JPS61168935A - ダイシングフイルム - Google Patents
ダイシングフイルムInfo
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- JPS61168935A JPS61168935A JP60009508A JP950885A JPS61168935A JP S61168935 A JPS61168935 A JP S61168935A JP 60009508 A JP60009508 A JP 60009508A JP 950885 A JP950885 A JP 950885A JP S61168935 A JPS61168935 A JP S61168935A
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- Japan
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- film
- pts
- dicing
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Dicing (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はダイシングフィルム、特には半導体用シリコン
ウェーへのグイシング工程で用いられるる。
ウェーへのグイシング工程で用いられるる。
（従来の技術）
シリコンウェーへのダイシングはシリコンウェーハに粘
着性を有する軟質のポリ塩化ビニルフィルムや天然ゴム
あるいは合成高分子系の粘着剤を各種フィルムに塗布し
たものを粘着し、ダイシングブレードで切断するという
方法で行なわれている。
着性を有する軟質のポリ塩化ビニルフィルムや天然ゴム
あるいは合成高分子系の粘着剤を各種フィルムに塗布し
たものを粘着し、ダイシングブレードで切断するという
方法で行なわれている。
このダイシングには２つの方法があり、このハーフカッ
ト法と呼ばれている方法は、粘着性を有するダイシング
フィルムで固定したシリコンウェーハをダイシングブレ
ードでウェーへの途中までカットし、ついでブレーキン
グと称されているゴムロールなどＫよる加圧を行なって
ウェーハをそのハーフカット部分ρ）ら割Ｉ）砕いて１
個づつのチップに分離し、つぎにウェーハを固定してい
るダイシングフィルムを延伸してチップ間隔！拡げてツ
クアップしてマウントするものであ１）、もう一つのフ
ルカット法はダイシングフィルムで固定されているシリ
コンウェー八をダイシングブレードで完全くカットする
と共にダイシングフィルムも数１０μ扉の深さまでカッ
トし、ついでこのウェーハチップを八−プカットと同じ
方法でピックアップし、マウントするものであるが、こ
のピックアップマウントについては突上げビンでダイシ
ングフィルムの下面からウェーハチップを突上げるとい
う方法も行なわれている。
ト法と呼ばれている方法は、粘着性を有するダイシング
フィルムで固定したシリコンウェーハをダイシングブレ
ードでウェーへの途中までカットし、ついでブレーキン
グと称されているゴムロールなどＫよる加圧を行なって
ウェーハをそのハーフカット部分ρ）ら割Ｉ）砕いて１
個づつのチップに分離し、つぎにウェーハを固定してい
るダイシングフィルムを延伸してチップ間隔！拡げてツ
クアップしてマウントするものであ１）、もう一つのフ
ルカット法はダイシングフィルムで固定されているシリ
コンウェー八をダイシングブレードで完全くカットする
と共にダイシングフィルムも数１０μ扉の深さまでカッ
トし、ついでこのウェーハチップを八−プカットと同じ
方法でピックアップし、マウントするものであるが、こ
のピックアップマウントについては突上げビンでダイシ
ングフィルムの下面からウェーハチップを突上げるとい
う方法も行なわれている。
そして、このダイシングフィルムについてはカット後の
延伸、突上げピンによる突上げの工程上における問題処
理のために通冨はポリ塩化ビニルフィルムが多用されて
いるが、シリコンウェーへの固着のためにその一面にア
クリル酸エステル系の粘着剤を塗布したものも使用され
ている。
延伸、突上げピンによる突上げの工程上における問題処
