JPS61182015A - 光シヤツタアレイ - Google Patents
光シヤツタアレイInfo
- Publication number
- JPS61182015A JPS61182015A JP2245885A JP2245885A JPS61182015A JP S61182015 A JPS61182015 A JP S61182015A JP 2245885 A JP2245885 A JP 2245885A JP 2245885 A JP2245885 A JP 2245885A JP S61182015 A JPS61182015 A JP S61182015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical shutter
- thin film
- electrodes
- output light
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は基板上に形成された電気光学効果を有する複合
酸化物の単結晶及び多結晶薄膜を利用した光シヤツタア
レイに関するものである。
酸化物の単結晶及び多結晶薄膜を利用した光シヤツタア
レイに関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来、固体の光シヤツタアレイにおいて、各光シヤツタ
部は第３図（ａ） ｊ （ｂ）のように１つの光シャ、
りは基板３１上に酸化物薄膜３３が上部電極３４と下部
電極３２ではさまれた構造となっていた。
部は第３図（ａ） ｊ （ｂ）のように１つの光シャ、
りは基板３１上に酸化物薄膜３３が上部電極３４と下部
電極３２ではさまれた構造となっていた。
そのために、光をｏｎ−ｏｆｆすることはできるが、出
力光の強度は明暗の２段階しか変化できなかった。光シ
ャッタの出力光強度を数段階に変化させるには、光源の
明るさを変化させるか印加する電圧を変化させる以外に
なかったので、同時に全部の光シャッタに対して出力光
の強度が変化するかあるいは個々の光シャッタに対して
別々の光源を用意するしか、各党シャッタの出力光強度
を独立に数段階に制御できる方法はなかった。
力光の強度は明暗の２段階しか変化できなかった。光シ
ャッタの出力光強度を数段階に変化させるには、光源の
明るさを変化させるか印加する電圧を変化させる以外に
なかったので、同時に全部の光シャッタに対して出力光
の強度が変化するかあるいは個々の光シャッタに対して
別々の光源を用意するしか、各党シャッタの出力光強度
を独立に数段階に制御できる方法はなかった。
（発明の目的）
本発明は電気光学効果を有する複合酸化物の薄膜からな
る光シャッタにおいて、光シャッタの出力光の強度を各
シャッタ独立に多段階に変化させることができるような
光シヤツタアレイを提供することにある。
る光シャッタにおいて、光シャッタの出力光の強度を各
シャッタ独立に多段階に変化させることができるような
光シヤツタアレイを提供することにある。
（発明の構成）
本発明は、その表面上に薄膜電極が形成された基板上に
蒸着あるいはスパッタ等によシミ気光学効果を有する複
合酸化物の薄膜が所定の間隔て複数個形成されておりこ
の各薄膜部分の上に上部薄膜電極が複数個設けられてい
て、かり各光シヤツタ部において電圧を印加する電極の
数を制御することＫよって、各党シャッタに対して独立
に出力光の強度を段階的に変化させることができるよう
な光シヤツタアレイである。
蒸着あるいはスパッタ等によシミ気光学効果を有する複
合酸化物の薄膜が所定の間隔て複数個形成されておりこ
の各薄膜部分の上に上部薄膜電極が複数個設けられてい
て、かり各光シヤツタ部において電圧を印加する電極の
数を制御することＫよって、各党シャッタに対して独立
に出力光の強度を段階的に変化させることができるよう
な光シヤツタアレイである。
（構成の詳細な説明）
本発明は上述の構成をとることにより、従来技術の問題
点を解決した。
点を解決した。
まず、サファイアＣ面基板、（１００） ５ｒＴｉ０３
基板、ＭｇＯ基板、シリコンウェハー上にエピタキシャ
ル成長させたスピネル基板などの基板上にあらかしめ下
部電極として蒸着あるいはスパッタによって白金（Ｐｔ
）などをエピタキシャル成長させておく。その上から電
気光学効果を有する複合酸化物の単結晶薄膜をスパッタ
、蒸着等により成長させる。その後、単結晶薄膜をフォ
） ＩＪソグラフィ技術、エツチング加工などにより光
シャッタとなる部分だけを残して、他は除去する。その
上にλ Ａｕ ／ Ｔ ｉあるいはＡ／などの電極を蒸着、スパ
ッタ等によシ形成した後、フォトリングラフィ技術で各
光シャッタとなる部分上に設けられた電極を複数個に分
割する。この時、薄膜の屈折率は一般に空気よシもかな
り大きいので、光導波路としても働くが、電極と複合酸
化物の薄膜との間に光シャッタとなる部分よ）も屈折率
が小さく、誘電率が比較的大きな絶縁薄膜を設けてもよ
い。また、光シャッタとなる複合酸化物の薄膜は特に単
