JPS61207088A - レ−ザ出力合成装置 - Google Patents
レ−ザ出力合成装置Info
- Publication number
- JPS61207088A JPS61207088A JP4756485A JP4756485A JPS61207088A JP S61207088 A JPS61207088 A JP S61207088A JP 4756485 A JP4756485 A JP 4756485A JP 4756485 A JP4756485 A JP 4756485A JP S61207088 A JPS61207088 A JP S61207088A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- laser
- combined
- output
- incident
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、複数のレーザ出力を効率よく合波させること
により、高出力のレーザ光を得るように構成したレーザ
出力合成装置に関するものである。
により、高出力のレーザ光を得るように構成したレーザ
出力合成装置に関するものである。
［従来技術］
一般に、半導体レーザは小形で信頼性が高く、且つ直接
変調が可能であることから、光フアイバ通信用光源など
として幅広く使用されている。殊に最近では、コヒーレ
ント光ファイバ通信の実用化に向けての研究開発も盛ん
であり、単−波長化および位相の安定化など、半導体レ
ーザの特性は大幅に改善されつつある。
変調が可能であることから、光フアイバ通信用光源など
として幅広く使用されている。殊に最近では、コヒーレ
ント光ファイバ通信の実用化に向けての研究開発も盛ん
であり、単−波長化および位相の安定化など、半導体レ
ーザの特性は大幅に改善されつつある。
しかし、半導体レーザの特性のひとつである出力に関し
ては、小型・微細であることもあり、高出力化には限度
がある０例えば、レーザを連続発振させる場合、発熱あ
るいは端面破壊などにより、出力が制限されてしまい、
高出力は得難いという欠点がある。
ては、小型・微細であることもあり、高出力化には限度
がある０例えば、レーザを連続発振させる場合、発熱あ
るいは端面破壊などにより、出力が制限されてしまい、
高出力は得難いという欠点がある。
また、大きな光出力が得られる場合には、急に破壊され
なくとも徐々に破壊が起こり、信頼性が低下していくと
いう欠点がある。さらに、電流マＳ光出力特性における
直線性の観点からも、そのレーザ出力に制約を受けると
いう木質的な欠点がある。
なくとも徐々に破壊が起こり、信頼性が低下していくと
いう欠点がある。さらに、電流マＳ光出力特性における
直線性の観点からも、そのレーザ出力に制約を受けると
いう木質的な欠点がある。
そのうえ、従来のレーザ光合成技術では、合流器を用い
てレーザ光を単に合流させるだけであり、その合流電力
は各々の電力の和にならなかった。その理由は、合流器
において損失を受けるからである（例えば、 Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ３１（＋９
７７）ｐ、７４０−７４２ Ｋ、０．Ｈｉｌｌ、 Ｂ、
Ｓ、Ｋａｗａｓａｋｉ ａｎｄＤ、Ｃ１ｏｈｎｓｏｎ
ｒＥｆｆｉｃｉｅｎｔ ｐｏｗｅｒ ｃｏｍｂｉ
ｎｅｒ ｆｏｒｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ ｍｕ
ｌｔｉｐｌｅ ５ｏｕｒｃｅｓ ｔ。
てレーザ光を単に合流させるだけであり、その合流電力
は各々の電力の和にならなかった。その理由は、合流器
において損失を受けるからである（例えば、 Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ３１（＋９
７７）ｐ、７４０−７４２ Ｋ、０．Ｈｉｌｌ、 Ｂ、
Ｓ、Ｋａｗａｓａｋｉ ａｎｄＤ、Ｃ１ｏｈｎｓｏｎ
ｒＥｆｆｉｃｉｅｎｔ ｐｏｗｅｒ ｃｏｍｂｉ
ｎｅｒ ｆｏｒｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ ｍｕ
ｌｔｉｐｌｅ ５ｏｕｒｃｅｓ ｔ。
３ｉｎｇｌｅｉｉｂｅｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｓｙｓｔｅ
ｍｓ Ｊ ） ｅこの場合１合流器として偏光形のもの
