JPS61191027A - Electron beam exposure method - Google Patents

Electron beam exposure method

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JPS61191027A
JPS61191027A JP60031942A JP3194285A JPS61191027A JP S61191027 A JPS61191027 A JP S61191027A JP 60031942 A JP60031942 A JP 60031942A JP 3194285 A JP3194285 A JP 3194285A JP S61191027 A JPS61191027 A JP S61191027A
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JP
Japan
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pattern
electron beam
resist
irradiation
spread
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Application number
JP60031942A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhide Machida
町田 泰秀
Noriaki Nakayama
中山 範明
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS61191027A publication Critical patent/JPS61191027A/en
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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Abstract

PURPOSE:To form high accurate pattern by a method wherein spread of the pattern caused by scattering and heat generation of electron beam is corrected using electron beam scattering strength distribution, and relation between the pattern edge's temp. at a bottom face of a resist and spread of the pattern. CONSTITUTION:Spot position of electron beam 20 irradiated on a sample 15 by an exposing device 11 is controlled based on pattern data of a computer 16. At the time of making the data, projection volume and the pattern size are corrected for both spread of the pattern by scattering and spread of the pattern by heat generation. These correction volume are computed using electron beam scattering strength distribution, and relation between the pattern edge's temp. at a bottom face of a resist and spread of the pattern.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の概要〕 電子ビーム露光の際に、電子ビーム散乱によるパターン
の拡がシと共に、発熱によるパターンの拡がりを、それ
ぞれ電子ビーム散乱強度分布傘及びレジスト底面でのパ
ターン・エッジの温度とパターンの拡がりの関係を用い
て補正する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary of the Invention] During electron beam exposure, the expansion of the pattern due to electron beam scattering and the expansion of the pattern due to heat generation are determined by the electron beam scattering intensity distribution umbrella and the pattern on the bottom surface of the resist, respectively. - Correct using the relationship between edge temperature and pattern spread.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は電子ビーム露光方法に係り、特にマスク基板に
適用した場合に、′近接効果”及び1発熱”Kよってパ
ターンの拡がシが生ずることを補正して、高精度の電子
ビーム露光パターンを形成する方法に関するものである
The present invention relates to an electron beam exposure method, and in particular, when applied to a mask substrate, it corrects the pattern spreading caused by the 'proximity effect' and one heat generation 'K', thereby producing a highly accurate electron beam exposure pattern. It relates to a method of forming.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

電子ビーム露光によるパターン形成技術においては、パ
ターン精度の向上のためには、所謂、l近接効果”の補
正が不可欠である。
In pattern forming technology using electron beam exposure, correction of the so-called "proximity effect" is essential in order to improve pattern accuracy.

良く知られているように、近接効果は被露光物に塗布形
成されたレジスト層中での電子ビーム散乱(前方散乱)
、及び被露光物である基板からの電子ビーム散乱(後方
散乱)によって、描画後のレジスト・パターンが、電子
ビーム照射量(ターンより大きく拡がるという現象であ
る。との近接効果は、パターン間の間隔が2μm以下に
なると、結果的に、パターン形状の著しい歪をもたらし
、)くター/精度を低下させるという悪影響を顕著に与
えることになる。
As is well known, the proximity effect is caused by electron beam scattering (forward scattering) in the resist layer coated on the exposed object.
, and electron beam scattering (backscattering) from the substrate, which is the exposed object, causes the resist pattern after writing to spread out to a greater extent than the electron beam irradiation amount (turn). If the spacing is less than 2 μm, this will result in significant distortion of the pattern shape, resulting in a significant adverse effect of reducing pattern/accuracy.

この散乱によるレジスト中の電子ビーム露光強度分布は
、外部から照射するビーム中心からの距離Tの関数とし
て次式で表わされる。
The electron beam exposure intensity distribution in the resist due to this scattering is expressed by the following equation as a function of the distance T from the center of the beam irradiated from the outside.

