JPS61190337A - マスクアライメント装置 - Google Patents

マスクアライメント装置

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JPS61190337A
JPS61190337A JP60032065A JP3206585A JPS61190337A JP S61190337 A JPS61190337 A JP S61190337A JP 60032065 A JP60032065 A JP 60032065A JP 3206585 A JP3206585 A JP 3206585A JP S61190337 A JPS61190337 A JP S61190337A
Authority
JP
Japan
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distribution
light
light amount
shutter
exposure
Prior art date
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Pending
Application number
JP60032065A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoharu Yamashita
清春 山下
Keizaburo Kuramasu
敬三郎 倉増
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60032065A priority Critical patent/JPS61190337A/ja
Publication of JPS61190337A publication Critical patent/JPS61190337A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はフォトリソ技術により、ホトマスクのパターン
を基板上のホトレジスト膜に露光して焼き付けるマスク
アライメント装置に関するものである。
従来の技術 従来、フォトリソ技術に用いるマスクアライメント装置
として広く一般的に用いられているものは、第6図に示
すような構成のマスクアライメント装置であり、露光用
光源1、マスクホルダー2、アライナ−303点が主要
な構成要素であった。
すなわちマスクホルダー2にホトマスク4を真空吸着に
より固定し、アライナ−3の半球面を有する基板ホルダ
ー6上に7オトレジスト膜(図示せず)を塗布した基板
6を真空吸着により固定する。次にアライナ−3を調整
してホトマスク4のパターン(図示せず)と基板6.S
るいは基板e上のパターン(図示せず)との位置調整を
行い、基板6とホトマスク4とを密着あるいは、一定の
透き間を設けて平行状態にした後、露光用光源1内の水
銀ランプ7で発生した紫外光(図示せず)をレンズ8.
ミラー9.レンズ10を通過させることにより、光量の
均一化された紫外光11を形成し、光路上に設けた光の
通路を開閉するンヤッタ12を一定時間だけ開くことに
より、露光面13に紫外光11を照射(以下では露光と
呼ぶ)し、ホトマスク4のパターンを基板6上のフォト
レジスト膜に焼き付けを行うものである。(例えば、楢
岡清威・二瓶公志「フォトエツチングと微細加工」(昭
和52.5.10)、工学図書、P29〜32)発明が
解決しようとする問題点 しかし、このような従来の構成では、一定時間露光した
時の露光面13の積算光量(一定時間露光した時の合計
の光量)の分布は、レンズ8,1゜の仕上シ精度及び水
銀ランプ7の取付位置にょシ決まり、積算光量の分布の
均一化に限界があった。
特にホトマスク4と基板6との間に透き間を設けて露光
を行うプロキシミティ法等においては、顕著でありホト
マスク4のパターンに対スるフォトレジスト膜のパター
ンが、積算光量の分布バラツキにより大きな差を生じパ
ターン焼き付は上の大きな問題点となっていた。これは
下記の理由による。
つまり、プロキシミティ法等においては、第6図に示す
ように、ホトマスク4と基板6との間に透き間を設けて
一定時間露光を行うが、フォトレジスト膜としてポジレ
ジスト膜14を使用した場合、露光及び現像後のポジレ
ジスト膜14のパターンとしては、紫外光11の積算光
量が大きい場合は第6図ム、小さい場合は第6図Bのよ
うな、ポジレジスト膜14のパターン(ム: w2(B
 : w2 )が形成される。このような積算光量の違
いが、同一の露光面内で発生した場合、ホトマスク4の
パターン幅w1とポジレジスト膜14のパターン幅W2
に差が生じ、同一の露光面内のパターン@W2にバラツ
キを生じる原因となっていた。
なお、このことは大面積の露光面を必要とするサーマル
ヘッドやイメージセンサ−(ファクシミリ等の記録部及
び読み取り部に使用する部品)を製作する上での大きな
問題となっている。
サーマルヘッドは第7図に示すように、ガラスグレーズ
層15を施した基板16上に複数の発熱体列17(たと
えば、ム4サイズ、発熱体密度8本/mHサーマルヘッ
ドの場合、2161111幅で1664個の発熱体が形
成されている。)をフォトエツチングにより形成してい
る。なお、発熱体の抵抗値の)は、発熱体材料の表面抵
抗(ps> と発熱体寸法比C1/w、lは発熱体長さ
、Wは発熱体幅)の積(R=psxl/w)で決まシ、
発熱体寸法比(発熱体寸法比は、フォトエツチング時の
7オトレジストパタ一ン寸法で決まる。)が、発熱体列
17の中でバラツキを生じると、抵抗値バラツキを生じ
、サーマルヘッドの印字品質を低下させる原因となっテ
ィア’c。マタ、前述したようにサーマルヘッドヤイメ
