JPH0374506B2 - - Google Patents

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JPH0374506B2
JPH0374506B2 JP1061685A JP1061685A JPH0374506B2 JP H0374506 B2 JPH0374506 B2 JP H0374506B2 JP 1061685 A JP1061685 A JP 1061685A JP 1061685 A JP1061685 A JP 1061685A JP H0374506 B2 JPH0374506 B2 JP H0374506B2
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    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
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    • HELECTRICITY
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    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ウエハを処理する際の、例えばイ
オン注入装置においてウエハにイオン注入する際
のウエハハンドリング方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a wafer handling method when processing a wafer, for example when implanting ions into the wafer in an ion implantation apparatus.

〔従来の技術〕 第7図は、従来のウエハハンドリング方法の一
例を説明をするためのエンドステーシヨンの概略
平面図である。この例では、大気中でウエハのハ
ンドリングを行う。即ち、大気中に設けられてい
るローダー6のカセツト7に予め未注入のウエハ
2を複数枚収納しておき、イオン注入後に真空中
から大気中に移された(引出された)デイスク4
に装着されている注入済みのウエハ2を、大気中
に設けられているアンローダー8のカセツト9内
に収納すると共に、当該デイスク4にカセツト7
から未注入のウエハ2を提供して装着する。
[Prior Art] FIG. 7 is a schematic plan view of an end station for explaining an example of a conventional wafer handling method. In this example, wafer handling is performed in the atmosphere. That is, a plurality of unimplanted wafers 2 are stored in advance in a cassette 7 of a loader 6 installed in the atmosphere, and after ion implantation, the disks 4 are transferred (pulled out) from the vacuum to the atmosphere.
The implanted wafer 2 loaded on the disk 4 is stored in the cassette 9 of the unloader 8 installed in the atmosphere, and the cassette 7 is placed on the disk 4.
An unimplanted wafer 2 is provided and mounted.

第8図は、従来のウエハハンドリング方法の他
の例を説明するための他のエンドステーシヨンの
概略平面図である。この例では、デイスク4は常
時真空中にあり、カセツト7,9は大気中にあつ
て、ウエハ2の供給、回収はエアロツク室16を
介して行う。即ち、デイスク4は、注入室(図示
省略)に通じていて真空に排除される真空容器1
2内に収納されており、真空容器12には方向制
御室14がゲートバルブ等を介さずに直接通じて
いる。方向制御室14と大気中との間には、ゲー
トバルブ18,20を介して、真空に排気される
エアロツク室16が設けられている。大気中に設
けられているローダー6のカセツト7に予め未注
入のウエハ2を複数枚収納しておき、デイスク4
に装着されている注入済みのウエハ2を、方向制
御室14、エアロツク室16を経由して大気中に
設けられているアンローダー8のカセツト9内に
収納すると共に、ローダー6のカセツト7から未
注入のウエハ2を、エアロツク室16、方向制御
室14を経由してデイスク4に供給して装着す
る。
FIG. 8 is a schematic plan view of another end station for explaining another example of the conventional wafer handling method. In this example, the disk 4 is always in a vacuum, the cassettes 7 and 9 are in the atmosphere, and the wafers 2 are supplied and recovered through the airlock chamber 16. That is, the disk 4 is connected to a vacuum container 1 that communicates with an injection chamber (not shown) and is evacuated to a vacuum.
A direction control chamber 14 directly communicates with the vacuum vessel 12 without using a gate valve or the like. An aerodynamic chamber 16 is provided between the direction control chamber 14 and the atmosphere through gate valves 18 and 20, which is evacuated to a vacuum. A plurality of uninjected wafers 2 are stored in advance in the cassette 7 of the loader 6 installed in the atmosphere, and the disk 4
The implanted wafers 2 loaded in the wafers 2 are stored in the cassette 9 of the unloader 8 installed in the atmosphere via the direction control chamber 14 and the airlock chamber 16, and the unloaded wafers 2 are unloaded from the cassette 7 of the loader 6. The implanted wafer 2 is supplied to the disk 4 via the airlock chamber 16 and the direction control chamber 14 and mounted thereon.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

第7図で説明したウエハハンドリング方法には
次のような問題点がある。
The wafer handling method explained in FIG. 7 has the following problems.

ローダー6のカセツト7とアンローダー8の
カセツト9とが別々であるため、注入後のウエ
ハ2は未注入の時とは別のカセツト9に回収さ
れる。所が、イオン注入装置の運転条件等によ
つては、注入後のウエハ2は元入つていたカセ
ツト7に回収される方が好都合な場合であり、
そのような場合にはウエハ2をカセツト間で入
れ替える工程が更に必要になり、非常に手間が
かかると共に処理能力(単位時間当たりのウエ
ハの処理枚数)も低下する。
Since the cassette 7 of the loader 6 and the cassette 9 of the unloader 8 are separate, the wafers 2 after implantation are collected in a different cassette 9 from the one when not implanted. However, depending on the operating conditions of the ion implanter, there may be cases where it is more convenient to collect the wafer 2 after implantation into the cassette 7 in which it was originally placed.
In such a case, an additional step of exchanging the wafers 2 between cassettes is required, which is very time-consuming and reduces the throughput (the number of wafers processed per unit time).

供給用のカセツト7と回収用のカセツト9と
の両方があるため、ハンドリング途中で、カセ
ツト7にウエハ切れが発生する場合があるだけ
でなく、カセツト9がウエハで満杯になつたり
する場合もあり、そのような場合にはカセツト
7またはカセツト9を交換しなければならず手
間が多くかかると共に、これらの交換に要する
時間だけハンドリング動作が休止するため、そ
れだけ処理能力が低下する。
Since there is both a supply cassette 7 and a recovery cassette 9, not only may wafers run out in the cassette 7 during handling, but also the cassette 9 may become full of wafers. In such a case, it is necessary to replace the cassette 7 or 9, which requires a lot of effort, and the handling operation is suspended for the time required for these replacements, resulting in a corresponding reduction in processing capacity.