(11式の第1項目の は塗布形成されたレジスト中での電子ビーム散乱;前方
散乱によって与えられるものであり、(11式の第2項 は被露光物である基板からの電子ビーム散乱;後方散乱
によって与えられるものである。
(The first term in Equation 11 is the electron beam scattering in the coated resist; it is given by forward scattering; (The second term in Equation 11 is the electron beam scattering from the substrate, which is the object to be exposed; It is given by backscatter.

なお、(1)式中のイ、B、Cは、それぞれ、レジスト
の厚みや基板材料等の条件によって定まる定数である。
Note that A, B, and C in formula (1) are constants determined by conditions such as the thickness of the resist and the material of the substrate.

また、電子ビームの散乱にもとづく上述の近接効果の他
に、放熱性の悪い基板を用いた場合に、レジスト中に熱
が蓄積し、パターンが拡がるという問題がある。これは
特にパターン寸法が大2例えば5ハ角以上のパターンに
対して顕著になる。
In addition to the above-mentioned proximity effect based on the scattering of electron beams, there is a problem in that when a substrate with poor heat dissipation is used, heat accumulates in the resist and the pattern spreads. This is particularly noticeable for patterns whose pattern dimensions are larger than 2, for example, 5 squares or more.

第6図は、ガラス基板上〈クロムを蒸着したクロム・マ
スク基板上にレジストを塗布し、電子ビーム描画により
パターンを形成する場合について、横軸にパターン幅、
縦軸に照射量をと9、照射量に対するパターン幅の拡が
シの関係を調べているもので、実線が電子ビームの散乱
だけを考慮した計算値であシ、一方丸印が実測値である
。図から明らかなように、パターンが大きくなるにつれ
て、計算値と実測値が合わなくなっている。その結果か
ら、5μm角以上のパターンでは、照射量に対するパタ
ーンの拡がシを(11式を描画パターンについて積分し
て得られるパターンの散乱露光強度分布で近似できない
ことがわかる。
Figure 6 shows the case where a resist is applied on a glass substrate (a chrome mask substrate on which chromium is vapor-deposited, and a pattern is formed by electron beam writing. The horizontal axis represents the pattern width;
The vertical axis represents the irradiation dose9, and the relationship between the expansion of the pattern width and the irradiation dose is investigated.The solid line is the calculated value considering only the scattering of the electron beam, while the circle is the actual value. be. As is clear from the figure, as the pattern becomes larger, the calculated values and actual values become less consistent. The results show that for patterns of 5 μm square or more, the spread of the pattern with respect to the irradiation amount cannot be approximated by the scattering exposure intensity distribution of the pattern obtained by integrating Equation 11 for the drawn pattern.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところが、従来の電子ビーム露光方法の場合には、前述
の近接効果の補正を行なうと共に、レジスト中の熱の蓄
積による影響をも補正することはできない。そのため、
従来においては、特にガラス基板上にクロムを蒸着した
クロム・マスク基板上にレジストを塗布し、電子ビーム
描画によりパターンを形成する場合等に、ガラス基板は
熱伝導が悪いためレジスト中に熱が蓄積し、パターンが
拡がるという問題がある。
However, in the case of the conventional electron beam exposure method, it is not possible to correct the above-mentioned proximity effect and also to correct the influence of heat accumulation in the resist. Therefore,
Conventionally, when a resist is applied on a chrome mask substrate with chromium vapor-deposited on a glass substrate and a pattern is formed by electron beam writing, heat accumulates in the resist because the glass substrate has poor thermal conductivity. However, there is a problem that the pattern expands.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明においては、以上のようなことから、マスク基板
に対する電子ビーム描画による高精度パターン形成のた
めには、電子ビーム散乱によるノくターンの拡がりと、
発熱によるパターンの拡がりの両方に対して補正する必
要があることに鑑み、近接効果及び発熱によるパターン
の拡がりを補正して高精度の電子ビーム露光パターンを
形成する方法を提供するものである。
In the present invention, from the above, in order to form a high-precision pattern by electron beam writing on a mask substrate, it is necessary to expand the nodules due to electron beam scattering,
In view of the need to correct for both pattern spread due to heat generation, the present invention provides a method for forming a highly accurate electron beam exposure pattern by correcting the proximity effect and pattern spread due to heat generation.

