JPS61185077A - ブリツジインバ−タ回路 - Google Patents
ブリツジインバ−タ回路Info
- Publication number
- JPS61185077A JPS61185077A JP60025736A JP2573685A JPS61185077A JP S61185077 A JPS61185077 A JP S61185077A JP 60025736 A JP60025736 A JP 60025736A JP 2573685 A JP2573685 A JP 2573685A JP S61185077 A JPS61185077 A JP S61185077A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor switch
- semiconductor
- switch
- diode
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/5387—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本尾明はブリッジ接続さ７１．を半導淳スイッチの交互
導通にエフ直流を源から交流電圧を出力するブリッジイ
ンバータ回路に関する。
導通にエフ直流を源から交流電圧を出力するブリッジイ
ンバータ回路に関する。
’ｊＪＡ Ｅ５図はブリッジインバータ回路の基本回路
を示し、同図において、（１）は＠１１半導スイッチ、
（２）は第２半導渾スイッチ、１３１ Ｖｉ第３半導体
スイッチ、（４）は第４半導体スイッチで、こ几らはト
ランジスタにＬり構成さｎている。（６１は１００ｖ〜
２００Ｖの直流電源、（６１は員肯である。ｍ１半導体
スイッチ（１）及び第２半導体スイッチ＋２１はｌ［流
電源（５）のマイナスｔｉｌｌに接続され、第３３半導
スイッチ（３）及び第４半導体スイッチ＋４１は直流電
＊ ｔ６＋のプラス調ＶＣ接続さｎている。
を示し、同図において、（１）は＠１１半導スイッチ、
（２）は第２半導渾スイッチ、１３１ Ｖｉ第３半導体
スイッチ、（４）は第４半導体スイッチで、こ几らはト
ランジスタにＬり構成さｎている。（６１は１００ｖ〜
２００Ｖの直流電源、（６１は員肯である。ｍ１半導体
スイッチ（１）及び第２半導体スイッチ＋２１はｌ［流
電源（５）のマイナスｔｉｌｌに接続され、第３３半導
スイッチ（３）及び第４半導体スイッチ＋４１は直流電
＊ ｔ６＋のプラス調ＶＣ接続さｎている。
このインバータ回路では、半導体スイッチｉｌｌ ＋２
１．２）はエミッタが電源（５）のマイナス境そと接続
さｎている為、ｍ６図に示す工すに半導体スイッチ（７
）１８１を設けることにぶり、第１及び第２半導体スイ
ッチｔｌ） １２１ ｔ−オン、オンできるが、第３及
び第４半導体スイッチ＋３１ ＋＋＋ ｎ ｔ ＃＋６
＋ ｖｃ工ってオン、オンすることは困難であり、通常
第７図に示す如ぐドライブ用のｔ源ｔ９１ ｔｌｏｌ
ｋ別に設けている（第１及び第２半導体スイッチｉｌ＋
１２１のドライブ用としても約１０Ｖ程度の別を源を
設けることが多い、４）。又ドライブ用の半導体スイッ
チ（７１１Ｂ＋ Ｖｌｉｔ Ｌ１２１１にオン、オンさ
せる制御回路α３の電＃は直流ｔ＃α４エリ得ているこ
とが多い。半導体スイッチ（７１１８１ｉオン、オンさ
せる信号は、を源１６１ Ｑ４１の一端が接続さｎてい
る為、第８図に示す工うな回路横取に工って容易に得ら
ｎるが、半導体スイッチ１３１ ＋４１ ｔオン、オン
させるには、制御回路侶の電源α４と電＃１９１ ｔｌ
ｏＩとが直接接続さｎていない為、従来フォトカプラー
Ｊ５＋やトランス等を用い絶縁してオン、オンさせてい
ｔｏ〔発明が解決しエリとする問題点〕 従って、従来ではフォトカプラ等を要し回′ｆ＠ｍ成が
非常に複雑で、製造費も高く付いｔ０Ｘ発明は上記間ｍ
点に鑑み、フォト力プラーヤトランス等を用いず簡単な
回路横取で、プラス側の半導淳スイッチ金マイナス側の
半導体スイッチに対応して確実にオン、オンし得る二う
にしｔものである。
１．２）はエミッタが電源（５）のマイナス境そと接続
さｎている為、ｍ６図に示す工すに半導体スイッチ（７
