JPS61201356A - Memory device - Google Patents

Memory device

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JPS61201356A
JPS61201356A JP60041731A JP4173185A JPS61201356A JP S61201356 A JPS61201356 A JP S61201356A JP 60041731 A JP60041731 A JP 60041731A JP 4173185 A JP4173185 A JP 4173185A JP S61201356 A JPS61201356 A JP S61201356A
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data
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福田 晴幸
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Abstract

PURPOSE:To eliminate the need for an incorporated secondary power source by incorporating a magnetic disk in a semiconductor file memory device and saving the contents of a semiconductor memory thereupon, and realizing nonvolatility in power-off operation. CONSTITUTION:When access for writing is attained by a processor 1, an access acceptance control circuit 21 sends an address to a semiconductor memory part 22 and also registers a write address in an address control table 23. A magnetic disk control circuit 24 accesses the address control table 23 independently and reads the write address through an address readout path 35 when the write address is registered. The magnetic disk control circuit 24 when saving data discriminates the contents of a control signal line 34 between controllers so as to avoid a competition against access from a processor 1 and sends a data transfer indication to the access acceptance control circuit 21 when access is not performed, thereby saving the data.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の概要〕 本発明は、低コスト、小型化、および保守性の向上を図
り、かつ半導体メモリに不揮発化対策を施すため、バッ
テリを用いることなく、磁気ディスク装置のみを付加し
、書込みアドレス管理テーブルにより、初期設定時およ
びそれ以後も常に、半導体メモリ部の内容と磁気ディス
クメモリ部の内容が同一になるように管理することによ
って、電源断時にも、記憶内容を保持させるようにした
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary of the Invention] The present invention provides a magnetic disk drive without using a battery in order to reduce costs, reduce size, improve maintainability, and take measures to make semiconductor memory non-volatile. The contents of the semiconductor memory section and the magnetic disk memory section are managed so that they are the same at the time of initial setting and always thereafter using the write address management table. It is designed to hold.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、記憶装置に関し、特に不揮発化対策を施こし
た半導体記憶装置に関するものである。
The present invention relates to a memory device, and particularly to a semiconductor memory device that takes measures for non-volatility.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、半導体メモリは高速であるが、高価であるために
、ファイルには用いられず、一般には主記憶装置の記憶
素子として用いられてきた。しかし、近年、半導体メモ
リの高集積化に伴ってコストダウンが進められたため、
比較的大容量のものでも低コストで装置を構成すること
ができるようになってきたこと、また、情報処理システ
ムでは、主記憶装置と磁気ディスク等のファイル記憶装
置間のアクセスギャップを埋めるような、つまり両者の
間でアクセスタイムのあまり差のない高速ファイル記憶
装置の要求が高まっていること1等の理由により、半導
体を用いたファイル記憶装置が構成されるようになって
きた。
Conventionally, semiconductor memory has high speed but is expensive, so it has not been used for files, but has generally been used as a storage element of a main memory device. However, in recent years, as semiconductor memory has become more highly integrated, costs have been reduced.
It has become possible to configure devices with relatively large capacities at low cost, and information processing systems are becoming more and more likely to fill the access gap between main storage and file storage devices such as magnetic disks. In other words, there is a growing demand for high-speed file storage devices with little difference in access time between the two, and for these reasons, file storage devices using semiconductors have come to be constructed.

しかし、半導体メモリは、電源断時の不揮発性を有して
いないため、ファイル記憶装置として用いる場合、何等
かの不揮発化対策が必要である。
However, since semiconductor memory does not have non-volatility when the power is turned off, when used as a file storage device, some kind of non-volatile measure is required.

このため、従来では1次に述べる(a)、(b)のよう
な対策を施こしている。
For this reason, conventional measures have been taken as described in (a) and (b) below.

(、)装置内にバッテリを内蔵し、電源断時には。(,) The device has a built-in battery, so when the power is turned off.

