JPS61168934A - Wafer handling method - Google Patents

Wafer handling method

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JPS61168934A
JPS61168934A JP1061685A JP1061685A JPS61168934A JP S61168934 A JPS61168934 A JP S61168934A JP 1061685 A JP1061685 A JP 1061685A JP 1061685 A JP1061685 A JP 1061685A JP S61168934 A JPS61168934 A JP S61168934A
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wafer
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Abstract

PURPOSE:To perform supply and recovery of wafers by the same cassette, by transferring all the wafers stored in the cassette to a stocker so as to empty the cassette, conveying the wafers from the stocker for treatment, and recovering the treated wafers into the original cassette. CONSTITUTION:A cassette 22A, in which wafers 2 that are not injected are accommodated, is mounted on the uppermost position. The wafer 2 is taken out of the lower stage side of the cassette 22A one by one and inputted into the lower side immediately beneath a dummy wafer 2d in a stocker 26A in sequence. All the wafer 2 in the cassette 22A are transferred to the stocker 26A. Then, the wafers 2 are sequentially supplied to a disk 4 from the lowest stage of the stocker 26A. After ion implantation, the wafer 2 is taken out of a position P1 of the disk 4 and recovered to the uppermost stage (i.e., original position) of the original cassette 22A through a space part S in the stocker 26A. The next wafer 2 in the stocker 26A is mounted on the position P1 of the disk 4, and the second ion implantation is performed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ウェハを処理する際の、例えばイオン注入
装置においてウェハにイオン注入する際のウェハハンド
リング方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a wafer handling method when processing a wafer, for example when implanting ions into the wafer in an ion implantation apparatus.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第7図は、従来のウェハハンドリング方法の一例を説明
をするためのエンドステーションの概略平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view of an end station for explaining an example of a conventional wafer handling method.

この例では、大気中でウェハのハンドリングを行う。即
ち、大気中に設けられているローダ−6のカセット7に
予め未注入のウェハ2を複数枚収納しておき、イオン注
入後に真空中から大気中に移された(引出された)ディ
スク4に装着されている注入済みのウェハ2を、大気中
に設けられているアンローダ−8のカセット9内に収納
すると共に、当該ディスク4にカセット7から未注入の
ウェハ2を供給して装着する。
In this example, wafer handling is performed in the atmosphere. That is, a plurality of unimplanted wafers 2 are stored in advance in the cassette 7 of the loader 6 installed in the atmosphere, and after ion implantation, the wafers 2 are transferred (pulled out) from the vacuum to the atmosphere. The loaded wafer 2 that has been implanted is stored in a cassette 9 of an unloader 8 provided in the atmosphere, and the unimplanted wafer 2 is supplied from the cassette 7 to the disk 4 and loaded.

第8図は、従来のウェハハンドリング方法の他の例を説
明するための他のエンドステーションの概略平面図であ
る。この例では、ディスク4は常時真空中にあり、カセ
ット7.9は大気中にあって、ウェハ2の供給、回収は
エアロツク室16を介して行う、即ち、ディスク4は、
注入室(図示省略)に通じる高真空(例えば、10−6
〜10−?T o r r程度)の真空容器12内に収
納されており、真空容器12には方向制御室14がゲー
トバルブ等を介さずに直接通じている。方向制御室14
と大気中との間には、ゲートバルブ18.20を介して
、低真空(例えば、10−” I Q−”T 。
FIG. 8 is a schematic plan view of another end station for explaining another example of the conventional wafer handling method. In this example, the disk 4 is always in a vacuum, the cassette 7.9 is in the atmosphere, and the wafers 2 are supplied and retrieved via the air chamber 16. That is, the disk 4 is
A high vacuum (e.g. 10-6
~10-? The directional control chamber 14 is housed in a vacuum container 12 with a temperature of about 100 yen (T o r r), and the direction control chamber 14 directly communicates with the vacuum container 12 without using a gate valve or the like. Direction control room 14
and atmosphere via a gate valve 18.20 to a low vacuum (e.g. 10-"IQ-"T).

rr程度)のエアロツク室16が設けられている。An airlock chamber 16 of approximately 100 mm (approx.

大気中に設けられているローダ−6のカセット7に予め
未注入のウェハ2を複数枚収納しておき、ディスク4に
装着されている注入済みのウェハ2を、方向制御室14
、エアロツク室1Gを経由して大気中に設けられている
アンローダ−8のカセット9内に収納すると共に、ロー
ダ−6のカセット7から未注入のウェハ2を、エアロツ
タ室16、方向制御室14を経由してディスク4に供給
して装着する。
A plurality of uninjected wafers 2 are stored in advance in the cassette 7 of the loader 6 installed in the atmosphere, and the injected wafers 2 mounted on the disk 4 are transferred to the direction control chamber 14.
The unloaded wafers 2 are stored in the cassette 9 of the unloader 8 installed in the atmosphere via the aerodynamic chamber 1G, and the uninjected wafers 2 are transferred from the cassette 7 of the loader 6 to the aerodynamic chamber 16 and the direction control chamber 14. It is supplied to the disk 4 via the disk 4 and mounted thereon.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

第7図で説明したウェハハンドリング方法には次のよう
な問題点がある。
The wafer handling method explained in FIG. 7 has the following problems.

■ ローダ−6のカセット7とアンローダ−8のカセッ
ト9とが別々であるため、注入後のウェハ2は未注入の
時とは別のカセット9に回収される。所が、イオン注入
装置の運転条件等によっては、注入後のウェハ2は元入
っていたカセット7に回収される方が好都合な場合があ
り、そのような場合にはウェハ2をカセット間で入れ替
える工程が更に必要になり、非常に手間がかかると共に
処理能力(単位時間当たりのウェハの処理枚数)も低下
する。
(2) Since the cassette 7 of the loader 6 and the cassette 9 of the unloader 8 are separate, the wafer 2 after implantation is collected in a different cassette 9 from the one when not implanted. However, depending on the operating conditions of the ion implanter, it may be more convenient to collect the wafer 2 after implantation into the cassette 7 in which it was originally placed, and in such a case, the wafer 2 may be exchanged between cassettes. Additional steps are required, which is very time-consuming and reduces processing capacity (number of wafers processed per unit time).

