JPS61181956A - マルチイオン感応性電界効果型トランジスタの製造方法 - Google Patents
マルチイオン感応性電界効果型トランジスタの製造方法Info
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- JPS61181956A JPS61181956A JP60021749A JP2174985A JPS61181956A JP S61181956 A JPS61181956 A JP S61181956A JP 60021749 A JP60021749 A JP 60021749A JP 2174985 A JP2174985 A JP 2174985A JP S61181956 A JPS61181956 A JP S61181956A
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- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は溶液中のイオン濃度を測定するマルチイオン感
応性電界効果型トランジスタ（以下ｌ５ＦＥＴと略す）
に係る。
応性電界効果型トランジスタ（以下ｌ５ＦＥＴと略す）
に係る。
最近、同一基板上に複数のゲート絶縁領域を形成したマ
ルチＴ ５ＦＥＴが開発されている（例えばＷ、Ｈ，Ｋ
ｏ等、Ｐｒｏｃｅｄｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅＩｎｔｅｒｎ
ａｔｉｏｎａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ５ｅｎｓｏｒｓ。
ルチＴ ５ＦＥＴが開発されている（例えばＷ、Ｈ，Ｋ
ｏ等、Ｐｒｏｃｅｄｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅＩｎｔｅｒｎ
ａｔｉｏｎａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ５ｅｎｓｏｒｓ。
ｐ４９６． Ｋｏｄａｎｓｈａ Ｌ ＴＤ、 Ｔｏｋｙ
ｏ （１９８３）） 、これらのマルチｌ５ＦＥＴにお
いては、下地ＦＥＴは自身のＭＯ８構造により夫々電気
的に絶縁分離されているため、特定下地ＦＥＴの電気特
性変化が他の下地ＦＥＴ特性に影響を及ぼすことはない
。
ｏ （１９８３）） 、これらのマルチｌ５ＦＥＴにお
いては、下地ＦＥＴは自身のＭＯ８構造により夫々電気
的に絶縁分離されているため、特定下地ＦＥＴの電気特
性変化が他の下地ＦＥＴ特性に影響を及ぼすことはない
。
然し、これら複数個のｌ５ＦＥＴゲート絶縁膜上にイオ
ン感応膜が連続して全面に形成されている場合には、特
定ｌ５ＦＥＴゲート領域上のイオン感応膜の特性変化に
より残りのｌ５ＦＥＴ特性が影響を受け、１ケのｌ５Ｆ
ＥＴの劣化により残り全てのＩ ５ＦＥＴの正常動作が
妨げられる。この現象はイオン感応膜に有機イオン感応
膜を用いた場合、無機感応膜に比べて顕著に見られる現
象である。これを防ぐには、個々のｌ５ＦＥＴゲート絶
縁膜上にイオン感応膜を分離形成すれば良い。
ン感応膜が連続して全面に形成されている場合には、特
定ｌ５ＦＥＴゲート領域上のイオン感応膜の特性変化に
より残りのｌ５ＦＥＴ特性が影響を受け、１ケのｌ５Ｆ
ＥＴの劣化により残り全てのＩ ５ＦＥＴの正常動作が
妨げられる。この現象はイオン感応膜に有機イオン感応
膜を用いた場合、無機感応膜に比べて顕著に見られる現
象である。これを防ぐには、個々のｌ５ＦＥＴゲート絶
縁膜上にイオン感応膜を分離形成すれば良い。
従来、有機イオン感応膜の形成には、膜母材、イオン感
応物などを溶媒に溶解したキャスト液をｌ５ＦＥＴゲー
ト絶縁領域上に滴下乾燥したイオン感応膜を形成するキ
ャスティング法が用いられている。このキャスティング
法により、マルチｌ５ＦＥＴのイオン感応膜を個々のＩ
５ＦＥＴゲート絶縁領域上に分離形成する場合、キャ
スト液の流延により隣接イオン感応膜が接触、混合し、
１つのｌ５ＦＥＴの性能変化が、他のｌ５ＦＥＴ性能に
影響を与えるという欠点があった。
応物などを溶媒に溶解したキャスト液をｌ５ＦＥＴゲー
ト絶縁領域上に滴下乾燥したイオン感応膜を形成するキ