このバッテリにより記憶内容を保持する方法。A method of retaining memory contents using this battery.

(b)装置内にバッテリおよび磁気ディスクを内蔵し、
電源断時には、バッテリにより半導体メモリの記憶内容
を保持しながら、磁気ディスクにデータを退避させる方
法。
(b) A battery and a magnetic disk are built into the device;
A method of evacuating data to a magnetic disk while retaining the memory contents of semiconductor memory using a battery when the power is turned off.

しかし、これらの対策方法を施した場合には。However, if these countermeasures are taken.

次のような問題が生じる。先ず、上記(、)については
、最大ファイル容量保持時間分のバッテリを。
The following problems arise. First of all, regarding the above (,), the battery is sufficient for the maximum file capacity retention time.

初期より設置しなくてはならず、きわめて不経済であり
、またバッテリを内蔵するため、装置の小型化が図れず
、さらにバッテリの経年変化による電圧降下のため、容
量の定期測定や取替えが必要であり、大容量になればな
るほど、保守が困難となっている。また、上記(b)に
ついては、(a)に比べて記憶内容の保持時間が短くて
よいため、バッテリの容量が少なくてすむという利点は
あるが、経済性、小型化、バッテリと磁気ディスクの保
守性等の点で、上記(、)の場合と同じような問題があ
る。従って、さらに、有利な不揮発化対策が望まれてい
る。
It is extremely uneconomical as it must be installed from the beginning, and since it has a built-in battery, it is not possible to miniaturize the device.Furthermore, due to voltage drop due to aging of the battery, it is necessary to regularly measure the capacity and replace it. As the capacity increases, maintenance becomes more difficult. Regarding (b) above, it has the advantage of requiring less battery capacity because the retention time of memory content is shorter than in (a), but it also has the advantage of being economical, downsizing, and the use of batteries and magnetic disks. In terms of maintainability, etc., there are problems similar to those in (,) above. Therefore, further advantageous non-volatization measures are desired.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、このような要望に応えるため。 The purpose of the present invention is to meet such demands.

経済性、小型化および保守性の向上が図れ、かつ電源断
時には記憶内容を保持することができる記憶装置を提供
することにある。
It is an object of the present invention to provide a storage device that is economical, compact, and maintainable, and that can retain stored contents when the power is turned off.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

上記目的を達成するため、本発明の記憶装置は。 In order to achieve the above object, the present invention provides a storage device.

処理装置に接続され、かつ揮発性メモリ素子からなるメ
モリ手段を備えた記憶装置において、不揮発性メモリ素
子からなるメモリ手段と、初期設定時に、該不揮発性メ
モリ手段より上記揮発性メモリ手段へ、あるいは該揮発
性メモリ手段より上記不揮発性メモリ手段へ、データ全
域転送を行う制御手段と、上記処理装置よりのアクセス
を上記揮発性メモリ手段で応答し、該アクセス中で該揮
発性メモリ手段の内容が書替えられたブロックデータを
、自律的かつ非同期に、処理装置との応答時以外の時間
に、上記揮発性メモリ手段より不揮発性メモリ手段に転
送し、該データを書込む制御手段とを具備することに特
徴がある。
In a storage device connected to a processing device and provided with a memory means consisting of a volatile memory element, the memory means consisting of a non-volatile memory element and, at the time of initialization, from the non-volatile memory means to the volatile memory means; a control means for transferring the entire data area from the volatile memory means to the non-volatile memory means; and a control means for responding to an access from the processing device with the volatile memory means, and during the access, the contents of the volatile memory means are and control means for autonomously and asynchronously transferring the rewritten block data from the volatile memory means to the nonvolatile memory means and writing the data at a time other than when responding to the processing device. There are characteristics.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を、図面により詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例を示す記憶装置のブロック
構成図である。
FIG. 1 is a block diagram of a storage device showing an embodiment of the present invention.