一般的に言えば、カセツト7または9へのウ
エハ2の収納枚数よりも、デイスク4へのウエ
ハ2の装着枚数の方が少ないので(例えば、前
者は25枚であり、後者は14枚である)、カセツ
ト1個分のウエハ2を一度に処理することはで
きない。そのため、1カセツト分を数回に分け
て処理したり、1ロツトを数回に分けて処理し
たりするが、その場合、最後の処理では、ウエ
ハ2がデイスク4の装着枚数にどうしても満た
ない場合がある。このような場合に、ウエハ2
が装着されていない箇所があるままイオン注入
を行うと、デイスク4に不具合が生じる。例え
ば、デイスク4のウエハ2の装着箇所には、ウ
エハ2とデイスク4との熱伝導を良くする等の
ためにシリコンゴムが敷かれており、もしウエ
ハ2を装着しないままそこにイオン注入すると
シリコンゴムが破損されてしまう。そのような
不具合が生じるのを防止するため、デイスク4
に供給するウエハ2が不足した場合は、例えば
ダミーウエハを装着する等してからイオン注入
しなければならない。そのような場合、第7図
で説明したウエハハンドリング方法において
は、作業者がローダー6にダミーウエハの入つ
たカセツトを取り付けなければならず非常に手
間がかかる。更に、アンローダー8に回収され
たダミーウエハを選別するのも人手に頼らなけ
ればならず、面倒である。
Generally speaking, the number of wafers 2 loaded onto the disk 4 is smaller than the number of wafers 2 stored in the cassettes 7 or 9 (for example, the former has 25 wafers and the latter has 14). ), it is not possible to process one cassette's worth of wafers 2 at one time. For this reason, one cassette is processed in several batches, or one lot is processed in several batches, but in that case, in the last process, if the number of wafers 2 does not reach the number of disks 4 installed, There is. In such a case, wafer 2
If the ion implantation is performed while there are some parts where the disk 4 is not attached, a problem will occur in the disk 4. For example, silicone rubber is laid at the attachment point of the wafer 2 on the disk 4 to improve heat conduction between the wafer 2 and the disk 4, and if ions are implanted there without the wafer 2 attached, the silicon rubber The rubber will be damaged. To prevent such problems from occurring, please
If there is a shortage of wafers 2 to be supplied, ions must be implanted after, for example, mounting a dummy wafer. In such a case, in the wafer handling method described in FIG. 7, the operator must attach the cassette containing the dummy wafers to the loader 6, which is very time consuming. Furthermore, sorting the dummy wafers collected by the unloader 8 must be done manually, which is troublesome.

一方、第8図のエンドステーシヨンではダミ
ーステーシヨン10が設けられており、そこの
カセツト11からのダミーウエハ2dの供給、
回収は自動的に行われるようになつており、上
述したの問題点は解決されている。しかしな
がら、ローダー6のカセツト7とアンローダー
8のカセツト9とは、第7図の場合と同様に
別々であるため、上述した、の問題点は依
然として存在している。
On the other hand, in the end station shown in FIG. 8, a dummy station 10 is provided, and a dummy wafer 2d is supplied from a cassette 11 there.
Collection is now automatic, and the above-mentioned problems have been solved. However, since the cassette 7 of the loader 6 and the cassette 9 of the unloader 8 are separate, as in the case of FIG. 7, the above-mentioned problems still exist.

従つてこの発明の主たる目的は、ウエハの供
給と回収とを同一のカセツトで行うことができ
るウエハハンドリング方法を提供することであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, a principal object of the present invention is to provide a wafer handling method in which wafers can be supplied and retrieved using the same cassette.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

第1の発明のウエハハンドリング方法は、複数
枚の未処理のウエハが予め収納されているカセツ
トと、当該カセツトへの収納枚数以上のウエハを
収納可能なストツカーとを用い、まずカセツトに
収納されていたウエハをストツカーに全て移し替
えてカセツトを空にし、次いでストツカーからウ
エハを処理のために搬出し、そして処理後のウエ
ハを元のカセツトに回収するようにしている。
The wafer handling method of the first invention uses a cassette in which a plurality of unprocessed wafers are stored in advance, and a stocker capable of storing more wafers than the number of wafers stored in the cassette. All the wafers are transferred to the stocker to empty the cassette, the wafers are then taken out from the stocker for processing, and the processed wafers are returned to the original cassette.

第2の発明のウエハハンドリング方法は、複数
枚の未処理のウエハが予め収納されているカセツ
トと、予め複数枚のダミーウエハが収納されてい
て、しかも前記カセツトへの収納枚数以上のウエ
ハを更に収納可能なストツカーとを用い、まずカ
セツトに収納されていたウエハをストツカーに全
て移し替えてカセツトを空にし、次いでストツカ
ーからウエハを搬出してデイスクに供給し、その
際デイスクに供給するウエハが不足した場合には
不足枚数だけデイスクにダミーウエハを供給し、
そして処理後のウエハは元のカセツトに回収し
し、ダミーウエハは元のストツカーに回収するよ
うにしている。
The wafer handling method of the second invention includes a cassette in which a plurality of unprocessed wafers are stored in advance, a plurality of dummy wafers in advance, and further wafers in excess of the number of wafers stored in the cassette. Using a stocker that is available, first transfer all the wafers stored in the cassette to the stocker to empty the cassette, then remove the wafers from the stocker and supply them to the disk. If there is a shortage, supply dummy wafers to the disk,
The processed wafers are returned to the original cassette, and the dummy wafers are returned to the original stocker.

