JPS61194636A - Optical information recording device - Google Patents

Optical information recording device

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Publication number
JPS61194636A
JPS61194636A JP60034747A JP3474785A JPS61194636A JP S61194636 A JPS61194636 A JP S61194636A JP 60034747 A JP60034747 A JP 60034747A JP 3474785 A JP3474785 A JP 3474785A JP S61194636 A JPS61194636 A JP S61194636A
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JP
Japan
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alloy
recording
recording medium
optical
information
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Pending
Application number
JP60034747A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Shimada
智 嶋田
Yoshio Sato
佐藤 美雄
Hiroshi Sasaki
宏 佐々木
Nobuyoshi Tsuboi
坪井 信義
Tetsuo Ito
伊藤 鉄男
Hideki Nihei
秀樹 二瓶
Norifumi Miyamoto
詔文 宮本
Hiroaki Koyanagi
小柳 広明
Hiroji Kawakami
寛児 川上
Makoto Hiraga
平賀 良
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS61194636A publication Critical patent/JPS61194636A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain an optical information recording device employing a highly stable recording medium by giving to the recording medium at least two types of crystal structures in the solid state, holding the crystal structure inherent to one temperature area in the other one, and/or forming the recording medium with metal or alloy causing different volume changes in the crystal state. CONSTITUTION:The recording medium has at least two types of crystal structures in the solid state, holds the crystal structure inherent to one temperature area in the other one, and/or compassed of the metal or alloy causing different volume changes in the crystal state. The titled device has said phase transformation type recording medium for changing optical characteristics such as light reflection, transmission and absorption due to a heat history formed on an insulating substrate and a means giving a current to some or overall of the medium. The heat history is added by the current to give to optical recording alloy an information change, and the information volume is detected by an optical characteristic detecting means. Thus a flawless device in terms of erasure of recording information can be economically obtained with the simple constitution.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は光学的手段により情報を記憶する光情報記憶装
置に係り、特に記録・再生・消去の行なえる光情報記憶
装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to an optical information storage device that stores information by optical means, and particularly to an optical information storage device that can perform recording, reproduction, and erasing.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

近年、情報記録の高密度化、デジタル化が進むにつれて
種々の情報記録再生方式の開発が進められている。特に
レーザの光エネルギを情報の記録消去、再生に利用した
光ディスクは工業レアメタル&80.1983(光ディ
スクと材料)に記載様れているように磁気ディスクに比
べ、高い記録密度が可能であり、今後の情報記録の有力
な方式である。このうち、レーザによる再生装置はコン
パクト・ディスク(CD)として実用化されている。
In recent years, as information recording becomes more dense and digital, various information recording and reproducing methods are being developed. In particular, optical discs that use laser light energy to record, erase, and reproduce information are capable of higher recording densities than magnetic discs, as stated in Industrial Rare Metal & 80.1983 (Optical Disks and Materials), and are expected to become more promising in the future. It is a powerful method of recording information. Among these, laser playback devices have been put into practical use as compact discs (CDs).

一方、記録可能な方式には追記型と書き換え可能型の大
きく2つに分けられる。前者は1回の書き込みのみが可
能であり、消去はできない、後者はくり返しの記録、消
去が可能な方式である。追記型の記録方法はレーザ光に
より記録部分の媒体を破壊あるいは成形して凹凸をつけ
、再生にはこの凹凸部分でのレーザ光の干渉による光反
射量の変化を利用する。この記録媒体にはTeやその合
金を利用して、その溶解、昇華による凹凸の成形が一般
的に知られている。この種の媒体では毒性など若干の問
題を含んでいる。書き換え可能型の記録媒体としては°
光磁気材料が主流である。この方法は光エネルギを利用
してキュリ一点あるいは補償点温度付近で媒体の局部的
な磁気異方性を反転させ記録し、その部分での偏光入射
光の磁気ファラデー効果及び磁気カー効果による偏光面
の回転量にて再生する。この方法は書き換え可能性の最
も有望なものとして数年後の実用化を目指し精力的な研
究開発が進められている。その他の書き換え可能型方式
として記録媒体の非晶質と結晶質の45 )(1983
)に記載TeOxに少量のGeおよびSnを添加した材
料がある。
On the other hand, recordable methods can be broadly divided into two types: write-once type and rewritable type. The former allows writing only once and cannot be erased, while the latter allows repeated recording and erasing. In the write-once type recording method, a laser beam is used to destroy or shape the recording portion of the medium to create unevenness, and for reproduction, a change in the amount of light reflected due to the interference of the laser beam at the uneven portion is used for reproduction. For this recording medium, it is generally known that Te or its alloy is used to form irregularities by melting and sublimating Te. This type of medium has some problems such as toxicity. ° As a rewritable recording medium
Magneto-optical materials are the mainstream. This method uses optical energy to invert and record the local magnetic anisotropy of the medium near the Curie point or the compensation point temperature, and the polarization plane of the polarized incident light at that part is caused by the magnetic Faraday effect and magnetic Kerr effect. Play with the amount of rotation. This method is considered to be the most promising method for rewriting, and active research and development is underway with the aim of putting it into practical use in the next few years. Other rewritable methods include amorphous and crystalline recording media (45) (1983).
) describes a material in which small amounts of Ge and Sn are added to TeOx.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、安定性の高い記録媒体を用いた光情報
記録装置を提供する。
An object of the present invention is to provide an optical information recording device using a highly stable recording medium.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明では、記録媒体の少なくとも一部をレーザ光以外
の手法で加熱することで、その消去を行うものである。
In the present invention, erasing is performed by heating at least a portion of the recording medium using a method other than laser light.

前記記録媒体は固体状態で少なくとも2種類の結晶構造
を有し、一方の温度領域での結晶構造を他方の温度領域
で保持し、及び/又は結晶状態で互いに異なった体積変
化を生じる金属又は合金からなることを特徴とするもの
である。
The recording medium is a metal or alloy that has at least two types of crystal structures in a solid state, maintains the crystal structure in one temperature range in the other temperature range, and/or causes different volume changes in the crystal state. It is characterized by consisting of.

なお、結晶変化が生じなくても凹凸の変化を生じる合金
であれば使用可能である。
Note that any alloy that causes a change in unevenness can be used even if no crystal change occurs.

合金例としては、Cu −A n合金、Cu−Zn合金
、Cu−An−Znn合金 Cu  AQ  Nx合金
、Cu−AQ−Mn合金、Cu  AQ  Fe−Cr
合金、Cu−Ga合金、Cu  AQ  Ga合金、C
u−In合金、Cu−Al−In合金。
Examples of alloys include Cu-A n alloy, Cu-Zn alloy, Cu-An-Znn alloy, Cu AQ Nx alloy, Cu-AQ-Mn alloy, Cu AQ Fe-Cr
Alloy, Cu-Ga alloy, Cu AQ Ga alloy, C
u-In alloy, Cu-Al-In alloy.

Cu −G e合金、 Cu−A Q −G e合金、
Cu−Sn合金、Cu−Te合金、Cu−Ti合金。
Cu-G e alloy, Cu-A Q-G e alloy,
Cu-Sn alloy, Cu-Te alloy, Cu-Ti alloy.

Cu −A ji −S n合金、(、u −Zn合金
、Cu−8i合金、Cu−8b合金、Cu−Be合金。
Cu-Aji-Sn alloy, (, u-Zn alloy, Cu-8i alloy, Cu-8b alloy, Cu-Be alloy.

Cu−Be合金、Cu−Mn合金、Cu−Pd合金、C
u−Pt合金sAg−Zn合金*に’g−A2合金w 
A g −Cd合金、Ag−In合金。
Cu-Be alloy, Cu-Mn alloy, Cu-Pd alloy, C
u-Pt alloy sAg-Zn alloy *'g-A2 alloy w
Ag-Cd alloy, Ag-In alloy.

A g −G a合金膜 A g  A Q  A n
合金、Ag−AM−Cu合金、Ag−Al1−Au−C
u合金。
A g -G a alloy film A g A Q An
Alloy, Ag-AM-Cu alloy, Ag-Al1-Au-C
u alloy.

Ag−An−Cd合金tAg−Pt合金e A g −
8合金、Ag−8n合金、Ag−Te合金+Ag−T 
n合金、Ag−Zr合金、Ag−As合金。
Ag-An-Cd alloy tAg-Pt alloy e A g -
8 alloy, Ag-8n alloy, Ag-Te alloy + Ag-T
n alloy, Ag-Zr alloy, Ag-As alloy.

A g −A u合金、Ag−Be金合金 A g  
M g合金、Ag−Li合金、Ag  Mn合金、AQ
−Fe合金、AQ −Mg合金、AQ  Mn合金。
A g -A u alloy, Ag-Be gold alloy A g
Mg alloy, Ag-Li alloy, Ag Mn alloy, AQ
-Fe alloy, AQ -Mg alloy, AQ Mn alloy.

AQ−Pd合金、 A Q  T e合金、 A Q 
−T x合金、AQ−Zn合金、AjlZr合金、Ni
−5重合金、Ni−8i合金、Ni−8n合金。
AQ-Pd alloy, AQTe alloy, AQ
-T x alloy, AQ-Zn alloy, AjlZr alloy, Ni
-5 heavy alloy, Ni-8i alloy, Ni-8n alloy.

N i −G n合金、Mn−Ge合金、Ni−Ga合
金、Ni−Mn合金、Ni−8合金、Ni−Ti合金r
 F s  A s合金、AsS合金p A s −Z
n合金、Fe−Ba合金、Fe−Ni合金。
Ni-Gn alloy, Mn-Ge alloy, Ni-Ga alloy, Ni-Mn alloy, Ni-8 alloy, Ni-Ti alloy r
F s As alloy, AsS alloy p As -Z
n alloy, Fe-Ba alloy, Fe-Ni alloy.

Fa−Cr合金、Fe−P合金、Mn−Pd合金。Fa-Cr alloy, Fe-P alloy, Mn-Pd alloy.

