JPH05282107A - External storage device - Google Patents

External storage device

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Publication number
JPH05282107A
JPH05282107A JP7463292A JP7463292A JPH05282107A JP H05282107 A JPH05282107 A JP H05282107A JP 7463292 A JP7463292 A JP 7463292A JP 7463292 A JP7463292 A JP 7463292A JP H05282107 A JPH05282107 A JP H05282107A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
storage device
data
magnetic storage
magnetic
mass storage
Prior art date
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Pending
Application number
JP7463292A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Susumu Hirofuji
進 廣藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP7463292A priority Critical patent/JPH05282107A/en
Publication of JPH05282107A publication Critical patent/JPH05282107A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光磁気記憶装置のような大容量ながら低速の
外部記憶装置のアクセス速度を速くする。 【構成】 この発明の外部記憶装置では、1つの筐体内
に大容量記憶装置と磁気記憶装置を内蔵させ、大容量記
憶装置に記憶されているデータは、アクセス時に磁気記
憶装置に転送して磁気記憶装置から外部に出力する。ま
た、磁気記憶装置に記憶されているデータでも、一定時
間以上アクセスされなくなったデータは磁気記憶装置か
ら大容量記憶装置に戻し、この際、磁気記憶装置におい
て更新されているデータは大容量記憶装置に戻す際に更
新する。こうして、低速な大容量記憶装置の動作を最小
限に抑え、外部からは比較的高速、かつ大容量な磁気記
憶装置に対してアクセスするようにして、データアクセ
スの待ち時間、データの転送時間、転送路上のデータ量
を減少させる。
(57) [Abstract] [Purpose] To increase the access speed of a low-capacity external storage device such as a magneto-optical storage device. According to the external storage device of the present invention, a mass storage device and a magnetic storage device are built in one housing, and the data stored in the mass storage device is transferred to the magnetic storage device at the time of access and stored in the magnetic storage device. Output from the storage device to the outside. Further, even among data stored in the magnetic storage device, data that has not been accessed for a certain period of time is returned from the magnetic storage device to the mass storage device. At this time, the data updated in the magnetic storage device is stored in the mass storage device. Update when returning to. In this way, the operation of the low-speed mass storage device is minimized, and the relatively high-speed and large-capacity magnetic storage device is accessed from the outside, so that the data access waiting time, the data transfer time, Reduce the amount of data on the transfer path.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、外部記憶装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an external storage device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えば光磁気記憶装置のような外
部記憶装置は、磁気記憶装置と比較して大容量の記憶を
行なうことができるが、反面、アクセス速度が遅い問題
点があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, an external storage device such as a magneto-optical storage device can store a large capacity as compared with a magnetic storage device, but on the other hand, there is a problem that the access speed is slow.

【0003】そこで、大容量の記憶装置を備えたシステ
ムでは、記憶装置のデータを数次に渡って繰り返しアク
セスするような場合には、データアクセス時の待ち時間
を小さくするために、最初のアクセス時にデータを一括
してシステム内の別の高速な記憶装置に転送した後、ア
クセスするようにしていた。
Therefore, in a system equipped with a large-capacity storage device, when the data in the storage device is repeatedly accessed for several times, the first access is made in order to reduce the waiting time during data access. At one time, the data was collectively transferred to another high-speed storage device in the system and then accessed.

【0004】また、小規模なシステムでは、記憶装置内
に半導体メモリを持ち、ここにいったんデータを記憶さ
せ、高速なアクセスができるようにしていた。
Further, in a small-scale system, a semiconductor memory is provided in a storage device in which data is temporarily stored so that high speed access can be performed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の外部記憶装置では、システムが大規模なデータを
扱う際には、データを転送するためにかかる時間が長く
なり、またその転送のため転送路を占有してしまう問題
点があった。
However, in such a conventional external storage device, when the system handles large-scale data, it takes a long time to transfer the data, and due to the transfer. There was a problem of occupying the transfer path.

【0006】また、半導体メモリを備えさせる場合に
は、大規模なデータを記憶させるにはコストがかかりす
ぎ、実用化できない問題点があった。
Further, when the semiconductor memory is provided, there is a problem that it is too costly to store large-scale data and cannot be put to practical use.