第3の発明のウエハハンドリング方法は、複数
枚の未処理のウエハがそれぞれに予め収納されて
いる複数のカセツトと、当該カセツトと対を成し
ていて、予め複数枚のダミーウエハが収納されて
いて、しかも対を成すカセツトへの収納枚数以上
のウエハを更に収納可能な複数のストツカーとを
用い、まず各カセツトに収納されていたウエハを
対を成すストツカーに全て移し替えて各カセツト
を空にし、次いで1つのストツカーからウエハを
搬出してデイスクに供給し、その際デイスクに供
給するウエハが不足した場合には、当該ストツカ
ーから不足枚数だけデイスクにダミーウエハを供
給するか又は他のストツカーから不足枚数だけデ
イスクにウエハを供給するかのいずれかを行い、
そして処理後のウエハは元のカセツトに回収し、
ダミーウエハは元のストツカーに回収するように
している。
A wafer handling method according to a third aspect of the invention includes a plurality of cassettes each containing a plurality of unprocessed wafers in advance, and a pair of cassettes each containing a plurality of dummy wafers. Moreover, using a plurality of stockers capable of storing more wafers than the number of wafers stored in the pair of cassettes, first, all the wafers stored in each cassette are transferred to the pair of stockers and each cassette is emptied. Next, wafers are taken out from one stocker and supplied to the disk, and if there is a shortage of wafers to be supplied to the disk, either the stocker supplies dummy wafers to the disk by the insufficient number, or the other stocker supplies the insufficient number of wafers to the disk. Either supply the wafer to the disk,
After processing, the wafers are returned to the original cassette.
Dummy wafers are returned to the original stocker.

〔作用〕[Effect]

第1の発明のウエハハンドリング方法において
は、処理後のウエハは元のカセツトに回収され
る。
In the wafer handling method of the first invention, the wafers after processing are recovered into the original cassette.

第2の発明のウエハハンドリング方法において
は、デイスクにウエハの不足枚数だけダミーウエ
ハが供給され、しかも処理後のウエハは元のカセ
ツトに回収され、ダミーウエハは元のストツカー
に回収される。
In the wafer handling method of the second invention, dummy wafers are supplied to the disk by the number of wafers lacking, and the wafers after processing are collected into the original cassette, and the dummy wafers are collected into the original stocker.

第3の発明のウエハハンドリング方法において
は、デイスクにウエハが不足した場合、その分だ
けダミーウエハが供給されるか又は他のストツカ
ーからウエハが供給され、しかも処理後のウエハ
は元のカセツトに回収され、ダミーウエハは元の
ストツカーに回収される。
In the wafer handling method of the third invention, when there is a shortage of wafers on the disk, dummy wafers are supplied for the shortage or wafers are supplied from another stocker, and the wafers after processing are collected into the original cassette. , the dummy wafer is recovered to the original stocker.

〔実施例〕〔Example〕

第1図はこの発明に係るウエハハンドリング方
法の一例を説明するためのエンドステーシヨンの
概略平面図であり、第2図は第1図の線−に
沿う概略断面図である。この例は、大気中でウエ
ハのハンドリングを行う場合を示す。即ち、カセ
ツト22Aとストツカー26Aの対(これをステ
ージAと言う)及びカセツト22Bとストツカー
26Bの対(これをステージBと言う)等は大気
中に設けられており、デイスク4もウエハ2の取
り出し及び装着を行う際には真空中から大気中に
移される(引出される)。
FIG. 1 is a schematic plan view of an end station for explaining an example of the wafer handling method according to the present invention, and FIG. 2 is a schematic sectional view taken along the line - in FIG. 1. This example shows a case where wafers are handled in the atmosphere. That is, the pair of cassette 22A and stocker 26A (this is called stage A), the pair of cassette 22B and stocker 26B (this is called stage B), etc. are provided in the atmosphere, and the disk 4 is also used for taking out wafers 2. And when mounting, it is transferred (pulled out) from the vacuum to the atmosphere.

カセツト22A,22Bには、それぞれ、複数
枚(例えば25枚)の未処理の(未注入の)ウエハ
2が予め収納されている。カセツト22A,22
Bとデイスク4との間に設けられたストツカー2
6A,26Bには、それぞれ、上段部に予め複数
枚の、例えばデイスク4へのウエハ2の装着枚数
(例えば9枚)だけのダミーウエハ2dが収納さ
れており、しかも下段部には対を成すカセツト2
2A,22Bへの収納枚数以上の(例えば25枚
の)ウエハ2を更に収納可能である。
A plurality of unprocessed (unimplanted) wafers 2 (for example, 25 wafers) are stored in each of the cassettes 22A and 22B in advance. Cassette 22A, 22
Stocker 2 installed between B and disk 4
In each of 6A and 26B, a plurality of dummy wafers 2d, for example, the number of wafers 2 to be mounted on the disk 4 (for example, 9), are stored in advance in the upper part, and a pair of cassettes are stored in the lower part. 2
It is possible to store more wafers 2 (for example, 25 wafers) than the number stored in 2A and 22B.

カセツト22Aからのウエハ2の取り出し及び
それへのウエハ2の回収は、モータ等から成る昇
降機構32Aによつてカセツト22Aを段階的に
上昇または降下させると共に搬送ベルト24Aを
正転または逆転させることによつて行われる。こ
れを補足説明すると、カセツト22Aは、その内
側面にウエハ2の両端部を下から支える棚を複数
段(この例では25段)有しており、複数枚のウエ
ハ2は、当該棚の上に互いに所定間隔をおいて載
置される。そして、当該カセツト22Aは、搬送
ベルト24A上に跨るような格好で設けられてお
り、カセツト22Aを上昇位置から1段ずつ降下
させるのに歩調を合わせて搬送ベルト24Aを駆
動、例えば正転させることによつて、カセツト2
2A内のウエハ2を下段側のものから1枚ずつ搬
送ベルト24A上に載置して搬出する。逆に、カ
セツト22Aを降下位置から1段ずつ上昇させる
のに歩調を合わせて搬送ベルト24Aを逆転させ
ることによつて、搬送ベルト24A上に供給され
たウエハ2を前記棚で下からすくい上げるような
格好でカセツト22A内にその上段側から順次収
納する。
The wafers 2 are taken out from the cassette 22A and the wafers 2 are collected therein by raising or lowering the cassette 22A in stages by a lifting mechanism 32A consisting of a motor or the like, and by rotating the conveyor belt 24A in the normal or reverse direction. It is done by folding. To explain this further, the cassette 22A has a plurality of shelves (25 in this example) on its inner surface that support both ends of the wafers 2 from below, and the plurality of wafers 2 are placed on the shelves. are placed at a predetermined distance from each other. The cassette 22A is provided so as to straddle the conveyor belt 24A, and the conveyor belt 24A is driven, for example, rotated in the forward direction, in step with the lowering of the cassette 22A from the raised position one step at a time. Depending on the case, cassette 2
The wafers 2 in 2A are placed one by one on the conveyor belt 24A starting from the one on the lower stage and are carried out. Conversely, by reversing the conveyor belt 24A at the same pace as the cassette 22A is raised step by step from the lowered position, the wafers 2 supplied on the conveyor belt 24A can be scooped up from below by the shelf. They are neatly stored in the cassette 22A in order from the top.