M n −P を合金、Mn−Sb合金、Mn−8i合
金e A u  Cn合金、 A u −A n合金、
 A u −In合金、A、u−Ga合金、AuCd合
金。
Mn-P alloy, Mn-Sb alloy, Mn-8i alloy e Au Cn alloy, Au-An alloy,
Au-In alloy, A, u-Ga alloy, AuCd alloy.

Au−Cu金合金 A u −F e合金、Au−Mn
合金、AuZn合金、Ba−Ca合金、Bi−pb金合
金Bi−TQ合金、Ti−Ni合金。
Au-Cu gold alloy Au-Fe alloy, Au-Mn
alloy, AuZn alloy, Ba-Ca alloy, Bi-pb gold alloy Bi-TQ alloy, Ti-Ni alloy.

N1−V合金、Ni−Zn合金、Cd−Li合金。N1-V alloy, Ni-Zn alloy, Cd-Li alloy.

Cd−Mg合金、Cd−Pb合金、Cd−Sb合金、5
b−In合金、5b−In−8重合金。
Cd-Mg alloy, Cd-Pb alloy, Cd-Sb alloy, 5
b-In alloy, 5b-In-8 heavy alloy.

M g −Ce合金、 G o−Cr合金、Go−Ge
合金、Go−Mn合金、Go−Sb合金* Co  V
合金、In−Mg合金、In−Mn合金、In−Ni合
金、In−5n合金、In−TQ合金。
Mg-Ce alloy, Go-Cr alloy, Go-Ge
Alloy, Go-Mn alloy, Go-Sb alloy* Co V
alloy, In-Mg alloy, In-Mn alloy, In-Ni alloy, In-5n alloy, In-TQ alloy.

Li−Zn合金、Mn−Zn合金、Pb−TQ合金、p
b−s合金、pb−sb金合金Pd−Zn合金、5n−
Sb合金、T(1−Sb合金、5b−Zn合金、Ti−
8n合金、Tjl−8n合金。
Li-Zn alloy, Mn-Zn alloy, Pb-TQ alloy, p
b-s alloy, pb-sb gold alloy Pd-Zn alloy, 5n-
Sb alloy, T(1-Sb alloy, 5b-Zn alloy, Ti-
8n alloy, Tjl-8n alloy.

Zr−8n合金、Zr−Th合金、Ti−Zn合金、T
i−Zr合金などがある。
Zr-8n alloy, Zr-Th alloy, Ti-Zn alloy, T
Examples include i-Zr alloy.

合金例として1重量組成で次のものが好ましい。As an example of the alloy, the following are preferred in terms of 1 weight composition.

Agに30〜46%Zn、6〜10%Aa、40〜60
%Cd、20〜30%In、13〜23%Gaを単独、
Cuに10〜20%AA、20〜30%Ga、20〜4
0%In、20〜30%Ge、15〜35%Sn、10
〜60%Zn。
Ag with 30-46% Zn, 6-10% Aa, 40-60
%Cd, 20-30% In, 13-23% Ga alone,
Cu with 10-20% AA, 20-30% Ga, 20-4
0% In, 20-30% Ge, 15-35% Sn, 10
~60% Zn.

5〜10%Si、4〜15%Bs、30〜45%sbを
単独、Auに15〜25%In、10〜15%Ga、5
〜25%Zn、20〜55%Cd。
5 to 10% Si, 4 to 15% Bs, 30 to 45% sb alone, 15 to 25% In to Au, 10 to 15% Ga, 5
~25% Zn, 20-55% Cd.

2.5〜5%Aaを単独、N i ニ55〜60%AQ
、40〜50%Tiを単独で加えた合金、In−25〜
35%Ti合金、Feに55%以下のptを加えた合金
、Mn−5〜50%Cu合金、8815〜25%−In
30〜40%−sb金合金これらの合金に対し更に第3
成分、第4成分。
2.5-5% Aa alone, Ni 55-60% AQ
, alloy with 40-50% Ti added alone, In-25~
35% Ti alloy, Fe alloy with 55% or less pt added, Mn-5~50% Cu alloy, 8815~25%-In
30-40%-sb gold alloys
Ingredients, 4th ingredient.

第5成分等として第2成分以外の次の元素を加えること
ができる。
The following elements other than the second component can be added as the fifth component and the like.

I a、Ila、IVa、Va、Way■a、■。Ia, Ila, IVa, Va, Way■a,■.

Ib〜vb、希土類元素の1種又は2種以上の合計で1
5重量%以下である。
Ib to vb, the total of one or more rare earth elements is 1
It is 5% by weight or less.

具体的には、Ia族はLi、na族はMg。Specifically, the Ia group is Li, and the na group is Mg.

Ca、■a拳はTi、Zr、Hf、Va族はV。Ca, ■a fist is Ti, Zr, Hf, Va group is V.

Nb、、Ta、VIa族はCr、Mo、W、La族はM
 n 、■族はGo、Rh、Ir、Fa、Ru。
Nb, Ta, VIa group is Cr, Mo, W, La group is M
The n and ■ groups are Go, Rh, Ir, Fa, and Ru.

○s、、Ni、Pd、Pt、I b族はCu、Ag。○s, Ni, Pd, Pt, Ib group is Cu, Ag.

Au、nb族はZn、Cd、Wb族はB、AQ。Au, nb group is Zn, Cd, Wb group is B, AQ.

Ga、In、lVb族はC,Si、Go、Sn。Ga, In, and lVb groups include C, Si, Go, and Sn.

pb、vb族はP、Sb、Bi、希土類元素はY。The pb and vb groups are P, Sb, and Bi, and the rare earth elements are Y.

La、Ce、Sm、Gd、Tb、Dy、Luが好ましい
、特に、0.1〜5重量%が好ましい。
La, Ce, Sm, Gd, Tb, Dy, and Lu are preferred, particularly preferably 0.1 to 5% by weight.

以上の記録媒体とは、固体状態で室温より高い第1の温
度(高温)と該第1の温度より低い第2の温度(低温)
とで異なった結晶構造を有する合金において、該合金は
その表面の少なくとも一部が前記高温からの急冷によっ
て前記低温における非急冷による結晶構造と異なる結晶
構造を形成する合金組成を有する。
The above recording medium has a first temperature (high temperature) higher than room temperature in a solid state and a second temperature (low temperature) lower than the first temperature.
The alloy has an alloy composition in which at least a portion of its surface forms a crystal structure different from that obtained by non-quenching at the low temperature by quenching from the high temperature.

この合金は同相状態での加熱冷却処理により。This alloy is heated and cooled in the same phase state.

同一温度で少なくとも2種の分光反射率を有し、可逆的
に分光反射率を変えることのできるものである。すなわ
ち、本発明に係る合金は固相状態で少なくとも2つの温
度領域で結晶構造の異なった相を有し、それらの内、高
温相を急冷した状態と非急冷の標準状態の低温相状態と
で分光反射率が異なり、高温和温度領域での加熱急冷と
低温相温度領域での加熱冷却により分光反射率が可逆的
に変化するものである。
It has at least two types of spectral reflectance at the same temperature and can reversibly change the spectral reflectance. That is, the alloy according to the present invention has phases with different crystal structures in at least two temperature ranges in a solid state, and among these, the high temperature phase is quenched and the low temperature phase is a non-quenched standard state. The spectral reflectance is different, and the spectral reflectance changes reversibly by heating and cooling in a high sum temperature region and heating and cooling in a low phase temperature region.

この記録合金の可逆的反射率の変化についてその原理を
第1図を用いて説明する8図はX−Y二元係合金の状態
図でありa固溶体とす、c金属間化合物が存在する。A
Bx組成の合金を例にとると、この合金は同相状態にお
いて、b単相、(b+ c )相及び(a+c)相があ
る。結晶構造はa。
The principle of the change in reversible reflectance of this recording alloy will be explained with reference to FIG. 1. FIG. 8 is a phase diagram of an X-Y binary alloy in which a solid solution exists and c an intermetallic compound. A
Taking an alloy with a Bx composition as an example, this alloy has a b single phase, a (b+c) phase, and an (a+c) phase in the same phase state. The crystal structure is a.

b、cのそれぞれ単相状態で異なり、これら単独及び混
合相においてそれぞれ光学的性質、たとえば分光反射率
は異なる。このような合金はT工温度、一般的に室温で
あるが、(a+o)相が安定である。これをT4温度ま
で加熱急冷するとb相がT1温度まで急冷する。このb
相が急冷時に新たな相(たとえばb’)に変態してもよ
い、この状態は(a+c)相とは異なるため、分光反射
率も異なってくる。この急冷す相(又はb′相)合金を
Te温度以下のT2温度まで加熱し冷却すると(a +
 c)相に変態し、分光反射率は最初の状態に戻る。こ
のような2つの加熱冷却処理を繰返すことにより、分光
反射率を可逆的に変化させることが可能である。
Each of b and c is different in a single phase state, and the optical properties, such as spectral reflectance, are different in each of these single phase and mixed phase. In such alloys, the (a+o) phase is stable at T temperature, generally room temperature. When this is heated and rapidly cooled to T4 temperature, the b phase is rapidly cooled to T1 temperature. This b
The phase may transform into a new phase (for example b') during quenching, and since this state is different from the (a+c) phase, the spectral reflectance will also be different. When this rapidly cooled phase (or b' phase) alloy is heated to T2 temperature below Te temperature and cooled, (a +
c) It transforms into a phase, and the spectral reflectance returns to its initial state. By repeating such two heating and cooling processes, it is possible to reversibly change the spectral reflectance.

