屈折率変化層とは反対側の主面上に配
列して設置した光出力手段から外へ取り出すことを特徴
とするものである。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第3図は本発明の実施例における光制御装置の断面構造
を示すものである。第3図において、21は第1の基体
であるガラス板、22は屈折率変化層である液晶層、2
3は第2の基体であるガラス板、24は対向して設置し
た電極の配列でS n O2の透明電極、26はレーザ
光を第1の基体内に導波させる手段であるTiO2のプ
リズム、26はHe −N eガスレーザの入射光(波
長6328人)、27は選択的に取シ出されるレーザ光
、28はガラス板23上に設けた凹部からなる光出力手
段である。
を示すものである。第3図において、21は第1の基体
であるガラス板、22は屈折率変化層である液晶層、2
3は第2の基体であるガラス板、24は対向して設置し
た電極の配列でS n O2の透明電極、26はレーザ
光を第1の基体内に導波させる手段であるTiO2のプ
リズム、26はHe −N eガスレーザの入射光(波
長6328人)、27は選択的に取シ出されるレーザ光
、28はガラス板23上に設けた凹部からなる光出力手
段である。
いま電圧を印加すると屈折率が高くなり(、nH)電圧
を零にすると屈折率が低くなる(nL)ように液晶の種
類を選んで配向させた場合について説明する。電圧を印
加しない時プリズム26から入射したレーザ光27はガ
ラス板21の中を全反射を繰り返して導波し外部に光は
取り出されない。選択的に電圧を対向電極24aに印加
すると全反射条件からずれてレーザ光はガラス板23上
の光出力手段である凹部28によって選択的に外部にレ
ーザ光27が出射する。
を零にすると屈折率が低くなる(nL)ように液晶の種
類を選んで配向させた場合について説明する。電圧を印
加しない時プリズム26から入射したレーザ光27はガ
ラス板21の中を全反射を繰り返して導波し外部に光は
取り出されない。選択的に電圧を対向電極24aに印加
すると全反射条件からずれてレーザ光はガラス板23上
の光出力手段である凹部28によって選択的に外部にレ
ーザ光27が出射する。
第4図に屈折率分布を示す。ガラス板23内で全反射を
繰り返すためにレーザ光の伝搬角度θCは θC> 5in−”(絹) であり、かつ光を取り出すために θc(5in−’(旭) なる条件を満足するように設定しである。
繰り返すためにレーザ光の伝搬角度θCは θC> 5in−”(絹) であり、かつ光を取り出すために θc(5in−’(旭) なる条件を満足するように設定しである。
この光制御装置は、−個のレーザを用いて複数の位置に
光を取り出すことができる。また全反射現象を応用して
いるために高い出力光強度と高い消光比を得ることがで
きる。
光を取り出すことができる。また全反射現象を応用して
いるために高い出力光強度と高い消光比を得ることがで
きる。
なお本実施例では、基体としてガラス板を用いたがプラ
スチック等の他の誘電体材料で良く、屈折率変化層とし
て液晶を用いたがPLZT等の電界によって屈折率変化
を生ずるものであれば他のもので良く、透明電極として
InO2膜を用いたがS n O2膜や金属薄膜でも良
く、光出力手段として凹部を用いたが凸部や回折格子等
のものでも良い。
スチック等の他の誘電体材料で良く、屈折率変化層とし
て液晶を用いたがPLZT等の電界によって屈折率変化
を生ずるものであれば他のもので良く、透明電極として
InO2膜を用いたがS n O2膜や金属薄膜でも良
く、光出力手段として凹部を用いたが凸部や回折格子等
のものでも良い。
発明の効果
以上のように本発明は、−個のレーザを用いて複数の位
置に光を取り出すことができる効果がある。また全反射
現象を応用しているために高いスイッチング昇降比を得
ることができる効果がある。
置に光を取り出すことができる効果がある。また全反射
現象を応用しているために高いスイッチング昇降比を得
ることができる効果がある。
また光制御装置がコンパクトに作れる効果があり、前記
効果とあわせてその実用的意義は大なるものがある。
効果とあわせてその実用的意義は大なるものがある。
第1図、第2図は従来の光制御装置の概略構成 、図、
第3図は本発明の実施例の光制御装置の断面図、第4図
は実施例の光制御装置の屈折率分布図である。 21・・・・・基体1.22・・・・・・屈折率変化層
、23・・・・・・基体2.24a 、24b 、24
c・・・・・・電極、26・・・・・・先入カブリズム
、26・・・・・・入射レーザ光、27・・・・・・出
射レーザ光、28・・・・・・光出力凹部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図
第3図は本発明の実施例の光制御装置の断面図、第4図
は実施例の光制御装置の屈折率分布図である。 21・・・・・基体1.22・・・・・・屈折率変化層
、23・・・・・・基体2.24a 、24b 、24
c・・・・・・電極、26・・・・・・先入カブリズム
、26・・・・・・入射レーザ光、27・・・・・・出
射レーザ光、28・・・・・・光出力凹部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図
Claims (1)
- 屈折率がn_1なる第1の基体および屈折率がn_2な
る第2の基体の間に対向して設置した電極間に電圧を印
加することにより屈折率の値がn_3とn_4の間で変
化し得る屈折率変化層をはさんだ3層構造を有し、n_
1、n_2>n_4かつn_3>n_4なる条件を満足
し、前記第1の基体の前記屈折率変化層側と反対の主面
上に外部からレーザ光を前記第1の基体内に導波させる
手段を有し、さらに、前記第2の基体の前記屈折率変化
層とは反対側の主面に光出力を取り出す手段を有するこ
とを具備してなる光制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14271084A JPS6120931A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 光制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14271084A JPS6120931A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 光制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6120931A true JPS6120931A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15321767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14271084A Pending JPS6120931A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 光制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6120931A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0339725A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-20 | Toray Ind Inc | ディスプレイ要素単位およびディスプレイ方法 |
US5317429A (en) * | 1990-11-28 | 1994-05-31 | Fujitsu Limited | Trilayer nematic liquid crystal optical switching device |
JP2002031788A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Sony Corp | 光学装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51151561A (en) * | 1975-06-09 | 1976-12-27 | Siemens Ag | Light waveguide network |
JPS5958421A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP14271084A patent/JPS6120931A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51151561A (en) * | 1975-06-09 | 1976-12-27 | Siemens Ag | Light waveguide network |
JPS5958421A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0339725A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-20 | Toray Ind Inc | ディスプレイ要素単位およびディスプレイ方法 |
US5317429A (en) * | 1990-11-28 | 1994-05-31 | Fujitsu Limited | Trilayer nematic liquid crystal optical switching device |
JP2002031788A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Sony Corp | 光学装置 |
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