ストツカー26Aへのウエハ2の収納及ひそれ
からのウエハ2及びダミーウエハ2dの取り出し
は、モータ等から成る昇降機構34Aによつてス
トツカー26Aを段階的に上昇または降下させる
と共に搬送ベルト24Aを駆動することによつて
行われる。これを補足説明すると、ストツカー2
6Aもウエハ2の進行方向の前後が開いている点
以外は上記カセツト22Aとほぼ同様の構造をし
ていて、搬送ベルト24A上に跨るような格好で
設けられており、ストツカー26Aを降下位置か
ら1段ずつ上昇させるのに歩調を合わせて搬送ベ
ルト24Aを駆動、例えば正転させることによつ
て、前記カセツト22Aから搬送ベルト24A上
に供給されたウエハ2を棚で下からすくい上げる
ような格好でストツカー26A内のダミーウエハ
2dの下部にその上段側から順次収納する。逆
に、ストツカー26Aを上昇位置から1段ずつ降
下させるのに歩調を合わせて搬送ベルト24Aを
正転させることによつて、ストツカー26A内の
ウエハ2を下段側のものから1枚ずつ搬送ベルト
24A上に載置してデイスク4に向けて搬出す
る。ダミーウエハ2dの搬出についても同様であ
る。尚、ストツカー26Aを昇降させずに固定し
た状態においては、搬送ベルト24Aとストツカ
ー26A或いはそこに収納されたウエハ2等との
間にはウエハ2の厚み以上の空間部S(第2図参
照)が生じるようになつており、その状態で搬送
ベルト24Aを駆動すると、搬送ベルト24A上
に載置されたウエハ2はストツカー26Aを通過
することになる。
Storing the wafers 2 in the stocker 26A and taking out the wafers 2 and dummy wafers 2d from the stocker 26A is carried out by raising or lowering the stocker 26A step by step using an elevating mechanism 34A consisting of a motor, etc., and driving the conveyor belt 24A. It is done by folding. To explain this further, Stotzker 2
The cassette 6A has almost the same structure as the above-mentioned cassette 22A except that it is open at the front and rear in the direction of movement of the wafers 2, and is installed so as to straddle the conveyor belt 24A. By driving the conveyor belt 24A at the same pace as the wafers 24A are raised step by step, for example by rotating them in the forward direction, the wafers 2 supplied from the cassette 22A onto the conveyor belt 24A are scooped up from below on a shelf. The dummy wafers 2d are sequentially stored in the lower part of the stocker 26A starting from the upper stage. Conversely, by rotating the conveyor belt 24A in the forward direction at the same pace as the stocker 26A is lowered one step at a time from the raised position, the wafers 2 in the stocker 26A are transferred one by one to the conveyor belt 24A, starting from the lower step. It is placed on top and carried out toward the disk 4. The same applies to the unloading of the dummy wafer 2d. Note that when the stocker 26A is fixed without being raised or lowered, there is a space S larger than the thickness of the wafer 2 between the conveyor belt 24A and the stocker 26A or the wafer 2, etc. stored therein (see FIG. 2). If the conveyor belt 24A is driven in this state, the wafer 2 placed on the conveyor belt 24A will pass through the stocker 26A.

デイスク4へのウエハ2またはダミーウエハ2
dの装着及び取り出しは、アクチユエータ等から
成る昇降機構38によつて搬送ベルト30を上昇
させて、当該搬送ベルト30を正転または逆転さ
せると共に、デイスク4を段階的に回転させるこ
とによつて行われる。カセツト22B、ストツカ
ー26Bについても上述と同様であるが、これら
からウエハ2またはダミーウエハ2dを搬送する
際には、アクチユエータ等から成る昇降機構36
によつて搬送ベルト28を上昇させる。
Wafer 2 or dummy wafer 2 to disk 4
The loading and unloading of the discs d is carried out by raising the conveyor belt 30 by a lifting mechanism 38 consisting of an actuator or the like, rotating the conveyor belt 30 in the forward or reverse direction, and rotating the disk 4 in stages. be exposed. The cassette 22B and the stocker 26B are also similar to those described above, but when transporting the wafer 2 or dummy wafer 2d from them, the elevating mechanism 36 consisting of an actuator, etc.
The conveyor belt 28 is raised by.

次に上記エンドステーシヨンにおけるウエハハ
ンドリング方法を説明する。まず、未注入のウエ
ハ2の入つた2個のカセツト22A,22Bを最
上昇装置に装着し、カセツト22Aの下段側より
ウエハ2を1枚ずつ取り出してそれをストツカー
26Aのダミーウエハ2dのすぐ下より順次下段
側にかけて入れて、カセツト22Aの全てのウエ
ハ2をストツカー26Aに移し替える。カセツト
22B内のウエハ2も同様にストツカー26Bに
全て移し替えて、カセツト22A,22Bを一旦
空にする。
Next, a wafer handling method in the end station will be explained. First, the two cassettes 22A and 22B containing uninjected wafers 2 are mounted on the highest device, and the wafers 2 are taken out one by one from the lower side of the cassette 22A and placed directly below the dummy wafers 2d in the stocker 26A. All the wafers 2 in the cassette 22A are transferred to the stocker 26A by loading them sequentially toward the lower stage. Similarly, all the wafers 2 in the cassette 22B are transferred to the stocker 26B, and the cassettes 22A and 22B are temporarily emptied.

次いで、ストツカー26Aの最下段(そこのウ
エハ2は元々カセツト22Aの最上段に収納され
ていたものである)から順次ウエハ2を搬出して
デイスク4に供給し、デイスク4上の位置P1
ら位置P9に順次ウエハ2を装着し、その後デイ
スク4を高真空の注入室(図示省略)内に入れて
イオン注入を行う。
Next, the wafers 2 are sequentially unloaded from the bottom of the stocker 26A (the wafers 2 there were originally stored in the top of the cassette 22A), are supplied to the disk 4, and are loaded from position P1 on the disk 4. The wafers 2 are sequentially mounted at position P9 , and then the disk 4 is placed in a high vacuum implantation chamber (not shown) to perform ion implantation.