■ 供給用のカセット7と回収用のカセット9との両方
があるため、ハンドリング途中で、カセット7にウェハ
切れが発生する場合があるだけでな(、カセット9がウ
ェハで満杯になったりする場合もあり、そのような場合
にはカセット7またはカセット9を交換しなければなら
ず手間が多くかかると共に、これらの交換に要する時間
だけハンドリング動作が休止するため、それだけ処理能
力が低下する。
■ Since there is both a supply cassette 7 and a recovery cassette 9, there is a possibility that the cassette 7 will run out of wafers during handling (or if the cassette 9 becomes full of wafers). In such a case, the cassette 7 or 9 must be replaced, which requires a lot of effort, and the handling operation is halted for the time required for these replacements, which reduces the processing capacity accordingly.

■ −触的に言えば、カセット7または9へのウェハ2
の収納枚数よりも、ディスク4へのウェハ2の装着枚数
の方が少ないので(例えば、前者は25枚であり、後者
は14枚である)、カセット1個分のウェハ2を一度に
処理することはできない。そのため、1力セント分を数
回に分けて処理したり、10ツトを数回に分けて処理し
たりするが、その場合、最後の処理では、ウェハ2がデ
ィスク4の装着枚数にどうしても満たない場合がある。
-Tactically speaking, wafer 2 to cassette 7 or 9
Since the number of wafers 2 loaded onto the disk 4 is smaller than the number of wafers 2 stored in the disk 4 (for example, the former is 25 and the latter is 14), one cassette's worth of wafers 2 are processed at one time. It is not possible. For this reason, 1 cent of power is processed in several steps, or 10 points is processed in several steps, but in that case, in the last process, the number of wafers 2 inevitably falls short of the number of disks 4 installed. There are cases.

このような場合に、ウェハ2が装着されていない箇所が
あるままイオン注入を行うと、ディスク4に不具合が生
じる0例えば、ディスク4のウェハ2の装着箇所には、
ウェハ2とディスク4との熱伝導を良(する等のために
シリコンゴムが敷かれており、もしウェハ2を装着しな
いままそこにイオン注入するとシリコンゴムが破損され
てしまう。そのような不具合が生じるのを防止するため
、ディスク4に供給するウェハ2が不足した場合は、例
えばダミーウェハを装着する等してからイオン注入しな
ければならない。そのような場合、第7図で説明したウ
ェハハンドリング方法においては、作業者がローダ−6
にダミーウェハの入ったカセットを取り付けなければな
らず非常に手間がかかる。更に、アンローダ−8に回収
されたダミーウェハを選別するのも人手に頼らなければ
ならず、面倒である。
In such a case, if ion implantation is performed while there is a part where the wafer 2 is not attached, a problem will occur in the disk 4.For example, in the part of the disk 4 where the wafer 2 is attached,
Silicone rubber is laid to improve heat conduction between the wafer 2 and the disk 4, and if ions are implanted there without the wafer 2 attached, the silicone rubber will be damaged. In order to prevent this from occurring, if there is a shortage of wafers 2 to be supplied to the disk 4, ions must be implanted after, for example, mounting a dummy wafer.In such a case, the wafer handling method explained in FIG. In this case, the worker uses the loader 6
A cassette containing dummy wafers must be attached to the wafer, which is very time-consuming. Furthermore, sorting the dummy wafers collected by the unloader 8 must be done manually, which is troublesome.

一方、第8図のエンドステーションではダミーステーシ
ョン10が設けられており、そこのカセット1−1から
のダミーウェハ2dの供給、回収は自動的に行われるよ
うになっており、上述した■の問題点は解決されている
。しかしながら、ローダ−6のカセット7とアンローダ
−8のカセット9とは、第7図の場合と同様に別々であ
るため、上述した■、■の問題点は依然として存在して
いる。
On the other hand, in the end station shown in FIG. 8, a dummy station 10 is provided, and the supply and recovery of the dummy wafers 2d from the cassette 1-1 there is performed automatically, which solves the problem (2) mentioned above. has been resolved. However, since the cassette 7 of the loader 6 and the cassette 9 of the unloader 8 are separate as in the case of FIG. 7, the above-mentioned problems 1 and 2 still exist.

従ってこの発明の主たる目的は、ウェハの供給と回収と
を同一のカセットで行うことができるウェハハンドリン
グ方法を提供することである。
Accordingly, a primary object of the present invention is to provide a wafer handling method that allows wafers to be supplied and retrieved using the same cassette.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

第1の発明のウェハハンドリング方法は、複数枚の未処
理のウェハが予め収納されているカセットと、当該カセ
ットへの収納枚数以上のウェハを収納可能なストッカー
とを用い、まずカセットに収納されていたウェハをスト
ッカーに全て移し替えてカセットを空にし、次いでスト
ッカーからウェハを処理のために搬出し、そして処理後
のウェハを元のカセットに回収するようにしている。
The wafer handling method of the first invention uses a cassette in which a plurality of unprocessed wafers are stored in advance and a stocker capable of storing wafers in excess of the number of wafers stored in the cassette. All the wafers are transferred to the stocker to empty the cassette, the wafers are then carried out from the stocker for processing, and the processed wafers are returned to the original cassette.

第2の発明のウェハハンドリング方法は、複数枚の未処
理のウェハが予め収納されているカセットと、予め複数
枚のダミーウェハが収納されていて、しかも前記カセッ
トへの収納枚数以上のウェハを更に収納可能なストッカ
ーとを用い、まずカセットに収納されていたウェハをス
トッカーに全て移し替えてカセットを空にし、次いでス
トッカーからウェハを搬出してディスクに供給し、その
際ディスクに供給するウェハが不足した場合には不足枚
数だけディスクにダミーウェハを供給し、そして処理後
のウェハは元のカセットに回収し、ダミーウェハは元の
ストッカーに回収するようにしている。
The wafer handling method of the second invention includes a cassette in which a plurality of unprocessed wafers are stored in advance, a plurality of dummy wafers in advance, and further wafers in excess of the number of wafers stored in the cassette. First, all the wafers stored in the cassette are transferred to the stocker to empty the cassette, and then the wafers are taken out from the stocker and supplied to the disk. At that time, if there are insufficient wafers to be supplied to the disk In such a case, the insufficient number of dummy wafers are supplied to the disk, and the processed wafers are collected into the original cassette, and the dummy wafers are collected into the original stocker.