ャスティング法が用いられている。このキャスティング
法により、マルチｌ５ＦＥＴのイオン感応膜を個々のＩ
５ＦＥＴゲート絶縁領域上に分離形成する場合、キャ
スト液の流延により隣接イオン感応膜が接触、混合し、
１つのｌ５ＦＥＴの性能変化が、他のｌ５ＦＥＴ性能に
影響を与えるという欠点があった。
本発明は、複数のゲート絶縁膜上イオン感応膜が分離形
成され、特定のイオン感応膜の劣化が他のｌ５ＦＥＴの
性能変化をひきおこさないマルチｌ５ＦＥＴを提供する
ことにある。
成され、特定のイオン感応膜の劣化が他のｌ５ＦＥＴの
性能変化をひきおこさないマルチｌ５ＦＥＴを提供する
ことにある。
上記目的を達成するために本発明では、同一基板上に複
数のゲート絶縁領域を形成し、該ゲート絶縁領域上にイ
オン感応膜を形成するマルチｌ５ＦＥＴにおいて、膜母
材、イオン感応物質。
数のゲート絶縁領域を形成し、該ゲート絶縁領域上にイ
オン感応膜を形成するマルチｌ５ＦＥＴにおいて、膜母
材、イオン感応物質。
溶媒および粘度調整用不活性無機材料よりなるペースト
を、所定の開ロバターンが形成された治具を介してゲー
ト絶縁領域上に塗布することにより、複数のゲート絶縁
膜上イオン感応膜を分離形成するようにした。
を、所定の開ロバターンが形成された治具を介してゲー
ト絶縁領域上に塗布することにより、複数のゲート絶縁
膜上イオン感応膜を分離形成するようにした。
次に本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は、本発明によるイオン感応膜が分離形成された
マルチｌ５ＦＥＴの一実施例の平面図である。２ｎｎ＋
角のシリコンチップ１を用い、ソース領域７，８，９，
１０，１１とドレイン領域７′。
マルチｌ５ＦＥＴの一実施例の平面図である。２ｎｎ＋
角のシリコンチップ１を用い、ソース領域７，８，９，
１０，１１とドレイン領域７′。
８’ 、９’ 、１０’ 、１１’ではさみ込まれる５
ケのゲート絶縁領域上に５ケの同種のイオン感応膜１２
，１３．１４，１５．１６を分離形成している。本実施
例ではイオン感応膜１２，１３゜１４．１５．１６に同
一組成を持つに＋イオン感応膜を同時に塗布した。以下
塗布工程について述べる。まず膜母材ポリ塩化ビニル２
４０ｗ＋ｇ、可塑剤ジオクチルアジペート５４０ｍｇ、
イオン感応物質としてニュートラルキャリヤ型の抗生物
質パリノマイシン５０ｍｇを溶媒シクロヘキサノン２ｍ
Ｑに溶解したイオン感応膜組成物を調製した。
ケのゲート絶縁領域上に５ケの同種のイオン感応膜１２
，１３．１４，１５．１６を分離形成している。本実施
例ではイオン感応膜１２，１３゜１４．１５．１６に同
一組成を持つに＋イオン感応膜を同時に塗布した。以下
塗布工程について述べる。まず膜母材ポリ塩化ビニル２
４０ｗ＋ｇ、可塑剤ジオクチルアジペート５４０ｍｇ、
イオン感応物質としてニュートラルキャリヤ型の抗生物
質パリノマイシン５０ｍｇを溶媒シクロヘキサノン２ｍ
Ｑに溶解したイオン感応膜組成物を調製した。
次に粘度調整用無機材料として超微粒子状無水シリカ（
商品名アエロジル）２５０ｍｇを先に調製したイオン感
応膜組成物に添加、混合してイオン感応ペーストを調製
した。次に第１図イオン感応膜１２，１３，１４，１５
，１６・に対応する一辺２００μ濡の矩形状間ロバター
ンを５ケ有するステンレス網製スクリーンを治具として
、先のイオン感応ペーストをシリコンチップ１上ゲート
絶縁領域上に印刷、塗布乾燥してイオン感応膜１２゜１
３．１４，１５．１６を分離形成した。本実施例では乳
剤厚２０μＷ、メツシュ数１６５のスクリーンを使用し
た。このためゲート絶縁領域上に形成されたに＋イオン
感応膜の厚みは約１０μ巾程度である。Ｋ＋＋イオン感
応膜厚みとしては５μＩｌ〜２００μｍの範囲であれば
良い。５μｍ未満の場合にはイオン感応膜の劣化が短期
間におこる。
商品名アエロジル）２５０ｍｇを先に調製したイオン感
応膜組成物に添加、混合してイオン感応ペーストを調製
した。次に第１図イオン感応膜１２，１３，１４，１５
，１６・に対応する一辺２００μ濡の矩形状間ロバター
ンを５ケ有するステンレス網製スクリーンを治具として
、先のイオン感応ペーストをシリコンチップ１上ゲート