を用いたとしても、独立に発振しているレーザの出力を
そのまま合流させただけではレーザ光の電気ベクトル（
位相）がそろった状態で合成されることにはならないの
で、合流電力は各々の電力の和には及ばないことになる
。
ｍｓ Ｊ ） ｅこの場合１合流器として偏光形のもの
を用いたとしても、独立に発振しているレーザの出力を
そのまま合流させただけではレーザ光の電気ベクトル（
位相）がそろった状態で合成されることにはならないの
で、合流電力は各々の電力の和には及ばないことになる
。
［目的］
よって、本発明の第１の目的は、複数のレーザ出力を効
率よく合流させることにより、レーザの高出力化を図っ
たレーザ出力合成装置を提供することにある。
率よく合流させることにより、レーザの高出力化を図っ
たレーザ出力合成装置を提供することにある。
また１本発明の第２の目的は、単一の注入レーザの特性
を維持しつつ、信頼性を高めたレーザ出力合成装置を提
供することにある。
を維持しつつ、信頼性を高めたレーザ出力合成装置を提
供することにある。
［発明の構１１ｍ１
上述の目的を達成するために、１つのレーザ（注入レー
ザ）からの発振光を他の複数個のレーザ（同期レーザ）
に導き、各回期レーザから互いに位相のそろった光を発
振させ、これらの発振光を２本づつ合成して１本の高出
力光を得るようにした。すなわち、２木のレーザビーム
は、偏光ビームスプリッタに対しその入射面に平行な偏
光方向の入射光（Ｐ波）が透過光となるように、また、
入射面に垂直な偏光方向の入射光（Ｓ波）が反射光とな
るように、偏光ビームスプリッタに入射させて合成する
。
ザ）からの発振光を他の複数個のレーザ（同期レーザ）
に導き、各回期レーザから互いに位相のそろった光を発
振させ、これらの発振光を２本づつ合成して１本の高出
力光を得るようにした。すなわち、２木のレーザビーム
は、偏光ビームスプリッタに対しその入射面に平行な偏
光方向の入射光（Ｐ波）が透過光となるように、また、
入射面に垂直な偏光方向の入射光（Ｓ波）が反射光とな
るように、偏光ビームスプリッタに入射させて合成する
。
そこで、本発明に係るレーザ出力合成装置は、注入レー
ザと、注入レーザの発振光を導入し注入同期により位相
同期された偏光状態にある光を発振する複数個の同期レ
ーザと、同期レーザの出力光を順次に合成する光合成手
段とを備えるものである。
ザと、注入レーザの発振光を導入し注入同期により位相
同期された偏光状態にある光を発振する複数個の同期レ
ーザと、同期レーザの出力光を順次に合成する光合成手
段とを備えるものである。
［実施例］
以下に、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
半導体レーザは、一般に直線偏光状態にあるため、その
レーザ光の合流器としては、偏光ビームスプリッタを逆
向きにして使用することが可能である。
レーザ光の合流器としては、偏光ビームスプリッタを逆
向きにして使用することが可能である。
そこで、第２図（偏光ビームスプリッタの原理図）に示
すように、偏光ビームスプリッタに対してＰ波またはＳ
波（ここで、Ｐ波とは偏光方向が入射面に平行で偏光ビ
ームスプリッタに対し透過光、Ｓ波とは偏光方向が入射
面と垂直で反射光となるものをいう）となるように２つ
の半導体装置ザ光を入射させると、これらレーザ光はほ
とんど損失なく合流し、その出力光は２つのレーザ出力
の和となる。
すように、偏光ビームスプリッタに対してＰ波またはＳ
波（ここで、Ｐ波とは偏光方向が入射面に平行で偏光ビ
ームスプリッタに対し透過光、Ｓ波とは偏光方向が入射
面と垂直で反射光となるものをいう）となるように２つ
の半導体装置ザ光を入射させると、これらレーザ光はほ
とんど損失なく合流し、その出力光は２つのレーザ出力
の和となる。
このとき、この合流光は一般には偏光状態とはならない
が、２つの偏光ビーム（Ｐ波、Ｓ波）の位相をそろえ、
かつ光路長を調整することにより、その合流光は再び直
線偏光状態となる。
が、２つの偏光ビーム（Ｐ波、Ｓ波）の位相をそろえ、
かつ光路長を調整することにより、その合流光は再び直
線偏光状態となる。
従って、直線偏光状態となるならば、さらに別個の偏光
ビームスプリッタを用いて他のレーザ光と合流させるこ
とができ、その出力光は、３つ以上の半導体レーザ出力
の和となる。
ビームスプリッタを用いて他のレーザ光と合流させるこ
とができ、その出力光は、３つ以上の半導体レーザ出力
の和となる。
かかる原理を利用することにより、位相のそろった複数