第3の発明のウェハハンドリング方法は、複数枚の未処
理のウェハがそれぞれに予め収納されている複数のカセ
ットと、当該カセットと対を成していて、予め複数枚の
ダミーウェハが収納されていて、しかも対を成すカセッ
トへの収納枚数以上のウェハを更に収納可能な複数のス
トッカーとを用い、まず各カセットに収納されていたウ
ェハを対を成すストッカーに全て移し替えて各カセット
を空にし、次いで1つのストッカーからウェハを搬出し
てディスクに供給し、その際ディスクに供給するウェハ
が不足した場合には、当該ストッカーから不足枚数だけ
ディスクにダミーウェハを供給するか又は他のストッカ
ーから不足枚数だけディスクにウェハを供給するかのい
ずれかを行い、そして処理後のウェハは元のカセットに
回収し、ダミーウェハは元のストッカーに回収するよう
にしている。
A wafer handling method according to a third aspect of the invention includes a plurality of cassettes in which a plurality of unprocessed wafers are each stored in advance, and a pair of cassettes in which a plurality of dummy wafers are stored in advance. Moreover, using a plurality of stockers capable of storing more wafers than the number of wafers stored in the pair of cassettes, first, all the wafers stored in each cassette are transferred to the pair of stockers and each cassette is emptied. Next, wafers are taken out from one stocker and supplied to the disk, and if there is a shortage of wafers to be supplied to the disk, either dummy wafers are supplied to the disk by the insufficient number from the stocker, or dummy wafers are supplied from another stocker by the insufficient number. Either the wafers are supplied to the disk, the processed wafers are collected into the original cassette, and the dummy wafers are collected into the original stocker.

〔作用〕[Effect]

第1の発明のウェハハンドリング方法においては、処理
後のウェハは元のカセットに回収される。
In the wafer handling method of the first invention, the processed wafer is collected into the original cassette.

第2の発明のウェハハンドリング方法においては、ディ
スクにウェハの不足枚数だけダミーウェハが供給され、
しかも処理後のウェハは元のカセットに回収され、ダミ
ーウェハは元のストッカーに回収される。
In the wafer handling method of the second invention, dummy wafers are supplied to the disk by the number of wafers lacking,
Moreover, the wafers after processing are collected into the original cassette, and the dummy wafers are collected into the original stocker.

第3の発明のウェハハンドリング方法においては、ディ
スクにウェハが不足した場合、その分だけダミーウェハ
が供給されるか又は他のストッカーからウェハが供給さ
れ、しかも処理後のウェハは元のカセットに回収され、
ダミーウェハは元のストッカーに回収される。
In the wafer handling method of the third invention, when there is a shortage of wafers on the disk, dummy wafers are supplied for that amount or wafers are supplied from another stocker, and the wafers after processing are collected into the original cassette. ,
The dummy wafers are returned to the original stocker.

〔実施例〕〔Example〕

第1図はこの発明に係るウェハハンドリング方法の一例
を説明するためのエンドステーションの概略平面図であ
り、第2図は第1図の線n−nに沿う概略断面図である
。この例は、大気中でウェハのハンドリングを行う場合
を示す。即ち、カセット22Aとストッカー26Aの対
(これをステージAと言う)及びカセット22Bとスト
ッカー26Bの対(これをステージBと言う)等は大気
中に設けられており、ディスク4もウェハ2の取り出し
及び装着を行う際には真空中から大気中に移される(引
出される)。
FIG. 1 is a schematic plan view of an end station for explaining an example of the wafer handling method according to the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line nn in FIG. 1. This example shows a case where wafers are handled in the atmosphere. That is, the pair of cassette 22A and stocker 26A (this is called stage A), the pair of cassette 22B and stocker 26B (this is called stage B), etc. are provided in the atmosphere, and the disk 4 is also used for taking out the wafer 2. And when mounting, it is transferred (pulled out) from the vacuum to the atmosphere.

カセフl−22A、22Bには、それぞれ、複数枚(例
えば25枚)の未処理の(未注入の)ウェハ2が予め収
納されている。カセット22A、22Bとディスク4と
の間に設けられたストッカー26A、26Bには、それ
ぞれ、上段に予め複数枚の、例えばディスク4へのウェ
ハ2の装着枚数(例えば9枚)だけのダミーウェハ2d
が収納されており、しかも下段には対を成すカセット2
2A、22Bへの収納枚数以上の(例えば25枚の)ウ
ェハ2を更に収納可能である。
A plurality of (for example, 25) unprocessed (uninjected) wafers 2 are stored in each of the cassettes I-22A and 22B in advance. In each of the stockers 26A and 26B provided between the cassettes 22A and 22B and the disk 4, a plurality of dummy wafers 2d are preliminarily placed on the upper stage, for example, the number of wafers 2 attached to the disk 4 (for example, nine).
is stored, and a pair of cassettes 2 are stored in the bottom row.
It is possible to store more wafers 2 (for example, 25 wafers) than the number of wafers 2 that can be stored in 2A and 22B.

カセット22Aからのウェハ2の取り出し及びそれへの
ウェハ2の回収は、モータ等から成る昇降機構32Aに
よってカセッ)22Aを段階的に上昇または降下させる
と共に搬送ベル)24Aを正転または逆転させることに
よって行われる。ストッカー26Aへのウェハ2の収納
及びそれからのウェハ2及びダミーウェハ2dの取り出
しは、モータ等から成る昇降機構34Aによってストッ
カー26Aを段階的に上昇または降下させると共に搬送
ベル)24Aを正転または逆転させることによって行わ
れる。ディスク4へのウェハ2またはダミーウェハ2d
の装着及び取り出しは、アクチュエータ等から成る昇降
機構38によって搬送ベルト30を上昇させて、当該搬
送ベルト30を正転または逆転させると共に、ディスク
4を段階的に回転させることによって行われる。カセッ
ト22B1ストツカー26Bについても上述と同様であ
るが、これらからウェハ2またはダミーウェハ2dを搬
送する際には、アクチュエータ等から成る昇降機構36
によって搬送ベルト28を上昇させる。
The wafers 2 are taken out from the cassette 22A and the wafers 2 are collected therein by raising or lowering the cassette 22A step by step using a lifting mechanism 32A consisting of a motor, etc., and by rotating the transport bell 24A forward or backward. It will be done. Storing the wafers 2 in the stocker 26A and taking out the wafers 2 and dummy wafers 2d from the stocker 26A is carried out by raising or lowering the stocker 26A step by step using an elevating mechanism 34A consisting of a motor, etc., and rotating the transport bell 24A in the normal or reverse direction. carried out by. Wafer 2 or dummy wafer 2d to disk 4
The loading and unloading is performed by raising the conveyor belt 30 using an elevating mechanism 38 consisting of an actuator or the like, rotating the conveyor belt 30 forward or reversely, and rotating the disk 4 in stages. The cassette 22B1 stocker 26B is also the same as described above, but when transporting the wafer 2 or dummy wafer 2d from these, the elevating mechanism 36 consisting of an actuator etc.
to raise the conveyor belt 28.