(合金組成) 記録合金は、高温及び低温状態で異なった結晶構造を有
するもので、高温からの急冷によってその急冷された結
晶構造が形成されるものでなければならない。更に、こ
の急冷されて形成された相は所定の温度での加熱によっ
て低温状態での結晶構造に変化するものでなければなら
ない、このように高温からの急冷によって低温での結晶
構造と異なった結晶構造を得るための冷却速度として1
02℃/秒以上又は10”/’C秒以上で、このような
結晶構造の変化が生じるものが好ましい。
(Alloy Composition) The recording alloy must have different crystal structures at high and low temperatures, and the rapidly cooled crystal structure must be formed by rapid cooling from a high temperature. Furthermore, the phase formed by this rapid cooling must change to the crystal structure at a low temperature by heating at a predetermined temperature.In this way, rapid cooling from a high temperature creates a crystal structure that differs from the crystal structure at a low temperature. 1 as the cooling rate to obtain the structure
It is preferable that such a change in crystal structure occurs at a temperature of 02°C/sec or more or 10''/'Csec or more.

記録合金は、周期律表のIb族元素の少なくとも1種と
nb族、mb族、TVb族及びvb族元素から選ばれた
少なくとも1種との合金からなるものが好ましい。
The recording alloy is preferably made of an alloy of at least one element selected from Group Ib elements of the periodic table and at least one element selected from Group NB, Group MB, Group TVb, and Group VB.

(製造法) 記録合金は反射率の可変性を得るために材料の加熱急冷
によって過冷相を形成できるものが必要である。高速で
情報の製作及び記憶させるには材料の急熱急冷効果の高
い熱容量の小さいノンバルクが望ましい、即ち、所望の
微小面積に対して投入されたエネルギーによって実質的
に所望の面積部分だけが深さ全体にわたって基準となる
結晶構造と異なる結晶構造に変り得る容積を持つノンバ
ルクであることが望ましい、従って、所望の微小面積に
よって高密度の情報を製作するには、熱容量の小さいノ
ンバルクである箔、膜、細線あるいは粉末等が望ましい
、記録密度として、20メガビット/d以上となるよう
な微小面積での情報の製作には0.01〜0.2μmの
膜厚とするのがよい、一般に金属間化合物は塑性加工が
難しい、従って、fi、膜、細線あるいは粉末にする手
法として材料を気相あるいは液相から直接急冷固化させ
て所定の形状にすることが有効である。これらの方法に
はPVD法(蒸着、スパッタリング法等)。
(Manufacturing method) In order to obtain reflectance variability, the recording alloy must be capable of forming a supercooled phase by heating and rapidly cooling the material. In order to create and store information at high speed, it is desirable to use a non-bulk material with a high rapid heating and cooling effect and a small heat capacity.In other words, the energy applied to a desired minute area allows the depth of only the desired area to be reduced. It is desirable to have a non-bulk material that has a volume that can change to a crystal structure different from the standard crystal structure throughout.Therefore, in order to produce high-density information in a desired micro area, non-bulk foils and films with small heat capacities are required. , thin wire or powder is preferable. For producing information in a micro area with a recording density of 20 megabits/d or more, a film thickness of 0.01 to 0.2 μm is generally recommended. In general, intermetallic compounds are used. It is difficult to plastically process the material, therefore, it is effective to directly rapidly cool and solidify the material from the gas phase or liquid phase to form it into a predetermined shape as a method to make fi, film, thin wire, or powder. These methods include PVD methods (vapor deposition, sputtering methods, etc.).

CVD法、溶湯を高速回転する高熱伝導性を有する部材
からなる、特に金属ロール円周面上に注湯して急冷凝固
させる溶湯急冷法、電気メッキ、化学メッキ法等がある
。膜あるいは粉末状の材料を゛ 利用する場合、基板上
に直接形成するか、塗布して基板上に接着することが効
果的である。塗布する場合、粉末を加熱しても反応など
を起こさないバインダーがよい、また、加熱による材料
の酸化等を防止するため、材料表面、基板上に形成した
膜あるいは塗布層表面をコーティングすることも有効で
ある。
There are CVD methods, molten metal quenching methods in which molten metal is rotated at high speed and made of a member having high thermal conductivity, especially by pouring the molten metal onto the circumferential surface of a metal roll and rapidly solidifying it, electroplating, and chemical plating methods. When using a film or powder material, it is effective to form it directly on the substrate or to apply it and adhere it to the substrate. When coating, it is best to use a binder that does not cause a reaction even when the powder is heated.Also, to prevent oxidation of the material due to heating, it is also possible to coat the surface of the material, the film formed on the substrate, or the surface of the coating layer. It is valid.

箔又は細線は溶湯急冷法によって形成するのが好ましく
、厚さ又は直径0.1mm以下が好ましい。
The foil or thin wire is preferably formed by a molten metal quenching method, and preferably has a thickness or diameter of 0.1 mm or less.

特に0.1μm以下の結晶粒径の箔又は細線を製造する
には0.05m以下の厚さ又は直径が好ましい。
In particular, in order to produce foil or thin wire with a crystal grain size of 0.1 μm or less, a thickness or diameter of 0.05 m or less is preferable.

粉末は、溶湯を気体又は液体の冷媒とともに噴震させて
水中に投入させて急冷するアトマイズ法によって形成さ
せることが好ましい。その粒径は0.1論以下が好まし
く、特に粒径1μm以下の超微粉が好ましい。
The powder is preferably formed by an atomization method in which molten metal is jetted together with a gaseous or liquid refrigerant and then poured into water to be rapidly cooled. The particle size is preferably 0.1 μm or less, and ultrafine powder with a particle size of 1 μm or less is particularly preferable.

膜は前述の如く蒸着、スパッタリング、CVD電気メッ
キ、化学メッキ等によって形成できる。
The film can be formed by vapor deposition, sputtering, CVD electroplating, chemical plating, etc., as described above.

特に、0.1μm以下の膜厚を形成するにはスパッタリ
ングが好ましい、スパッタリングは目標の合金組成のコ
ントロールが容易にできる。
In particular, sputtering is preferable to form a film with a thickness of 0.1 μm or less, and sputtering allows easy control of the target alloy composition.

(組織) 記録合金は、高温及び低温において異なる結晶構造を有
し、高温からの急冷によって高温における結晶構造を低
温で保持される過冷相の組成を有するものでなければな
らない、高温では不規則格子の結晶構造を有するが、過
冷相は一例としてCs −CQ型あるいはDO3型の規
則格子を有する金属間化合物が好ましい。光学的性質を
大きく変化させることのできるものとして本発明合金は
この金属間化合物を主に形成する合金が好ましく。
(Structure) The recording alloy must have a different crystal structure at high and low temperatures, and must have a supercooled phase composition in which the crystal structure at high temperatures is maintained at low temperatures by rapid cooling from high temperatures; Although the intermetallic compound has a lattice crystal structure, the supercooled phase is preferably an intermetallic compound having a Cs-CQ type or DO3 type ordered lattice, for example. The alloy of the present invention is preferably an alloy that mainly forms this intermetallic compound, since the optical properties can be greatly changed.

特に合金全体が金属間化合物を形成する組成が好ましい
、この金属間化合物は電子化合物と呼ばれ。
In particular, a composition in which the entire alloy forms an intermetallic compound is preferred; this intermetallic compound is called an electronic compound.

特に3/2電子化合物(平均外殻電子濃度a / aが
3/2)の合金組成付近のものが良好である。
In particular, alloy compositions near 3/2 electron compounds (average outer shell electron concentration a/a of 3/2) are good.

また、記録合金は同相変態、たとえば共析変態又は包析
変態を有する合金組成が好ましく、その合金は高温から
の急冷と非急冷によって分光反射率の差の大きいものが
得られる。
Further, the recording alloy preferably has an alloy composition having an in-phase transformation, for example, an eutectoid transformation or an enclosing transformation, and an alloy having a large difference in spectral reflectance can be obtained by quenching from a high temperature and non-quenching.

光記録合金は超微細結晶粒を有する合金が好ましく、特
に結晶粒径は0.1μm以下が好ましい。
The optical recording alloy is preferably an alloy having ultrafine crystal grains, and the crystal grain size is particularly preferably 0.1 μm or less.

即ち、結晶粒は可視光領域の波長の値より小さいのが好
ましいが、半導体レーザ光の波長の値より小さいもので
もよい。
That is, the crystal grains are preferably smaller than the wavelength of visible light, but may be smaller than the wavelength of semiconductor laser light.

(特性) 記録材料は、可視光領域における分光反射率を同一温度
で少なくとも2種類形成させることができる。即ち、高
温からの急冷によって形成された結晶構造(組織)を有
するものの分光反射率が非急冷によって形成された結晶
構造(組織)を有するものの分光反射率と異なっている
ことが必要である。
(Characteristics) The recording material can be formed to have at least two types of spectral reflectance in the visible light region at the same temperature. That is, it is necessary that the spectral reflectance of a material having a crystal structure (structure) formed by rapid cooling from a high temperature is different from that of a material having a crystal structure (structure) formed by non-quenching.

また、急冷と非急冷によって得られるものの分光反射率
の差は5%以上が好ましく、特に10%以上有すること
が好ましい0分光反射率の差が大きければ、目視による
色の識別が容易であり、後で記載する各種用途において
顕著な効果がある。
In addition, the difference in spectral reflectance obtained by quenching and non-quenching is preferably 5% or more, particularly preferably 10% or more.0 If the difference in spectral reflectance is large, it is easy to visually identify the color, It has remarkable effects in various applications described later.

分光反射させる光源として、電磁波であれば可視光以外
でも使用可能であり、赤外線、紫外線なども使用可能で
ある。
As a light source for spectrally reflecting, electromagnetic waves other than visible light can be used, and infrared rays, ultraviolet rays, etc. can also be used.

記録合金のその他の特性として、電気抵抗率。Other properties of recording alloys include electrical resistivity.

光の屈折率、光の偏光率、光の透過率なども分光反射率
と同様に可逆的に変えることができ、各種情報の記録、
記録された情報を再生することに利用することができる
The refractive index of light, the polarization rate of light, the transmittance of light, etc. can be changed reversibly in the same way as the spectral reflectance, making it possible to record various information,
It can be used to reproduce recorded information.