そのため本発明においては、電子ビームを試料上に照射
し、多数のパターンを描画する電子ビーム露光方法にお
いて、 電子ビーム散乱強度分布を用いて、各パターンのパター
ン・エッジの露光強度がレジストの現像エネルギ強度に
なる様に照射量と寸法補正量とを求め、 次に、該補正パターン寸法と照射量で描画した際の、レ
ジスト底面でのパターン・エッジの温度とパターンの拡
がシの関係を用いて、目的のパターン寸法になる照射量
と寸法補正量を算出し、該算出された照射量と寸法補正
量とに基づいて、電子ビーム描画を行なう。
Therefore, in the present invention, in an electron beam exposure method in which an electron beam is irradiated onto a sample to draw a large number of patterns, the electron beam scattering intensity distribution is used to calculate the exposure intensity of the pattern edge of each pattern based on the development energy of the resist. Determine the irradiation amount and dimension correction amount so that the intensity is the same, and then use the relationship between the temperature of the pattern edge at the bottom of the resist and the pattern expansion when drawing with the corrected pattern size and irradiation amount. Then, the irradiation dose and dimension correction amount that will result in the target pattern dimension are calculated, and electron beam lithography is performed based on the calculated irradiation dose and dimension correction amount.

〔作 用〕[For production]

本発明の方法によれば、各パターン・エッジの露光強度
がレジストの現像エネルギ強度になる様な照射量と寸法
補正量によシ、′近接効果”の補正をなし、次に該補正
パターン寸法と照射量で描画した際の、レジスト底面で
のパターン・エッジの温度とパターンの拡がりの関係を
用いて、目的のパターン寸法になる照射量と寸法補正量
を算出することによシ1近接効果”と共にぎ発熱による
拡がり“をも補正できるものである。
According to the method of the present invention, the ``proximity effect'' is corrected by adjusting the irradiation dose and dimension correction amount such that the exposure intensity of each pattern edge becomes the development energy intensity of the resist, and then the corrected pattern dimension By using the relationship between the temperature of the pattern edge at the bottom of the resist and the spread of the pattern when drawing with the irradiation amount, the irradiation amount and dimension correction amount that will result in the desired pattern size are calculated.1 Proximity effect It can also correct for "spreading due to joint heat generation."

〔実施例〕〔Example〕

第2図は、本発明の詳細な説明するためのパターンを示
している。
FIG. 2 shows a pattern for detailed explanation of the invention.

まず、第2図の各パターン(1)〜(3)の各辺の中点
(図の黒丸)にサンプル点を設定する。
First, sample points are set at the midpoints of each side of each pattern (1) to (3) in FIG. 2 (black circles in the figure).

パターン(1)の0点についてみると、0点の露光エネ
ルギ強度Eは次のようになる。
Looking at the 0 point of pattern (1), the exposure energy intensity E at the 0 point is as follows.

QrFC”+ )+QtF(rt ) +(hFcf”
s ) =E     −・・(2)ここで、(h〜Q
3は各パターン(])〜(3)の照射量であ’) 、’
I−rMは各パターンの中心からサンプル点■までの距
離であり、またF(rl)〜F(?’りは各パターンの
0点に及ぼす影響強度である。なお、これは他の各サン
プル点においても同様に成り立つ。
QrFC"+)+QtF(rt)+(hFcf"
s ) = E −... (2) Here, (h ~ Q
3 is the irradiation dose for each pattern (]) to (3)'),'
I-rM is the distance from the center of each pattern to sample point The same holds true for points.