次に上記エンドステーションにおけるウェハハンドリン
グ方法を説明する。まず、未注入のウェハ2の入った2
個のカセット22A、22Bを装着すると、カセット2
2Aの下段よりウェハ2を1枚ずつ取り出してそれをス
トッカー26Aのダミーウェハ2dのすぐ下より順次大
れて、カセット22Aの全てのウェハ2をストッカー2
6Aに移し替える。カセット22B内のウェハ2も同様
にストッカー26Bに全て移し替えて、カセット22A
、22Bを一旦空にする。
Next, a wafer handling method at the end station will be explained. First, wafer 2 containing unimplanted wafer 2
When two cassettes 22A and 22B are installed, cassette 2
The wafers 2 are taken out one by one from the lower stage of the cassette 22A, and the wafers 2 are sequentially enlarged from just below the dummy wafer 2d of the stocker 26A, and all the wafers 2 of the cassette 22A are transferred to the stocker
Transfer to 6A. Similarly, all the wafers 2 in the cassette 22B are transferred to the stocker 26B, and the wafers 2 in the cassette 22A are
, 22B is emptied once.

次いで、ストッカー26Aの最下段から順次ウェハ2を
搬出してディスク4に供給し、ディスク4上の位iz 
p lから位置P、に順次ウェハ2を装着し、その後デ
ィスク4を高真空の注入室(図示省略)内に入れてイオ
ン注入を行う。
Next, the wafers 2 are sequentially taken out from the bottom of the stocker 26A and supplied to the disk 4, and the wafers 2 are placed at a position on the disk 4.
The wafers 2 are sequentially mounted from position P to position P, and then the disk 4 is placed in a high vacuum implantation chamber (not shown) to perform ion implantation.

イオン注入後は、ディスク4を大気中に戻して、注入済
みのウェハ2をディスク4の位置P、から取り出して、
ストッカー26Aの空間を通過して元のカセット22A
の最上段に回収し、ストッカー26A内の次のウェハ2
をディスク4の位置P、に装着する。同様のことをディ
スク4の位置P2〜位開位置まで行った後2回目のイオ
ン注入を行う。この場合、注入後のウェハ2は、供給し
た時と同一カセット内に、しかもその中の同一場所に(
即ち予め収納されていたのと同一順序で)回収される。
After ion implantation, the disk 4 is returned to the atmosphere, and the implanted wafer 2 is taken out from position P on the disk 4.
The original cassette 22A passes through the space of the stocker 26A.
The next wafer 2 in the stocker 26A is
is mounted on the disk 4 at position P. After performing the same process from position P2 to the open position of the disk 4, the second ion implantation is performed. In this case, the wafer 2 after implantation is placed in the same cassette as when it was supplied, and in the same location within it (
that is, in the same order in which they were previously stored).

ストッカー26A内のウェハ2が無くなると、それが例
えばフォトセンサ等で検出されて、例えばストッカー2
6Bより未注入のウェハ2がディスク4に供給される。
When the wafer 2 in the stocker 26A runs out, it is detected by, for example, a photo sensor, and the wafer 2 in the stocker 26A is removed.
The unimplanted wafer 2 is supplied to the disk 4 from 6B.

カセット22Aが注入済みのウェハ2で一杯になると、
それが例えばフォトセンサ等で検出されて、ディスク4
からの注入済みのウェハ2は自動的にカセット22Bに
回収されると共に、カセット22Aの取替えの信号が発
せられる。
When the cassette 22A is full of implanted wafers 2,
For example, it is detected by a photo sensor, etc., and the disc 4
The implanted wafer 2 is automatically collected into the cassette 22B, and a signal for replacing the cassette 22A is issued.

これを受けた作業者が、注入済みのウェハ2が回収され
たカセッ)22Aを取り外し、未注入のウェハ2が収納
されているカセット22Aを装着すると、前述のような
ウェハ2のストッカー26Aへの移し替えは自動的に行
われ、待機状態に入る。その間に並行して、ストッカー
26Bからのウェハ2の供給、イオン注入、カセット2
2Bへのウェハ2の回収が行われている。
When the operator who receives this removes the cassette 22A in which the injected wafers 2 have been collected and attaches the cassette 22A in which the uninjected wafers 2 are stored, the wafers 2 are placed in the stocker 26A as described above. The transfer is performed automatically and the device enters a standby state. Meanwhile, in parallel, supply of wafer 2 from stocker 26B, ion implantation, and cassette 2
Wafer 2 is being collected to 2B.

ディスク4に供給するウェハが不足してダミーウェハを
使用する場合は、ストッカー26A、26Bの上段のダ
ミーウェハ2dをディスク4に供給し、イオン注入後は
当該ダミーウェハ2dは元の(即ち、供給した時と同一
の)ストッカー26A、26Bに回収する。そのために
は、例えば、ダミーウェハ2dの供給元、供給枚数等を
制御手段に記憶させておく。
When dummy wafers are used due to a shortage of wafers to be supplied to the disk 4, the dummy wafers 2d in the upper row of the stockers 26A and 26B are supplied to the disk 4, and after ion implantation, the dummy wafers 2d are returned to their original state (i.e., the same as when they were supplied). (same) stockers 26A and 26B. For this purpose, for example, the source of supply of the dummy wafers 2d, the number of supplied wafers, etc. are stored in the control means.