分光反射率は合金の表面あらさ状態に関係するので、前
述のように少なくとも可視光領域において10%以上有
するように少なくとも目的とする部分において鏡面にな
っているのが好ましい。
Since the spectral reflectance is related to the surface roughness of the alloy, it is preferable that at least the intended portion has a mirror surface so as to have 10% or more in the visible light region as described above.

記録合金は、加熱急冷によって部分的又は全体に結晶構
造の変化による電磁波の分光反射率、電気抵抗率、屈折
率、偏光率、透過率等の物理的又は電気的特性を変化さ
せ、これらの特性の変化を利用して情報の記録用素子に
使用することができる。
When a recording alloy is heated and rapidly cooled, its physical or electrical properties such as spectral reflectance of electromagnetic waves, electrical resistivity, refractive index, polarization ratio, transmittance, etc. are changed by partially or entirely changing the crystal structure, and these properties are It can be used as an information recording element by utilizing the change in .

情報の記録の手段として、電圧及び電流の形での電気エ
ネルギー、電磁波(可視光、輻射熱、赤外線2.紫外線
、真写用閃デランプの光、電子ビーム、陽子線、アルゴ
ンレーザ、半導体レーザ等のレーザ光線、高電圧火花放
電等)を用いることができ、特にその照射による分光反
射率の変化を利用して光の記録媒体に利用するのが好ま
しい、記録合金を光ディスクの記録媒体に使用すること
により再生専用型、追加記録型、書換型ディスク装置に
それぞれ使用でき、特に書換型ディスク装置においてき
わめて有効である。記録方法はエネルギーを継続的にパ
ルス的に与えるやり方又は連続的に与えるやり方のいず
れでもよい、前者ではディジタル信号として記録できる
As a means of recording information, electrical energy in the form of voltage and current, electromagnetic waves (visible light, radiant heat, infrared 2. ultraviolet light, light from photographic flashlights, electron beams, proton beams, argon lasers, semiconductor lasers, etc.) are used. (laser beam, high-voltage spark discharge, etc.), and is preferably used as an optical recording medium by taking advantage of the change in spectral reflectance caused by the irradiation.The use of a recording alloy in an optical disk recording medium. Therefore, it can be used in read-only type, additional recording type, and rewritable type disc devices, and is particularly effective in rewritable type disc devices. The recording method may be either a method of continuously applying energy in a pulsed manner or a method of applying energy continuously; in the former case, it is possible to record as a digital signal.

記録合金を光ディスクの記録媒体に使用した場合の記録
及び再生の原理の例は次の通りである。
An example of the principle of recording and reproduction when the recording alloy is used in the recording medium of an optical disk is as follows.

先ず、記録媒体を局部的に加熱し該加熱後の急冷によっ
て高温度領域での結晶構造を低温度領域で保持させて所
定の情報を記録し、又は高温相をペースとして、局部的
に加熱して高温相中に局部的に低温相によって記録し、
記録部分に光を照射して加熱部分と非加熱部分の光学的
特性の差を検出して情報を再生することができる。更に
情報として記録された部分を記録時の加熱温度より低い
温度で加熱し記録された情報を消去することができる。
First, the recording medium is locally heated and then rapidly cooled to maintain the crystal structure in the high temperature region in the low temperature region to record predetermined information, or the recording medium is locally heated using the high temperature phase as a pace. recorded locally by a low temperature phase during the high temperature phase,
Information can be reproduced by irradiating the recorded portion with light and detecting the difference in optical characteristics between the heated portion and the non-heated portion. Furthermore, the recorded information can be erased by heating the portion recorded as information at a temperature lower than the heating temperature at the time of recording.

光はレーザ光線の場合は短波長レーザが好ましい6本発
明の加熱部分と非加熱部分との反射率が500nm又は
800nm付近の波長において大きいので、このような
波長を有するレーザ光を再生に用いるのが好ましい。記
録、再生には同じレーザ源が用いられ、消去に記録のも
のよりエネルギー密度を小さくした他のレーザ光を照射
する。
If the light is a laser beam, a short wavelength laser is preferable.6 Since the reflectance of the heated part and non-heated part of the present invention is large at wavelengths around 500 nm or 800 nm, it is preferable to use a laser beam having such a wavelength for reproduction. is preferred. The same laser source is used for recording and reproduction, and another laser beam with a lower energy density than that for recording is used for erasing.

さらに広い領域の情報消去には後述する電流エネルギー
加熱が好ましい。
Current energy heating, which will be described later, is preferred for erasing information over a wider area.

また、記録合金を記録媒体に用いるディスクは情報が記
録されているか否かが目視で判別できる大きなメリット
がある。
Further, a disk using a recording alloy as a recording medium has a great advantage in that it can be visually determined whether information is recorded or not.

すなわち、この記録合金は、iJ2図(B)に示すよう
な基板11上に薄膜状態に形成され、第2図(A)に示
すパルス幅τ、のような瞬間的で高い熱エネルギーを与
えることにより第2の相に変態し、第3図に示すように
反射率が■から■に変化する1次に、パルス幅τ、をも
つような比較的長い低熱エネルギーを与えることにより
、第1相に可逆的に変態し、この時反射率は■からのに
変化する。この反射率変化は、第2図(A)に示した相
変態に寄与しない低熱エネルギーP1の光ビームを合金
材料1でスポット照射しその反射光を電気的に検出する
周知の光学ヘッド装置で感知することができる。光学ヘ
ッドでは第2相の相変化を与えるに必要な、短時間、高
熱プロファイルを第2の温度プロファイルを記録用、こ
れより長時間、低熱プロファイルを与え、第1相への変
化を生じしめる第1の温度プロファイルを消去用そして
、相変化に直接寄与しない熱エネルギーを照射すること
による温度プロファイルを読出し用の光エネルギーとし
て配分する。
That is, this recording alloy is formed in a thin film state on the substrate 11 as shown in FIG. By applying relatively long low thermal energy with a pulse width τ, the first phase transforms into the second phase and the reflectance changes from ■ to ■ as shown in Figure 3. At this time, the reflectance changes from ■ to ■. This reflectance change is sensed by a well-known optical head device that irradiates the alloy material 1 with a light beam of low thermal energy P1 that does not contribute to phase transformation as shown in FIG. 2(A) and electrically detects the reflected light. can do. The optical head records a second temperature profile for a short period of time, which is a high temperature profile necessary to cause a phase change to the second phase. One temperature profile is distributed as light energy for erasing, and a temperature profile resulting from irradiation with thermal energy that does not directly contribute to phase change is distributed as optical energy for reading.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

相変態型の記録合金の記録特性は0.1μs オーダー
のパルス幅で書込みが可能であることが明らかになり、
従来の方式と比較しても(1)従来のピッド方式にない
書換え機能がある。(2)書換え機能を有するアモルフ
ァス・結晶変態型に比べ、記録寿命が長い、という特性
がある故、高密度記録材料として有望である。
It has become clear that the recording properties of phase transformation type recording alloys allow writing with a pulse width on the order of 0.1 μs.
Compared to the conventional method, (1) it has a rewriting function that the conventional PID method does not have. (2) It is promising as a high-density recording material because it has a longer recording life than amorphous/crystalline modified types that have a rewriting function.

相変態型記録合金は従来の材料に比べ、機械的強度が高
く、伸び量が多い故、フレキシビリティ−に富んでおり
、薄肉のディスク、テープ、カード等に蒸着やスパッタ
リングして使用する場合に特に好都合である。このよう
な各種情報担体に対する情報の記録・消去方式は必要と
する情報量や装置イメージ等から決める必要があり、特
に、材料の特性に基づいた方式を採用する必要がある。
Phase change recording alloys have higher mechanical strength and elongation than conventional materials, so they are highly flexible and can be used by vapor deposition or sputtering on thin-walled disks, tapes, cards, etc. This is especially convenient. The method for recording and erasing information on such various information carriers must be determined based on the amount of information required, the image of the device, etc., and in particular, it is necessary to adopt a method based on the characteristics of the material.

この点、記録合金は熱伝導率が大きいため、I3録に際
して、短時間、高熱エネルギーのパルスを投入し、微少
面積へ記録することが有効であり、これによって高速書
込を達成することができる。
In this regard, since recording alloys have high thermal conductivity, it is effective to input a pulse of high thermal energy for a short period of time to record on a minute area when recording I3, and this makes it possible to achieve high-speed writing. .

消去に際しては、従来用いられている発振波長830n
mの半導体レーザで第2図(A)に示すパルス幅で、の
光エネルギーを投入すると■の記録状態から■の消去状
態に反射率が減少する。この瞬間に光記録合金膜1への
入熱量は大きくなるので、第2の温度プロファイルまで
昇温すると再書込みのおそれがある。故に、このような
光エネルギーによる消去方法は必ずしも最適ではない。
When erasing, the conventionally used oscillation wavelength of 830n
When light energy of m is applied to a semiconductor laser with a pulse width shown in FIG. 2(A), the reflectance decreases from the recording state (■) to the erasing state (2). At this moment, the amount of heat input to the optical recording alloy film 1 increases, so if the temperature rises to the second temperature profile, there is a risk of rewriting. Therefore, such an erasing method using light energy is not necessarily optimal.

この点、波長358nm付近のA r ” レーザを用
いる場合は■の記録状態から■の消去状態になる場合は
反射率が増加する故、上記の問題は回避できる。しかし
、Ar” レーザは半導体レーザに比べて大形で、高価
であり、装置化の点で不利である。
In this regard, when using an Ar'' laser with a wavelength of around 358 nm, the above problem can be avoided because the reflectance increases when changing from the recording state (■) to the erasing state (■).However, the Ar'' laser is a semiconductor laser. It is larger and more expensive than , and is disadvantageous in terms of equipment.

本発明はこの点に鑑みなされたもので、記録合金に電流
を流してその発熱エネルギーを利用して消去状態を得る
ものである。電流を流す方法は各種情報担体に応じて適
切に選ぶ必要があるが、その原理を第4図以下に説明す
る。
The present invention was devised in view of this point, and the erased state is obtained by passing an electric current through the recording alloy and utilizing the generated energy. The method of applying current must be appropriately selected depending on the various information carriers, and the principle thereof will be explained below in FIG.