【0007】この発明は、このような従来の問題点に鑑
みなされたもので、大容量ながら低速な記憶装置に対し
て、比較的コストをかけずに高速なアクセスができるよ
うにした外部記憶装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an external storage device capable of high-speed access to a large-capacity, low-speed storage device at relatively low cost. The purpose is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明の外部記憶装置
は、ランダムアクセス可能な大容量記憶装置と、前記大
容量記憶装置に対して比較的小容量、かつ比較的高速の
アクセスが可能な磁気記憶装置と、外部から前記大容量
記憶装置にアクセスする場合に、該当する記憶データを
前記磁気記憶装置にいったんストアし、当該磁気記憶装
置から外部に出力し、かつ外部からの書き込みデータを
前記磁気記憶装置にいったん書き込み、その後前記大容
量記憶装置に書き込むように制御する記憶部制御装置と
を1つの装置として内蔵したものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An external storage device of the present invention is a random-accessible large-capacity storage device and a magnetic storage device capable of relatively small-capacity and relatively high-speed access to the large-capacity storage device. When accessing the storage device and the mass storage device from the outside, the corresponding storage data is temporarily stored in the magnetic storage device, output from the magnetic storage device to the outside, and write data from the outside is stored in the magnetic storage device. A storage unit control device that controls to write once in a storage device and then write in the mass storage device is built in as one device.

【0009】[0009]

【作用】この発明の外部記憶装置では、大容量記憶装置
に記憶されているデータは、アクセス時に磁気記憶装置
に転送して、磁気記憶装置から外部に出力し、アクセス
終了後、磁気記憶装置から再び大容量記憶装置に転送す
るように記憶部制御装置によって両記憶装置を管理す
る。これによって、外部からは、磁気記憶装置内のデー
タをアクセスし、書き込みも磁気記憶装置のデータに対
して行なうようにする。
In the external storage device of the present invention, the data stored in the mass storage device is transferred to the magnetic storage device at the time of access, and is output to the outside from the magnetic storage device. Both storage devices are managed by the storage unit control device so as to transfer again to the mass storage device. As a result, data in the magnetic storage device is accessed from the outside, and writing is also performed on the data in the magnetic storage device.

【0010】さらに、記憶部制御装置はディレクトリを
持ち、大容量記憶装置から磁気記憶装置への転送制御
と、磁気記憶装置内のアクセスされなくなったデータを
大容量記憶装置に転送する制御を行なう。
Further, the storage unit control device has a directory, and controls transfer from the mass storage device to the magnetic storage device and control for transferring unaccessed data in the magnetic storage device to the mass storage device.

【0011】こうして、低速な大容量記憶装置の動作を
最小限に抑え、外部からは比較的高速、かつ大容量な磁
気記憶装置に対してアクセスするようにして、データア
クセスの待ち時間、データの転送時間、転送路上のデー
タ量を減少させる。
Thus, the operation of the low-speed mass storage device is minimized, and the magnetic storage device of relatively high speed and large capacity is accessed from the outside, so that the waiting time for data access and the data The transfer time and the amount of data on the transfer path are reduced.

【0012】[0012]

【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて詳説
する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

【0013】図1はこの発明の一実施例のシステム構成
を示し、図2は特に制御装置の詳しい構成を示してい
る。
FIG. 1 shows the system configuration of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 particularly shows the detailed configuration of the control device.

【0014】図1において、1は磁気記憶装置であり、
外部からアクセスされるデータをいったんここに記憶す
るようにしている。2は光磁気記憶装置のようなアクセ
ス速度は遅いが大容量の記憶ができる大容量記憶装置で
あり、システム内のデータはすべてここに記憶される。
3はこの外部記憶装置の内部制御を行なう制御装置であ
り、磁気記憶装置1と大容量記憶装置2との間のデータ
転送を制御し、2つの記憶装置1,2内のデータを管理
する。
In FIG. 1, reference numeral 1 is a magnetic storage device,
Data accessed from outside is stored here once. Reference numeral 2 is a mass storage device such as a magneto-optical storage device which has a slow access speed but can store a large amount of data, and all data in the system is stored here.
Reference numeral 3 denotes a control device for performing internal control of the external storage device, which controls data transfer between the magnetic storage device 1 and the mass storage device 2 and manages data in the two storage devices 1 and 2.

【0015】4は入出力回路であり、本装置と外部計算
機との間でデータをやりとりする。5は制御信号線であ
り、制御装置3が記憶装置1,2を制御したり、データ
をやりとりする場合の制御信号を伝送する。また6はデ
ータ信号線であり、記憶装置1,2間、記憶装置1と入
出力回路4との間でデータ信号を伝送する。
An input / output circuit 4 exchanges data between this device and an external computer. A control signal line 5 transmits a control signal when the control device 3 controls the storage devices 1 and 2 and exchanges data. A data signal line 6 transmits a data signal between the storage devices 1 and 2, and between the storage device 1 and the input / output circuit 4.