理のために通冨はポリ塩化ビニルフィルムが多用されて
いるが、シリコンウェーへの固着のためにその一面にア
クリル酸エステル系の粘着剤を塗布したものも使用され
ている。
しかし、特に粘着剤を塗布したダイシングフィルムを使
用したものは八−フカット時に粘着剤が約６５０℃のダ
イボンド工程−約３５０℃のワイヤボンド工程で分解し
、この反応ガスによってチップが損傷するという不利が
あるし、フルカットではダイシングフィルムまでカット
され、ダイシングブレードに付着した有機物がチップ上
に飛散するために同様な事故が発生するという欠点があ
り、このダイシングフィルムとしてプラスチック性のも
のを使用した場合にはピックアップ、マウント時におけ
る姿上げＫよってこのフィルムが永久変形ケおこし、ピ
ックアップに支障が生じるという不利もある。
用したものは八−フカット時に粘着剤が約６５０℃のダ
イボンド工程−約３５０℃のワイヤボンド工程で分解し
、この反応ガスによってチップが損傷するという不利が
あるし、フルカットではダイシングフィルムまでカット
され、ダイシングブレードに付着した有機物がチップ上
に飛散するために同様な事故が発生するという欠点があ
り、このダイシングフィルムとしてプラスチック性のも
のを使用した場合にはピックアップ、マウント時におけ
る姿上げＫよってこのフィルムが永久変形ケおこし、ピ
ックアップに支障が生じるという不利もある。
そのため１本出願人はさきにシリコーンゴムを主材とす
るダイシングフィルムを開発し、これによればこのもの
が適度の粘着性を有してお１３．この切断破片は有害な
ガスを発生することがなく。
るダイシングフィルムを開発し、これによればこのもの
が適度の粘着性を有してお１３．この切断破片は有害な
ガスを発生することがなく。
突上げビンによる突上げ時にも弾性変形はするがピック
アップ後にはフィルム形状に復元するということ、また
このものは離型性がすぐれているのでピックアップ時の
チップの離型が容易になるということを確認した（特願
昭５９−２０３７０９号参照）が、このシリコーンゴム
フィルムは本質的に帯電し易いために塵埃を吸着すると
いう不利があ１３．これにはまたこの静電気がシリコン
ウェー八を静電気破壊させる原因になるという欠点をも
つものであることが判った。
アップ後にはフィルム形状に復元するということ、また
このものは離型性がすぐれているのでピックアップ時の
チップの離型が容易になるということを確認した（特願
昭５９−２０３７０９号参照）が、このシリコーンゴム
フィルムは本質的に帯電し易いために塵埃を吸着すると
いう不利があ１３．これにはまたこの静電気がシリコン
ウェー八を静電気破壊させる原因になるという欠点をも
つものであることが判った。
（発明の構成）
本発明はこのような不利を解決したシリコーンゴムフィ
ルムを主材とするダイシングフィルムに関するものであ
り、これは帯電防止特性な有するシリコーンゴムフィル
ムを主材としてなることを特徴とするものである。
ルムを主材とするダイシングフィルムに関するものであ
り、これは帯電防止特性な有するシリコーンゴムフィル
ムを主材としてなることを特徴とするものである。
すなわち１本発明者らは前記したような不利を伴なわな
いダイシングフィルムについて種々検討した結果−これ
を箒當防富ト總袢をもつシリコーンゴムフィルムを主材
とするものとすればこの帯電による静電気障害を防止す
ることができるということを見出すと共に、これがシリ
コーンフィルムであることから前記したように適度の粘
着性を有しているので他の粘着剤を塗布する必要のない
こと、シリコンウェーへのフルカット時にこの切断破片
がチップに付着してもダイボンド工程、ワイヤボンド工
程で有害ガスを発生することがないこと、チップマウン
ド時における突上げピンによる突上げでもそれがエラス
トマーであることから弾性変形はするがピックアップ後
にはフィルム状に復元し変形することがないこと、さら
にはこれが離型性をもつシリコーンゴム製とされている
のでピックアップ時のチップの離型が容易であるという
ことを再確認し、このシリコーンゴムフィルムの帯電防
止処理方法などくついての研究を進めて本発明を完成さ
せた。
いダイシングフィルムについて種々検討した結果−これ
を箒當防富ト總袢をもつシリコーンゴムフィルムを主材