第4図は絶縁性基板11上に薄膜化した記録合金1を形
成した情報記録担体に電流プローブ型のヘッド33のプ
ローブ31.33を当接させ、電源4からの電気エネル
ギーをスイッチ手段5で記録合金1の一部に供給し、こ
の領域に生じるジュール熱により記録合金を発熱させる
ものである。
In FIG. 4, probes 31 and 33 of a current probe type head 33 are brought into contact with an information recording carrier in which a thin film of recording alloy 1 is formed on an insulating substrate 11, and electrical energy from a power source 4 is applied to the information recording carrier by a switch means 5. It is supplied to a part of the recording alloy 1, and the Joule heat generated in this area causes the recording alloy to generate heat.

合金の比抵抗は10−s〜10”’Ω・〔だから厚さが
0.1μm、幅1μm、長さ1μmの電極間における合
金の抵抗値Rは となる、この抵抗を記録合金の第2相から第1相への変
態温度(消去温度)150℃に加熱するには実験的に約
3mWの電力が必要なので、必要な電流■は となる。処理する情報量を増やすには第4図。
The specific resistance of the alloy is 10-s to 10"' Ω. Therefore, the resistance value R of the alloy between the electrodes with a thickness of 0.1 μm, a width of 1 μm, and a length of 1 μm is Experimentally, approximately 3 mW of power is required to heat the phase to the first phase transformation temperature (erasure temperature) of 150°C, so the required current is .To increase the amount of information to be processed, see Figure 4. .

(B)に示すようなマルチプローブが有効である。A multi-probe as shown in (B) is effective.

また第4図(C)に示すように、実際の情報記録担体に
は耐摩耗性に優れ、透明性を有する保護膜10と導電膜
11を複数個アレイ状にその表面上形成することができ
る。この場合、情報の記録領域が電極101〜123の
ピッチで制約される故、ホトリッグラフ等の微細加工に
よりμmオーダーに加工する。この構造はカードに光記
録合金を被着させた例として好適である。
Further, as shown in FIG. 4(C), a plurality of protective films 10 and conductive films 11 having excellent abrasion resistance and transparency can be formed on the surface of the actual information recording carrier in an array. . In this case, since the information recording area is limited by the pitch of the electrodes 101 to 123, microfabrication such as a photolithography is used to process the information to a micrometer order. This structure is suitable as an example in which an optical recording alloy is coated on a card.

第5図は、記録合金1を透明な導電保護膜11゜11′
でコーディングし、その上下面に当接させたプローブに
より、合金の厚さ方向に電流を通じることによって発熱
させる構造である。このような構造の記録担体は全体の
厚みをミクロンオーダーと極めて薄くできるので記録合
金テープを実現できる。このような方法で光記録合金1
を発熱させ前述した第1相と第2相間の変態を行わせる
ことができる。
Figure 5 shows recording alloy 1 coated with a transparent conductive protective film 11°11'.
This structure generates heat by passing current through the thickness of the alloy using probes that contact the upper and lower surfaces of the alloy. A recording carrier having such a structure can have an extremely thin overall thickness on the order of microns, making it possible to realize a recording alloy tape. In this way, optical recording alloy 1
It is possible to generate heat and perform the above-described transformation between the first phase and the second phase.

第6図は、補強材12上に記録合金1を形成した構造で
、補強材12の材料は発熱体としても機能するように光
記録合金1よりは比抵抗の大きい材料で作られる。この
材料は一般的な発熱抵抗材料であるニクロム系の材料が
好ましい、プローブ3.3′が当接する上下面には透明
導電体11゜11′が被着されており、記録合金テープ
の耐久性を向上させる。これらの合計厚みは強度だけで
なく1μm〜10μmの間で必要な電流、電圧。
FIG. 6 shows a structure in which a recording alloy 1 is formed on a reinforcing material 12, and the material of the reinforcing material 12 is made of a material having a higher resistivity than the optical recording alloy 1 so that it also functions as a heat generating element. This material is preferably a nichrome-based material, which is a general heating resistance material.A transparent conductor 11°11' is coated on the upper and lower surfaces where the probe 3.3' comes into contact, which increases the durability of the recording alloy tape. improve. The total thickness of these is not only the strength but also the required current and voltage between 1 μm and 10 μm.

発熱効率などを考慮して設計する必要がある。It is necessary to design with consideration to heat generation efficiency, etc.

第7図は、光記録合金テープの記録、続出・消去系全体
の概略図で、2個のリール100,101の間に張られ
た・テープ1に十分な張力を与えるため20,21,2
2,23のローラーが設けられ、記録プローブ3,3′
がテープの上下面に電流を流しテープに形成された光記
録合金へその相変態に必要な熱エネルギーを与える。与
えられた温度プロファイルに応じてテープ上の光記録合
金1は反射率が例えば増加するので、これを光源7.ビ
ームスプリッタ−6、対物レンズ5.ホトダイオード1
からなる読出し系により電圧信号変化として検知する。
FIG. 7 is a schematic diagram of the entire recording, continuous recording, and erasing system for an optical recording alloy tape.
2, 23 rollers are provided, recording probes 3, 3'
A current is applied to the top and bottom surfaces of the tape to provide the optical recording alloy formed on the tape with the thermal energy necessary for its phase transformation. Depending on a given temperature profile, the optical recording alloy 1 on the tape will have an increased reflectance, for example, and this will be reflected in the light source 7. Beam splitter 6, objective lens 5. Photodiode 1
It is detected as a voltage signal change by a readout system consisting of:

対物レンズ5の寸法は、その先端部がテープ1を押接し
た時、光学系のビームスポットが絞られるように、焦点
きより等が予め調整されている。31.31’は消去用
のプローブであり、必要な時には記録用プローブ3,3
′よりは少い熱エネルギーを長時間与えることにより、
光記録合金1を第1相に変態させ、反射率を下げて情報
を消去する。情報の続出系の詳細な機能は追って説明さ
れる実施例においてさらに明確になるであろう。
The dimensions of the objective lens 5 and its focal aperture are adjusted in advance so that when its tip presses against the tape 1, the beam spot of the optical system is narrowed down. 31 and 31' are erasing probes, and when necessary, recording probes 3 and 3 are used.
By applying less heat energy than ′ for a long time,
The optical recording alloy 1 is transformed into a first phase, the reflectance is lowered, and information is erased. The detailed function of the information succession system will become clearer in the embodiments described later.

第8図は、記録合金にうず電流を流してジュール熱を発
生させ、第1相、第2相の相変態を生じる温度プロファ
イルを作るものである。
FIG. 8 shows a temperature profile that generates Joule heat by passing an eddy current through the recording alloy and causes phase transformation of the first phase and the second phase.

高周波発振器4からMHz程度の高周波電流をコイルC
に流し、コイルに発生する磁束Hに直角に合金膜1を近
づけると、合金膜上に同心円状に渦電流が発生する。
A high frequency current of approximately MHz is transmitted from the high frequency oscillator 4 to the coil C.
When the alloy film 1 is brought close at right angles to the magnetic flux H generated in the coil, eddy currents are generated concentrically on the alloy film.

うず電流の大きさは、コイル3と合金膜1とのきよりd
に依存するので、常に一定に保つ必要がある。第8図(
B)はこれを実現する一つの方法で、コイル3と合金膜
1との間に膜厚d′の透明絶縁膜10を形成するもので
、コイル3の下端はその膜面上に常に接触している。故
に両者のきよりは常にd′に保たれ、合金膜1には常に
一定のうず電流が流れて、所定の温度プロファイルを再
現性よく得ることができる。この例では1合金膜1上に
絶縁膜10を設けているが、前述した光合金テープへ応
用する場合には、d′の厚みをもつスペーサを両者間に
設置してもよい。
The magnitude of the eddy current is determined by the distance d between the coil 3 and the alloy film 1.
, so it must always be kept constant. Figure 8 (
B) is one method to achieve this, in which a transparent insulating film 10 with a thickness of d' is formed between the coil 3 and the alloy film 1, and the lower end of the coil 3 is always in contact with the film surface. ing. Therefore, the tension between the two is always maintained at d', a constant eddy current always flows through the alloy film 1, and a predetermined temperature profile can be obtained with good reproducibility. In this example, the insulating film 10 is provided on the alloy film 1, but if the invention is applied to the optical alloy tape described above, a spacer having a thickness of d' may be provided between the two.

第9図は、記録合金1をディスクイメージとして構成し
、移動ホルダー100でモーター10上に運搬し1回転
しながら、コイル3を半径方向に移動させ、合金1上に
うず電流を生じさせ、発熱により記録された情報を消去
する装置例である。
FIG. 9 shows a recording alloy 1 configured as a disk image, transported onto a motor 10 by a movable holder 100, and rotated once while the coil 3 is moved in the radial direction to generate an eddy current on the alloy 1 and generate heat. This is an example of a device that erases information recorded by.

この装置は、情報のイレーザ−として、コンパクトかつ
低コストに製作することができる。また。
This device can be manufactured compactly and at low cost as an information eraser. Also.

従来のビット方式(ライトワンス)型の光記録。Conventional bit-type (write-once) type optical recording.

読出装置とデーター処理方式を統一すれば、本消去装置
だけを追加するだけで光記録合金を用いた消去可能型光
記録装置が実現し、顧客は安価な消去装置を追加新設す
るだけでよく、極めて便利である。
By unifying the readout device and data processing method, an erasable optical recording device using optical recording alloy can be realized by simply adding this erasing device, and the customer only needs to install a new inexpensive erasing device. Extremely convenient.