(2)式において、F(r6)(i = 1 =3 )
は散乱強度分布式(1)を描画パターンについて積分す
ることにより得られる。これを模式的に第3図に示して
おシ、第2図のパターン(1)を描画した時の0点に関
する’(r+ ) =J”、ff(r)ds  を図解
するものである。
In formula (2), F(r6) (i = 1 = 3)
can be obtained by integrating the scattering intensity distribution equation (1) with respect to the drawing pattern. This is schematically shown in FIG. 3 to illustrate '(r+)=J'', ff(r)ds, regarding the zero point when pattern (1) in FIG. 2 is drawn.

そして、各サンプル点でのエネルギ強度が現像エネルギ
強度EDに等しくなるように補正量〔照射量Qi(i=
1〜3)と寸法補正量Sj (jは各パターンの各辺に
ついてのサフィックス;1〜12)〕を求める。
Then, the correction amount [irradiation amount Qi (i=
1 to 3) and the size correction amount Sj (j is a suffix for each side of each pattern; 1 to 12)] are determined.

パターン(1)の0点についてみると、(2)式の第2
項及び第3項、すなわち、パターン(2)及びパターン
(3)の照射による影響があるから、第2図のようなパ
ターン(1)に設定された通りの照射を行なうと(α)
点は現像エネルギ強度以上になり、その外側に現像エネ
ルギ強度の線が拡がって、得られるパターンが拡がって
しまう。そこで、上述のように照射fQ+と寸法補正量
S、とを求めてサンプル点((Z)点でのエネルギ強度
が現像エネルギ強度E0に等しくなるようにすれば良い
。すなわち、E=E0となるQ、とS、を求めてやる。
Looking at the 0 point of pattern (1), the second of equation (2)
Since there is an influence from the irradiation of the term and the third term, that is, pattern (2) and pattern (3), if the irradiation is performed as set in pattern (1) as shown in Figure 2, (α)
The point becomes higher than the development energy intensity, and the line of development energy intensity spreads outside the point, and the resulting pattern becomes wider. Therefore, as described above, the irradiation fQ+ and the size correction amount S can be determined so that the energy intensity at the sample point ((Z) point is equal to the development energy intensity E0. In other words, E=E0. I will find Q and S.

なお、これらのことがすべてのサンプル点で成立するよ
うにする。そして、その結果に基づき、第2図破線で示
すところの縮少した面積のパターンに照射することによ
シ、各サンプル点でのエネルギ強度がちょうど現像エネ
ルギ強度に等しくでき、近接した他のパターンからの散
乱による効果、すなわち近接効果を排除することができ
る。
Note that these things are made to hold true at all sample points. Based on the results, by irradiating a pattern with a reduced area as shown by the broken line in Figure 2, the energy intensity at each sample point can be made exactly equal to the developing energy intensity, and other patterns in the vicinity can be It is possible to eliminate the effects caused by scattering from the surrounding area, that is, the proximity effect.

なお、各サンプル点についての式(2)のEがE。とな
る様なQ+ 、 Qt 、Qs  と各サンプル点につ
いての縮小照射幅Sj(本実施例では各パターンの各辺
の中点について求めるので、1パターンについて4個。
Note that E in equation (2) for each sample point is E. Q+, Qt, Qs such that

各パターンfll〜(3)合計で12個)は、各サンプ
ル点について成立つ(2)式のEをEDとする連立方程
式を解くことにより求めることができる。
Each pattern fll~(3) 12 patterns in total) can be obtained by solving simultaneous equations in which E is ED in equation (2) that holds true for each sample point.