絶縁領域上に印刷、塗布乾燥してイオン感応膜１２゜１
３．１４，１５．１６を分離形成した。本実施例では乳
剤厚２０μＷ、メツシュ数１６５のスクリーンを使用し
た。このためゲート絶縁領域上に形成されたに＋イオン
感応膜の厚みは約１０μ巾程度である。Ｋ＋＋イオン感
応膜厚みとしては５μＩｌ〜２００μｍの範囲であれば
良い。５μｍ未満の場合にはイオン感応膜の劣化が短期
間におこる。
また２００μｍを越えるとイオン感応膜の劣化に関して
は問題が無いが、応答速度が長くなるという欠点がある
。また本実施例ではイオン感応膜中超微粒子状無水シリ
カ（商品名アエロジル）濃度が２３％になるように添加
したが、添加量としてはイオン感応膜中濃度で５％〜５
０％の範囲であれば問題はない。５％未満の添加量では
イオン感応ペーストの粘度が低く印刷後ペーストが流延
し、イオン感応膜の分離形成が困難となる。また５０％
を越える添加量では塗布膜中でイオンチャネルが有効に
形成されずイオン応答を示さないという問題が生じる。
は問題が無いが、応答速度が長くなるという欠点がある
。また本実施例ではイオン感応膜中超微粒子状無水シリ
カ（商品名アエロジル）濃度が２３％になるように添加
したが、添加量としてはイオン感応膜中濃度で５％〜５
０％の範囲であれば問題はない。５％未満の添加量では
イオン感応ペーストの粘度が低く印刷後ペーストが流延
し、イオン感応膜の分離形成が困難となる。また５０％
を越える添加量では塗布膜中でイオンチャネルが有効に
形成されずイオン応答を示さないという問題が生じる。
さて、本実施例によるマルチＩ ５ＦＥＴはに十感応性
であるため、標準ＫＣＱ溶液並びにダブルジャンクショ
ン型参照電極を用いてイオン応答性を調べた。ＫＣＱ濃
度範囲１０−１ｍｏＱ／Ｑ〜１０−５ｍｏ１２７ＰＩで
、夫々のｌ５ＦＥＴに対してスロープ感度５９ｍＶ／ｄ
ｅｃａｄｅが得られた。このスロープ感度はネルンスト
の理論感度と一致しており、イオン感応膜に超微粒子状
無水シリカを混合しても適正な濃度範囲にあればイオン
応答に全く支障を生じないことがわかった。
であるため、標準ＫＣＱ溶液並びにダブルジャンクショ
ン型参照電極を用いてイオン応答性を調べた。ＫＣＱ濃
度範囲１０−１ｍｏＱ／Ｑ〜１０−５ｍｏ１２７ＰＩで
、夫々のｌ５ＦＥＴに対してスロープ感度５９ｍＶ／ｄ
ｅｃａｄｅが得られた。このスロープ感度はネルンスト
の理論感度と一致しており、イオン感応膜に超微粒子状
無水シリカを混合しても適正な濃度範囲にあればイオン
応答に全く支障を生じないことがわかった。
次にイオン交換体をイオン感応物質とするＣＱ−感応性
マルチｌ５ＦＥＴを第１図の構成に従って形成した。膜
母材ポリ塩化ビニル２４０ｍｇｖ可塑剤ノルマルテトラ
デシルアルコール７０ｍｇ、イオン感応物質としてイオ
ン交換形の４級アンモニウム塩メチルトリドデシルアン
モニウムクロライド１２０ｍｇ、溶媒シクロへキサノン
２ＩｌＩＱよりなるイオン感応膜組成物に超微粒子状無
水シリカ（商品名アエロジル）１００ｍｇを添加、混合
したイオン感応ペーストを用いてＣＱ−感応マルチＴＳ
ＦＥＴを前記に十感応マルチｌ５ＦＥＴと同様な方法に
より形成した。本実施例によるＣＵ−感応マルチＩ Ｓ
ＦＥＴはＣＱ−イオン濃度範囲１０″″’ ｍｏＱ／
Ｑ 〜１０−４ｍｏＱ／Ｑで夫々のｌ５ＦＥＴに対し
て５２ｍＶ／ｄｅｃａｄｅのスロープ感度が得られた。
マルチｌ５ＦＥＴを第１図の構成に従って形成した。膜
母材ポリ塩化ビニル２４０ｍｇｖ可塑剤ノルマルテトラ
デシルアルコール７０ｍｇ、イオン感応物質としてイオ
ン交換形の４級アンモニウム塩メチルトリドデシルアン
モニウムクロライド１２０ｍｇ、溶媒シクロへキサノン
２ＩｌＩＱよりなるイオン感応膜組成物に超微粒子状無
水シリカ（商品名アエロジル）１００ｍｇを添加、混合
したイオン感応ペーストを用いてＣＱ−感応マルチＴＳ
ＦＥＴを前記に十感応マルチｌ５ＦＥＴと同様な方法に
より形成した。本実施例によるＣＵ−感応マルチＩ Ｓ
ＦＥＴはＣＱ−イオン濃度範囲１０″″’ ｍｏＱ／
Ｑ 〜１０−４ｍｏＱ／Ｑで夫々のｌ５ＦＥＴに対し
て５２ｍＶ／ｄｅｃａｄｅのスロープ感度が得られた。
本実施例ではイオン感応膜中超微粒子状無水シリカ（商
品名アエロジル）濃度が１９％になるように添加したが