【0016】そして、制御装置3は図2に示すように、
磁気記憶装置1のデータ書き込み、読み出しを制御する
対磁気記憶装置データ書き込み・読み出し制御部31、
大容量記憶装置2のデータ書き込み、読み出しを制御す
る対大容量記憶装置データ書き込み・読み出し制御部3
2、入出力回路4の入出力動作を制御する入出力回路制
御部33、磁気記憶装置1に記憶されたデータに対する
アクセス頻度を監視するアクセス頻度監視部34、およ
びこれらの各部を制御する全体制御部35から構成され
ている。
Then, the control device 3 is, as shown in FIG.
A magnetic memory device data writing / reading control unit 31 for controlling data writing / reading of the magnetic memory device 1,
Mass storage device data write / read control unit 3 for controlling data write / read of the mass storage device 2
2, an input / output circuit control unit 33 that controls the input / output operation of the input / output circuit 4, an access frequency monitoring unit 34 that monitors the access frequency to the data stored in the magnetic storage device 1, and an overall control that controls these units. It is composed of a section 35.

【0017】次に、上記構成の外部記憶装置の動作につ
いて説明する。
Next, the operation of the external storage device having the above configuration will be described.

【0018】制御装置3は、入出力回路4を介して接続
されている計算機(図示せず)からデータアクセスの要
求があった場合には、入出力回路制御部33がその要求
データを判別し、対磁気記憶装置書き込み・読み出し制
御部31に対して要求データが記憶されているかどうか
判断し、記憶されていなければ対磁気記憶装置データ書
き込み・読み出し制御部31、対大容量記憶装置データ
書き込み・読み出し制御部32により大容量記憶装置2
から磁気記憶装置1へ該当するデータを転送する。
When there is a data access request from a computer (not shown) connected via the input / output circuit 4, the controller 3 determines the requested data by the input / output circuit controller 33. , It is judged whether or not the requested data is stored in the write / read controller 31 for the magnetic storage device, and if it is not stored, the data write / read controller 31 for the magnetic storage device, data write / read for the mass storage device 31 The read controller 32 controls the mass storage device 2
The corresponding data is transferred to the magnetic storage device 1.

【0019】また制御装置3のアクセス頻度監視部34
は、磁気記憶装置1内のデータのアクセス頻度を監視
し、一定時間以上アクセスされなくなったデータを磁気
記憶装置1から大容量記憶装置2に更新記憶させる。そ
して、磁気記憶装置1において、大容量記憶装置2に再
転送された後のデータ領域は、対磁気記憶装置データ書
き込み・読み出し制御部31により未使用領域とされ
る。
Further, the access frequency monitoring unit 34 of the control device 3
Monitors the access frequency of the data in the magnetic storage device 1 and updates and stores the data, which has not been accessed for a certain time or more, from the magnetic storage device 1 to the mass storage device 2. Then, in the magnetic storage device 1, the data area after being retransferred to the mass storage device 2 is set as an unused area by the magnetic storage device data writing / reading control unit 31.

【0020】この制御装置3により、この外部記憶装置
に対するデータの読み出し、書き込み動作は次のように
制御される。
The control unit 3 controls the data read / write operation with respect to the external storage device as follows.

【0021】<<読み出し動作>> 1)入出力回路4を介して接続されている計算機が大容
量記憶装置2に記憶されているデータを読み出そうとす
る。
<< Read Operation >> 1) A computer connected via the input / output circuit 4 attempts to read the data stored in the mass storage device 2.

【0022】2)大容量記憶装置2はデータを読み出す
のが遅いために同じデータを複数回読み出す場合に時間
がかかるので、1回目の読み出し時に制御装置3が磁気
記憶装置1にデータを転送する。
2) Since the mass storage device 2 is slow in reading data, it takes time to read the same data a plurality of times, so the control device 3 transfers the data to the magnetic storage device 1 at the time of the first reading. ..

【0023】3)この磁気記憶装置1へのデータの転送
と同時に、制御装置3は入出力回路4からデータを外部
に出力する。
3) Simultaneously with the transfer of data to the magnetic storage device 1, the control device 3 outputs the data from the input / output circuit 4 to the outside.

【0024】4)2回目以降のデータの読み出しは、磁
気記憶装置1から入出力回路4を通して出力する。
4) The second and subsequent reading of data is output from the magnetic storage device 1 through the input / output circuit 4.

【0025】<<書き込み動作>> 1a)大容量記憶装置2に記憶されているデータを変更
する場合には、制御装置3はいったん磁気記憶装置1に
データを転送する。
<< Write Operation >> 1a) When changing the data stored in the mass storage device 2, the control device 3 once transfers the data to the magnetic storage device 1.

【0026】1b)すでに磁気記憶装置1に転送されて
いるデータを変更する場合には、磁気記憶装置1に記憶
されているデータをそのまま変更する。(読み出し動作
後に、変更する場合) 2)1a)または1b)の動作の後、データが一定時間
以上アクセスされなくなれば、制御装置3は磁気記憶装
置1に記憶されているデータを大容量記憶装置2に記憶
させる。
1b) When changing the data already transferred to the magnetic storage device 1, the data stored in the magnetic storage device 1 is changed as it is. (When changing after read operation) 2) After the operation of 1a) or 1b), if the data is no longer accessed for a certain period of time, the control device 3 stores the data stored in the magnetic storage device 1 in the mass storage device. Store in 2.