図において、1は処理装置、2は半導体ファイル記憶装
置、21はアクセス受付制御回路、22は半導体メモリ
部、23は書込みアドレス管理テーブル、24は磁気デ
ィスク制御回路、25は磁気ディスクメモリ部である。
In the figure, 1 is a processing device, 2 is a semiconductor file storage device, 21 is an access reception control circuit, 22 is a semiconductor memory section, 23 is a write address management table, 24 is a magnetic disk control circuit, and 25 is a magnetic disk memory section. .

信号線については、11がアドレスバス、12がデータ
バス、13が制御信号線、14はコマンド指示信号線、
31装置内アドレスバス、32は装置内データバス、3
3は装置内制御信号線、34は制御回路量制御信号線、
35はアドレス読取りバス、36は磁気ディスクアドレ
スバス、37は磁気ディスク制御信号線である。
Regarding the signal lines, 11 is an address bus, 12 is a data bus, 13 is a control signal line, 14 is a command instruction signal line,
31 internal address bus, 32 internal data bus, 3
3 is a control signal line within the device, 34 is a control circuit amount control signal line,
35 is an address read bus, 36 is a magnetic disk address bus, and 37 is a magnetic disk control signal line.

第1図に示すように、本実施例では、バッテリを用いる
ことなく、磁気ディスク装置のみを付加し、書込みアド
レス管理テーブル23により、初期設定時およびそれ以
後も常に、半導体メモリ部の内容と磁気ディスクメモリ
部の内容が同一になるように管理することによって、電
源断時にも、記憶内容を保持させる。
As shown in FIG. 1, in this embodiment, only a magnetic disk device is added without using a battery, and the write address management table 23 allows the contents of the semiconductor memory section and the magnetic By managing the contents of a disk memory part so that they are the same, the stored contents are retained even when the power is turned off.

第1図の処理袋ELtは、制御信号線13を介して読取
りあるいは書込み指示信号を送出すると同時に、アドレ
スバス11を介して半導体メモリ部22における読取り
/書込みの場所を示すアドレスを送出する。アクセス受
付制御回路21は、処理装置!!1からのアクセス要求
を受付けると、制御信号線13が読取り指示の場合には
、装置内制御信号線33により半導体メモリ部22に読
取り指示を送り、さらに装置内アドレスバス31により
アドレスを送る。これにより、半導体メモリ部22は当
該アドレスのデータを読出して、装置内データバス32
を介してアクセス受付制御回路21に送り、アクセス受
付制御回路21は受取ったデータをデータバス12を介
して処理装置1に送る。
The processing bag ELt in FIG. 1 sends out a read or write instruction signal via the control signal line 13, and at the same time sends out an address indicating the read/write location in the semiconductor memory section 22 via the address bus 11. The access reception control circuit 21 is a processing device! ! When an access request from 1 is received, if the control signal line 13 indicates a read instruction, a read instruction is sent to the semiconductor memory unit 22 via the internal control signal line 33, and an address is further sent via the internal address bus 31. As a result, the semiconductor memory section 22 reads out the data at the address and transfers it to the internal data bus 32.
The access reception control circuit 21 sends the received data to the processing device 1 via the data bus 12.

以上の動作によって、処理装置1は、半導体ファイル記
憶装置2よりデータを読取ることができる。
Through the above operations, the processing device 1 can read data from the semiconductor file storage device 2.

また、処理装置1からの制御信号13が書込み指示の場
合には、アクセス受付制御回路21は。
Further, when the control signal 13 from the processing device 1 is a write instruction, the access reception control circuit 21.