、添加量としては前記に十感応マルチｌ５ＦＥＴと同様
に５％〜５０％の範囲であれば問題はない。その理由も
前記に＋感応マルチｌ５ＦＥＴの場合と同様である。本
実施例のＣＱ−イオン感応膜の厚みは前記実施例でのに
＋イオン感応膜と同様に１０μｍ程度ある。ＣＱ−イオ
ン感応膜の厚みとしては５μｍ〜２００μｍの範囲であ
れば良い。この理由は前記に＋イオン感応膜の場合と同
一である。
品名アエロジル）濃度が１９％になるように添加したが
、添加量としては前記に十感応マルチｌ５ＦＥＴと同様
に５％〜５０％の範囲であれば問題はない。その理由も
前記に＋感応マルチｌ５ＦＥＴの場合と同様である。本
実施例のＣＱ−イオン感応膜の厚みは前記実施例でのに
＋イオン感応膜と同様に１０μｍ程度ある。ＣＱ−イオ
ン感応膜の厚みとしては５μｍ〜２００μｍの範囲であ
れば良い。この理由は前記に＋イオン感応膜の場合と同
一である。
以上２つの実施例においては膜母材にポリ塩化ビニル、
粘度調整用不活性無機材料に超微粒子状無水シリカを使
用したが、これに代わり、膜母材としてポリビニルブチ
ラール等のビニル系樹脂やポリシロキサンを、粘度調整
用不活性無機材料に超微粒子状無水酸化アルミニウムや
超微粒子状無水酸化チタンを用いても何んら支障はない
。
粘度調整用不活性無機材料に超微粒子状無水シリカを使
用したが、これに代わり、膜母材としてポリビニルブチ
ラール等のビニル系樹脂やポリシロキサンを、粘度調整
用不活性無機材料に超微粒子状無水酸化アルミニウムや
超微粒子状無水酸化チタンを用いても何んら支障はない
。
第２図は本発明によるイオン感応膜が分離形成されたマ
ルチｌ５ＦＥＴの他の一実施例の平面図である。２ｎａ
Ｘ１．６ｍｍ角のシリコンチップ２゜を用い、ソース領
域２５，２６，２７とドレイン領域２５’ 、２６’
、２７’ではさみ込まれる３ケのゲート絶縁領域上に３
ケの異種のイオン感応膜２９，３０．３１を分離形成し
ている。本実施例ではゲート絶縁膜にＳｉ３Ｎ４を使用
しているため、ソース領域２８とドレイン領域２８′で
形成されるｌ５ＦＥＴはｐＨ感応性ＩＳ’ＦＥＴとして
利用できる。
ルチｌ５ＦＥＴの他の一実施例の平面図である。２ｎａ
Ｘ１．６ｍｍ角のシリコンチップ２゜を用い、ソース領
域２５，２６，２７とドレイン領域２５’ 、２６’
、２７’ではさみ込まれる３ケのゲート絶縁領域上に３
ケの異種のイオン感応膜２９，３０．３１を分離形成し
ている。本実施例ではゲート絶縁膜にＳｉ３Ｎ４を使用
しているため、ソース領域２８とドレイン領域２８′で
形成されるｌ５ＦＥＴはｐＨ感応性ＩＳ’ＦＥＴとして
利用できる。
イオン感応膜２９，３０．３１はそれぞれＮ＋。
Ｋ”、 Ｃ１２−感応膜である６ Ｋ”ｔ ＣＱ−各イ
オン感応膜は前記実施例で使用したＫ”、ＣＱ−各イオ
ン感応ペーストを使用し形成した。一方、Ｎａ＋イオン
感応膜は膜母材ポリ塩化ビニル２４０ｍｇ、可塑剤ジオ
クチルアジペート５４０ｍｇ、Ｎａ＋イオン感応物とし
てニュートラルキャリヤ型天然化合物モニンシン６０ｍ
ｇを溶媒シクロへキサノン２ｍΩに容解したイオン感応
膜組成物に超微粒子状無水シリカ（商品名アエロジル）
２５０ｔａｇを添加、混合したＮａ＋イオン感応ペース
トを用いて形成した。次に具体的な感応膜形成法につい
て述べる。第２図イオン感応膜２９に対応する一辺２０
０μ閣の矩形状開ロバターンを１ケ有する同一ステンレ
ススクリーンを３枚準備し、まずその１枚を用いてイオ
ン感応膜２９位置にＮａ＋イオン感応ペーストを塗布乾
燥してＮａ＋イオン感応膜２９を形成した。次に他の１
枚のスクリーンを用いて感応膜３０位置にに＋イオン感
応ペーストを塗布乾燥してに＋イオン感応膜３０を形成
した。最後に、残り１枚のスクリーンを用いて感応膜３
１位置に６℃−イオン感応ペーストを塗布乾燥してｃＩ
２−イオン感応膜３１を形成した。
オン感応膜は前記実施例で使用したＫ”、ＣＱ−各イオ
ン感応ペーストを使用し形成した。一方、Ｎａ＋イオン
感応膜は膜母材ポリ塩化ビニル２４０ｍｇ、可塑剤ジオ
クチルアジペート５４０ｍｇ、Ｎａ＋イオン感応物とし
てニュートラルキャリヤ型天然化合物モニンシン６０ｍ
ｇを溶媒シクロへキサノン２ｍΩに容解したイオン感応