とするものとすればこの帯電による静電気障害を防止す
ることができるということを見出すと共に、これがシリ
コーンフィルムであることから前記したように適度の粘
着性を有しているので他の粘着剤を塗布する必要のない
こと、シリコンウェーへのフルカット時にこの切断破片
がチップに付着してもダイボンド工程、ワイヤボンド工
程で有害ガスを発生することがないこと、チップマウン
ド時における突上げピンによる突上げでもそれがエラス
トマーであることから弾性変形はするがピックアップ後
にはフィルム状に復元し変形することがないこと、さら
にはこれが離型性をもつシリコーンゴム製とされている
のでピックアップ時のチップの離型が容易であるという
ことを再確認し、このシリコーンゴムフィルムの帯電防
止処理方法などくついての研究を進めて本発明を完成さ
せた。
電防正特性をもつシリコーンゴムフィルムは、平均単位
式が Ｒａ８１０４−ａ で示され−このＲがメチル基
、ビニル基、フェニル基、３，３．３−）リフルオロプ
ロピル基などで例示される。その少なくとも８０モル％
がメチル基で好ましくは０．１〜１．０モル％がビニル
基とされる同一または異種の非置換または置換１価炭化
水素基、＆が１．９〜２．０５の正数とされる１分子鎖
末端が水酸基、メチル基またはビニル基で封鎖されてい
るシリコーン生ゴム１００重量部に対し、帯電防止剤と
して公知とされる鉄、ニッケル、アルミニワム、ステン
レススチール、銅、各種合金粉末などの金属粉。
式が Ｒａ８１０４−ａ で示され−このＲがメチル基
、ビニル基、フェニル基、３，３．３−）リフルオロプ
ロピル基などで例示される。その少なくとも８０モル％
がメチル基で好ましくは０．１〜１．０モル％がビニル
基とされる同一または異種の非置換または置換１価炭化
水素基、＆が１．９〜２．０５の正数とされる１分子鎖
末端が水酸基、メチル基またはビニル基で封鎖されてい
るシリコーン生ゴム１００重量部に対し、帯電防止剤と
して公知とされる鉄、ニッケル、アルミニワム、ステン
レススチール、銅、各種合金粉末などの金属粉。
アセチレンブラック、ケッチェンブラック、グラファイ
トなどのカーボンブラックなどを５〜３００重量部添加
して、この組成物の体積固有抵抗が１０ Ω５１以下
、好ましくはｌＯ〜１０ Ω倒以下となるようにし、さ
らにこの組成物から作ら面積が１００イ／Ｉ以上の煙霧
質シリカまたは湿式シリカ１０〜２００重量部を茄えた
組成物を押出し成形、カレンダーロール成形などによっ
てフィルム状に成形し、ついで適宜の手段でこれを加硫
、１！！化させることＫよって得ることができる。
トなどのカーボンブラックなどを５〜３００重量部添加
して、この組成物の体積固有抵抗が１０ Ω５１以下
、好ましくはｌＯ〜１０ Ω倒以下となるようにし、さ
らにこの組成物から作ら面積が１００イ／Ｉ以上の煙霧
質シリカまたは湿式シリカ１０〜２００重量部を茄えた
組成物を押出し成形、カレンダーロール成形などによっ
てフィルム状に成形し、ついで適宜の手段でこれを加硫
、１！！化させることＫよって得ることができる。
このｖｉ、形品の加硫は公知の有機過酸化物による方法
、オルガノハイドロジエンポリシロキサンを架橋剤とし
て白金系触媒の存在下に付加反応させる方法のいずれと
してもよ（、この有機過酸化物による場合は上記の組成
物にベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジクロロベン
ゾイルパーオキサイドなどを添加し、成形後加熱加圧処
理すればよいが、この組成物がカーボンブラックなどを
配合されたものであるとき忙はジクミルパーオキサイド
、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、２．５−ビス（ｔ−
ブチルパーオキシ）２．５−ジメチルヘキサンなどを添
加することがよい。また、この加硫を付加反応で行なわ
せるときには上記したシリコーン生ゴムをビニル基を含
有するものとして。
、オルガノハイドロジエンポリシロキサンを架橋剤とし
て白金系触媒の存在下に付加反応させる方法のいずれと
してもよ（、この有機過酸化物による場合は上記の組成
物にベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジクロロベン
ゾイルパーオキサイドなどを添加し、成形後加熱加圧処
理すればよいが、この組成物がカーボンブラックなどを
配合されたものであるとき忙はジクミルパーオキサイド
、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、２．５−ビス（ｔ−
ブチルパーオキシ）２．５−ジメチルヘキサンなどを添
加することがよい。また、この加硫を付加反応で行なわ
せるときには上記したシリコーン生ゴムをビニル基を含
有するものとして。
これにその分子中に少なくとも２個の２８１Ｈ基を有す
る次式 ％式％） で示されるようなオルガノハイドロジエンポリシロキサ
ンをシリコーン生ゴム中のビニル１＆＠ＩＣ対し一＝８
１Ｅ基が ＝ｓ１ａ／ミ５ｉＯＨ±０Ｈ２＝０．５〜５
．０（モル比）となる範囲で添加し、これに白金黒また
は白金をアルＺすなどに担持させた白金系触媒あるいは
塩化白金酸、塩化白金酸とオレフィンとの鉛酸、塩化白
金酸とビニルシロキサンとの錯塩などを触媒量添加した
組成物を成形し、ついで茄熟すればよい。
る次式 ％式％） で示されるようなオルガノハイドロジエンポリシロキサ
ンをシリコーン生ゴム中のビニル１＆＠ＩＣ対し一＝８
１Ｅ基が ＝ｓ１ａ／ミ５ｉＯＨ±０Ｈ２＝０．５〜５
．０（モル比）となる範囲で添加し、これに白金黒また
は白金をアルＺすなどに担持させた白金系触媒あるいは
塩化白金酸、塩化白金酸とオレフィンとの鉛酸、塩化白
金酸とビニルシロキサンとの錯塩などを触媒量添加した
組成物を成形し、ついで茄熟すればよい。
本発明のダイシングフィルムの厚さは従来公知の軟質塩
化ビニル樹脂フィルムと同様に０．０５〜１、ＯＢのも
のとすればよいが、これは他のプラスチックフィルム、
例えば塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレンなど
のフィルム、各種ゴムシート、例えば天然ゴム、イソプ
レン、スチレンブタジェン、クロロプレン、ウレタン、
エピクロルヒドリン、エチレンプロピレン系などの合成
ゴムのシートと積層した状態で使用してもよい。
化ビニル樹脂フィルムと同様に０．０５〜１、ＯＢのも
のとすればよいが、これは他のプラスチックフィルム、
例えば塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレンなど
のフィルム、各種ゴムシート、例えば天然ゴム、イソプ
レン、スチレンブタジェン、クロロプレン、ウレタン、
エピクロルヒドリン、エチレンプロピレン系などの合成
ゴムのシートと積層した状態で使用してもよい。
なお１本発明のダイシングフィルムはシリコンウェー八
に貼着使用されるものであるので、これはシリコンウェ
ー八と密着させる必要があり、この点からはシリコンウ
ェー八と接する面を鏡面状態に仕上げておくことがよい
ので、この↓造に当っては圧縮成形時に使用するプレス
板をクロムメッキを施したものとしたり、カレンダート
ッピング成形用のロールをクロムメッキしたものとする
ことがよい。
に貼着使用されるものであるので、これはシリコンウェ
ー八と密着させる必要があり、この点からはシリコンウ
ェー八と接する面を鏡面状態に仕上げておくことがよい
ので、この↓造に当っては圧縮成形時に使用するプレス
板をクロムメッキを施したものとしたり、カレンダート
ッピング成形用のロールをクロムメッキしたものとする
ことがよい。
つぎに本発明の実施例をあげるが１例中の部は重量部を
、粘度は２５℃での測定値を示したものである。
、粘度は２５℃での測定値を示したものである。
実施例１
分子鎖両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖された。
粘度が１，０００，０００ｃ８のジメチルメチルビニル
ポリシロキサン生ゴム１００部に、アセチレンブラック
５０部と２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）２，５
−ジメチルヘキサン２．０部を添加し、二本ロールで均
一に混練りして得た導電性シリコーンゴム組成物をカレ
ンダーロールな用いて厚さ０．５ ｗｓ Ｘ縦３００ｉ
ｍＸ横３００１１１のフィルムとして予備成形してから