【0027】こうして、光磁気記憶装置のような大容量
記憶装置において、比較的高速の磁気記憶装置を内蔵さ
せ、アクセスのあったデータを一時的にこの磁気記憶装
置に転送して保持させ、このデータに対して書き込み、
読み出しすることにより、低速の大容量記憶装置に対す
るデータアクセス速度を高速化する。
Thus, in a mass storage device such as a magneto-optical storage device, a relatively high-speed magnetic storage device is built in, and the accessed data is temporarily transferred to and held in this magnetic storage device. Write to data,
By reading, the data access speed to the low-speed mass storage device is increased.

【0028】なお、大容量記憶装置として光磁気ディス
ク装置が用いられる場合、オートチェンジャを取り付け
ることによって大規模記憶システムを構成するような場
合には、これらの光磁気ディスク装置とオートチェンジ
ャを含めて大容量記憶装置とし、磁気記憶装置をこれに
付加することによりこの発明の外部記憶装置を構成する
ことができるようになる。
When a magneto-optical disk device is used as the mass storage device and a large-scale storage system is constructed by attaching an autochanger, the mass storage including the magneto-optical disk device and the autochanger is large. By adding a magnetic storage device to the storage device, the external storage device of the present invention can be configured.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、大規模
なデータを扱うことができるが低速の大容量記憶装置を
高速にアクセスすることができるようになり、通常の磁
気記憶装置を使用する場合と変わらない比較的高速で大
容量の外部記憶装置を構成することができる。しかも、
大容量のデータを一時的に保持する半導体メモリを用い
る場合に比べて安価に大きなデータを扱うことができる
ようになる。
As described above, according to the present invention, a large-scale data can be handled, but a low-speed mass storage device can be accessed at high speed, and a normal magnetic storage device is used. It is possible to configure a relatively high-speed and large-capacity external storage device that is the same as the above case. Moreover,
As compared with the case where a semiconductor memory that temporarily holds a large amount of data is used, large data can be handled at a lower cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例のブロック図。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】上記実施例における制御装置の詳しい内部構成
を示すブロック図。
FIG. 2 is a block diagram showing a detailed internal configuration of a control device in the above embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 磁気記憶装置 2 大容量記憶装置 3 制御装置 4 入出力回路 5 制御信号線 6 データ信号線 31 対磁気記憶装置データ書き込み・読み出し制御部 32 対大容量記憶装置データ書き込み・読み出し制御
部 33 入出力回路制御部 34 アクセス頻度監視部 35 全体制御部
1 Magnetic Storage Device 2 Mass Storage Device 3 Control Device 4 Input / Output Circuit 5 Control Signal Line 6 Data Signal Line 31 Magnetic Storage Device Data Writing / Reading Control Unit 32 Mass Storage Device Data Writing / Reading Control Unit 33 Input / Output Circuit control unit 34 Access frequency monitoring unit 35 Overall control unit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ランダムアクセス可能な大容量記憶装置
と、前記大容量記憶装置に対して比較的小容量、かつ比
較的高速のアクセスが可能な磁気記憶装置と、外部から
前記大容量記憶装置にアクセスする場合に、該当する記
憶データを前記磁気記憶装置にいったんストアし、当該
磁気記憶装置から外部に出力し、かつ外部からの書き込
みデータを前記磁気記憶装置にいったん書き込み、その
後前記大容量記憶装置に書き込むように制御する記憶部
制御装置とを1つの装置として内蔵して成る外部記憶装
置。
1. A mass storage device capable of random access, a magnetic storage device capable of relatively small capacity and relatively high-speed access to the mass storage device, and an external mass storage device. When accessing, the corresponding storage data is temporarily stored in the magnetic storage device, output from the magnetic storage device to the outside, and write data from the outside is once written to the magnetic storage device, and then the mass storage device. An external storage device that includes a storage unit control device that controls writing to a storage device as one device.
JP7463292A 1992-03-30 1992-03-30 External storage device Pending JPH05282107A (en)

Priority Applications (1)

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JP7463292A JPH05282107A (en) 1992-03-30 1992-03-30 External storage device

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JP7463292A JPH05282107A (en) 1992-03-30 1992-03-30 External storage device

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JP7463292A Pending JPH05282107A (en) 1992-03-30 1992-03-30 External storage device

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JP (1) JPH05282107A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07319749A (en) * 1994-05-27 1995-12-08 Nec Corp File allocation system for optical disk device
JP2007156597A (en) * 2005-12-01 2007-06-21 Hitachi Ltd Storage device

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07319749A (en) * 1994-05-27 1995-12-08 Nec Corp File allocation system for optical disk device
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