ーシセンサーは大面積でファインパターンを形成するた
め、露光用光源1内のレンズ10は直径300■以上で
高精度のレンズが要求されるため、積算光量の分布が均
一なマスクアライメント装置は非常に高価であった。さ
らにこのような高価なマスクアライメント装置を用いて
も次の理由により抵抗値分布の均一なサーマルヘッドを
製作することができなかった。発熱体材料は、蒸着・ス
パッタリング等により形成されるため、製作ロフトによ
シ基板間・基板内での表面抵抗の分布は異なるが、発熱
体寸法比は、マスクアライメント装置の積算光量の分布
で決まるマスクアライメント装置固有の分布であシ、発
熱体材料の表面抵抗の分布が異なるために積算光量を一
定にして発熱体寸法比を一定にしても一定した抵抗値分
布のサーマルヘッドを製作することができなかった。
なお、イメージセンサ−の場合も同様である。
(イメージセンサ−の場合は、サーマルヘッドの発熱体
列が受光面に相当し、受光面積が異なることにより出力
にバラツキを生じる。) 本発明は、このような問題点を解決するもので、露光面
の積算光量の分布を均一化と、任意の積算光量の分布に
補正することにより、ホトレジスト膜のパターン寸法の
均一化と、パターン寸法を任意に補正することを目的と
するものである。
問題点を解決するための手段 前記問題点を解決するだめの本発明は、露光面の積算光
量の分布を調整する光量調整用シャッターを、前記露光
面と露光用光源間に設けたものである。
作用 この構成により、露光面の積算光量の分布を均一化する
と共に、任意の積算光量の分布に補正することが可能と
なり、ホトレジスト膜のパターン寸法の均一化および、
任意のパターン寸法への補正を可能とするものである。
実施例 以下本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例によるマスクアライメント装
置の概略図であり、第2図は光量調整用シャッターと露
光面の関係を示す概略図をそれぞれ示す。
マスクアライメント装置は第1図に示すように、露光用
光源1、光量調整用シャッター21、マスクホルダー2
、アライナ−3の4点が主要な構成要素である。なお第
1図において第6図の従来例と同番号を付した構成の作
用は従来例の内容と同じであシ説明は省略する。
第1図において従来例と異なる点は、露光用光源1と露
光面13の間に光量調整用シャッター21を設けたこと
である。この光量調整用シャッター21は第2図に示す
ように、複数に分割された各々シャッター板22の集ま
シであり、第1図に示す露光用光源1に内蔵したシャッ
ター12に連動あるいは単独で各々のシャッター板22
の開閉時間を調整して、紫外光11の露光面13への露
光時間を調整することができる構成となっている。
次に光量調整用シャッター21を形成する複数のシャッ
ター板22と露光面13の関係を第2図を用いて説明す
る。第2図において、22は複数のシャッター板であり
紫外光11の露光面13への光路を開閉する。4はホト
マスク、6はフォトレジスト膜(図示せず)を塗布した
基板であり、第2図ムは全部のシャッター板22が開い
た状態を示し、第2図Bは部分的にシャッター板22が
開いた状態を示し、第2図Gは全部のシャッター板22
が閉じた状態を示す。
第2図ム〜Cに示すように複数に分割され各々任意に開
閉するシャッター板22を設けることにより、露光面1
3の積算光量の分布は各々のシャッター板22の開閉時
間を初期(シャッター板22がすべて開状態で一定時間
露光した時)の積算光量の分布に応じて、第2図Bに示
すように任意に調整することによシ露光時間を調整し、
均一化された積算光量で露光面13を露光するものであ
る。
次に、この一実施例の構成における作用を第3図を用い
て説明する。第3図は光量調整用シャッターを使用した
場合と使用しない場合の露光面の積算光量の分布を示す
第3図において、23は第6図に示す従来例の場合の積
算光量の分布を示し、24は本実施例の光量調整用シャ
ッター21を使用した場合であり、積算光量の分布が均
一になるように露光時間を第2図に示す各々のシャッタ
ー板22の開閉時間により調整した積算光量の分布を示
す。
第3図から判るように、光量調整用シャッター21を使
用しない場合の積算光量の分布は、露光面の中心部で小
さく両端で大きいが、光量調整用シャッター21を使用
した場合は、露光面全体でほぼ均一な分布であシ、第6
図に示す積算光量とレジストパターンの関係より、露光
面の積算光量の分布を均一化すると、レジストパターン
寸法も均一化することができる。
次に、この一実施例の構成における他の作用を第4図を
用いて第7図で説明したサーマルヘッドの基板内の表面
抵抗の異なる場合の補正について説明する。
第4図において、26は発熱体材料の基板内の表面抵抗
(pg)の分布バラツキについて基板中心を零として示
し、26は光量調整用シャッター21を用いて発熱体寸
法比(l!/w )の分布バラツキが、表面抵抗の分布
26に対して相反する分布バラツキになるように積算光
量の分布を補正した時の発熱体寸法比(77w ’)の
分布バラツキを示す。27は表面抵抗(pg)の分布2
6と発熱体寸法比の分布26より形成される第7図の発
熱体列17の抵抗値CR=psxl/W)の分布を示す
第4図から判るように、光量調整用シャッター21を用
いて、積算光量の分布を補正することにより、発熱体寸
法比(//W )の分布バラツキ26を表面抵抗の分布
バラツキ26に対して相反する分布バラツキにすること
は、積算光量の分布を調整して補正を行い、第6図に示
す積算光量とレジストパターンの関係より可能である。
このことは表面抵抗の分布バラツキ26と発熱体寸法比