イオン注入後は、デイスク4を大気中に戻し
て、注入済みのウエハ2をデイスク4の位置P1
から取り出して、ストツカー26Aの前述した空
間部Sを通過して元のカセツト22Aの最上段に
(即ち元にあつた位置に)回収し、ストツカー2
6A内の次のウエハ2をデイスク4の位置P1
装着する。同様のことをデイスク4の位置P2
位置P9まで行つた後2回目のイオン注入を行う。
この場合、注入後のウエハ2は、供給した時と同
一カセツト内に、しかもその中の同一場所に(即
ち予め収納されていたのと同一順序で)回収され
る。
After ion implantation, the disk 4 is returned to the atmosphere and the implanted wafer 2 is moved to position P 1 on the disk 4.
It passes through the above-mentioned space S of the stocker 26A, is recovered to the top of the original cassette 22A (that is, to the original position), and is then removed from the stocker 26A.
The next wafer 2 in 6A is mounted on the disk 4 at position P1 . Do the same thing at position P 2 of disk 4 ~
After reaching position P9 , the second ion implantation is performed.
In this case, the wafers 2 after implantation are recovered in the same cassette as when they were supplied, and in the same location therein (that is, in the same order in which they were previously stored).

ストツカー26A内のウエハ2が無くなると、
それが例えばフオトセンサ等で検出されて、例え
ばストツカー26Bより未注入のウエハ2がデイ
スク4に供給される。カセツト22Aが注入済み
のウエハ2で一杯になると、それが例えばフオト
センサ等で検出されて、デイスク4からの注入済
みのウエハ2は自動的にカセツト22Bに回収さ
れると共に、カセツト22Aの取替えの信号が発
せられる。
When the wafer 2 in the stocker 26A runs out,
This is detected by, for example, a photo sensor, and the unimplanted wafer 2 is supplied to the disk 4 from, for example, the stocker 26B. When the cassette 22A is full of implanted wafers 2, this is detected by, for example, a photo sensor, and the implanted wafers 2 from the disk 4 are automatically collected into the cassette 22B, and a signal to replace the cassette 22A is sent. is emitted.

これを受けた作業者が、注入済みのウエハ2が
回収されたカセツト22Aを取り外し、未注入の
ウエハ2が収納されているカセツト22Aを装着
すると、前述のようなウエハ2のストツカー26
Aへの移し替えは自動的に行われ、待機状態に入
る。その間に並行して、ストツカー26Bからの
ウエハ2の供給、イオン注入、カセツト22Bへ
のウエハ2の回収が行われている。
When the operator who receives this removes the cassette 22A in which the implanted wafers 2 have been collected and attaches the cassette 22A in which the unimplanted wafers 2 are stored, the wafer 2 stocker 26 as described above
The transfer to A is automatically performed and a standby state is entered. During this time, in parallel, the supply of wafers 2 from stocker 26B, ion implantation, and collection of wafers 2 to cassette 22B are performed.

デイスク4に供給するウエハが不足してダミー
ウエハを使用する場合は、ストツカー26A,2
6Bの上段部のダミーウエハ2dをデイスク4に
供給し、イオン注入後は当該ダミーウエハ2dは
元の(即ち、供給した時と同一の)ストツカー2
6A,26Bに回収する。そのためには、例え
ば、ダミーウエハ2dの供給元、供給枚数等を制
御手段に記憶させておく。
When using dummy wafers due to insufficient wafers to be supplied to disk 4, stocker 26A, 2
The dummy wafer 2d in the upper part of 6B is supplied to the disk 4, and after ion implantation, the dummy wafer 2d is transferred to the original (that is, the same as when it was supplied) stocker 2.
6A, 26B. For this purpose, for example, the source of supply of the dummy wafers 2d, the number of supplied wafers, etc. are stored in the control means.

この場合、カセツトとストツカーの対から成る
ステージが2ステージ以上ある場合(第1図及び
第2図は、2ステージの例を示す)、デイスク4
に供給するウエハ2が不足した場合の当該ステー
ジがらのダミーウエハ2dの供給または他のステ
ージからのウエハ2の供給の仕方は色々考えられ
るが、典型的な例を第3図に示す。デイスク4の
ウエハ装着枚数をM(例えば9)とし、各ステー
ジのウエハ収納枚数をN(例えば25)とした場合、
第3図aは、1つのステージからデイスク4に供
給するウエハが不足する度毎に、当該ステージか
ら不足枚数だけダミーウエハを供給する場合を示
す。例えば、イオン注入及びの際は、デイス
ク4にステージAのストツカー26Aから9枚ず
つウエハ2を供給し、イオン注入の際は、スト
ツカー26Aから7枚のウエハ2と2枚のダミー
ウエハ2dを供給する。次いでステージBから同
様に、ウエハ2またはダミーウエハ2dの供給を
行う。
In this case, if there are two or more stages consisting of a pair of cassette and stocker (Figures 1 and 2 show an example of two stages), the disk 4
When there is a shortage of wafers 2 to be supplied to a stage, there are various ways of supplying dummy wafers 2d from the stage concerned or supplying wafers 2 from other stages, and a typical example is shown in FIG. When the number of wafers mounted on disk 4 is M (for example, 9), and the number of wafers stored in each stage is N (for example, 25),
FIG. 3a shows a case where each time there is a shortage of wafers to be supplied from one stage to the disk 4, the insufficient number of dummy wafers are supplied from that stage. For example, during ion implantation, nine wafers 2 are supplied to the disk 4 from the stocker 26A of stage A, and during ion implantation, seven wafers 2 and two dummy wafers 2d are supplied from the stocker 26A. . Next, the wafer 2 or dummy wafer 2d is supplied from stage B in the same manner.