実際には、パターン(1)、 (21、(3)それぞれ
に当初、照射量Ch r (h + Qs Tが設計上
設定されているから、上記各連立方程式にこれらを用い
て連立方程式の解を求めれば良い。
Actually, since the radiation dose Ch (h + Qs T) is initially set for each of patterns (1), (21, and (3)), these are used in each of the above simultaneous equations to solve the simultaneous equations. All you have to do is ask for it.

次に、該補正パターン寸法と照射量で描画した際の、レ
ジスト底面でのパターン・エッジの温度とパターンの拡
がシの関係を用いて、目的のパターン寸法になる照射量
と寸法補正量とを算出する。
Next, using the relationship between the temperature of the pattern edge at the bottom of the resist and the pattern expansion when drawing with the corrected pattern dimensions and irradiation dose, calculate the irradiation dose and dimension correction amount to achieve the desired pattern dimensions. Calculate.

第4図G4)に、ガラス基板1にクロム2を0.1μm
蒸着したクロム・マスクにレジスト(PMMI)5を1
μmの厚さに塗布し、幅3μmのパターンを描画する場
合を表わし、図(B)にその場合のレジスト底面での温
度分布を示している。なお、電子ビームの照射量は4X
10  C(クーロン)/ffi”  となしており、
第4図(3)はシュミレーションで求めて偽る。
In Fig. 4 G4), 0.1 μm thick chromium 2 was applied to the glass substrate 1.
Add 5 parts of resist (PMMI) to the evaporated chrome mask.
The case is shown in which a pattern with a width of 3 μm is drawn by applying the resist to a thickness of μm, and FIG. 3B shows the temperature distribution at the bottom of the resist in that case. In addition, the irradiation amount of the electron beam is 4X
10 C (coulombs)/ffi”,
Figure 4 (3) is obtained by simulation and is faked.

この温度分布を用いて、パターンのエツジの温度がレジ
ストを変質させる温度t0以下になる様に寸法補正S0
を行なう。すなわち、第2図で3μm幅のパターンのエ
ツジ(ビームの中心カラ2=1.5μm)では、レジス
トを変質させる温度°t0以上の温度になっており、 z=1.5+50(μrlL) において、ちょうどレジストを変質させる臨界温度t0
になっている。したがって、電子ビームの照射幅を3μ
mより SOだけ狭くしてやれば、ちょうど予定のパタ
ーン・エッジのz=i、sμmで臨界温度t0になり、
発熱の温度によるパターンの拡がシを排除できる。これ
はパターン・エッジ近傍(1,5−5゜くz≦1.5+
50Cμm〕)で温度分布が直線近似できることに基づ
く。
Using this temperature distribution, the dimension correction S0 is made so that the temperature of the edge of the pattern is below the temperature t0 that changes the quality of the resist.
Do the following. That is, in Fig. 2, at the edge of the 3 μm wide pattern (beam center collar 2 = 1.5 μm), the temperature is higher than °t0, the temperature that alters the resist, and at z = 1.5 + 50 (μrlL), The critical temperature t0 that just changes the quality of the resist
It has become. Therefore, the irradiation width of the electron beam is set to 3 μ
If we make SO narrower than m, the critical temperature t0 will be exactly at the planned pattern edge z = i, s μm,
It is possible to eliminate pattern expansion due to heat generation temperature. This is near the pattern edge (1,5-5° z≦1.5+
This is based on the fact that the temperature distribution can be linearly approximated with 50Cμm].

実際の補正にあたっては、この発熱によるパターンの拡
がりを補正する寸法補正量S。jcj”1〜12;各パ
ターンの各辺のサンプル点く対応スルサツイツクス)を
各種パターンについて、第2図と同様な温度分布計測結
果を用いて算出する。その温度分布計測は、あらかじめ
、当該マスク基板に種々の幅及び照射量の電子ビームを
照射した場谷について、実測又はシュミレーションで求
めておき、これを用いる。
In actual correction, the dimension correction amount S is used to correct the expansion of the pattern due to this heat generation. 1 to 12; sample points on each side of each pattern) are calculated for various patterns using temperature distribution measurement results similar to those shown in Fig. 2.The temperature distribution measurement is performed in advance on the mask substrate. The field values obtained by irradiating electron beams with various widths and irradiation doses are determined by actual measurements or simulations, and are used.