の半導体レーザの出力を、多段の偏光ビームスプリッタ
を用いて、効率よく合流させることができ、もって、よ
り高い出力を得ることが可能である。
の半導体レーザの出力を、多段の偏光ビームスプリッタ
を用いて、効率よく合流させることができ、もって、よ
り高い出力を得ることが可能である。
ここで、レーザ光の位相をそろえるには、基準となる半
導体レーザからの出力光を各々の半導体レーザに注入し
、その位相をロックすることが必要である。以下の説明
において、基準となるレーザを注入レーザ、注入による
位相同期したレーザを同期レーザと呼ぶことにする。
導体レーザからの出力光を各々の半導体レーザに注入し
、その位相をロックすることが必要である。以下の説明
において、基準となるレーザを注入レーザ、注入による
位相同期したレーザを同期レーザと呼ぶことにする。
なお、注入同期に関する技術については。
１）’ｉｌｔ子通信学会 光・量子エレクトロニクス研
究会、０ＱＥ８Ｇ−２８，１１３９０年６月１９日 小
林 ：「半導体レーザの注入同期特性」 ２ ） Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒ８ （１９８Ｂ）ｐ、９１−９３゜Ｈ，Ｌ、５ｔｏｖ
ｅｒ ａｎｄ Ｗ、Ｈ，５ｔｅｉｅｒ ｒＬｏｃｋｉ
ｎｇ ｏｆＬａｓｅｒ ０ｓｃｉｌｌａｔｏｒｓ ｂ
ｙ Ｌｉｇｈｔ ＩｎｊｅｃｔｉｏｎＪなどに述べられ
ている。
究会、０ＱＥ８Ｇ−２８，１１３９０年６月１９日 小
林 ：「半導体レーザの注入同期特性」 ２ ） Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒ８ （１９８Ｂ）ｐ、９１−９３゜Ｈ，Ｌ、５ｔｏｖ
ｅｒ ａｎｄ Ｗ、Ｈ，５ｔｅｉｅｒ ｒＬｏｃｋｉ
ｎｇ ｏｆＬａｓｅｒ ０ｓｃｉｌｌａｔｏｒｓ ｂ
ｙ Ｌｉｇｈｔ ＩｎｊｅｃｔｉｏｎＪなどに述べられ
ている。
上述した各々の同期レーザは、位相が整っていることが
必要であって、位相が同時に揺らいでいても、また出力
が等しくなくてもよい。
必要であって、位相が同時に揺らいでいても、また出力
が等しくなくてもよい。
第３図は、偏光ビームスプリッタを用いて２つのレーザ
光を合成するときの偏光状態を説明する図（ｉｌｔ界ベ
クトル上での説明図）である、ここで、 ＯＡ Ｓ波の電界強度 である。
光を合成するときの偏光状態を説明する図（ｉｌｔ界ベ
クトル上での説明図）である、ここで、 ＯＡ Ｓ波の電界強度 である。
本図から明らかなように、２つのレーザ光すなわちｓ＊
ｆｆおよびＰ波面°は、各々の電界強度が等しくなくて
もよい、また、２つのレーザ光については時間的に出力
変動があっても、電界強度の比が等しければ、その合成
ベクトル（合流光の偏波面）は常にＣＧ’ を向いてい
るので１合流光の偏光は保持される。
ｆｆおよびＰ波面°は、各々の電界強度が等しくなくて
もよい、また、２つのレーザ光については時間的に出力
変動があっても、電界強度の比が等しければ、その合成
ベクトル（合流光の偏波面）は常にＣＧ’ を向いてい
るので１合流光の偏光は保持される。
このことは、外部信号により各々の同期レーザを直接強
度変調することができることを意味する。すなわち、す
べての同期レーザを同じ信号で変調（変調度も同じ）す
ることにより、合流光の偏光を保持することが可能であ
る。しかもこの場合には、合流光の変調度は各回期レー
ザの変調度に等しくなる。
度変調することができることを意味する。すなわち、す
べての同期レーザを同じ信号で変調（変調度も同じ）す
ることにより、合流光の偏光を保持することが可能であ
る。しかもこの場合には、合流光の変調度は各回期レー
ザの変調度に等しくなる。
また、コヒーレント通信用の半導体レーザを使用するこ
とにより１位相変調または周波数変調をなすことも可能
である。この場合には、注入レーザのみを位相変調また
は周波数変調することにより、合流光の変調を行う、こ
のように、直接変調が可能であることから１本発明によ
り構成されるレーザ出力合成装置は、ひとつ（単一）の
高出力半導体レーザと見なすことができる。
とにより１位相変調または周波数変調をなすことも可能
である。この場合には、注入レーザのみを位相変調また
は周波数変調することにより、合流光の変調を行う、こ
のように、直接変調が可能であることから１本発明によ
り構成されるレーザ出力合成装置は、ひとつ（単一）の
高出力半導体レーザと見なすことができる。
本発明を適用したレーザ出力合成装置の具体的構成例を