記録された情報を消去するだけの専用器としては第10
図に示すような、予め所定の温度に保持された熱容量体
2を記録合金1に当接させ、所定の温度プロファイルを
得ることができる。また、第11図に示すようなオーブ
ン2の中に光記録合金1を設置、高周波コイル3からマ
イクロ波を送り光記録合金1中に電流を生じしめスイッ
チ、タイマー等5と連動させ所定の温度プロファイルを
得る装置を利用することができる。これらの装置は極め
て簡単、低コストに製作することができる。
It is the 10th dedicated device that only erases recorded information.
As shown in the figure, a heat capacitor 2 previously maintained at a predetermined temperature is brought into contact with the recording alloy 1 to obtain a predetermined temperature profile. Further, an optical recording alloy 1 is placed in an oven 2 as shown in FIG. 11, and a microwave is sent from a high frequency coil 3 to generate a current in the optical recording alloy 1, which is operated in conjunction with a switch, a timer, etc. 5 to maintain a predetermined temperature. Devices for obtaining profiles are available. These devices can be manufactured extremely simply and at low cost.

次に、記録、読出、消去機能を有する光記録合金ディス
ク用光学ヘッドの全体構成を第12図に示す。
Next, FIG. 12 shows the overall structure of an optical head for an optical recording alloy disk having recording, reading, and erasing functions.

同図の各部の信号とその動作について以下に説明する。The signals and operations of each part in the figure will be explained below.

1は光源となるレーザディオードである。1 is a laser diode serving as a light source.

2はコリメーションレンズで、レーザダイオード1の光
束を平行光にする。3は偏光ビームスプリッタ(以下P
BSと略称する)で、コリメーションレンズの出力光を
透過するとともに、つぎに述べる記録4で示すλ/4板
からのもどり光を屈折する。λ/4板4はPBS3で入
射光と反射光の識別を容易にするために光の位相偏光に
用いる。
A collimation lens 2 converts the light beam from the laser diode 1 into parallel light. 3 is a polarizing beam splitter (hereinafter P
BS) transmits the output light of the collimation lens and refracts the returning light from the λ/4 plate as shown in Record 4 described below. The λ/4 plate 4 is used for phase polarization of light in order to facilitate discrimination between incident light and reflected light in the PBS 3.

5は対物レンズであり、入射光を集光するために用いら
れる。6はカップリングレンズで、PH10からの光束
を受けてこれを集光させる。カップリングレンズ6は直
交された2つのかまぼこ形レンズで構成されている。7
は光検知器である。光検知器7はカップリングレンズ6
からの入射光L6の光スポツト形状を検知することによ
って対物レンズ5からの出力光L5の光スポツト形状を
間接的に検知する。8はアクチュエータであり、アクチ
ュエータ8は光検知器7の出力に従い、対物レンズ5の
出力光L5の焦点位置を調整する。81はレンズ駆動部
であり、レンズ駆動部82はアクチュエータ8からの駆
動制御出力によって、対物レンズ5の位置を調整する。
5 is an objective lens, which is used to condense incident light. A coupling lens 6 receives the light beam from the PH 10 and condenses it. The coupling lens 6 is composed of two semicylindrical lenses orthogonally crossed. 7
is a photodetector. The photodetector 7 is a coupling lens 6
By detecting the shape of the light spot of the incident light L6 from the objective lens 5, the shape of the light spot of the output light L5 from the objective lens 5 is indirectly detected. 8 is an actuator, and the actuator 8 adjusts the focal position of the output light L5 of the objective lens 5 according to the output of the photodetector 7. Reference numeral 81 denotes a lens drive section, and the lens drive section 82 adjusts the position of the objective lens 5 based on the drive control output from the actuator 8.

9は情報を光学的に記録、再生、消去等が可能なディス
クであり、その一部を示す、ディスク9は対物レンズ5
からの出力光L5がディスク面上に所望の光スポットを
照射することによって、上記の記録、再生を可能にして
いる。10まモータであり、ディスク9はモーター10
により駆動する。30は、ディスク9に近接vi置され
た高周波コイルで、ディスク9上に形成した光記録合金
膜中にうず電流を生じしめ、前述した所定の温度プロフ
ァイルを比較的広い領域に与えて、記録した情報を消去
する。30′は30と同機能をもつ高周波コイルであり
、ディスク9の裏面から加熱する方が好都合の場合の設
置例である。この例は次の第13図に詳細図を示す6す
なわち、ディスク9はその表面の汚れの影響を防止する
ため、下面に記録合金膜91を形成し、記録、再生は上
面から透明基板9中を通過した光線を合金膜91上にて
絞り込みエネルギー密度を最大にして記録し、分解能を
高めて読出しを行う。
Reference numeral 9 denotes a disk on which information can be optically recorded, reproduced, erased, etc., and a part of the disk is shown.
The above-mentioned recording and reproduction are made possible by irradiating a desired light spot on the disk surface with the output light L5 from the disk. 10 is the motor, and disk 9 is the motor 10.
Driven by Reference numeral 30 denotes a high-frequency coil placed in close proximity to the disk 9, which generates an eddy current in the optical recording alloy film formed on the disk 9 to apply the aforementioned predetermined temperature profile to a relatively wide area for recording. Erase information. 30' is a high frequency coil having the same function as 30, and is installed in a case where it is more convenient to heat the disk 9 from the back side. A detailed view of this example is shown in FIG. 13 below.6 That is, in order to prevent the influence of dirt on the surface of the disk 9, a recording alloy film 91 is formed on the lower surface, and recording and reproduction are performed from the upper surface into the transparent substrate 9. The light beam that has passed is focused on the alloy film 91 and recorded with the maximum energy density, and read out with increased resolution.

ところが、消去を行う場合、前述のように、記録時の温
度プロファイルに比べて温度が低く、長時間の照射を必
要とする。これを達成する方法として、ディスク9のト
ラック方向に長いだ円ビームを照射する方法や、AOモ
ジュレータを用いてビームスポットを複数作成する方法
など光ビームを広げる方法が提案されているが、この記
録合金を用いた情報担体にとっての最説な方法とは言え
ない、その理由は、記録、読出の時に要求される光ビー
ムを限界まで絞り込むということと相矛盾して消去時に
光ビームを十分拡大することが一つの光学系では難しい
からである。そこで、第13図に示すように、高周波コ
イル30′を光記録合金膜91に近接させて1合金膜中
にうず電流を生じさせることにより、比較的広い領域に
均一な所望の温度プロファイルを作り出すことが可能で
ある。
However, when erasing is performed, the temperature is lower than the temperature profile during recording and a long period of irradiation is required, as described above. To achieve this, methods to spread the light beam have been proposed, such as irradiating a long oval beam in the track direction of the disk 9 and creating multiple beam spots using an AO modulator. This method cannot be said to be the most ideal for information carriers using alloys.The reason is that it is contradictory to narrowing down the light beam to the limit required during recording and reading, and expanding the light beam sufficiently during erasing is contradictory. This is because it is difficult to do this with a single optical system. Therefore, as shown in FIG. 13, by bringing the high frequency coil 30' close to the optical recording alloy film 91 to generate eddy current in the alloy film, a desired temperature profile that is uniform over a relatively wide area is created. Is possible.

このため、ディスク9が高速回転している場合にも、所
望の情報領域を長時間加熱することができ、完全に情報
を消去することができる。もちろん、小さな領域の情報
を消去する場合は、従来と同様にディスク9の上面から
照射する光ビームを拡大して記録時に比べて低温、長時
間の加熱を行い局部的な情報を消去するモードも可能で
ある。
Therefore, even when the disk 9 is rotating at high speed, the desired information area can be heated for a long time, and the information can be completely erased. Of course, when erasing information in a small area, there is also a mode in which the light beam irradiated from the top surface of the disk 9 is enlarged and heated for a longer time at a lower temperature than during recording to erase local information. It is possible.

第14図は、消去用コイル50の中に記録合金1との間
隙dを検出するセンサ機能を含ませ、この信号を用いて
きよりdを一定に保つためのフォースモーター81を具
備した例である。すなわち。
FIG. 14 shows an example in which the erasing coil 50 includes a sensor function for detecting the gap d with the recording alloy 1, and is equipped with a force motor 81 that uses this signal to keep the force d constant. . Namely.

第8図に示したようにコイル50中には間隙dに依存し
た電圧E0が誘起されるので、これを8で増幅し、フォ
ースモーター81にフィードバックすることにより、常
にコイル50と光合金膜91との間隙を所望の値に保つ
機能をもっている。故に合金膜91に再現性よく温度プ
ロファイルを発生させることができる。なお、高周波コ
イル5゜は変位検出用と合金膜加熱用コイルの2つに分
けて構成することも可能である。これら情報の記録。
As shown in FIG. 8, a voltage E0 depending on the gap d is induced in the coil 50, so this is amplified by 8 and fed back to the force motor 81, so that the coil 50 and the photoalloy film 91 are constantly connected to each other. It has the function of keeping the gap between the two parts at a desired value. Therefore, a temperature profile can be generated in the alloy film 91 with good reproducibility. Note that the high frequency coil 5° can also be configured to be divided into two coils: one for displacement detection and one for heating the alloy film. Records of this information.

読出、消去に用いる電気量の周波数は他モードへの影響
を小さくする観点から異なる値にした方が望ましい。
It is preferable that the frequencies of the amounts of electricity used for reading and erasing are set to different values from the viewpoint of reducing the influence on other modes.

第15図は、基板11上にWil!録合金腹合金膜1的
に形成した例を示す、これは隣接する情報とのクロスト
ーク防止に役立つ他、高周波コイルにより合金膜へうず
電流を流す場合、この領域以外は電流が流れてこないの
でこの領域の情報だけを完全に消去することができる。
FIG. 15 shows Will! on the substrate 11! An example is shown in which the alloy film is formed in one area.This is useful for preventing crosstalk with adjacent information, and when a high-frequency coil is used to send eddy current to the alloy film, the current will not flow outside of this area. Information in this area can be completely erased.