この場合、カセットとストッカーの対から成るステージ
が2ステ一ジ以上ある場合(第1図及び第2図は、2ス
テージの例を示す)、ディスク4に供給するウェハ2が
不足した場合の当該ステージからのダミーウェハ2dの
供給または他のステージからのウェハ2の供給の仕方は
色々考えられるが、典型的な例を第3図に示す。ディス
ク4のウェハ装着枚数をM(例えば9)とし、各ステー
ジのウェハ収納枚数をN(例えば25)とした場合、第
3図(a)は、1つのステージからディスク4に供給す
るウェハが不足する度毎に、当該ステージから不足枚数
だけダミーウェハを供給する場合を示す。例えば、イオ
ン注入l及びHの際は、ディスク4にステージAのスト
ッカー26Aから9枚ずつウェハ2を供給し、イオン注
入■の際は、ストッカー26Aから7枚のウェハ2と2
枚のダミーウェハ2dを供給する0次いでステージBか
ら同様に、ウェハ2またはダミーウェハ2dの供給を行
う。
In this case, if there are two or more stages each consisting of a pair of cassette and stocker (FIGS. 1 and 2 show an example of two stages), the problem occurs when there is a shortage of wafers 2 to be supplied to the disk 4. Although various methods can be considered for supplying the dummy wafer 2d from the stage or supplying the wafer 2 from another stage, a typical example is shown in FIG. When the number of wafers loaded on the disk 4 is M (for example, 9) and the number of wafers stored in each stage is N (for example, 25), FIG. A case is shown in which the insufficient number of dummy wafers are supplied from the stage each time. For example, during ion implantation l and H, nine wafers 2 are supplied to the disk 4 from the stocker 26A of stage A, and during ion implantation - seven wafers 2 and 2 are supplied from the stocker 26A.
Next, wafers 2 or dummy wafers 2d are supplied from stage B in the same manner.

一方第3図(b)は、1つのステージから供給するウェ
ハ2が不足した場合は、不足枚数だけ他のステージから
ウェハ2を供給し、そしてイオン注入の後の方でまとめ
てダミーウェハ2dを供給する場合を示す。
On the other hand, FIG. 3(b) shows that when there is a shortage of wafers 2 supplied from one stage, the insufficient number of wafers 2 are supplied from other stages, and then dummy wafers 2d are supplied in bulk after ion implantation. Indicates when to do so.

上記いずれの方法を使用するかは、注入条件等による。Which of the above methods is used depends on the injection conditions and the like.

例えば、各カセット毎に注入条件を変える場合には第3
図(a)の方法を使用し、同一条件で多数のウェハに連
続的にイオン注入する場合には第3図(b)の方法を使
用すれば良い。
For example, when changing the injection conditions for each cassette, the third
If the method shown in FIG. 3(a) is used to continuously implant ions into a large number of wafers under the same conditions, the method shown in FIG. 3(b) may be used.

以上に説明したウェハハンドリング方法においては、次
のような効果が得られる。
The wafer handling method described above provides the following effects.

■ 注入後のウェハ2は、供給した時と同一のカセット
に回収される。従って、従来のようにカセット間でウェ
ハを入れ換える工程は不要となり、これに伴う手間を省
くことができ、処理能力の向上を図ることができる。し
かも、上述した例のように、注入後のウェハ2は、供給
した時と同一のカセットに回収されるだけでなく、同一
のカセット内に同一1頓序で回収されるようにすること
′もできる。そのようにすることの主たる利点は、1つ
のカセット内に異なった種類のウェハ2を収納していた
場合、注入後のウェハ2が元と同一順序で回収されると
、ウェハの入れ換え等が不要となって後処理が非常に楽
になるということである。
(2) The wafer 2 after implantation is collected into the same cassette as when it was supplied. Therefore, the conventional step of exchanging wafers between cassettes is not necessary, the associated effort can be saved, and processing capacity can be improved. Moreover, as in the above example, the wafers 2 after implantation are not only collected in the same cassette in which they were supplied, but also in the same order in the same cassette. can. The main advantage of doing so is that if different types of wafers 2 are stored in one cassette, there is no need to replace the wafers if the wafers 2 after implantation are recovered in the same order as the original. This means that post-processing becomes much easier.

■ 従来のようにローグー側のカセットとアンローダ−
側のカセットとが別々ではなく、注入後のウェハ2は元
のカセット内に回収されるため、カセットの数は従来の
半分で良く、そのためカセットの交換頻度、手間も従来
の半分になり、これによっても処理能力の向上を図るこ
とができる。
■ As before, the cassette and unloader on the Rogue side
The side cassette is not separate, and the wafer 2 after implantation is collected into the original cassette, so the number of cassettes can be half of the conventional one, and therefore the frequency and effort of replacing cassettes is half that of the conventional one. The processing capacity can also be improved by

■ 上述した例のようにストッカー26A、26B内に
ダミーウェハ2dを予め収納しておけば、ディスク4に
供給するウェハ2が不足した場合は、人手を要すること
なくダミーウェハ2dを自動的に供給、回収することも
できる。
■ If the dummy wafers 2d are stored in the stockers 26A and 26B in advance as in the above example, when there is a shortage of wafers 2 to be supplied to the disk 4, the dummy wafers 2d can be automatically supplied and collected without requiring any human intervention. You can also.

■ 更に上述した例のように、カセットと、これと対を
成すストッカーとを2対用いれば(即ち2ステージとす
れば)、一方のステージのカセットを入れ換え中は他の
ステージからディスク4にウェハ2を供給することがで
きる。従って、ハンドリング途中でのウェハ切れによる
イオン注入の休止を無(することができ、これによって
処理能力の向上を更に図ることができる。勿論、3ステ
一ジ以上にしても良い。
■ Furthermore, as in the above example, if two pairs of cassettes and paired stockers are used (in other words, two stages), wafers can be transferred from the other stage to the disk 4 while the cassette in one stage is being replaced. 2 can be supplied. Therefore, it is possible to eliminate the interruption of ion implantation due to wafer breakage during handling, thereby further improving the throughput. Of course, three or more stages may be used.