の分布バラツキ26を互いに相殺することにより均一な
発熱体列17の抵抗値分布27を有するサーマルヘッド
を実現することができるものである。
以上本実施例では、第1図に示す光量調整用シャッター
21を設けることにょシ、露光面の積算光量の分布を均
一化すると共に、任意の積算光量の分布に補正すること
が可能となり、ホトレジスト膜のパターン寸法の均一化
および任意のパターン寸法への補正を可能とするもので
あり、大面積の露光面を必要とするサーマルヘッドやイ
メージセンサ−等の抵抗値分布や、受光面積の均一化を
図ることができる。
また第2図のシャッター板22をさらに多数のシャッタ
ー板に分割することにょシ、さらに均一な補正を行なう
ことができると共に、シャッター板22の形状は露光面
の形状および露光分布や目的とするパターン形状に応じ
て任意に設定することもできる。
さらに、光量調整用シャッター21としてフィルム・ガ
ラス等の透明板上に、透過率の異なる遮光膜を積算光量
の分布に応じて形成しても同様の効果を得ることができ
る。
なお露光用光源として水銀ランプを用いたが、他の露光
用光源を用いても同様の効果を有することはいうまでも
ない。
発明の効果 以上のように本発明によれば、マスクアライメント装置
において、露光面の積算光量の分布を調整する光量調整
用シャッターを、前記露光面と露光用光源間に設けるこ
とによシ、露光面の積算光量の分布を調整することがで
きる。
すなわち前記光量調整用シャッターによシ露光面の積算
光量の分布を調整して、露光面の積算光量の分布を均一
化すると共に、任意の積算光量の分布に補正することが
可能となり、ホトレジスト膜のパターン寸法の均一化お
よび、任意のパターン寸法への補正を可能とする効果を
有するものである。
また大面積の露光面を必要とするサーマルヘッドやイメ
ージセンサ−等の抵抗値分布や、受光面積を均一化する
ことができる等の効果を有すると共に、積算光量の分布
が均一で安価なマスクアライメント装置を提供するもの
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例におけるマスクアライメント
装置の概略図、第2図五〜Gは光量調整用シャッターと
露光面の関係を示す概略図、第3図は従来例と実施例に
おける露光面の積算光量の分布を示す図、第4図はサー
マルヘッドの均一な抵抗値分布を得る補正方法を示した
図、第6図は従−来のマスクアライメント装置の概略図
、第6図は積算光量とレジストパターンの関係を示す断
面図、第7図はサーマルヘッドの構成を示す斜視図であ
る。 1・・・・・・露光用光源、2・・・・・・マスクホル
ダー、3・・・・・・アライナ−14・・・・・・ホト
マスク、6・・・・・・基板、7・・・・・・水銀ラン
プ、11・・・・・・紫外光、13・・・・・・露光面
、21・・・・・・光量調整用シャッター、22・・・
・・・シャッター板。 第3図 左         中心         石露光面 第4図 、露光面 第5図 第6図 (A) (B) 第7図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)露光面の積算光量の分布を調整する光量調整用シ
    ャッターを、前記露光面と露光用光源間に設けたマスク
    アライメント装置。
  2. (2)光量調整用シャッターを複数のシャッター板で構
    成した特許請求の範囲第1項記載のマスクアライメント
    装置。
JP60032065A 1985-02-20 1985-02-20 マスクアライメント装置 Pending JPS61190337A (ja)

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JP60032065A JPS61190337A (ja) 1985-02-20 1985-02-20 マスクアライメント装置

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JP60032065A JPS61190337A (ja) 1985-02-20 1985-02-20 マスクアライメント装置

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JPS61190337A true JPS61190337A (ja) 1986-08-25

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JP60032065A Pending JPS61190337A (ja) 1985-02-20 1985-02-20 マスクアライメント装置

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JP (1) JPS61190337A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2371572A1 (en) 2010-03-30 2011-10-05 Fujifilm Corporation Image forming method
US10748761B2 (en) 2018-09-05 2020-08-18 Toshiba Memory Corporation Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2371572A1 (en) 2010-03-30 2011-10-05 Fujifilm Corporation Image forming method
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