この構造は基板上に記録合金膜を蒸着、スパッタリング
で被着させた後、ホトリソグラフィの技術を利用して微
細加工してもよいが、予め、基板にスタンバ−により形
状をプレスした後合金膜を被着させれば、厚みが薄いた
め凹凸の側面は合金膜が付着せず突起の上面とそれ以外
の領域とが絶縁され前記と同じ離散構造を実現すること
ができる。
This structure may be formed by depositing a recording alloy film on the substrate by vapor deposition or sputtering, and then microfabricating it using photolithography technology. If the alloy film is deposited on the protrusion, since the thickness is thin, the alloy film will not adhere to the uneven side surfaces, and the upper surface of the protrusion and the other regions will be insulated, and the same discrete structure as described above can be realized.

スパッタリング法によってAg−40重量%Zn合金膜
をガラス基板に形成させ光ディスクを作製した0合金膜
の記録、消去による加熱による酸化を防止するため及び
基板から剥離するのを防止するため、その表面にS i
 O,の保護膜(厚さ30nm)を蒸着によって形成し
た。ガラス板上の合金膜の蒸着にはDC−マグネトロン
型を、S i O,膜の形成にはRF型のスパッタ法を
それぞれ適用した。スパッタ出力は140〜200w、
基板温度は200℃の条件に設定した。容器内を10−
’Torr程度まで真空排気後、Arガスを5〜30 
m Torr導入して薄膜を作製した。膜厚は、S i
 O,膜厚を30nm程度とし1合金膜厚を0.05〜
10 μmの範囲内で種々の厚さに変えた。このように
して製作した光ディスクを使用して、記録及び消去、又
それらの繰返しを行った。
An optical disk was prepared by forming an Ag-40 wt % Zn alloy film on a glass substrate by sputtering. In order to prevent the 0 alloy film from being oxidized by heating during recording and erasing, and to prevent it from peeling off from the substrate, Si
A protective film (thickness: 30 nm) of O, was formed by vapor deposition. A DC-magnetron sputtering method was used to deposit the alloy film on the glass plate, and an RF sputtering method was used to form the SiO film. Sputtering output is 140~200w,
The substrate temperature was set at 200°C. Inside the container 10-
'After evacuation to about Torr, Ar gas is
A thin film was prepared by introducing m Torr. The film thickness is S i
O, film thickness is about 30 nm, 1 alloy film thickness is 0.05 ~
The thickness was varied within a range of 10 μm. Using the optical disk thus manufactured, recording and erasing were performed, and these operations were repeated.

Arガスレーザは連続発振させた。試料を手動移動ステ
ージの上に設置し、試料を移動させて200mWレーザ
光を該試料の膜表面に焦点を合せ走査させた。レーザ光
を照射させた部分はピンクに変化した1合金膜はあらか
じめ基板ごと銀白色になる熱処理を施しである0次にレ
ーザ光の焦点を膜表面から若干ずらし、レーザの出力密
度を低くしてピンク色の部分と交差する方向(図の上下
方向)に走査させた。その結果、元のピンク色は消去さ
れ銀白色に変化した。これらの色の変化と同時にベース
面に凹又は凸部が生じて記録でき、消去によって元の平
坦な面に戻ることが確認された。
The Ar gas laser was continuously oscillated. The sample was placed on a manual movement stage, the sample was moved, and the 200 mW laser beam was focused and scanned on the film surface of the sample. The part irradiated with the laser light turned pink.The 1-alloy film was heat-treated together with the substrate to become silvery white.The focus of the 0-order laser light was slightly shifted from the film surface, and the laser output density was lowered. It was scanned in the direction intersecting the pink part (up and down in the figure). As a result, the original pink color was erased and the color changed to silvery white. It was confirmed that concave or convex portions were formed on the base surface at the same time as these color changes were recorded, and that the original flat surface was restored by erasing.

以上の結果からll膜状態の合金による記録、消去が可
能であることを確認された。この書込み。
From the above results, it was confirmed that recording and erasing using the alloy in the ll film state is possible. This writing.

消去は何回でも繰返しが可能であることが確認された。It was confirmed that erasing can be repeated any number of times.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明を用いた合金型情報記録装置は、記録続出、消去
機能を実現でき、特に記録情報の消去が完全な装置を簡
単な構造で経済的に提供することが可能である。
The alloy type information recording device using the present invention can realize successive recording and erasing functions, and in particular, it is possible to economically provide a device that can completely erase recorded information with a simple structure.

本発明を利用することにより、光ディスクだけでなく、
合金を用いた書換え可能なテープ、カード用情報記録装
置を提供することができる。
By using the present invention, not only optical discs but also
It is possible to provide a rewritable tape and card information recording device using an alloy.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は記録合金の状態図、第2図は記録合金への入熱
エネルギー図、第3図は記録合金分光反射特性例、第4
図は記録合金の加熱原理図、第5゜6図は記録合金の別
の加熱方法、第7@は記録合金を用いた光記録テープレ
コーダ、第8図は記録合金のうず電流加熱原理、第9図
はうず電流加熱型記録情報消去装置、第10図は熱容量
体を用いた記録情報消去装置、第11図はマイクロ波オ
ーブンを用いて記録情報消去装置、第12図は高周波加
熱コイルによる消去機能をもつ光記録ヘッド、第13図
は同上詳細図、第14図は位置制御機能をもつ消去用高
周波加熱コイルの構成であり、第15図は離散構造を有
する光記録合金情報担体である。 1.91・・・記録合金膜、2・・・熱容量体、11.
9・・・基板、3.3’ 、31.32・・・電流プロ
ーブ。 4・・・電源、5・・・スイッチ手段。 $ 1 ロ バ                 AF5x   
         δ¥12−口 (ハ) ttseす (B) 5A30 (ハ) 次長(箕創 ハ牙−3rZTL (30g’C) (δ) :I!L、長罰旭) 勺−4+7Z7L (325+す 第30 (C) シ良   %  Czp) CLL−l牛AfL−争N1(72ff°C)第Φ口 <A) 口ゆ口 囮ト一 口−0 り]啼口 S +圀 (C) 集 13 圀 t+−5 ¥31タロ
Figure 1 is a state diagram of the recording alloy, Figure 2 is a diagram of heat input energy to the recording alloy, Figure 3 is an example of the spectral reflection characteristics of the recording alloy, and Figure 4 is a diagram of the recording alloy.
Figure 5 is a diagram of the heating principle of recording alloys, Figure 5.6 is another heating method for recording alloys, Figure 7 is an optical recording tape recorder using recording alloys, Figure 8 is the principle of eddy current heating of recording alloys, and Figure 8 is a diagram of the heating principle of recording alloys. Fig. 9 shows an eddy current heating type recorded information erasing device, Fig. 10 shows a recorded information erasing device using a heat capacitor, Fig. 11 shows a recorded information erasing device using a microwave oven, and Fig. 12 shows erasing using a high-frequency heating coil. FIG. 13 shows a detailed view of the same as above, FIG. 14 shows the configuration of a high-frequency erasing heating coil having a position control function, and FIG. 15 shows an optical recording alloy information carrier having a discrete structure. 1.91... Recording alloy film, 2... Heat capacity body, 11.
9... Board, 3.3', 31.32... Current probe. 4...Power supply, 5...Switch means. $1 Donkey AF5x
δ¥12-mouth (Ha) ttsesu (B) 5A30 (Ha) Deputy Chief (Minoha Fang-3rZTL (30g'C) (δ): I!L, Choken Asahi) 勺-4+7Z7L (325+Su 30th (C) Shira % Czp) CLL-l Cow AfL-Conflict N1 (72ff°C) No. Φ mouth <A) Mouth Yu mouth decoy bite -0 ri] Mouth mouth S + 圀(C) Collection 13 圀t+- 5 ¥31 taro