尚、エンドステーションには、上述したようなディスク
4を用いないで、ウェハ2を1枚ずつ注入室へ搬入して
イオン注入して搬出するというものもあるが、そのよう
なエンドステーションにもこの発明のウェハハンドリン
グ方法を用いることができる。その場合は1ステージと
し、しかもストッカー内にダミーウェハ2dを収納して
おく必要はない、そのような場合でも、上記■及び■の
効果を得ることができる。
Note that some end stations carry the wafers 2 one by one into the implantation chamber, implant ions, and take them out without using the disk 4 as described above; The wafer handling method of the invention can be used. In that case, there is only one stage, and there is no need to store the dummy wafer 2d in the stocker.Even in such a case, the effects of (1) and (2) above can be obtained.

次に、真空中でウェハのハンドリングを行う場合を説明
する。第4図はこの発明に係るウェハハンドリング方法
の他の例を説明するための他のエンドステーションの概
略平面図であり、第5図は第4図の線V−Vに沿う概略
断面図である。第1図及び第2図と同等部分には同一符
号を付してその説明を省略する。
Next, a case in which wafers are handled in a vacuum will be described. FIG. 4 is a schematic plan view of another end station for explaining another example of the wafer handling method according to the present invention, and FIG. 5 is a schematic cross-sectional view taken along line V-V in FIG. 4. . Components equivalent to those in FIGS. 1 and 2 are given the same reference numerals, and their explanations will be omitted.

ディスク4は、注入室(図示省略)に通じる高真空の真
空容器12内に収納されており、ウェハハンドリングの
際は第5図の実線の状態で段階的に回転させられ、イオ
ン注入の際は第5図の破線(符号4′)の状態で回転及
び並進させられる。
The disk 4 is housed in a high-vacuum container 12 that communicates with an implantation chamber (not shown), and is rotated in stages as shown by the solid line in FIG. 5 during wafer handling, and during ion implantation. It is rotated and translated in the state indicated by the broken line (reference numeral 4') in FIG.

真空容器12には、搬送室42がゲートバルブ等を介さ
ずに直接通じている。搬送室42と大気中との間には、
低真空のカセット室40A、40Bが設けられており、
その両側には、それぞれカセットドア44A、44B及
びゲートバルブ46A、46Bが設けられている。そし
て、前述したカセット22A、22Bは、それぞれ、カ
セット室40A、40B内に収納されており、ストッカ
ー26A、26Bは共に搬送室42内に収納されている
。また、前述した搬送ベル)24A、24Bは、この例
では、それぞれ搬送ベル)23Aと27A及び搬送ベル
ト23Bと27Bに分けられている。
A transfer chamber 42 directly communicates with the vacuum container 12 without using a gate valve or the like. Between the transfer chamber 42 and the atmosphere,
Low vacuum cassette chambers 40A and 40B are provided,
On both sides thereof, cassette doors 44A, 44B and gate valves 46A, 46B are provided, respectively. The aforementioned cassettes 22A and 22B are housed in cassette chambers 40A and 40B, respectively, and both stockers 26A and 26B are housed in transfer chamber 42. Furthermore, the aforementioned conveyor belts 24A and 24B are divided into conveyor belts 23A and 27A and conveyor belts 23B and 27B, respectively, in this example.

次に上記エンドステーションおけるウェハハンドリング
方法を、第6図を参照しながら説明する。
Next, a wafer handling method at the end station will be explained with reference to FIG.

ステップ1において、カセットドア44A、44Bを開
いて、未注入のウェハ2が収納されているカセット22
A、22Bをエンドステーションに装着する。ステップ
2においてカセットドア44A、44Bを閉じ、ステッ
プ3においてカセット室4OA、40Bの真空引き(荒
引き)を行う。
In step 1, the cassette doors 44A and 44B are opened, and the cassette 22 containing uninjected wafers 2 is opened.
Attach A and 22B to the end station. In step 2, the cassette doors 44A and 44B are closed, and in step 3, the cassette chambers 4OA and 40B are vacuumed (roughly evacuated).

ステップ4においてゲートバルブ46A、46Bを開き
、ステップ5においてウェハ2をカセット22A、22
Bからストッカー26A、26Bに全て移し替える。ス
テップ6においてストッカー26Aから9枚のウェハ2
をディスク4に供給して装着し、ステップ7において当
該ウェハ2に順次イオン注入を行う、ステップ8におい
て、注入済みのウェハ2をカセット22Aに回収すると
共に、未注入のウェハ2を9枚だけス)7カー26Aか
らディスク4に供給し、ステップ9においてイオン注入
する。ステップ10においては、注入済みのウェハ2を
カセット22Aに回収すると共に、ストッカー26Aか
ら未注入ウェハ2を7枚だけディスク4に供給しくこの
例ではカセット22A、22Bへのウェハ2の収納枚数
は共に25枚であるため、3度目のロード時には未注入
のウェハ2は一方のステージには7枚しか残っていない
ため)、不足分の2枚は他方のステージのストッカー2
6Bから供給する。ステップ11においてイオン注入の
後、ステップ12において、注入済みの7枚のウェハ2
は元のカセット22Aに回収し、2枚のウェハ2は元の
カセ・ノド22Bに回収すると共に、未注入のウェハ2
を9枚だけストッカー26Bからディスク4に供給する
。ステップ13において、イオン注入すると共に、ゲー
トバルブ46Aを閉じる。ステップ14において、上述
と同様にウェハ2のロード、アンロードを行うと共に、
カセット室40Aに窒素ガス等を注入してカセット室4
OAを大気圧にする(ベントする)。ステップ15にお
いて、イオン注入すると共に、カセットドア44Aを開
き、ステップ16においてカセット22Aを交換する。
In step 4, the gate valves 46A and 46B are opened, and in step 5, the wafer 2 is transferred to the cassettes 22A and 22.
Transfer everything from B to stockers 26A and 26B. In step 6, nine wafers 2 are removed from the stocker 26A.
is supplied to and mounted on the disk 4, and in step 7, ions are implanted into the wafers 2 sequentially.In step 8, the implanted wafers 2 are collected into the cassette 22A, and only 9 unimplanted wafers 2 are transferred to the cassette 22A. )7 is supplied to the disk 4 from the car 26A, and ions are implanted in step 9. In step 10, the implanted wafers 2 are collected into the cassette 22A, and seven unimplanted wafers 2 are supplied to the disk 4 from the stocker 26A. In this example, the number of wafers 2 stored in the cassettes 22A and 22B are both Since the number of wafers is 25, only 7 unimplanted wafers 2 remain in one stage at the third loading time), and the missing two wafers are transferred to the stocker 2 of the other stage.
Supplied from 6B. After ion implantation in step 11, in step 12, the seven implanted wafers 2 are
is collected into the original cassette 22A, the two wafers 2 are collected into the original cassette throat 22B, and the uninjected wafers 2
9 sheets are supplied from the stocker 26B to the disk 4. In step 13, ions are implanted and the gate valve 46A is closed. In step 14, the wafer 2 is loaded and unloaded in the same manner as described above, and
By injecting nitrogen gas etc. into the cassette chamber 40A, the cassette chamber 4
Bring the OA to atmospheric pressure (vent). In step 15, ions are implanted and the cassette door 44A is opened, and in step 16, the cassette 22A is replaced.