データバス12を介して受取ったデータを、装置内デー
タバス32により半導体メモリ部22に送るとともに、
装置内制御信号33を介して書込み指示を、装置内アド
レスバス31を介してアドレスをそれぞれ送る。これに
より、半導体メモリ部22は、当該アドレスに書込みデ
ータを書込むことができる。以上が、処理装置i!lか
ら半導体ファイル記憶装置2にアクセスした場合の動作
概要である。
The data received via the data bus 12 is sent to the semiconductor memory unit 22 via the internal data bus 32, and
A write instruction is sent via an internal control signal 33, and an address is sent via an internal address bus 31, respectively. Thereby, the semiconductor memory section 22 can write write data to the address. The above is the processing device i! 1 is an outline of the operation when the semiconductor file storage device 2 is accessed from 1.

次に、半導体ファイル記憶装置2は、上記の動作の他に
、以下に述べるような半導体メモリ部22から磁気ディ
スクメモリ部25への自律的なデータ転送動作を行う。
Next, in addition to the above operations, the semiconductor file storage device 2 performs an autonomous data transfer operation from the semiconductor memory section 22 to the magnetic disk memory section 25 as described below.

先ず、アクセス受付制御回路21は、処理装置Iから書
込みのアクセスがあった場合、半導体メモリ部22ヘア
ドレスを送ると同時に、アドレス管理テーブル23へ書
込みアドレスを登録する。
First, when there is a write access from the processing device I, the access reception control circuit 21 sends an address to the semiconductor memory section 22 and simultaneously registers the write address in the address management table 23.

このアドレス管理テーブル23へは、磁気ディスク制御
回路24が自律的にアクセスを行っており。
The magnetic disk control circuit 24 autonomously accesses this address management table 23.

書込みアドレスが登録されると、アドレス読取りバス3
5を介してそのアドレスを読出す。磁気ディスク制御回
路24は1次に、半導体メモリ部22から磁気ディスク
メモリ部25へ当該アドレスのデータ退避動作を行うが
、この時に、処理装置lからのアクセスとの競合を避け
るため、制御表近間制御信号線34により、アクセス受
付制御回路21が処理装置i!tからアクセスされてい
るか。
Once the write address is registered, the address read bus 3
5 to read its address. The magnetic disk control circuit 24 first performs an operation to save data at the address from the semiconductor memory section 22 to the magnetic disk memory section 25, but at this time, in order to avoid conflict with access from the processing device I, the control table is The access reception control circuit 21 controls the processing device i! Is it being accessed from t?

あるいは処理装置1からアクセスされておらず。Or it is not accessed by the processing device 1.

非動作中であるかを、磁気ディスク制御回路24が識別
する。アクセス中の場合には、アクセスが終了するまで
磁気ディスク制御回路24は時期するが、非動作中であ
る場合には、磁気ディスク制御回路24はアクセス受付
制御回路21ヘデータ転送指示を送る。これにより、半
導体メモリ部22よりデータを読出し、装置内データバ
ス38を介して磁気ディスクメモリ部25に送るととも
に、磁気ディスクアドレスバス36を介してアドレスを
、磁気ディスク制御信号線37を介して書込み指示を磁
気ディスクメモリ部25にそれぞれ送り、半導体メモリ
部22のデータを退避させる。これらの動作により、半
導体ファイル記憶装置2は、処理袋@1からの書込みに
より、書替えが行われたデータを常時、磁気ディスクメ
モリ部25に退避させることができる。
The magnetic disk control circuit 24 identifies whether it is inactive. If access is in progress, the magnetic disk control circuit 24 waits until the access is completed, but if it is not in operation, the magnetic disk control circuit 24 sends a data transfer instruction to the access acceptance control circuit 21. As a result, data is read from the semiconductor memory section 22 and sent to the magnetic disk memory section 25 via the internal data bus 38, and an address is written via the magnetic disk address bus 36 and the magnetic disk control signal line 37. Each instruction is sent to the magnetic disk memory section 25, and the data in the semiconductor memory section 22 is saved. Through these operations, the semiconductor file storage device 2 can always save data that has been rewritten by writing from the processing bag @1 into the magnetic disk memory unit 25.