一方第3図bは、1つのステージから供給する
ウエハ2が不足した場合は、不足枚数だけ他のス
テージからウエハ2を供給し、そしてイオン注入
の後の方でまとめてダミーウエハ2dを供給する
場合を示す。
On the other hand, FIG. 3b shows a case where when there is a shortage of wafers 2 supplied from one stage, the insufficient number of wafers 2 are supplied from other stages, and dummy wafers 2d are supplied all at once after ion implantation. shows.

上記いずれの方法を使用するかは、注入条件等
による。例えば、各カセツト毎に注入条件を変え
る場合には第3図aの方法を使用し、同一条件で
多数のウエハに連続的にイオン注入する場合には
第3図bの方法を使用すれば良い。
Which of the above methods is used depends on the injection conditions and the like. For example, if you want to change the implantation conditions for each cassette, use the method shown in Figure 3a, and if you want to continuously implant ions into a large number of wafers under the same conditions, use the method shown in Figure 3b. .

以上に説明したウエハハンドリング方法におい
ては、次のような効果が得られる。
The wafer handling method described above provides the following effects.

注入後のウエハ2は、供給した時と同一のカ
セツトに回収される。従つて、従来のようにカ
セツト間でウエハを入れ換える工程は不要とな
り、これに伴なう手間を省くことができ、処理
能力の向上を図ることができる。しかも、上述
した例のように、注入後のウエハ2は、供給し
た時と同一のカセツトに回収されるだけでな
く、同一のカセツト内に同一順序で回収される
ようにすることもできる。そのようにすること
の主たる利点は、1つのカセツト内に異なつた
種類のウエハ2を収納していた場合、注入後の
ウエハ2が元と同一順序で回収されると、ウエ
ハの入れ換え等が不要となつて後処理が非常に
楽になるということである。
The wafer 2 after implantation is collected into the same cassette in which it was supplied. Therefore, the conventional step of exchanging wafers between cassettes is not necessary, and the associated effort can be saved, and processing capacity can be improved. Furthermore, as in the above-described example, the wafers 2 after implantation can not only be collected into the same cassette in which they were supplied, but also can be collected into the same cassette in the same order. The main advantage of doing so is that when different types of wafers 2 are stored in one cassette, if the wafers 2 after implantation are recovered in the same order as the original, there is no need to replace the wafers. This means that post-processing becomes much easier.

従来のようにローダー側のカセツトとアンロ
ーダー側のカセツトとが別々ではなく、注入後
のウエハ2は元のカセツト内に回収されるた
め、カセツトの数は従来の半分で良く、そのた
めカセツトの交換頻度、手間も従来の半分にな
り、これによつても処理能力の向上を図ること
ができる。
The cassettes on the loader side and the cassettes on the unloader side are not separate as in the past, but the wafers 2 after implantation are collected into the original cassette, so the number of cassettes can be half of the conventional number, which makes it easier to replace cassettes. The frequency and effort are also halved compared to the conventional method, which also improves processing capacity.

上述した例のようにストツカー26A,26
B内にダミーウエハ2dを予め収納しておけ
ば、デイスク4に供給するウエハ2が不足した
場合は、入手を要することなくダミーウエハ2
dを自動的に供給、回収することもできる。
As in the above example, the stockers 26A, 26
If the dummy wafers 2d are stored in B in advance, when there is a shortage of wafers 2 to be supplied to the disk 4, the dummy wafers 2d can be stored without having to obtain them.
d can also be automatically supplied and collected.

更に上述した例のように、カセツトと、これ
と対を成すストツカーとを2対用いれば(即ち
2ステージとすれば)、一方のステージのカセ
ツトを入れ換え中は他のステージからデイスク
4にウエハ2を供給することができる。従つ
て、ハンドリング途中でのウエハ切れによるイ
オン注入の休止を無くすることができ、これに
よつて処理能力の向上を更に図ることができ
る。勿論、3ステージ以上にしても良い。
Furthermore, as in the above example, if two pairs of cassettes and stockers are used (in other words, two stages), while the cassette in one stage is being replaced, the wafers 2 can be transferred from the other stage to the disk 4. can be supplied. Therefore, it is possible to eliminate interruptions in ion implantation due to wafer breakage during handling, thereby further improving throughput. Of course, there may be three or more stages.

尚、エンドステーシヨンには、上述したような
デイスク4を用いないで、ウエハ2を1枚ずつ注
入室へ搬入してイオン注入して搬出するというも
のもあるが、そのようなエンドステーシヨンにも
この発明のウエハハンドリング方法を用いること
ができる。その場合は1ステージとし、しかもス
トツカー内にダミーウエハ2dを収納しておく必
要はない。そのような場合でも、上記及びの
効果を得ることができる。
Note that some end stations carry the wafers 2 one by one into the implantation chamber, implant ions, and then carry them out without using the disk 4 as described above. The wafer handling method of the invention can be used. In that case, there is only one stage, and there is no need to store the dummy wafer 2d in the stocker. Even in such a case, the effects described above and above can be obtained.

次に、真空中でウエハのハンドリングを行う場
合を説明する。第4図はこの発明に係るウエハハ
ンドリング方法の他の例を説明するための他のエ
ンドステーシヨンの概略平面図であり、第5図は
第4図の線−に沿う概略断面図である。第1
図及び第2図と同等部分には同一符号を付してそ
の説明を省略する。
Next, a case where wafers are handled in a vacuum will be described. FIG. 4 is a schematic plan view of another end station for explaining another example of the wafer handling method according to the present invention, and FIG. 5 is a schematic sectional view taken along the line - in FIG. 4. 1st
Components equivalent to those in the figures and FIG. 2 are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.