即ち、注入済みのウェハ2が回収されたカセッ)22A
を取り外して、未注入のウェハ2が収納されているカセ
ッ)22Aを装着する。以降、上記と同様の動作を繰り
返す。そして、ステップ27において、ストッカー26
Aから残り3枚のウェハ2をディスク4に供給し、不足
分としてストッカー26Aからダミーウェハ2dを6枚
供給する。この時のウェハ2及びダミーウェハ2dは、
ステップ29において、元のカセット22A及び元のス
トッカー26Aに回収される。即ち、この例では、第3
図(b)のダミーウェハの供給の仕方を採用している。
That is, the cassette 22A in which the implanted wafers 2 were collected
22A containing uninjected wafers 2 is attached. After that, the same operation as above is repeated. Then, in step 27, the stocker 26
The remaining three wafers 2 are supplied from A to the disk 4, and six dummy wafers 2d are supplied from the stocker 26A to cover the shortage. The wafer 2 and dummy wafer 2d at this time are
In step 29, the original cassette 22A and the original stocker 26A are recovered. That is, in this example, the third
The method of supplying dummy wafers shown in Figure (b) is adopted.

以上のようにこのウェハハンドリング方法においては、
真空中でハンドリングを行っているため、真空中と大気
中との間でディスク4を出し入れする第1図及び第2図
で説明したハンドリング方法に比べて、更に処理能力が
向上する。勿論、第1図及び第2図で説明した■〜■の
効果も得られることは言うまでもない。更に、ローダー
のカセットとアンローダ−のカセットとが別で2つのカ
セット室内にそれぞれ収納されているエンドステーショ
ンを用いたハンドリング方法は従来からあるが、この発
明のウェハハンドリング方法においては、その従来例に
比べてカセット室の数は半分で済み、従ってそれの真空
引きも半分で良く、その分だけ処理能力が向上する。
As mentioned above, in this wafer handling method,
Since the handling is performed in a vacuum, the processing capacity is further improved compared to the handling method explained in FIGS. 1 and 2, in which the disk 4 is moved in and out between the vacuum and the atmosphere. Of course, it goes without saying that the effects (1) to (4) described in FIGS. 1 and 2 can also be obtained. Further, although there is a conventional handling method using an end station in which the loader cassette and the unloader cassette are housed separately in two cassette chambers, the wafer handling method of the present invention differs from that conventional example. In comparison, the number of cassette chambers can be halved, and therefore the vacuuming of the cassette chambers can also be halved, and the throughput can be improved accordingly.

最後に、上記第1図及び第2図の例、並びに第4図ない
し第6図の例では、いずれも、ディスク4を有するエン
ドステーションで、2ステージであり、しかもダミーウ
ェハ2dを用いる場合を説明したが、この発明はそれに
限定されるものではなく、カセットとストッカーとを用
いたハンドリング方法(第1の発明)によって上述した
■及び■の効果が得られ、更にディスク4とダミーウェ
ハ2dを用いたハンドリング方法(第2の発明)によっ
て上述した■〜■の効果が得られ、更に複数ステージと
したハンドリング方法(第3の発明)によって上述した
■〜■の効果が得られる。
Finally, in the examples shown in FIGS. 1 and 2 and the examples shown in FIGS. 4 to 6, the end station has a disk 4, has two stages, and uses a dummy wafer 2d. However, the present invention is not limited thereto, and the above-mentioned effects (1) and (2) can be obtained by the handling method (first invention) using a cassette and a stocker, and further, by using the disk 4 and the dummy wafer 2d. The handling method (second invention) provides the effects (1) to (2) described above, and the handling method (third invention) having multiple stages also provides the effects (1) to (4) described above.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、第1の発明においては、カセットとスト
ッカーとを用いていて、処理後のウェハは元のカセット
に回収される。従って従来のようにカセット間でウェハ
を入れ換える工程は不要となり、これに伴う手間を省く
ことができ、処理能力の向上を図ることができる。また
、従来のようにローグー側のカセットとアンローダ−側
のカセットの両方を交換する必要は無く、1つのカセッ
トの交換で良いため、カセットの交換頻度、手間も従来
の半分になり、これによっても処理能力の向上を図るこ
とができる。
As described above, in the first invention, a cassette and a stocker are used, and the wafers after processing are collected into the original cassette. Therefore, there is no need for the conventional process of exchanging wafers between cassettes, and the associated effort can be saved, and processing capacity can be improved. In addition, there is no need to replace both the rogue side cassette and the unloader side cassette as in the past, but only one cassette needs to be replaced, so the frequency and effort of replacing cassettes is halved compared to conventional methods. It is possible to improve processing capacity.

第2の発明においては、第1の発明に加えて、ディスク
にダミーウェハを自動的に供給できるので、第1の発明
の効果に加えて、ディスクに供給するウェハが不足した
場合には人手を要することなくダミーウェハを速やかに
供給することができるという効果も得られる。
In the second invention, in addition to the first invention, since dummy wafers can be automatically supplied to the disk, in addition to the effect of the first invention, when there is a shortage of wafers to be supplied to the disk, manual labor is required. Another advantage is that dummy wafers can be quickly supplied without any problems.