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、絶縁基板上に形成した、異なる熱履歴により、光の
反射、透過、吸収等の光学特性を変化させる相変態型の
記録媒体と、この一部または全部に電流を与える手段を
もち、電流によつて熱履歴を加えることにより、光記録
合金に情報変化を与え、光学特性検知手段により情報量
を検出するものであつて、前記記録媒体は固体状態で少
なくとも2種類の結晶構造を有し、一方の温度領域での
結晶構造を他方の温度領域で保持し、及び/又は結晶状
態で互いに異なつた体積変化を生じる金属又は合金から
なることを特徴とする光情報記録装置。 2、前記記録媒体は固体状態の高温における結晶構造が
高温からの過冷によつて保持される金属又は合金からな
る特許請求の範囲第1項に記載の光情報記録装置。 3、前記記録媒体は相変態を有する結晶質状態の金属あ
るいは合金にあつて、固相状態の少なくとも2つの温度
領域において結晶構造の異なつた相を有し、その相間の
変態に伴なう凹部又は凸部を形成してベース面との光の
反射状態を変化させて情報としての信号、文字、図形、
記号を識別できるように記憶させ又は前記凹部又は凸部
を元の状態に消去させる加熱手段及び前記情報を再生さ
せる手段を有する特許請求の範囲第1項に記載の光情報
記録装置。 4、前記記録媒体は元素周期律表のI・b族からVII・
b族及びVIII族の金属元素遷移金属元素を主成分とする
金属あるいは合金からなる特許請求の範囲第1項〜第3
項のいずれかに記載の光情報記録装置。 5、特許請求の範囲第1項記載の装置において、記録媒
体の一部に少なくとも2つの電極を当設し所望の領域に
電流を通じて所定の加熱、冷却を与え記録媒体への情報
記録・消去を行う光情報記録装置。 6、特許請求の範囲第1項記載の装置において、記録媒
体の所望の領域にコイルを近接し、うず電流を流して所
定の加熱、冷却プロフィルを与え、光記録媒体への情報
記録・消去を行う光情報記録装置。 7、熱変化を与えて結晶構造を変化させる記録媒体を当
接させ、その一部または全部に電流を通じて所定の加熱
、冷却を行う手段をもち、これを用いて光記録合金に相
変化を与え、光の反射、透過率または吸収率の変化検知
手段により、光記録合金に記録された情報を検出するも
のであつて、前記記録媒体は固体状態で少なくとも2種
類の結晶構造を有し、一方の温度領域での結晶構造を他
方の温度領域で保持し及び/又は結晶状態で互いに異な
つた体積変化を生じる金属又は合金からなることを特徴
とする光情報記録装置。 8、特許請求の範囲第4項記載の装置において、別の熱
源を有する熱容量体と当接手段により光記録合金の一部
または全部を所定の加熱、冷却を行うことにより、相変
化を与え、記録媒体への情報記録、消去を行なう光情報
記録装置。 9、特許請求の範囲第1〜5項のいずれかに記載の装置
において、第1相を定める第1温度プロファイルは第2
相を定める第2温度プロファイルより低温、長時間に保
持され、第1温度プロファイルは記録媒体に流す電流に
より与えて記録情報の消去を行う光情報記録装置。 10、特許請求の範囲第1〜6項のいずれかに記載の装
置において、第1相を定める第1温度プロファイルによ
り、さらに低温、長時間で、相変化には寄与しない第3
の温度プロファイルに予め保持される光情報記録装置。 11、特許請求の範囲第6または第7項記載の装置にお
いて、光照射手段を設けこれを用いて記録媒体を加熱し
第2の温度プロファイルを与え情報の記録を行う光情報
記録装置。 12、特許請求の範囲第1〜8項のいずれかに記載の装
置において、記録の加熱手段に流す電流の周波数が各温
度プロファイルにより異なる光情報記録装置。 13、特許請求の範囲第1〜9項のいずれかに記載の装
置において、相変化型材料が絶縁基板の一つの面または
両面に被着された構成である光情報記録装置。 14、特許請求の範囲第10項記載の装置において、特
定の領域に分離して相変化型材料を複数個形成した光情
報記録装置。 15、特許請求の範囲第14項記載の装置において、分
離のための段差構造をもつ光情報記録装置。 16、絶縁基板上に記録媒体を形成し、その上に透明絶
縁膜を被着させ、その一部を除去して前記記録媒体と導
通する電極パッドを複数個設け、前記記録媒体は固体状
態で少なくとも2種類の結晶構造を有し、一方の温度領
域での結晶構造を他方の温度領域で保持し、及び/又は
結晶状態で互いに異なつた体積変化を生じる金属又は合
金からなることを特徴とする光情報記録装置。 17、記録媒体膜の上下に透明性導電膜を形成した記録
媒体テープと、この上下面に当接させた複数個の情報記
録、消去用電流プローブを備え、前記記録媒体は固体状
態で少なくとも2種類の結晶構造を有し、一方の温度領
域での結晶構造を他方の温度領域で保持し、及び/又は
結晶状態で互いに異なつた体積変化を生じる金属又は合
金からなることを特徴とする光情報記録装置。 18、特許請求の範囲第16項記載の記録媒体は可撓性
を有したテープ状であり、情報の記録と消去は光記録合
金又は隣接発熱体に流す電流による加熱温度プロファイ
ルで行い、情報の読出は光記録合金に照射した光の反射
光を検知することにより行う光情報記録装置。 19、特許請求の範囲第3項記載の装置において、光記
録合金膜上に所定の厚さの絶縁膜を形成し、この上に光
記録合金膜加熱用の高周波コイルを当接させた光情報記
録装置。 20、絶縁基板上に形成した記録媒体、これに記録した
情報を消去するための、高周波加熱コイル、両者の相対
位置を2方向に変化させる移動手段、高周波コイルの駆
動・切断手段を備え、前記記録媒体は固体状態で少なく
とも2種類の結晶構造を有し、一方の温度領域での結晶
構造を他方の温度領域で保持し、及び/又は結晶状態で
互いに異なつた体積変化を生じる金属又は合金からなる
ことを特徴とする光情報記録装置。 21、特許請求の範囲第19項に記載の情報記録装置に
おいて、透明基板上に形成した記録媒体に、基板側から
光を照射して第2の温度プロファイルを与えて情報を記
録、読出し、記録媒体側から高周波加熱コイルを近接さ
せ、記録情報の消去を行う光情報記録装置。 22、特許請求の範囲第20項記載の装置において、高
周波加熱コイルと光記録合金膜とのきよりを一定値に保
持する手段を具備した光情報記録装置。
[Claims] 1. A phase change type recording medium formed on an insulating substrate that changes optical properties such as reflection, transmission, and absorption of light due to different thermal histories, and a part or all of the recording medium to which an electric current is applied. The apparatus has a means for applying thermal history to an optical recording alloy by applying a thermal history using an electric current, and detects the amount of information using an optical property detecting means, wherein the recording medium is in a solid state and has at least two types of information. An optical information recording device characterized by being made of a metal or alloy that has a crystal structure in one temperature range and maintains the crystal structure in another temperature range and/or exhibits different volume changes in the crystal state. Device. 2. The optical information recording device according to claim 1, wherein the recording medium is made of a metal or an alloy whose crystal structure at high temperatures in a solid state is maintained by supercooling from high temperatures. 3. The recording medium is made of a metal or alloy in a crystalline state that undergoes phase transformation, and has phases with different crystal structures in at least two temperature ranges in a solid state, and there are recesses caused by the transformation between the phases. Or, by forming a convex part to change the state of light reflection with the base surface, it can be used as information such as signals, characters, figures, etc.
2. The optical information recording device according to claim 1, further comprising a heating means for memorizing a symbol so that it can be identified or for erasing the concave or convex portion to its original state, and a means for reproducing the information. 4. The recording medium contains elements from groups I, b to VII, of the periodic table.
Claims 1 to 3 consist of a metal or alloy whose main component is a transition metal element of Group B or Group VIII metal element.
The optical information recording device according to any one of Items. 5. In the apparatus according to claim 1, at least two electrodes are provided on a part of the recording medium, and a current is applied to a desired area to apply predetermined heating and cooling to record and erase information on the recording medium. optical information recording device. 6. In the apparatus according to claim 1, a coil is brought close to a desired region of the recording medium, and eddy current is applied to provide a predetermined heating and cooling profile to record and erase information on the optical recording medium. optical information recording device. 7. A recording medium whose crystal structure is changed by applying a thermal change is brought into contact with the recording medium, and a part or all of the medium is heated and cooled in a prescribed manner by passing an electric current through the medium, and this is used to apply a phase change to the optical recording alloy. , the information recorded on the optical recording alloy is detected by means for detecting changes in light reflection, transmittance or absorption rate, wherein the recording medium has at least two types of crystal structures in a solid state; 1. An optical information recording device characterized by being made of a metal or alloy that maintains a crystal structure in one temperature range in another temperature range and/or exhibits different volume changes in the crystal state. 8. In the apparatus according to claim 4, a part or all of the optical recording alloy is heated and cooled in a predetermined manner by a heat capacity body having another heat source and a contact means, thereby causing a phase change; An optical information recording device that records and erases information on a recording medium. 9. In the device according to any one of claims 1 to 5, the first temperature profile defining the first phase is
An optical information recording device that is maintained at a lower temperature for a longer time than a second temperature profile that defines a phase, and that erases recorded information by applying the first temperature profile by a current flowing through the recording medium. 10. In the device according to any one of claims 1 to 6, the first temperature profile that defines the first phase causes a third temperature profile that does not contribute to a phase change to occur at a lower temperature and for a longer period of time.
An optical information recording device that is pre-maintained to a temperature profile of 11. An optical information recording apparatus according to claim 6 or 7, which is provided with a light irradiation means and uses the light irradiation means to heat the recording medium and provide a second temperature profile to record information. 12. An optical information recording device according to any one of claims 1 to 8, in which the frequency of the current flowing through the recording heating means differs depending on each temperature profile. 13. An optical information recording device according to any one of claims 1 to 9, wherein the phase change material is adhered to one or both surfaces of an insulating substrate. 14. An optical information recording device according to claim 10, in which a plurality of phase change materials are formed separately in specific regions. 15. An optical information recording device according to claim 14, having a stepped structure for separation. 16. A recording medium is formed on an insulating substrate, a transparent insulating film is deposited on the transparent insulating film, a part of which is removed to provide a plurality of electrode pads that are electrically connected to the recording medium, and the recording medium is in a solid state. It is characterized by being made of a metal or alloy that has at least two types of crystal structures, maintains the crystal structure in one temperature range in the other temperature range, and/or causes different volume changes in the crystal state. Optical information recording device. 17. A recording medium tape having a transparent conductive film formed on the upper and lower sides of the recording medium film, and a plurality of current probes for information recording and erasing brought into contact with the upper and lower surfaces of the recording medium tape, the recording medium being in a solid state and having at least two Optical information characterized by being made of a metal or alloy that has a different type of crystal structure, maintains the crystal structure in one temperature range in another temperature range, and/or causes different volume changes in the crystal state. Recording device. 18. The recording medium according to claim 16 is in the form of a flexible tape, and information is recorded and erased using a heating temperature profile using an electric current flowing through an optical recording alloy or an adjacent heating element. An optical information recording device that performs reading by detecting the reflected light of the light irradiated onto the optical recording alloy. 19. In the apparatus according to claim 3, an insulating film of a predetermined thickness is formed on the optical recording alloy film, and a high-frequency coil for heating the optical recording alloy film is brought into contact thereon. Recording device. 20. A recording medium formed on an insulating substrate, a high-frequency heating coil for erasing information recorded on the recording medium, a moving means for changing the relative position of the two in two directions, and a driving/cutting means for the high-frequency coil; The recording medium is made of a metal or alloy that has at least two types of crystal structures in a solid state, retains the crystal structure in one temperature range in the other temperature range, and/or causes different volume changes in the crystal state. An optical information recording device characterized by: 21. In the information recording device according to claim 19, the recording medium formed on the transparent substrate is irradiated with light from the substrate side to give a second temperature profile to record, read, and record information. An optical information recording device that erases recorded information by bringing a high-frequency heating coil close to the medium side. 22. An optical information recording device according to claim 20, comprising means for maintaining the tension between the high-frequency heating coil and the optical recording alloy film at a constant value.
JP60034747A 1985-02-22 1985-02-22 Optical information recording device Pending JPS61194636A (en)

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