膜組成物に超微粒子状無水シリカ（商品名アエロジル）
２５０ｔａｇを添加、混合したＮａ＋イオン感応ペース
トを用いて形成した。次に具体的な感応膜形成法につい
て述べる。第２図イオン感応膜２９に対応する一辺２０
０μ閣の矩形状開ロバターンを１ケ有する同一ステンレ
ススクリーンを３枚準備し、まずその１枚を用いてイオ
ン感応膜２９位置にＮａ＋イオン感応ペーストを塗布乾
燥してＮａ＋イオン感応膜２９を形成した。次に他の１
枚のスクリーンを用いて感応膜３０位置にに＋イオン感
応ペーストを塗布乾燥してに＋イオン感応膜３０を形成
した。最後に、残り１枚のスクリーンを用いて感応膜３
１位置に６℃−イオン感応ペーストを塗布乾燥してｃＩ
２−イオン感応膜３１を形成した。
以上の工程では３枚の同一スクリーンを用意し。
感応ペースト種類毎に使い分けたが、これは感応ぺ一文
トの混合汚染を防止するためである。以上の工程により
ワンチップ内にＮａ”、Ｋ”、Ｃ１−。
トの混合汚染を防止するためである。以上の工程により
ワンチップ内にＮａ”、Ｋ”、Ｃ１−。
ｐＨ各イオン感応ｌ５ＦＥＴを形成することが出来た。
次にこれらのｌ５ＦＥＴのイオン応答性について調べた
。Ｋ”、ＣＱ″″用Ｉ ５ＦＥＴについては前記実施例
と同様なイオン応答性が得られた。
。Ｋ”、ＣＱ″″用Ｉ ５ＦＥＴについては前記実施例
と同様なイオン応答性が得られた。
一方、Ｎａ”、ｐＨ各Ｉ ５ＦＥＴについてはそれぞれ
５２ｍＶ／ｐＮａ”、５４ｍＶ／ｐＨのスロープ感度が
得られた。
５２ｍＶ／ｐＮａ”、５４ｍＶ／ｐＨのスロープ感度が
得られた。
次に前記実施例によるワンチップ内にＰ ＨｔＮａ＋、
Ｋ”、ＣＱ−各イオン感応ｌ５ＦＥＴが形成されたマル
チｌ５ＦＥＴチツプのｐＨ感応ｌ５ＦＥＴゲート絶縁領
域上にイオン不感応性ポリパラキシリレン薄膜を形成し
たマルチｌ５ＦＥＴを構成した。ポリパラキシリレン薄
膜の分離形成は、−辺２００μｍの矩形状間ロバターン
を１ケ有するメタルマスクを用い、ポリパラキシリレン
の熱分解再重合反応により行った。すなわち、ｐＨ感応
ｌ５ＦＥＴゲート絶縁領域上に先のメタルマスク開口部
を重ね合わせ、高真空中でポリパラキシリレンを熱分解
し、ｐＨ感応ｌ５ＦＥＴゲート上で再重合させることに
よりポリパラキシリレン薄膜を形成した。膜厚が１０μ
ｍになるように熱分解再重合反応の時間を制御した。ポ
リパラキシリレンが最表面に形成されたｌ５ＦＥＴはイ
オン不感応性であるため参照電極として利用できる。本
実施例で形成したポリパラキシリレン被覆ｌ５ＦＥＴを
参照電極として他のＮａ”、Ｋ”、ＣＱ−各イオン感応
ｌ５ＦＥＴのイオン応答を調べると、前記実施例と同様
なスロープ感度が得られた。
Ｋ”、ＣＱ−各イオン感応ｌ５ＦＥＴが形成されたマル
チｌ５ＦＥＴチツプのｐＨ感応ｌ５ＦＥＴゲート絶縁領
域上にイオン不感応性ポリパラキシリレン薄膜を形成し
たマルチｌ５ＦＥＴを構成した。ポリパラキシリレン薄
膜の分離形成は、−辺２００μｍの矩形状間ロバターン
を１ケ有するメタルマスクを用い、ポリパラキシリレン
の熱分解再重合反応により行った。すなわち、ｐＨ感応
ｌ５ＦＥＴゲート絶縁領域上に先のメタルマスク開口部
を重ね合わせ、高真空中でポリパラキシリレンを熱分解
し、ｐＨ感応ｌ５ＦＥＴゲート上で再重合させることに
よりポリパラキシリレン薄膜を形成した。膜厚が１０μ
ｍになるように熱分解再重合反応の時間を制御した。ポ
リパラキシリレンが最表面に形成されたｌ５ＦＥＴはイ
オン不感応性であるため参照電極として利用できる。本
実施例で形成したポリパラキシリレン被覆ｌ５ＦＥＴを
参照電極として他のＮａ”、Ｋ”、ＣＱ−各イオン感応
ｌ５ＦＥＴのイオン応答を調べると、前記実施例と同様
なスロープ感度が得られた。
以上述べた４つの実施例でのマルチＩ Ｓ ＦＥＴでは
、第１図または第２図にあるように、棒状下地ＦＥＴの
ゲート絶縁膜上に矩形状イオン感応膜またはイオン不感
応膜を形成したが、各ゲート絶縁膜上をイオン感応膜ま
たはイオン不感応膜が完全に被い、かつ分離しているな
らばその形状はいかなるものでもよい。またイオン感応
膜の塗布に際しては所定間ロバターンが形成されたステ
ンレス製スクリーンを冶具として使用したが、これに代
わり開ロバターンが形成されたメタルマスクなどの治具