デイスク4は、注入室(図示省略)に通じてい
て真空に排気される真空容器12内に収納されて
おり、ウエハハンドリングの際は第5図の実線の
状態で段階的に回転させられ、イオン注入の際は
第5図の破線(符号4′)の状態で回転及び並進
させられる。真空容器12には、搬送室42がゲ
ートバルブ等を介さずに直接通じている。搬送室
42と大気中との間には、真空に排気されるカセ
ツト40A,40Bが設けられており、その両側
には、それぞれカセツトドア44A,44B及び
ゲートバルブ46A,46Bが設けられている。
そして、前述したカセツト22A,22Bは、そ
れぞれ、カセツト室40A,40B内に収納され
ており、ストツカー26A,26Bは共に搬送室
42内に収納されている。また、前述した搬送ベ
ルト24A,24Bは、この例では、それぞれ搬
送ベルト23Aと27A及び搬送ベルト23Bと
27Bに分けられている。
The disk 4 is housed in a vacuum container 12 that communicates with an injection chamber (not shown) and is evacuated to a vacuum. During wafer handling, the disk 4 is rotated in stages as shown by the solid line in FIG. During injection, it is rotated and translated as indicated by the broken line (reference numeral 4') in FIG. A transfer chamber 42 directly communicates with the vacuum container 12 without using a gate valve or the like. Cassettes 40A, 40B which are evacuated to vacuum are provided between the transfer chamber 42 and the atmosphere, and cassette doors 44A, 44B and gate valves 46A, 46B are provided on both sides of the cassettes, respectively.
The aforementioned cassettes 22A and 22B are housed in cassette chambers 40A and 40B, respectively, and stockers 26A and 26B are both housed in a transfer chamber 42. Furthermore, the aforementioned conveyance belts 24A and 24B are divided into conveyance belts 23A and 27A and conveyance belts 23B and 27B, respectively, in this example.

次に上記エンドステーシヨンにおけるウエハハ
ンドリング方法を、第6図を参照しながら説明す
る。ステツプ1において、カセツトドア44A,
44Bを開いて、未注入のウエハ2が収納されて
いるカセツト22A,22Bをエンドステーシヨ
ンに装着する。ステツプ2においてカセツトドア
44A,44Bを閉じ、ステツプ3においてカセ
ツト室40A,40Bの真空引きを行う。ステツ
プ4においてゲートバルブ46A,46Bを開
き、ステツプ5においてウエハ2をカセツト22
A,22Bからストツカー26A,26Bに全て
移し替える。ステツプ6においてストツカー26
Aから9枚のウエハ2をデイスク4に供給して装
着し、ステツプ7において当該ウエハ2に順次イ
オン注入を行う。ステツプ8において、注入済み
のウエハ2をカセツト22Aに回収すると共に、
未注入のウエハ2を9枚だけストツカー26Aか
らデイスク4に供給し、ステツプ9においてイオ
ン注入する。ステツプ10においては、注入済みの
ウエハ2をカセツト22Aに回収すると共に、ス
トツカー26Aから未注入ウエハ2を7枚だけデ
イスク4に供給し(この例ではカセツト22A,
22Bへのウエハ2の収納枚数は共に25枚である
ため、3度目のロード時には未注入のウエハ2は
一方のステージには7枚しか残つていないため)、
不足分の2枚は他方のステージのストツカー26
Bから供給する。ステツプ11においてイオン注入
の後、ステツプ12において、注入済みの7枚のウ
エハ2は元のカセツト22Aに回収し、2枚のウ
エハ2は元のカセツト22Bに回収すると共に、
未注入のウエハ2を9枚だけストツカー26Bか
らデイスク4に供給する。ステツプ13において、
イオン注入すると共に、ゲートバルブ46Aを閉
じる。ステツプ14において、上述と同様にウエハ
2のロード、アンロードを行うと共に、カセツト
室40Aに窒素ガス等を注入してカセツト室40
Aを大気圧にする(ベントする)。ステツプ15に
おいて、イオン注入すると共に、カセツトドア4
4Aを開き、ステツプ16においてカセツト22A
を交換する。即ち、注入済みのウエハ2が回収さ
れたカセツト22Aを取り外して、未注入のウエ
ハ2が収納されているカセツト22Aを装着す
る。以降、上記と同様の動作を繰り返す。そし
て、ステツプ27において、ストツカー26Aから
残り3枚のウエハ2をデイスク4に供給し、不足
分としてストツカー26Aからダミーウエハ2d
を6枚供給する。この時のウエハ2及びダミーウ
エハ2dは、ステツプ29において、元のカセツト
22A及び元のストツカー26Aに回収される。
即ち、この例では、第3図bのダミーウエハの供
給の仕方を採用している。
Next, a wafer handling method in the end station will be explained with reference to FIG. In step 1, the cassette door 44A,
44B is opened, and the cassettes 22A and 22B containing uninjected wafers 2 are mounted on the end station. In step 2, the cassette doors 44A, 44B are closed, and in step 3, the cassette chambers 40A, 40B are evacuated. In step 4, the gate valves 46A and 46B are opened, and in step 5, the wafer 2 is transferred to the cassette 22.
Transfer everything from A and 22B to stockers 26A and 26B. In step 6, the stocker 26
Nine wafers 2 are supplied from A and mounted on the disk 4, and in step 7, ions are sequentially implanted into the wafers 2. In step 8, the implanted wafer 2 is collected into the cassette 22A, and
Nine unimplanted wafers 2 are supplied from the stocker 26A to the disk 4, and ions are implanted in step 9. In step 10, the implanted wafers 2 are collected into the cassette 22A, and seven unimplanted wafers 2 are supplied to the disk 4 from the stocker 26A (in this example, the wafers 2 are loaded into the cassette 22A,
Since the number of wafers 2 stored in 22B is 25, only 7 uninjected wafers 2 remain on one stage at the time of third loading).
The missing two cards are Stotzker 26 on the other stage.
Supplied from B. After ion implantation in step 11, in step 12, the seven implanted wafers 2 are collected into the original cassette 22A, and the two wafers 2 are collected into the original cassette 22B.
Nine unimplanted wafers 2 are supplied to the disk 4 from the stocker 26B. In step 13,
At the same time as ion implantation, the gate valve 46A is closed. In step 14, the wafer 2 is loaded and unloaded in the same manner as described above, and nitrogen gas or the like is injected into the cassette chamber 40A to open the cassette chamber 40A.
Bring A to atmospheric pressure (vent). In step 15, ions are implanted and the cassette door 4 is
4A, and in step 16 open cassette 22A.
exchange. That is, the cassette 22A containing the implanted wafers 2 is removed, and the cassette 22A containing the unimplanted wafers 2 is attached. After that, the same operation as above is repeated. Then, in step 27, the remaining three wafers 2 are supplied from the stocker 26A to the disk 4, and dummy wafers 2d are supplied from the stocker 26A to compensate for the shortage.
Supply 6 pieces. The wafer 2 and dummy wafer 2d at this time are collected in the original cassette 22A and the original stocker 26A in step 29.
That is, in this example, the method of supplying the dummy wafers shown in FIG. 3b is adopted.