第１図（Ａ）および（Ｂ）に示す。
第１図（Ａ）および（Ｂ）に示す。
本図において、ＬＤ６は注入レーザ、ＬＤ、〜ＬＤ４は
同期レーザ、 ＢＳは偏光ビームスプリッタ、 Ｐ。
同期レーザ、 ＢＳは偏光ビームスプリッタ、 Ｐ。
〜Ｐ４は各半導体レーザの出力レベルを示す。
ここで、第１図（Ａ）は直列型のレーザ出力合成装置、
第１図（Ｂ）はピラミッド型のレーザ出力合成装置を示
している。但し、第１図（Ａ）に示す直列型の構成では
Ｐ波とＳ波の光出力レベルのバランスが悪くなるのに対
し、第１図（Ｂ）に示すピラミッド型の構成を採る場合
には、その光出力レベルのバランスが良くなり偏光ビー
ムスプリッタなどの調整が簡単になる。
第１図（Ｂ）はピラミッド型のレーザ出力合成装置を示
している。但し、第１図（Ａ）に示す直列型の構成では
Ｐ波とＳ波の光出力レベルのバランスが悪くなるのに対
し、第１図（Ｂ）に示すピラミッド型の構成を採る場合
には、その光出力レベルのバランスが良くなり偏光ビー
ムスプリッタなどの調整が簡単になる。
なお１本発明は半導体レーザに限らず、すべてのレーザ
に対して適用することが可能である。
に対して適用することが可能である。
［効果］
未発明を実施することにより、次に挙げる格別の効果が
得られる。
得られる。
（１）高出力であることによる効果
■光ファイバ通信における高輝度光源として用いること
ができるので、ＳＮ比が大幅に向上し、仕つ伝送距離を
、伸ばｔことができる。したがって、長距離伝送に適し
た光源となる。
ができるので、ＳＮ比が大幅に向上し、仕つ伝送距離を
、伸ばｔことができる。したがって、長距離伝送に適し
た光源となる。
■通信以外にも、レーザレーダあるいは距＃測定器など
高出力が要求される計測用、あるいは医療用、研究用、
レー・ザ加Ｔ用など、光エネルギーを利用する幅広い分
野に役立つ。
高出力が要求される計測用、あるいは医療用、研究用、
レー・ザ加Ｔ用など、光エネルギーを利用する幅広い分
野に役立つ。
（２）直線偏光であることによる効果
注入レーザの偏光が保存され、しかも高出力であるので
、偏光あるいは位相特性を利用した各種センサ用光源と
して利用することができる。
、偏光あるいは位相特性を利用した各種センサ用光源と
して利用することができる。
（３）複数の半導体レーザが使われていることによる効
果 単体の半導体レーザの出力を最適値にすることができる
ため、特性および寿命の点で有利である。また、複数個
の半導体レーザを使用しているため、同期レーザの１個
が故障した場合にも全体としてはそれほど影響を受けず
、装置全体の信頼性が向上する。
果 単体の半導体レーザの出力を最適値にすることができる
ため、特性および寿命の点で有利である。また、複数個
の半導体レーザを使用しているため、同期レーザの１個
が故障した場合にも全体としてはそれほど影響を受けず
、装置全体の信頼性が向上する。
（４）直接変調（強度変調９位相変調１周波数変調など
）を行うことができることによる効果外部変調手段が不
要となるので、単体の高輝度半導体レーザと見ることが
できる。
）を行うことができることによる効果外部変調手段が不
要となるので、単体の高輝度半導体レーザと見ることが
できる。
第１図（Ａ）および第１図（Ｂ）は本発明の一実施例を
示す構成図、 第２図は偏光ビームスプリッタの原理図。 第３図は電界ベクトル上での偏光状態説明図である。 ＬＤｏ・・・注入レーザ、 Ｌｌｌ、−ＬＤ、・・・同期レーザ、 ＢＳ・・・偏光ビームスプリッタ。
示す構成図、 第２図は偏光ビームスプリッタの原理図。 第３図は電界ベクトル上での偏光状態説明図である。 ＬＤｏ・・・注入レーザ、 Ｌｌｌ、−ＬＤ、・・・同期レーザ、 ＢＳ・・・偏光ビームスプリッタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）注入レーザと、 該注入レーザの発振光を導入し、注入同期により位相同
期された偏光状態にある光を発振する複数個の同期レー
ザと、 該同期レーザの出力光を順次に合成する光合成手段とか
らなるレーザ出力合成装置。 ２）前記同期レーザの出力光を２本ずつ前記光合成手段
により合成し、その各合成光を２本ずつ前記光合成手段
により合成し、順次に合成光を得るようにしたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のレーザ出力合成装
置。 ３）前記同期レーザの出力光の２本を前記光合成手段に
より合成し、その合成光と他の前記同期レーザの出力光