を用いても何んら支障はない。またワンチップ内に形成
されるｌ５ＦＥＴの個数も、以上述べた４つの実施例に
ある５ケあるいは４ケに限らず任意の個数であってもよ
いことは言うまでもない。
、第１図または第２図にあるように、棒状下地ＦＥＴの
ゲート絶縁膜上に矩形状イオン感応膜またはイオン不感
応膜を形成したが、各ゲート絶縁膜上をイオン感応膜ま
たはイオン不感応膜が完全に被い、かつ分離しているな
らばその形状はいかなるものでもよい。またイオン感応
膜の塗布に際しては所定間ロバターンが形成されたステ
ンレス製スクリーンを冶具として使用したが、これに代
わり開ロバターンが形成されたメタルマスクなどの治具
を用いても何んら支障はない。またワンチップ内に形成
されるｌ５ＦＥＴの個数も、以上述べた４つの実施例に
ある５ケあるいは４ケに限らず任意の個数であってもよ
いことは言うまでもない。
また、不活性無機材料は粘度調整用であるから、２種以
上のものを混合して用いてもなんらさしつかえない。
上のものを混合して用いてもなんらさしつかえない。
上記のように本発明によるマルチｌ５ＦＥＴは、膜母材
、イオン感応物質、溶媒および粘度調整用不活性無機材
料よりなるイオン感応ペーストを、所定のパターンが形
成されたスクリーンを介してゲート絶縁領域上に印刷塗
布することにより、複数のゲート絶縁膜上イオン感応膜
が分離形成されるため、特定のイオン感応膜の劣化が他
のｌ５ＦＥＴの性能に影響を与えない効果がある。
、イオン感応物質、溶媒および粘度調整用不活性無機材
料よりなるイオン感応ペーストを、所定のパターンが形
成されたスクリーンを介してゲート絶縁領域上に印刷塗
布することにより、複数のゲート絶縁膜上イオン感応膜
が分離形成されるため、特定のイオン感応膜の劣化が他
のｌ５ＦＥＴの性能に影響を与えない効果がある。
第１図は同種のイオン感応膜が分離形成されたマルチｌ
５ＦＥＴの一実施例の平面図、第２図は異種のイオン感
応膜が分離形成されたマルチＩ ５ＦＥＴの一実施例の
平面図である。 １・・・シリコンチップ、２，３，４，５，６・・・ソ
ース電極、７，８ｔ ９．ｔｏ、 １ｔ・・・ソース
領域。 ２’ 、３’ 、４’ 、５’ 、６’・・・ドレイン
電極。 ７’、８’、９’、１０’、１１’ ・・・ドレイン領
域、１２，１３，１４，１５．１６・・・イオン感応膜
、２０・・・シリコンチップ、 ２１．２２，２３，２４・・・ソース電極、２５．２６
，２７，２８・・・ソース領域、” ２１’ 、２２
’ 、２３’ 、２４’・・・ドレイン電極。 ２５’ 、２６’ 、２７’ 、２８’ ・・・ドレイ
ン領域。 ２オ′ 手 続 補 正 書 （方式）％式％ 事件の表示 昭和６０年 特 許 願 第２１７４９ 号発
明 の 名 称 マルチイオン感応性電界効果型？
メクスタ代 理 人 居所〒１００ 東京都千代田区丸の内−丁目５番
１号株式会社 日 立 製 作 所 内 補正の内容 １１本願明細書第３頁２〜４行のｒＷ、Ｈ，Ｋ。 等・・・・・・（１９８３））Ｊを「ダブリュー・エッ
チ・コラ（Ｗ、Ｈ，Ｋｏ）等、プロシーディングＭｅｅ
ｔ、ｉｎｇ ｏｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｅｎｓ
ｏｒｓ）、 ４ ９ ６ 頁（Ｐ、４９６）、講談社
（Ｋｏｄａｎｓｈａ ＬＴＤ）＋東京（Ｔｏｋｙｏ）
（１９８３） ） Ｊと補正する。
５ＦＥＴの一実施例の平面図、第２図は異種のイオン感
応膜が分離形成されたマルチＩ ５ＦＥＴの一実施例の
平面図である。 １・・・シリコンチップ、２，３，４，５，６・・・ソ
ース電極、７，８ｔ ９．ｔｏ、 １ｔ・・・ソース
領域。 ２’ 、３’ 、４’ 、５’ 、６’・・・ドレイン
電極。 ７’、８’、９’、１０’、１１’ ・・・ドレイン領
域、１２，１３，１４，１５．１６・・・イオン感応膜
、２０・・・シリコンチップ、 ２１．２２，２３，２４・・・ソース電極、２５．２６
，２７，２８・・・ソース領域、” ２１’ 、２２
’ 、２３’ 、２４’・・・ドレイン電極。 ２５’ 、２６’ 、２７’ 、２８’ ・・・ドレイ
ン領域。 ２オ′ 手 続 補 正 書 （方式）％式％ 事件の表示 昭和６０年 特 許 願 第２１７４９ 号発