）１８１を設けることにぶり、第１及び第２半導体スイ
ッチｔｌ） １２１ ｔ−オン、オンできるが、第３及
び第４半導体スイッチ＋３１ ＋＋＋ ｎ ｔ ＃＋６
＋ ｖｃ工ってオン、オンすることは困難であり、通常
第７図に示す如ぐドライブ用のｔ源ｔ９１ ｔｌｏｌ
ｋ別に設けている（第１及び第２半導体スイッチｉｌ＋
１２１のドライブ用としても約１０Ｖ程度の別を源を
設けることが多い、４）。又ドライブ用の半導体スイッ
チ（７１１Ｂ＋ Ｖｌｉｔ Ｌ１２１１にオン、オンさ
せる制御回路α３の電＃は直流ｔ＃α４エリ得ているこ
とが多い。半導体スイッチ（７１１８１ｉオン、オンさ
せる信号は、を源１６１ Ｑ４１の一端が接続さｎてい
る為、第８図に示す工うな回路横取に工って容易に得ら
ｎるが、半導体スイッチ１３１ ＋４１ ｔオン、オン
させるには、制御回路侶の電源α４と電＃１９１ ｔｌ
ｏＩとが直接接続さｎていない為、従来フォトカプラー
Ｊ５＋やトランス等を用い絶縁してオン、オンさせてい
ｔｏ〔発明が解決しエリとする問題点〕 従って、従来ではフォトカプラ等を要し回′ｆ＠ｍ成が
非常に複雑で、製造費も高く付いｔ０Ｘ発明は上記間ｍ
点に鑑み、フォト力プラーヤトランス等を用いず簡単な
回路横取で、プラス側の半導淳スイッチ金マイナス側の
半導体スイッチに対応して確実にオン、オンし得る二う
にしｔものである。
この技術的裸ｉｔ解決する本発明の技術手段は、直流型
＃ｔ５）にブリッジ接続さｒＬ九マイナス側の第１及び
第２半導体スイッチｌｔ１１１とプラス側の第３及び第
４半導坏スイツチｉ３＋ ＋４１と金備え、第１及び第
４半導体スイッチ（Ｉｌ１４＋と第２及び第３中導体ス
イッチ＋２１１３１との交互導通に二〇、第１及び累３
半 ′導体スイッチｉ１１１３１の接続点と第２及び
第４半導体スイッチ＋２１１４１の接続点との間に、交
流電圧を出力する工うにしたブリッジインバータ回路に
おいて、第３及び第４半導坏スイツチ＋３）（４）の各
ベースに、ベース電流を供給するＵｉ電源α８ＮｌｌＪ
が抵抗ハａｌｌ ｋ介して夫々接続さル、第１半導体ス
イッチｉｌｌのオン時に第３半導体スイッチ（３）への
ベース１ｉ流を阻止するＬうに前記直流［原端から第１
半導体スイッチ（１）へ電流を流すダイオード勾と、第
２半導体スイッチ、２）のオン時に第４半導体スイッチ
（４）へのベース電流を阻止する工うに前記直流′電源
りから第２半導体スイッチ＋２１へ電流を流すダイオー
ド崗とが、桑３及び＠４４半導スイッチｔ３１ ＋４１
のベース側と第１及び第２半導体スイッチｆｉｌ ＋２
１との間に夫々接続さｒしている点にある。
＃ｔ５）にブリッジ接続さｒＬ九マイナス側の第１及び
第２半導体スイッチｌｔ１１１とプラス側の第３及び第
４半導坏スイツチｉ３＋ ＋４１と金備え、第１及び第
４半導体スイッチ（Ｉｌ１４＋と第２及び第３中導体ス
イッチ＋２１１３１との交互導通に二〇、第１及び累３
半 ′導体スイッチｉ１１１３１の接続点と第２及び
第４半導体スイッチ＋２１１４１の接続点との間に、交
流電圧を出力する工うにしたブリッジインバータ回路に
おいて、第３及び第４半導坏スイツチ＋３）（４）の各
ベースに、ベース電流を供給するＵｉ電源α８ＮｌｌＪ
が抵抗ハａｌｌ ｋ介して夫々接続さル、第１半導体ス
イッチｉｌｌのオン時に第３半導体スイッチ（３）への
ベース１ｉ流を阻止するＬうに前記直流［原端から第１
半導体スイッチ（１）へ電流を流すダイオード勾と、第
２半導体スイッチ、２）のオン時に第４半導体スイッチ
（４）へのベース電流を阻止する工うに前記直流′電源
りから第２半導体スイッチ＋２１へ電流を流すダイオー
ド崗とが、桑３及び＠４４半導スイッチｔ３１ ＋４１
のベース側と第１及び第２半導体スイッチｆｉｌ ＋２
１との間に夫々接続さｒしている点にある。
■直流電源で、第３及び第４半導体スイッチ１３）（４
）のベースに夫々抵抗２１１囚＝ｆ ｊｒ Ｌで接続さ
几、半導体スイッチ（３）（４）にベース［流を供給す
る。翰：笥例６・薇＠はダイオードで、ダイオード−は
第３半導体スイッチ（３１０ベース側と＠１１半導スイ
ッチｔｌ）との間に接続さｆｌ、ｍ１半導体スイッチ（
１）のオン時に第３半導体スイッチ（３）へのベース電