結晶でなければならないというわけではなく、たとえば
溶融石英基板上に白金薄膜を設けた上に形成された多結
晶薄膜でもかまわない。
基板、ＭｇＯ基板、シリコンウェハー上にエピタキシャ
ル成長させたスピネル基板などの基板上にあらかしめ下
部電極として蒸着あるいはスパッタによって白金（Ｐｔ
）などをエピタキシャル成長させておく。その上から電
気光学効果を有する複合酸化物の単結晶薄膜をスパッタ
、蒸着等により成長させる。その後、単結晶薄膜をフォ
） ＩＪソグラフィ技術、エツチング加工などにより光
シャッタとなる部分だけを残して、他は除去する。その
上にλ Ａｕ ／ Ｔ ｉあるいはＡ／などの電極を蒸着、スパ
ッタ等によシ形成した後、フォトリングラフィ技術で各
光シャッタとなる部分上に設けられた電極を複数個に分
割する。この時、薄膜の屈折率は一般に空気よシもかな
り大きいので、光導波路としても働くが、電極と複合酸
化物の薄膜との間に光シャッタとなる部分よ）も屈折率
が小さく、誘電率が比較的大きな絶縁薄膜を設けてもよ
い。また、光シャッタとなる複合酸化物の薄膜は特に単
結晶でなければならないというわけではなく、たとえば
溶融石英基板上に白金薄膜を設けた上に形成された多結
晶薄膜でもかまわない。
このようにして製作した素子をその偏光方向が互いに直
交している２枚の偏光板の中に配置し、上下の電極間に
生じる電界方向と偏光板の偏光方向が４５°の角度に配
置されるような構成をとる。
交している２枚の偏光板の中に配置し、上下の電極間に
生じる電界方向と偏光板の偏光方向が４５°の角度に配
置されるような構成をとる。
そして、各党シャッタとなる部分上に設けられた複数個
の上部電極にそれぞれリード線をつけ、各電極に電圧を
印加できるようにする。
の上部電極にそれぞれリード線をつけ、各電極に電圧を
印加できるようにする。
以上のようにすることにより、各党シャッタにおいて、
いくつの電極に電圧が印加されたかによって、光シヤツ
タ部を通過する光の位相の変化の大きさが異なるので、
結果として出力光の強度が変化することになる。
いくつの電極に電圧が印加されたかによって、光シヤツ
タ部を通過する光の位相の変化の大きさが異なるので、
結果として出力光の強度が変化することになる。
故に、一定電圧を印加する電極の数を制御することによ
って、１つの光源と電源で、各党シャッタの出力光強度
を独立に制御できる光シヤツタアレイが得られることに
なる。
って、１つの光源と電源で、各党シャッタの出力光強度
を独立に制御できる光シヤツタアレイが得られることに
なる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図（ａ） ｊ （ｂ）は本発明の実施例における光
シヤツタアレイを構成する素子の構造を示したものであ
る。まず、サファイアＣ面基板１１上に白金（Ｐｔ）１
２をスパッタによって約５０００Ｘの厚さでエピタキシ
ャル成長させた。その後、その基板を６００〜７００℃
に加熱したｔ−ま高周波マグネトロンスパッタ装置によ
って電気光学効果を有するＰＬＺＴの薄膜１３をＰｂＯ
を数ωｔチ過剰に含んだＰＬＺＴ９／６５／３５組成粉
末をターゲットとして約５μｍエピタキシャル成長させ
た。その後、光シャッタとなる部分の薄膜部分を残し、
それ以外の薄膜部分をフォトリソグラフィ技術で除去し
又 た。残された光シャッタとなる部分の上にＡり電極１４
を蒸着でつけ、フォ） ＩＪソグラフィ技術で１つの光
シャッタとなる部分につき、５個の独立に動作できるよ
うな上部電極を形成した。光シャッタとなる部分の長さ
は約５ｆｉとし、幅は約５０μｍとした。
シヤツタアレイを構成する素子の構造を示したものであ
る。まず、サファイアＣ面基板１１上に白金（Ｐｔ）１
２をスパッタによって約５０００Ｘの厚さでエピタキシ
ャル成長させた。その後、その基板を６００〜７００℃
に加熱したｔ−ま高周波マグネトロンスパッタ装置によ
って電気光学効果を有するＰＬＺＴの薄膜１３をＰｂＯ
を数ωｔチ過剰に含んだＰＬＺＴ９／６５／３５組成粉
末をターゲットとして約５μｍエピタキシャル成長させ
た。その後、光シャッタとなる部分の薄膜部分を残し、
それ以外の薄膜部分をフォトリソグラフィ技術で除去し
又 た。残された光シャッタとなる部分の上にＡり電極１４
を蒸着でつけ、フォ） ＩＪソグラフィ技術で１つの光
シャッタとなる部分につき、５個の独立に動作できるよ
うな上部電極を形成した。光シャッタとなる部分の長さ
は約５ｆｉとし、幅は約５０μｍとした。
以上のようにして製作した素子は第２図に示した配置で
光シヤツタアレイとして働く。偏光板１５はその偏光方
向が互いに直交しておシ、上下電極によって生じる電界
方向と偏光方向が４５°の配置になる構造となっている
。光源としてＨｅ−Ｎｅレーザー（波長６３３ｎｍ）を
用いた時、１つの光シャッタについては５個の電極すべ
てに電圧２．４ボルトを印加すると出力光強度は最大と
なる。電圧を印加する電極の数に応じて６段階に出力光