明 の 名 称 マルチイオン感応性電界効果型？
メクスタ代 理 人 居所〒１００ 東京都千代田区丸の内−丁目５番
１号株式会社 日 立 製 作 所 内 補正の内容 １１本願明細書第３頁２〜４行のｒＷ、Ｈ，Ｋ。 等・・・・・・（１９８３））Ｊを「ダブリュー・エッ
チ・コラ（Ｗ、Ｈ，Ｋｏ）等、プロシーディングＭｅｅ
ｔ、ｉｎｇ ｏｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｅｎｓ
ｏｒｓ）、 ４ ９ ６ 頁（Ｐ、４９６）、講談社
（Ｋｏｄａｎｓｈａ ＬＴＤ）＋東京（Ｔｏｋｙｏ）
（１９８３） ） Ｊと補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、同一基板上に複数のゲート絶縁領域を有し、該ゲー
ト絶縁領域上にイオン感応膜を有するマルチイオン感応
性電界効果型トランジスタにおいて、イオン感応膜が膜
母材、イオン感応物質、不活性無機材料よりなり、各イ
オン感応膜が分離されていることを特徴とするマルチイ
オン感応性電界効果型トランジスタ。 ２、上記ゲート絶縁領域の少なくとも１つの領域上に、
イオンに感応しない膜を有することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のマルチイオン感応性電界効果型ト
ランジスタ。 ３、上記膜母材がビニル系樹脂である特許請求の範囲第
１項記載のマルチイオン感応性電界効果型トランジスタ
。 ４、上記イオン感応物質がニュートラルキャリヤ型感応
物質である特許請求の範囲第１項記載のマルチイオン感
応性電界効果型トランジスタ。 ５、上記不活性無機材料が、無水シリカ、無水酸化アル
ミニウム及び無水酸化チタンからなる群から選ばれた少
なくとも１種の材料の超微粒子である特許請求の範囲第
１項記載のマルチイオン感応性電界効果型トランジスタ
。 ６、上記イオン感応膜の厚みが５〜２００μｍの範囲で
ある特許請求の範囲第１項記載のマルチイオン感応性電
界効果型トランジスタ。 ７、上記不活性無機材料が、イオン感応膜の５〜５０重
量％である特許請求の範囲第１項又は第５項記載のマル
チイオン感応性電界効果型トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021749A JPS61181956A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | マルチイオン感応性電界効果型トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021749A JPS61181956A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | マルチイオン感応性電界効果型トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61181956A true JPS61181956A (ja) | 1986-08-14 |
| JPH0544986B2 JPH0544986B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=12063711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60021749A Granted JPS61181956A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | マルチイオン感応性電界効果型トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61181956A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07198676A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-08-01 | E I Du Pont De Nemours & Co | ヒュームドシリカを含有するアニオン選択電極 |