または、以上のように照射の面積を縮小する代りに、照
射量の方を少なくすることによシ、パターンのエツジの
温度がレジストを変質させる温度t0以下になる様にす
ることも可能である。
Alternatively, instead of reducing the irradiation area as described above, it is also possible to reduce the irradiation amount so that the temperature at the edge of the pattern falls below t0, the temperature at which the resist deteriorates. .

なお、レジストを変質させる温度t0は、レジストの種
類により異なるが、これは実験によシ求める。
Note that the temperature t0 at which the resist changes in quality varies depending on the type of resist, and is determined through experiments.

以上のようにして、各種パターンについて温度分布ヲシ
ュミレーションし、発熱によるパターンの拡がシを補正
する寸法補正量S。jを算出する。
As described above, the temperature distribution of various patterns is simulated, and the size correction amount S is calculated to correct pattern expansion due to heat generation. Calculate j.

第1図に先に示した第2図のパターンについて、電子ビ
ームの散乱による拡がシの補正(照射量Qiv寸法補正
S、)に加えて発熱による拡がりを補正し寸法50j縮
小した例を表わしている。図の例では、パターン(1)
は面積が大であり発熱による拡がりの補正(Sos)が
なされるが、パターン(2)、パターン(3)は面積が
小であって、発熱による拡がシの補正が必要でない場合
を表わしている。
Fig. 1 shows an example in which the pattern shown in Fig. 2 previously shown is reduced in dimension by 50j by correcting the spread due to heat generation in addition to correcting the spread due to scattering of the electron beam (dose Qiv dimension correction S,). ing. In the example shown, pattern (1)
Patterns (2) and (3) represent cases where the area is small and correction of the spread due to heat generation is not required (Sos) because the area is large and the spread due to heat generation is corrected (Sos). There is.

第5図に、本発明の実施に用いる装置構成例を表わして
いる。図において、電子ビーム露光装置の本体11は、
電子銃12、収束電子レンズ系3、xy偏向器14を有
し、細く絞られた電子ビーム20をレジストが塗布され
た試料(基板)15に照射するもので、それ自体既知の
ものである。試料15上の電子ビーム20のスポット位
置妊、電子計算(1116カラのパターン・データで、
DA変換器17゜増幅器18を介して、XY偏向器14
を駆動することによって制御される。電子ビーム20は
電子計算機16からの信号に応じてブランキング装置に
よって試料5へ照射される。
FIG. 5 shows an example of the configuration of an apparatus used to implement the present invention. In the figure, the main body 11 of the electron beam exposure apparatus is
It has an electron gun 12, a converging electron lens system 3, and an xy deflector 14, and irradiates a sample (substrate) 15 coated with a resist with a narrowly focused electron beam 20, which is known per se. Spot position of electron beam 20 on sample 15, electronic calculation (1116 color pattern data,
XY deflector 14 via DA converter 17° amplifier 18
Controlled by driving. The electron beam 20 is irradiated onto the sample 5 by a blanking device in response to a signal from the electronic computer 16.