また、半導体ファイル記憶表@2は、初期設定時に、半
導体メモリ部22.磁気ディスクメモリ部25の記憶内
容を同一にするため、電源投入時には、磁気ディスクメ
モリ部25から半導体メモリ部22への自律的なデータ
全域の転送を行う。
Further, the semiconductor file storage table @2 is stored in the semiconductor memory section 22. In order to make the storage contents of the magnetic disk memory section 25 the same, the entire data is autonomously transferred from the magnetic disk memory section 25 to the semiconductor memory section 22 when the power is turned on.

このようなデータ全域の転送は、処理装置1からコマン
ドを送出することによっても行わせることが可能である
。処理装置1からコマンドを送る場合には、コマンド指
示信号線14によりコマンド指示信号であることを通知
し、アドレスバス11でデータ全域転送のコマンドを送
る。
Such transfer of the entire data can also be performed by sending a command from the processing device 1. When a command is sent from the processing device 1, a command instruction signal line 14 is used to notify that it is a command instruction signal, and an address bus 11 is used to send a command for data area transfer.

半導体ファイル記憶装置2は、コマンドの内容により、
半導体メモリ部22から磁気ディスクメモリ部25へ、
あるいは磁気ディスクメモリ部25から半導体メモリ部
22へのデータ全域の転送を行う。
Depending on the content of the command, the semiconductor file storage device 2
From the semiconductor memory section 22 to the magnetic disk memory section 25,
Alternatively, the entire data is transferred from the magnetic disk memory section 25 to the semiconductor memory section 22.

このようにして、本実施例においては、(イ)処理装置
1からのアクセスによる書込み/読出し動作、(ロ)半
導体メモリ部22に書込まれたデータの磁気ディスクメ
モリ部25へのデータ退避動作、および(ハ)初期設定
時の半導体メモリ部22から磁気ディスクメモリ部25
へ、あるいは磁気ディスクメモリ部25から半導体メモ
リ部22へのデ−タ全域の転送動作、によって、半導体
メモリ部22と磁気ディスクメモリ部25の記憶内容を
常に同一に保つことができ、このため電源断後も電源断
直前にあったファイル記憶内容を保持することができる
In this way, in this embodiment, (a) write/read operations by access from the processing device 1, and (b) data saving operations of data written in the semiconductor memory section 22 to the magnetic disk memory section 25. , and (c) from the semiconductor memory section 22 to the magnetic disk memory section 25 at the time of initial setting.
By transferring the entire data from the magnetic disk memory section 25 to the semiconductor memory section 22, the storage contents of the semiconductor memory section 22 and the magnetic disk memory section 25 can always be kept the same. Even after the power is turned off, the file storage contents that existed immediately before the power was turned off can be retained.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように1本発明によれば、半導体ファイル
記憶装置内に磁気ディスクを内蔵して半導体メモリの内
容をここに退避させることにより、電源断時の不揮発性
を実現したので、従来の方法に比べて、バッテリ等の内
蔵型の2次電源が不要となり、また磁気ディスクとして
近年容量の増大化が進んでいる小型磁気ディスクを用い
ることにより、従来の半導体を用いた高速ファイル記憶
装置に比べて、経済化、小型化、および保守性の向上が
図れるという利点がある。
As explained above, according to the present invention, a magnetic disk is built into the semiconductor file storage device and the contents of the semiconductor memory are saved there, thereby achieving non-volatility even when the power is turned off. Compared to conventional semiconductor-based high-speed file storage devices, it eliminates the need for a built-in secondary power source such as a battery, and uses small magnetic disks whose capacity has been increasing in recent years. This has the advantage of being economical, compact, and easy to maintain.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す半導体記憶装置の内部
構成図である。 1:処理装置、2:半導体ファイル記憶装置。 11ニアドレスバス、12:データバス、13:制御信
号線、14:コマンド指示信号線、21:アクセス受付
制御回路、22:半導体メモリ部、23ニアドレス管理
テーブル、24:磁気ディスク制御回路、25:磁気デ
ィスクメモリ部、31:装置内アドレスバス、32=装
置内データバス、33:装置内制御信号線、34:制御
回路量制御信号線、35ニアドレス読取りバス、36:
磁気ディスクアドレスバス、37:磁気ディスク制御信
号線、38:装置内データバス。 −−7′
FIG. 1 is an internal configuration diagram of a semiconductor memory device showing one embodiment of the present invention. 1: Processing device, 2: Semiconductor file storage device. 11 Near address bus, 12: Data bus, 13: Control signal line, 14: Command instruction signal line, 21: Access reception control circuit, 22: Semiconductor memory section, 23 Near address management table, 24: Magnetic disk control circuit, 25 : Magnetic disk memory section, 31: Address bus within the device, 32 = Data bus within the device, 33: Control signal line within the device, 34: Control circuit amount control signal line, 35 Near address read bus, 36:
Magnetic disk address bus, 37: magnetic disk control signal line, 38: internal data bus. --7'