流ｋ１５ｆｌ止する工つに直流電源端から第１半導坏ス
イツチ（ＩＩへ電流を流す。ダイオード囚は第４半導体
スイッチ（４）のベース側と第２半導坏スイツチ（２）
との間に接続さ１％第２半導体スイッチ、２）のオ、ン
時に第４半導体スイッチ（４）へのベース１！流を阻止
する工うに直流を源α９から第２半導体スイッチ＋２１
へ′電流を流す口なお、第１半導体スイッチ＋１１及び
第２半導体スイッチ＋２１は図示省略の制御回路にエフ
従来と同様に交互導通する工うにオンオン制御さｎる。
）のベースに夫々抵抗２１１囚＝ｆ ｊｒ Ｌで接続さ
几、半導体スイッチ（３）（４）にベース［流を供給す
る。翰：笥例６・薇＠はダイオードで、ダイオード−は
第３半導体スイッチ（３１０ベース側と＠１１半導スイ
ッチｔｌ）との間に接続さｆｌ、ｍ１半導体スイッチ（
１）のオン時に第３半導体スイッチ（３）へのベース電
流ｋ１５ｆｌ止する工つに直流電源端から第１半導坏ス
イツチ（ＩＩへ電流を流す。ダイオード囚は第４半導体
スイッチ（４）のベース側と第２半導坏スイツチ（２）
との間に接続さ１％第２半導体スイッチ、２）のオ、ン
時に第４半導体スイッチ（４）へのベース１！流を阻止
する工うに直流を源α９から第２半導体スイッチ＋２１
へ′電流を流す口なお、第１半導体スイッチ＋１１及び
第２半導体スイッチ＋２１は図示省略の制御回路にエフ
従来と同様に交互導通する工うにオンオン制御さｎる。
次に初作を説明する。第１半導体スイッチｉｌ）がオン
のとき、第２図に示す如く第３半導坏スイツチ（３１に
直流電源Ｑ８エリ抵抗渕を弁してベース電流ＸＢ が流
ｎ、該半導体スイッチ＋３１がオンしている。
のとき、第２図に示す如く第３半導坏スイツチ（３１に
直流電源Ｑ８エリ抵抗渕を弁してベース電流ＸＢ が流
ｎ、該半導体スイッチ＋３１がオンしている。
第１半導体スイッチｆｌ）がオンすると、ダイオード＠
−がオンし、抵抗渕を介して流ｎてい友電流はダイオー
ド＠−を介して流ｎ、、ｉ３半導体スイッチ＋３１への
ペース′邂流より は流ルなくなって、第３半４にスイ
ッチ（３１はオンする。即ち、第２図に示子息（ｂ）の
電圧は点（ａ） ’ｌ−基準として約ＱＶこなる（Ａ（
Ｃ）＃ｔ −０，６Ｖ、 ！（１））ｔ：Ｅ −０，６
Ｖ ＋ ０．６ Ｖ＝ □ ｖ）。
−がオンし、抵抗渕を介して流ｎてい友電流はダイオー
ド＠−を介して流ｎ、、ｉ３半導体スイッチ＋３１への
ペース′邂流より は流ルなくなって、第３半４にスイ
ッチ（３１はオンする。即ち、第２図に示子息（ｂ）の
電圧は点（ａ） ’ｌ−基準として約ＱＶこなる（Ａ（
Ｃ）＃ｔ −０，６Ｖ、 ！（１））ｔ：Ｅ −０，６
Ｖ ＋ ０．６ Ｖ＝ □ ｖ）。
また、同様にして第２半導′淳スイツチ、２）がオンの
とき、第４半導体スイッチ（４）に直流′を源（ＩＥＩ
エワ抵抗２１１ ｉ介してベース電流よりが流ル、該半
導淳スイッチ（４１がオンし１いる。第１半導体スイッ
チ（１）がオンすると、ダイオ−ドル囚がオンし、抵抗
ｔｅｌ ｋ （’ｉ Ｌ、て流ｎ″Ｃい九″区流はダイ
オード圏ｓ２介して流Ａ、小４半導淳スイッチ−４ｊへ
のベースｔｉＩＢ は流ｎなくなって、＠４半導不ス
イッチ（４）はオンする。
とき、第４半導体スイッチ（４）に直流′を源（ＩＥＩ
エワ抵抗２１１ ｉ介してベース電流よりが流ル、該半
導淳スイッチ（４１がオンし１いる。第１半導体スイッ
チ（１）がオンすると、ダイオ−ドル囚がオンし、抵抗
ｔｅｌ ｋ （’ｉ Ｌ、て流ｎ″Ｃい九″区流はダイ
オード圏ｓ２介して流Ａ、小４半導淳スイッチ−４ｊへ
のベースｔｉＩＢ は流ｎなくなって、＠４半導不ス
イッチ（４）はオンする。
第３図は他の実施例を示し、ダイオード渕３１）つ２時
（ロ）及びダイオード卵３６１６η諸国を設けｔもので
ある。約記第１図の（ロ）路では負ｒｆｆ＋６１が接続
さｎておらず負萌電流工Ｌ がｆｆ、、ｎ、℃いない場
合は、ダイオードｒ２４１Ｇかオンし、抵抗２Ｉ１１ａ
ｎｅ介して流ルる電流は第３半導本スイッチ（３）又は
第４半導体スイッチ（４）のベースへａｒｔｓ 第３及
び第４半導体スイッチ＋３）（４）がオンしてしまうこ
こになるが、第３図の工うな回路ａ成にすることＩｃエ