本発明において、実際上、第5図のごとき装置を用いる
場合、上記照射量と寸法補正量とは、パターン・データ
作成時に上述のごとき計算により決定してしまい、その
補正データを電子計算機16に格納しておく。そして、
試料15の露光に際し、電子計算機16によって、XY
偏向器14を駆動し、ヒーム・スポットを歩進させ、所
定のパターンを塗シ潰すように照射して描画を行なう。
In the present invention, when actually using the apparatus as shown in FIG. Store it. and,
When exposing the sample 15, the electronic computer 16
The deflector 14 is driven to advance the beam spot, and irradiation is performed so as to cover a predetermined pattern.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上に説明したように、本発明によれば、近接効果及び
発熱によるパターンの拡がりの両方を補正することがで
きるから、マスク基板に対する電子ビーム描画に際し、
高精度の電子ビーム露光パターンを形成することが可能
になる。
As explained above, according to the present invention, both the proximity effect and pattern spreading due to heat generation can be corrected, so when performing electron beam writing on a mask substrate,
It becomes possible to form highly accurate electron beam exposure patterns.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例のパターン図、第2図及び第3
図は本発明の実施例のパターンについての説明図、 第4図(2)及びω)はパターン・エッジの温度とパタ
ーンの拡がりの関係を示すためのマスク基板断面図及び
温度分布を示す線図、 第5図は本発明を実施するための装置例の概要図、 第6図はパターン幅と照射量を示す図である。 11・・・露光装置の本体 12・・・電子銃 13・・・収束電子レンズ系 14・・・XY偏向器 15・・・試料 16・・・電子計算機 17・・・DA変換器 18・・・増幅器 20・・・電子ビーム
Figure 1 is a pattern diagram of an embodiment of the present invention, Figures 2 and 3 are
The figure is an explanatory diagram of the pattern of the embodiment of the present invention. Figure 4 (2) and ω) is a cross-sectional view of the mask substrate showing the relationship between the temperature of the pattern edge and the spread of the pattern, and a diagram showing the temperature distribution. , FIG. 5 is a schematic diagram of an example of an apparatus for implementing the present invention, and FIG. 6 is a diagram showing pattern width and irradiation amount. 11...Main body of exposure apparatus 12...Electron gun 13...Converging electron lens system 14...XY deflector 15...Sample 16...Electronic computer 17...DA converter 18...・Amplifier 20...electron beam

Claims (1)

【特許請求の範囲】  電子ビームをレジストを塗布した試料上に照射して、
複数のパターンを描画する電子ビーム露光方法において
、 各パターンのエッジにサンプル点を設定し、該各サンプ
ル点の露光強度が所定の現像エネルギ強度になるように
照射量と寸法補正量を電子ビーム散乱強度分布を用いて
求め、 次に、該照射量と寸法補正量に基づいて描画する場合の
レジスト底面でのパターン・エッジの温度とパターンの
拡がりの関係を用いて、目的のパターン寸法になる照射
量と寸法補正量を算出し、該算出された照射量と寸法補
正量に基づいて電子ビーム描画を行なうことを特徴とす
る電子ビーム露光方法。
[Claims] Irradiating an electron beam onto a sample coated with a resist,
In an electron beam exposure method that draws multiple patterns, a sample point is set at the edge of each pattern, and the irradiation amount and dimension correction amount are determined by electron beam scattering so that the exposure intensity of each sample point becomes a predetermined development energy intensity. This is determined using the intensity distribution, and then the relationship between the temperature of the pattern edge at the bottom of the resist and the spread of the pattern when writing based on the irradiation amount and the amount of dimension correction is used to determine the irradiation to achieve the desired pattern size. 1. An electron beam exposure method characterized by calculating an amount of irradiation and a dimensional correction amount, and performing electron beam writing based on the calculated irradiation amount and dimensional correction amount.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04307723A (en) * 1991-01-24 1992-10-29 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Proximity-effect correcting method for electron beam lithography
JP2017092467A (en) * 2015-11-04 2017-05-25 ディー・ツー・エス・インコーポレイテッドD2S, Inc. Method and system for forming patterns using shaped beam lithography including temperature effects

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04307723A (en) * 1991-01-24 1992-10-29 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Proximity-effect correcting method for electron beam lithography
JP2017092467A (en) * 2015-11-04 2017-05-25 ディー・ツー・エス・インコーポレイテッドD2S, Inc. Method and system for forming patterns using shaped beam lithography including temperature effects

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