、これをクロムメッキされた鏡面板間に仕込み、１７５
℃で１０分間、３０１に／＋４の条件でプレス成形して
帯電防止性シリコーンゴムフィルムを作った。
ポリシロキサン生ゴム１００部に、アセチレンブラック
５０部と２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）２，５
−ジメチルヘキサン２．０部を添加し、二本ロールで均
一に混練りして得た導電性シリコーンゴム組成物をカレ
ンダーロールな用いて厚さ０．５ ｗｓ Ｘ縦３００ｉ
ｍＸ横３００１１１のフィルムとして予備成形してから
、これをクロムメッキされた鏡面板間に仕込み、１７５
℃で１０分間、３０１に／＋４の条件でプレス成形して
帯電防止性シリコーンゴムフィルムを作った。
つぎＫこのフィルムの上に直径５インチ、厚さ０．４龍
のシリコンウェー八１枚を載置してフィルムに密着させ
たのち、このウェー八をディスコ社製の厚さ０．０２ｍ
のダイシングブレードでフルカット法でカットし、つい
でこのフィルムを延伸してカットされたチップを約０．
５ ｙｍ間隔としてから０、５ ｘｗ、 ｌの突上げピ
ンで突上げ、エアピンセットで取出してマウントしたと
ころ、このものはこのフィルムがウェー八に密着してい
たことからグイシングカットずれがなかった。また−こ
のフィルムはシリコーンゴムの弾性のために加熱せずに
延伸することができるし、延伸後は弾性復帰するので突
上げ時には突上げストロークをｌ龍と大針（とることが
でき、これはまた永久変形もないのでつぎのチップ突上
げ時の妨げとなることもなく。
のシリコンウェー八１枚を載置してフィルムに密着させ
たのち、このウェー八をディスコ社製の厚さ０．０２ｍ
のダイシングブレードでフルカット法でカットし、つい
でこのフィルムを延伸してカットされたチップを約０．
５ ｙｍ間隔としてから０、５ ｘｗ、 ｌの突上げピ
ンで突上げ、エアピンセットで取出してマウントしたと
ころ、このものはこのフィルムがウェー八に密着してい
たことからグイシングカットずれがなかった。また−こ
のフィルムはシリコーンゴムの弾性のために加熱せずに
延伸することができるし、延伸後は弾性復帰するので突
上げ時には突上げストロークをｌ龍と大針（とることが
でき、これはまた永久変形もないのでつぎのチップ突上
げ時の妨げとなることもなく。
ピックアップロスが減少した。
なお、このフィルムは粘着剤などｗｆＭ布しなくてもシ
リコーンゴムの粘着性でシリコンウェーへ行による不利
はな（、さらに帯電防止性であることから静電気による
異物の付着もないので、このチップｔＩ″ｔ、ｔｉｌち
に次の工程に送ることができた。
リコーンゴムの粘着性でシリコンウェーへ行による不利
はな（、さらに帯電防止性であることから静電気による
異物の付着もないので、このチップｔＩ″ｔ、ｔｉｌち
に次の工程に送ることができた。
実施例２
分子鎖両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖された。
ビニル基を０．３そル％含有する粘度が１．０００，０
ＯＯｏＳのジメチルメチルビニルポリシロキサン生ゴム
１００部に、アセチレンブラック３０部１式 で示されるメチルへイドロジエンボリシロキサン３部お
よび塩化白金酸のイソプロピルアルコール１０重量％溶
液０．０５部を加え、２本ロールで均一に混線番）シた
のち、これを厚さ１００μ−巾３００ＷＫのポリエステ
ルフィルム上に３本カレンダーロールを用いて厚さ３０
０μで塗布し、ついでこれ７２５０℃に保持された茄熱
炉に３分間Ｗ熱されるような速度で通過させて連続的に
硬化させ、厚さ０．３ ｗｇ、中３００Ｂの帯電防止性
シリコーンゴムフィルムラ作った。
ＯＯｏＳのジメチルメチルビニルポリシロキサン生ゴム
１００部に、アセチレンブラック３０部１式 で示されるメチルへイドロジエンボリシロキサン３部お
よび塩化白金酸のイソプロピルアルコール１０重量％溶
液０．０５部を加え、２本ロールで均一に混線番）シた
のち、これを厚さ１００μ−巾３００ＷＫのポリエステ
ルフィルム上に３本カレンダーロールを用いて厚さ３０
０μで塗布し、ついでこれ７２５０℃に保持された茄熱
炉に３分間Ｗ熱されるような速度で通過させて連続的に