| JP2005513501A (ja) * | 2001-12-21 | 2005-05-12 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 検体の高感度検出のために特別に構成されたゲート電極を有するｆｅｔセンサー |
| JP2010133927A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Korea Electronics Telecommun | トランジスタ構造のバイオセンサー及びその製造方法 |
| JP2022509971A (ja) * | 2018-11-28 | 2022-01-25 | ルクセンブルク・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー・（エルアイエスティ） | イオン感応性電界効果トランジスタ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5219478A (en) * | 1975-08-04 | 1977-02-14 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | Apparatus for cooling waste gas from dust incinerating furnaces |
| JPS5730603U (ja) * | 1980-07-25 | 1982-02-18 |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP60021749A patent/JPS61181956A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5219478A (en) * | 1975-08-04 | 1977-02-14 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | Apparatus for cooling waste gas from dust incinerating furnaces |
| JPS5730603U (ja) * | 1980-07-25 | 1982-02-18 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07198676A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-08-01 | E I Du Pont De Nemours & Co | ヒュームドシリカを含有するアニオン選択電極 |
| JP2005513501A (ja) * | 2001-12-21 | 2005-05-12 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 検体の高感度検出のために特別に構成されたゲート電極を有するｆｅｔセンサー |
| JP4768226B2 (ja) * | 2001-12-21 | 2011-09-07 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 検体の高感度検出のために特別に構成されたゲート電極を有するｆｅｔセンサー |
| JP2010133927A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Korea Electronics Telecommun | トランジスタ構造のバイオセンサー及びその製造方法 |
| JP2022509971A (ja) * | 2018-11-28 | 2022-01-25 | ルクセンブルク・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー・（エルアイエスティ） | イオン感応性電界効果トランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544986B2 (ja) | 1993-07-07 |
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