強度を各シャッタについて制御でき、た。なお、複数個
からなる上部電極のそれぞれの長さを出力光強度の変化
が直線的になるように変えても良い。
光シヤツタアレイとして働く。偏光板１５はその偏光方
向が互いに直交しておシ、上下電極によって生じる電界
方向と偏光方向が４５°の配置になる構造となっている
。光源としてＨｅ−Ｎｅレーザー（波長６３３ｎｍ）を
用いた時、１つの光シャッタについては５個の電極すべ
てに電圧２．４ボルトを印加すると出力光強度は最大と
なる。電圧を印加する電極の数に応じて６段階に出力光
強度を各シャッタについて制御でき、た。なお、複数個
からなる上部電極のそれぞれの長さを出力光強度の変化
が直線的になるように変えても良い。
さらに、上部電極の数を増加することにより、出力光強
度の変化の段階数を増やすことができ、細まがい出力光
強度の制御が可能であることは言うまでもない。
度の変化の段階数を増やすことができ、細まがい出力光
強度の制御が可能であることは言うまでもない。
以上のような構成をとることによシ、１つの光源、電源
だけで素子の各光シヤツタ部分を独立に動作させること
ができ、それらが複数個設けられているので出力光強度
を多段階に制御できる光シヤツタアレイが形成できた。
だけで素子の各光シヤツタ部分を独立に動作させること
ができ、それらが複数個設けられているので出力光強度
を多段階に制御できる光シヤツタアレイが形成できた。
（発明の効果）
本発明によって構成された電気光学効果を有する複合酸
化物の薄膜からなる素子において、各党シャッタに複数
個設けられた上部電極において電圧を印加する電極の数
によって出力光強度の制御が可能であることから、良質
の光シヤツタアレイが得られることになる。
化物の薄膜からなる素子において、各党シャッタに複数
個設けられた上部電極において電圧を印加する電極の数
によって出力光強度の制御が可能であることから、良質
の光シヤツタアレイが得られることになる。
第１図、及び第２図は本発明の一実施例に用いた素子の
構造を示す図、第３図は従来の光シヤツタアレイの素子
を示した図である。 図において、１１はサファイアＣ面基板、１２は下部白
金電極、１３はＰＬＺＴ薄膜、１４は上部λ Ａ／％極、１５は偏光板、３１は基板、３２は下部電極
、３３は酸化物薄膜、３４は上部電極である。 １１１．、、Ａ□ｒｌ Ｎゆ、ｉ −’ ”’）第 １
図 （α） （ｂ） 第２図 富力光 λ 身丁プ仁
構造を示す図、第３図は従来の光シヤツタアレイの素子
を示した図である。 図において、１１はサファイアＣ面基板、１２は下部白
金電極、１３はＰＬＺＴ薄膜、１４は上部λ Ａ／％極、１５は偏光板、３１は基板、３２は下部電極
、３３は酸化物薄膜、３４は上部電極である。 １１１．、、Ａ□ｒｌ Ｎゆ、ｉ −’ ”’）第 １
図 （α） （ｂ） 第２図 富力光 λ 身丁プ仁
Claims (1)
- 基板上に薄膜下部電極が形成され、該電極上に電気光学
効果を有する複合酸化物の薄膜が所定の間隔で複数個形
成されており、該複合酸化物の各薄膜上に複数個の薄膜
上部電極が設けられた構造を特徴とする光シャッタアレ
イ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2245885A JPS61182015A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 光シヤツタアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2245885A JPS61182015A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 光シヤツタアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182015A true JPS61182015A (ja) | 1986-08-14 |
Family
ID=12083265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2245885A Pending JPS61182015A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 光シヤツタアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61182015A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3739219A1 (de) * | 1986-11-19 | 1988-05-26 | Minolta Camera Kk | Elektrooptische lichtverschlussvorrichtung und diese verwendendes druckgeraet |