硬化させ、厚さ０．３ ｗｇ、中３００Ｂの帯電防止性
シリコーンゴムフィルムラ作った。
つぎにこのフィルムからポリエステルフィルムケはがし
たシリコーンフィルム上に直径５インチ。
たシリコーンフィルム上に直径５インチ。
厚さ０．４鵡のシリコンウェー八を載せてこれをフイル
ウ上に粘着固定させ、１！施例１で使用したものと同じ
ダイシングブレードでフルカットしたのち、このフィル
ムを延伸してカットされたチップを約０．５１１１間隔
とし、０．５ｗａｌｊの突上げビンで突上げ、エアピン
セットで取り出してマウントしたところ、実施例１と同
様に、このチップはそのまま次工程に送ることができた
。
ウ上に粘着固定させ、１！施例１で使用したものと同じ
ダイシングブレードでフルカットしたのち、このフィル
ムを延伸してカットされたチップを約０．５１１１間隔
とし、０．５ｗａｌｊの突上げビンで突上げ、エアピン
セットで取り出してマウントしたところ、実施例１と同
様に、このチップはそのまま次工程に送ることができた
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、帯電防止特性を有するシリコーンゴムフィルムを主
材としてなることを特徴とするダイシングフィルム。 ２、シリコーンゴムフィルムのシリコンウェーハに接触
する面が鏡面仕上げされたものである特許請求の範囲第
１項記載のダイシングフィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60009508A JPS61168935A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | ダイシングフイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60009508A JPS61168935A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | ダイシングフイルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168935A true JPS61168935A (ja) | 1986-07-30 |
Family
ID=11722183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60009508A Pending JPS61168935A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | ダイシングフイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168935A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5494549A (en) * | 1992-01-08 | 1996-02-27 | Rohm Co., Ltd. | Dicing method |
| JP2000169808A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-06-20 | Nitto Denko Corp | 熱剥離型粘着シ―ト |
-
1985
- 1985-01-22 JP JP60009508A patent/JPS61168935A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5494549A (en) * | 1992-01-08 | 1996-02-27 | Rohm Co., Ltd. | Dicing method |
| JP2000169808A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-06-20 | Nitto Denko Corp | 熱剥離型粘着シ―ト |
| JP4540150B2 (ja) * | 1998-09-30 | 2010-09-08 | 日東電工株式会社 | 熱剥離型粘着シート |
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