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)処理装置に接続され、かつ揮発性メモリ素子から
なるメモリ手段を備えた記憶装置において、不揮発性メ
モリ素子からなるメモリ手段と、初期設定時に、該不揮
発性メモリ手段より上記揮発性メモリ手段へ、あるいは
該揮発性メモリ手段より上記不揮発性メモリ手段へ、デ
ータ全域転送を行う制御手段と、上記処理装置よりのア
クセスを上記揮発性メモリ手段で応答し、該アクセス中
で該揮発性メモリ手段の内容が書替えられたブロックデ
ータを、自律的かつ非同期に、処理装置との応答時以外
の時間に、上記揮発性メモリ手段より不揮発性メモリ手
段に転送し、該データを書込む制御手段とを具備するこ
とを特徴とする記憶装置。
(1) In a storage device connected to a processing device and equipped with a memory means consisting of a volatile memory element, the memory means consisting of a non-volatile memory element and the volatile memory means are connected to the non-volatile memory means at the time of initial setting. or from the volatile memory means to the non-volatile memory means, a control means for transferring the entire data area to the non-volatile memory means; control means for autonomously and asynchronously transferring the block data whose contents have been rewritten from the volatile memory means to the non-volatile memory means and writing the data at a time other than when responding to the processing device; A storage device comprising:
JP60041731A 1985-03-01 1985-03-01 Memory device Granted JPS61201356A (en)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0287242A (en) * 1988-09-26 1990-03-28 Hitachi Ltd Saving and recovering system for data base
JPH034345A (en) * 1989-05-31 1991-01-10 Nec Corp Hard disk device having id part backup function
US5859960A (en) * 1994-05-18 1999-01-12 Fujitsu Limited Semiconductor disk apparatus having a semiconductor memory for a recording medium
JP2000250820A (en) * 1999-02-26 2000-09-14 Hewlett Packard Co <Hp> Method for preserving data into non-volatile memory

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57109196A (en) * 1980-12-26 1982-07-07 Toshiba Corp Electronic computer system
JPS58194187A (en) * 1982-05-06 1983-11-12 Mitsubishi Electric Corp Memory device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57109196A (en) * 1980-12-26 1982-07-07 Toshiba Corp Electronic computer system
JPS58194187A (en) * 1982-05-06 1983-11-12 Mitsubishi Electric Corp Memory device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0287242A (en) * 1988-09-26 1990-03-28 Hitachi Ltd Saving and recovering system for data base
JPH034345A (en) * 1989-05-31 1991-01-10 Nec Corp Hard disk device having id part backup function
US5859960A (en) * 1994-05-18 1999-01-12 Fujitsu Limited Semiconductor disk apparatus having a semiconductor memory for a recording medium
JP2000250820A (en) * 1999-02-26 2000-09-14 Hewlett Packard Co <Hp> Method for preserving data into non-volatile memory

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