第3の発明においては、第2の発明に加えて、カセット
とストッカーの対を複数用いていて、ハンドリング途中
でのウェハ切れによるイオン注入の休止を無くすること
ができるので、第2の発明の効果に加えて、処理能力の
向上を更に図ることができるという効果も得られる。
In the third invention, in addition to the second invention, a plurality of pairs of cassettes and stockers are used, and it is possible to eliminate interruptions in ion implantation due to wafer breakage during handling. In addition to this effect, there is also the effect that the processing capacity can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明に係るウェハハンドリング方法の一
例を説明するためのエンドステーションの概略平面図で
ある。第2図は、第1図の線■−■に沿う概略断面図で
ある。第3図は、ディスクにウェハまたはダミーウェハ
を供給する仕方を説明するための図である。第4図は、
この発明に係るウェハハンドリング方法の他の例を説明
するための他のエンドステーションの概略平面図である
。 第5図は、第4図の線V−Vに沿う概略断面図である。 第6図は、第4図及び第5図に示したエンドステーショ
ンにおけるウェハハンドリング動作を説明するための図
である。第7図は、従来のウェハハンドリング方法の一
例を説明するためのエンドステーションの概略平面図で
ある。第8図は、従来のウェハハンドリング方法の他の
例を説明するための他のエンドステーションの概略平面
図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of an end station for explaining an example of the wafer handling method according to the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line ■--■ in FIG. 1. FIG. 3 is a diagram for explaining how to supply a wafer or dummy wafer to a disk. Figure 4 shows
FIG. 7 is a schematic plan view of another end station for explaining another example of the wafer handling method according to the present invention. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view taken along line V-V in FIG. 4. FIG. 6 is a diagram for explaining the wafer handling operation at the end station shown in FIGS. 4 and 5. FIG. FIG. 7 is a schematic plan view of an end station for explaining an example of a conventional wafer handling method. FIG. 8 is a schematic plan view of another end station for explaining another example of the conventional wafer handling method.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ウェハを処理する際のウェハハンドリング方法で
あって、複数枚の未処理のウェハが予め収納されている
カセットと、当該カセットへの収納枚数以上のウェハを
収納可能なストッカーとを用い、まずカセットに収納さ
れていたウェハをストッカーに全て移し替えてカセット
を空にし、次いでストッカーからウェハを処理のために
搬出し、そして処理後のウェハを元のカセットに回収す
ることを特徴とするウェハハンドリング方法。
(1) A wafer handling method when processing wafers, using a cassette in which a plurality of unprocessed wafers are stored in advance, and a stocker capable of storing more wafers than the number of wafers stored in the cassette, A wafer characterized in that all the wafers stored in the cassette are first transferred to a stocker to empty the cassette, then the wafers are carried out from the stocker for processing, and the processed wafers are returned to the original cassette. Handling method.
(2)処理後のウェハを元のカセットに回収する際に、
予め収納されていた順序と同一順序で回収するようにし
た特許請求の範囲第1項記載のウェハハンドリング方法
(2) When collecting wafers after processing into the original cassette,
The wafer handling method according to claim 1, wherein the wafers are collected in the same order as the wafers were stored in advance.
(3)複数枚のウェハをディスクに装着してそれらを順
次処理する際のウェハハンドリング方法であって、複数
枚の未処理のウェハが予め収納されているカセットと、
予め複数枚のダミーウェハが収納されていて、しかも前
記カセットへの収納枚数以上のウェハを更に収納可能な
ストッカーとを用い、まずカセットに収納されていたウ
ェハをストッカーに全て移し替えてカセットを空にし、
次いでストッカーからウェハを搬出してディスクに供給
し、その際ディスクに供給するウェハが不足した場合に
は不足枚数だけディスクにダミーウェハを供給し、そし
て処理後のウェハは元のカセットに回収し、ダミーウェ
ハは元のストッカーに回収することを特徴とするウェハ
ハンドリング方法。
(3) A wafer handling method in which a plurality of wafers are mounted on a disk and sequentially processed, the cassette containing a plurality of unprocessed wafers in advance;
Using a stocker in which a plurality of dummy wafers are stored in advance and can further store wafers greater than the number of wafers stored in the cassette, first, all the wafers stored in the cassette are transferred to the stocker and the cassette is emptied. ,
Next, the wafers are taken out from the stocker and supplied to the disk, and if there is a shortage of wafers to be supplied to the disk, dummy wafers are supplied to the disk by the insufficient number of wafers, and the processed wafers are returned to the original cassette, and the dummy wafers are is a wafer handling method characterized by collecting the wafers in the original stocker.
(4)複数枚のウェハをディスクに装着してそれらを順
次処理する際のウェハハンドリング方法であって、複数
枚の未処理のウェハがそれぞれに予め収納されている複
数のカセットと、当該カセットと対を成していて、予め
複数枚のダミーウェハが収納されていて、しかも対を成
すカセットへの収納枚数以上のウェハを更に収納可能な
複数のストッカーとを用い、まず各カセットに収納され
ていたウェハを対を成すストッカーに全て移し替えて各
カセットを空にし、次いで1つのストッカーからウェハ
を搬出してディスクに供給し、その際ディスクに供給す
るウェハが不足した場合には、当該ストッカーから不足
枚数だけディスクにダミーウェハを供給するか又は他の
ストッカーから不足枚数だけディスクにウェハを供給す
るかのいずれかを行い、そして処理後のウェハは元のカ
セットに回収し、ダミーウェハは元のストッカーに回収
することを特徴とするウェハハンドリング方法。
(4) A wafer handling method for loading a plurality of wafers onto a disk and sequentially processing them, comprising: a plurality of cassettes each containing a plurality of unprocessed wafers; Using a plurality of stockers that form a pair, store a plurality of dummy wafers in advance, and can store more wafers than can be stored in the pair of cassettes, the wafers are first stored in each cassette. All the wafers are transferred to the pair of stockers to empty each cassette, and then the wafers are taken out from one stocker and supplied to the disk. At this time, if there are insufficient wafers to be supplied to the disk, the wafers are depleted from the stocker. Either dummy wafers are supplied to the disk by the number of wafers, or wafers are supplied from another stocker to the disk by the insufficient number, and the processed wafers are collected into the original cassette, and the dummy wafers are collected into the original stocker. A wafer handling method characterized by:
JP1061685A 1985-01-22 1985-01-22 Wafer handling method Granted JPS61168934A (en)

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