とを合成し、順次に合成光を得るようにしたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のレーザ出力合成装置
。 ４）前記光合成手段は偏光ビームスプリッタからなり、
該偏光ビームスプリッタからの透過光と反射光とが同一
方向となるように第１の入射光と第２の入射光の入射角
を、それぞれ、ほぼ４５°とするとともに、前記第１の
入射光と前記第２の入射光は、互いにほぼ９０°の角と
なし、前記第１の入射光と前記第２の入射光との間の位
相をそろえ、かつ、前記第１の入射光はその偏光方向が
入射面にほぼ平行となるように入射して前記偏光ビーム
スプリッタを透過させ、前記第２の入射光はその偏光方
向が入射面にほぼ垂直になるように入射して前記偏光ビ
ームスプリッタにより反射させ、前記透過光と前記反射
光とを合成するようにしたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載のレーザ出力
合成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4756485A JPS61207088A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | レ−ザ出力合成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4756485A JPS61207088A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | レ−ザ出力合成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207088A true JPS61207088A (ja) | 1986-09-13 |
Family
ID=12778713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4756485A Pending JPS61207088A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | レ−ザ出力合成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61207088A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0474034A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-09 | Nec Corp | サブキャリア多重光伝送方法 |
| JP2004276063A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工装置 |
| WO2012014286A1 (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
| WO2018185907A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | シャープ株式会社 | 固体レーザー装置、剥離装置及び可撓性表示装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4838986A (ja) * | 1971-09-20 | 1973-06-08 | ||
| JPS5455184A (en) * | 1977-10-11 | 1979-05-02 | Canon Inc | Semiconductor laser light source unit |
-
1985
- 1985-03-12 JP JP4756485A patent/JPS61207088A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4838986A (ja) * | 1971-09-20 | 1973-06-08 | ||
| JPS5455184A (en) * | 1977-10-11 | 1979-05-02 | Canon Inc | Semiconductor laser light source unit |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0474034A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-09 | Nec Corp | サブキャリア多重光伝送方法 |