| US5024511A (en) * | 1988-04-25 | 1991-06-18 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Display apparatus |
| DE3745010C2 (de) * | 1986-11-19 | 1998-09-03 | Minolta Camera Kk | Elektrooptische Lichtverschlußvorrichtung |
-
1985
- 1985-02-07 JP JP2245885A patent/JPS61182015A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3739219A1 (de) * | 1986-11-19 | 1988-05-26 | Minolta Camera Kk | Elektrooptische lichtverschlussvorrichtung und diese verwendendes druckgeraet |
| DE3745010C2 (de) * | 1986-11-19 | 1998-09-03 | Minolta Camera Kk | Elektrooptische Lichtverschlußvorrichtung |
| DE3739219B4 (de) * | 1986-11-19 | 2004-07-29 | Minolta Co., Ltd. | Elektrooptisches Lichtverschlußgerät |
| US5024511A (en) * | 1988-04-25 | 1991-06-18 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Display apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10503602A (ja) | パターン付分極化誘電構造体と装置の製造 | |
| US5388170A (en) | Electrooptic device structure and method for reducing thermal effects in optical waveguide modulators | |
| US3838906A (en) | Optical switch | |
| CN108336114B (zh) | 一种oled发光器件和oled显示屏 | |
| US5638468A (en) | Optical modulation system | |
| JPS6212894B2 (ja) | ||
| JP2001066652A (ja) | 分極反転構造の形成方法並びにそれを利用した波長変換素子の製造方法 | |
| WO2014045658A1 (ja) | 波長変換素子、光源装置、及び波長変換素子の製造方法 | |
| JPS61182015A (ja) | 光シヤツタアレイ | |
| US3781086A (en) | Domain switching element and method of producing the same | |
| JP2005515485A (ja) | ニオブ酸リチウムデバイスを安定化させるための緩衝層構造 | |
| US7642040B2 (en) | Method of fabricating periodic domain inversion structure | |
| JP3261783B2 (ja) | 光変調素子 | |
| JP2001296566A (ja) | 光偏向素子 | |
| JPS61186926A (ja) | 薄膜光シヤツタアレイ | |
| JP2534710B2 (ja) | 偏光制御デバイス | |
| US6762874B2 (en) | Polarization inversion method of ferroelectrics and fabrication method of optical wavelength conversion device | |
| JP2965644B2 (ja) | 波長変換光学素子の製造方法 | |
| EP0215026B1 (en) | Elimination of field-induced instabilities in electrooptic modulators | |
| JPS59147322A (ja) | 光変調素子 | |
| RU191058U1 (ru) | Управляемая электрооптическая зонная пластинка | |
| JPS6038689B2 (ja) | 導波形電気光学光変調器の製造方法 | |
| JPH0222621A (ja) | 光学素子およびそれを用いた光部品 | |
| JPS6019128A (ja) | 電極作製方法 | |
| CN116819846A (zh) | 超晶格薄膜、非线性光学器件和设备 |