ク、この工うな工部スイッチｆｉｌがオンのとき、点（
ａ） を基準とする点（ｂ）の電圧は、ダイオード頌の
″電圧が０．６Ｖ％第１半４体スイッチｉｌ＋のコレク
タ、エミッタ閣′醒圧が約ｌＶ、ダイオード四の電圧が
０．６ｖであるから、こｎらの電圧を加算して求めｒＬ
ば工（，２，２Ｖとなるが、ダイオード％１０１３１１
３ＺｎＫ ！ ！７ 点（’Ｆ））ｆｆｉ ３ Ｖ Ｌ
、を上にならないとオンしない工すすると、ｍ１半導陣
スイツチｆｉ＋がオンしたと＠第３半導渾スイッチ＋３
１がオンしないエリになる。また！４半４にスイッチ＋
４１についても同様である。
（ロ）及びダイオード卵３６１６η諸国を設けｔもので
ある。約記第１図の（ロ）路では負ｒｆｆ＋６１が接続
さｎておらず負萌電流工Ｌ がｆｆ、、ｎ、℃いない場
合は、ダイオードｒ２４１Ｇかオンし、抵抗２Ｉ１１ａ
ｎｅ介して流ルる電流は第３半導本スイッチ（３）又は
第４半導体スイッチ（４）のベースへａｒｔｓ 第３及
び第４半導体スイッチ＋３）（４）がオンしてしまうこ
こになるが、第３図の工うな回路ａ成にすることＩｃエ
ク、この工うな工部スイッチｆｉｌがオンのとき、点（
ａ） を基準とする点（ｂ）の電圧は、ダイオード頌の
″電圧が０．６Ｖ％第１半４体スイッチｉｌ＋のコレク
タ、エミッタ閣′醒圧が約ｌＶ、ダイオード四の電圧が
０．６ｖであるから、こｎらの電圧を加算して求めｒＬ
ば工（，２，２Ｖとなるが、ダイオード％１０１３１１
３ＺｎＫ ！ ！７ 点（’Ｆ））ｆｆｉ ３ Ｖ Ｌ
、を上にならないとオンしない工すすると、ｍ１半導陣
スイツチｆｉ＋がオンしたと＠第３半導渾スイッチ＋３
１がオンしないエリになる。また！４半４にスイッチ＋
４１についても同様である。
第４図はさらに他の実施列を示し、第３半導体スイッチ
（３）及び第４半導体スイッチ＋４１ｔ”ｌ’ランジス
タに代えてＭＯ８型トランジスタにＬつ構成した％、■
である。この場合第３及びｖＡ４半導体スイッチ＋３）
（４）は約６ｖ以上にならないとオンしない為、ダイオ
ード嬢３１１３Ｚ曽及びダイオード３０詞−諸等倉用い
ることな（、ｖＬ荀電流工りが流ｎていないときでも、
第１半導体スイッチｆ１１がオンしたトキ累３半導体ス
イッチ（３）がオンすると共に、第２半導体スイッチ（
２）がオンしたとき第４半導体スイッチ（４）がオンす
る工うになる。
（３）及び第４半導体スイッチ＋４１ｔ”ｌ’ランジス
タに代えてＭＯ８型トランジスタにＬつ構成した％、■
である。この場合第３及びｖＡ４半導体スイッチ＋３）
（４）は約６ｖ以上にならないとオンしない為、ダイオ
ード嬢３１１３Ｚ曽及びダイオード３０詞−諸等倉用い
ることな（、ｖＬ荀電流工りが流ｎていないときでも、
第１半導体スイッチｆ１１がオンしたトキ累３半導体ス
イッチ（３）がオンすると共に、第２半導体スイッチ（
２）がオンしたとき第４半導体スイッチ（４）がオンす
る工うになる。
Ｘ発明に工ｎば、第３及び第４半導体スイッチ１３）（
４）のベースにベース′を流を供給する直流電源０υ川
と、ｍ１半導陣スイツチｆｉ＋のオン時ＶＣ第３半導坏
スイッチ（３ｊへのベース電流を阻止するダイオードに
と、第２半導体スイッチ（２）のオン時に＠４半ｊＪ［
スイッチ＋４１へのベース電流を阻止するダイオード＠
とｔ設は工いるので、従来の工すにフォトカプラーやト
ランス啓上用いず、非常ＶｃＩｉｉｇ単な回路ＷＡ成で
、プラス側の第３及び第４半導体スイッチ＋３１ ＋４
１ ｋマイナス側の＠１及び第２半導体スイッチｔｌ）
＋２１に対応してｆｆｌ夷にオン、オンさせることが
できその効果は著大である。
４）のベースにベース′を流を供給する直流電源０υ川
と、ｍ１半導陣スイツチｆｉ＋のオン時ＶＣ第３半導坏
スイッチ（３ｊへのベース電流を阻止するダイオードに
と、第２半導体スイッチ（２）のオン時に＠４半ｊＪ［
スイッチ＋４１へのベース電流を阻止するダイオード＠
とｔ設は工いるので、従来の工すにフォトカプラーやト
ランス啓上用いず、非常ＶｃＩｉｉｇ単な回路ＷＡ成で
、プラス側の第３及び第４半導体スイッチ＋３１ ＋４
１ ｋマイナス側の＠１及び第２半導体スイッチｔｌ）
＋２１に対応してｆｆｌ夷にオン、オンさせることが
できその効果は著大である。