| JP2004276063A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工装置 |
| JP4662411B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2011-03-30 | 日立ビアメカニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
| WO2012014286A1 (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
| WO2018185907A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | シャープ株式会社 | 固体レーザー装置、剥離装置及び可撓性表示装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10205526B2 (en) | Methods and systems for reducing noise in optoelectronic oscillators | |
| JP2002023210A (ja) | 波長変換装置 | |
| CN108933663B (zh) | 时间相位编码的量子密钥分发系统及其组件 | |
| US8373924B2 (en) | Frequency-tripled fiber MOPA | |
| JPS61134134A (ja) | 周波数偏移変調光送信装置 | |
| US5307366A (en) | Logic function generator using an optical transposition in a distributed feedback laser diode | |
| CN117278215B (zh) | 用于量子密钥分发和光通信的光量子芯片及相位补偿方法 | |
| CN110297376B (zh) | 一种稳定的连续变量量子纠缠源产生装置 | |
| JP2000066137A (ja) | 光アイソレータとして使用可能な光デバイス並びに該光デバイスを含む光増幅器及びシステム | |
| JPS61207088A (ja) | レ−ザ出力合成装置 | |
| CN116154598B (zh) | 基于oam和宇称-时间对称性破缺的光电振荡器及振荡方法 | |
| US5136599A (en) | Apparatus and method for increasing the bandwidth of a laser beam | |
| JP6521062B2 (ja) | 光信号変調装置およびシステム | |
| CN115037374B (zh) | 一种宽带双路偏振混沌激光产生方法及装置 | |
| Andreev et al. | Locked phase conjugation for two-beam coupling of pulse repetition rate solid-state lasers | |
| CN116455552A (zh) | 基于轨道角动量复用的大容量自由空间混沌安全通信系统 | |
| CN114336263B (zh) | 一种用于冷原子干涉仪的拉曼光产生装置及方法 | |
| KR100443288B1 (ko) | 밀리미터파 대역의 광 발진기 | |
| CN213932856U (zh) | 一种用于对抛型冷原子干涉仪的双拉曼光装置 | |
| CN212908500U (zh) | 一种激光倍频装置 | |
| KR20010057751A (ko) | 복합 공진기 구조의 초고주파수 변조 레이저 광 발생기 | |
| JPH04163532A (ja) | 光クロック抽出回路 | |
| JPH1117262A (ja) | 高波長精度レーザ光源 | |
| Free et al. | Experimental Demonstration for a Power Scalable Coherent Vector Beam in a Turbulent Environment | |
| CN116470961A (zh) | 一种互注入产生周期振荡毫米波信号的装置和方法 |