＠１図は本発明Ｏ−実施ｇＡｌ’にホ丁回路図、第２図
は同鰐咋説明用の回路図、第３図及び第４図は夫々他の
実施例を示す回路図、第５図乃至第８図は従来例を示す
回路図である。 ＋１１１２１ ［３１＋４１・・・半導淳スイッチ、（
６１・・・＠流電椋、０８＋グト・・直流電源、＠圏・
・・ダイオード。 Ｗ／ＩＦｌｔｌ 願 人 池田電機株式会仕ＩＬ−
′巨°１
は同鰐咋説明用の回路図、第３図及び第４図は夫々他の
実施例を示す回路図、第５図乃至第８図は従来例を示す
回路図である。 ＋１１１２１ ［３１＋４１・・・半導淳スイッチ、（
６１・・・＠流電椋、０８＋グト・・直流電源、＠圏・
・・ダイオード。 Ｗ／ＩＦｌｔｌ 願 人 池田電機株式会仕ＩＬ−
′巨°１
Claims (1)
- １、直流電源（５）にブリッジ接続されたマイナス側の
第１及び第２半導体スイッチ（１）（２）とプラス側の
第３及び第４半導体スイッチ（３）（４）とを備え、第
１及び第４半導体スイッチ（１）（４）と第２及び第３
半導体スイッチ（２）（３）との交互導通により、第１
及び第３半導体スイッチ（１）（３）の接続点と第２及
び第４半導体スイッチ（２）（４）の接続点との間に、
交流電圧を出力するようにしたブリッジインバータ回路
において、第３及び第４半導体スイッチ（３）（４）の
各ベースに、ベース電流を供給する直流電源（１８）（
１９）が抵抗（２０）（２１）を介して夫々接続され、
第１半導体スイッチ（１）のオン時に第３半導体スイッ
チ（３）へのベース電流を阻止するように前記直流電源
（１８）から第１半導体スイッチ（１）へ電流を流すダ
イオード（２２）と、第２半導体スイッチ（２）のオン
時に第４半導体スイッチ（４）へのベース電流を阻止す
るように前記直流電源（１９）から第２半導体スイッチ
（２）へ電流を流すダイオード（２３）とが、第３及び
第４半導体スイッチ（３）（４）のベース側と第１及び
第２半導体スイッチ（１）（２）との間に夫々接続され
ていることを特徴とするブリッジインバータ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60025736A JPH078148B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | ブリッジインバータ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60025736A JPH078148B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | ブリッジインバータ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61185077A true JPS61185077A (ja) | 1986-08-18 |
| JPH078148B2 JPH078148B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=12174100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60025736A Expired - Lifetime JPH078148B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | ブリッジインバータ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH078148B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425499U (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-28 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5571179A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-29 | Sanken Electric Co Ltd | Transistor inverter |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP60025736A patent/JPH078148B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5571179A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-29 | Sanken Electric Co Ltd | Transistor inverter |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425499U (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH078148B2 (ja) | 1995-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6549439B1 (en) | Full wave rectifier circuit using normally off JFETS | |
| US2783384A (en) | Electrical inverter circuits | |
| US3376492A (en) | Solid state power circuits employing new autoimpulse commutation | |
| US3418557A (en) | Voltage control system involving timed energization of a pair of power handling transistors | |
| US3204172A (en) | Semiconductor controlled rectifier circuits | |
| US2990519A (en) | Transistor oscillator | |
| JPS60160383A (ja) | 誘導性要素を有する消費装置に給電するためのインバータ | |
| US3045174A (en) | Push-pull magnetic amplifier having transistor switches | |
| JPS61185077A (ja) | ブリツジインバ−タ回路 | |
| JPS6115674B2 (ja) | ||
| SU1582348A1 (ru) | Устройство реверсировани тока в нагрузке | |
| SU957372A1 (ru) | Устройство дл управлени тиристором | |
| JPS5873233A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6112473B2 (ja) | ||
| SU997197A1 (ru) | Статический преобразователь | |
| SU1334324A1 (ru) | Преобразователь посто нного напр жени | |
| SU470044A1 (ru) | Устройство дл генерировани управл ющих напр жений дл полупроводниковых приборов | |
| JPS6055034B2 (ja) | 有極信号発生回路 | |
| JPS63190560A (ja) | 整流回路 | |
| JPS62144564A (ja) | 静電誘導形トランジスタのゲ−ト駆動回路 | |
| JPS5837792B2 (ja) | コウリユウチヨクリユウキリカエカイロ | |
| JPS60142721A (ja) | 電子式交流電圧可変装置 | |
| JPS60213273A (ja) | 並列接続されたインバ−タ回路 | |
| JPH1098879A (ja) | スイッチング電源装置 | |
| JPH02294272A (ja) | 整流回路 |