以上のようにこのウエハハンドリング方法にお
いては、真空中でハンドリングを行つているた
め、真空中と大気中との間でデイスク4を出し入
れする第1図及び第2図で説明したハンドリング
方法に比べて、更に処理能力が向上する。勿論、
第1図及び第2図で説明した〜の効果も得ら
れることは言うまでもない。更に、ローダーのカ
セツトとアンローダーのカセツトとが別で2つの
カセツト室内にそれぞれ収納されているエンドス
テーシヨンを用いたハンドリング方法は従来から
あるが、この発明のウエハハンドリング方法にお
いては、その従来例に比べてカセツト室の数は半
分で済み、従つてそれの真空引きも半分で良く、
その分だけ処理能力が向上する。
As described above, in this wafer handling method, handling is performed in a vacuum, so compared to the handling method explained in FIGS. 1 and 2, in which the disk 4 is moved in and out between the vacuum and the atmosphere. , processing power is further improved. Of course,
It goes without saying that the effects described in FIGS. 1 and 2 can also be obtained. Further, although there is a conventional handling method using an end station in which a loader cassette and an unloader cassette are housed separately in two cassette chambers, the wafer handling method of the present invention differs from that conventional example. In comparison, the number of cassette chambers can be reduced by half, and therefore the vacuum can be reduced by half.
The processing capacity improves accordingly.

最後に、上記第1図及び第2図の例、並びに第
4図ないし第6図の例では、いずれも、デイスク
4を有するエンドステーシヨンで、2ステージで
あり、しかもダミーウエハ2dを用いる場合を説
明したが、この発明はそれに限定されるものでは
なく、カセツトとストツカーとを用いたハンドリ
ング方法(第1の発明)によつて上述した及び
の効果が得られ、更にデイスク4とダミーウエ
ハ2dを用いたハンドリング方法(第2の発明)
によつて上述した〜の効果が得られ、更に複
数ステージとしたハンドリング方法(第3の発
明)によつて上述した〜の効果が得られる。
Finally, in the examples shown in FIGS. 1 and 2 and the examples shown in FIGS. 4 to 6, the end station has a disk 4, has two stages, and uses a dummy wafer 2d. However, the present invention is not limited thereto, and the above-mentioned effects can be obtained by the handling method (first invention) using a cassette and a stocker, and furthermore, the above-mentioned effects can be obtained by using the disk 4 and the dummy wafer 2d. Handling method (second invention)
The above-mentioned effects can be obtained, and the above-mentioned effects can also be obtained by using a handling method including a plurality of stages (third invention).

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、第1の発明においては、カセツ
トとストツカーとを用いていて、処理後のウエハ
は元のカセツトに回収される。従つて従来のよう
にカセツト間でウエハを入れ換える工程は不要と
なり、これに伴う手間を省くことができ、処理能
力の向上を図ることができる。また、従来のよう
にローダー側のカセツトとアンローダー側のカセ
ツトの両方を交換する必要は無く、1つのカセツ
トの交換で良いため、カセツトの交換頻度、手間
も従来の半分になり、これによつても処理能力の
向上を図ることができる。
As described above, in the first invention, a cassette and a stocker are used, and the wafers after processing are collected into the original cassette. Therefore, the conventional step of exchanging wafers between cassettes is not necessary, and the associated effort can be saved, and processing capacity can be improved. In addition, there is no need to replace both the cassette on the loader side and the cassette on the unloader side as in the past, but only one cassette needs to be replaced, so the frequency and effort for replacing cassettes is halved compared to the conventional method. It is possible to improve processing capacity even when

第2の発明においては、第1の発明に加えて、
デイスクにダミーウエハを自動的に供給できるの
で、第1の発明の効果に加えて、デイスクに供給
するウエハが不足した場合には人手を要すること
なくダミーウエハを速やかに供給することができ
るという効果も得られる。
In the second invention, in addition to the first invention,
Since dummy wafers can be automatically supplied to the disk, in addition to the effect of the first invention, when there is a shortage of wafers to be supplied to the disk, dummy wafers can be quickly supplied without requiring human labor. It will be done.

第3の発明においては、第2の発明に加えて、
カセツトとストツカーの対を複数用いていて、ハ
ンドリング途中でのウエハ切れによるイオン注入
の休止を無くすることができるので、第2の発明
の効果に加えて、処理能力の向上を更に図ること
ができるという効果も得られる。
In the third invention, in addition to the second invention,
By using multiple pairs of cassettes and stockers, it is possible to eliminate interruptions in ion implantation due to wafer breakage during handling, so in addition to the effects of the second invention, processing capacity can be further improved. This effect can also be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明に係るウエハハンドリング
方法の一例を説明するためのエンドステーシヨン
の概略平面図である。第2図は、第1図の線−
に沿う概略断面図である。第3図は、デイスク
にウエハまたはダミーウエハを供給する仕方を説
明するための図である。第4図は、この発明に係
るウエハハンドリング方法の他の例を説明するた
めの他のエンドステーシヨンの概略平面図であ
る。第5図は、第4図の線−に沿う概略断面
図である。第6図は、第4図及び第5図に示した
エンドステーシヨンにおけるウエハハンドリング
動作を説明するための図である。第7図は、従来
のウエハハンドリング方法の一例を説明するため
のエンドステーシヨンの概略平面図である。第8
図は、従来のウエハハンドリング方法の他の例を
説明するための他のエンドステーシヨンの概略平
面図である。 2……ウエハ、2d……ダミーウエハ、4……
デイスク、12……真空容器、22A,22B…
…カセツト、26A,26B……ストツカー。
FIG. 1 is a schematic plan view of an end station for explaining an example of the wafer handling method according to the present invention. Figure 2 shows the line -
FIG. FIG. 3 is a diagram for explaining how to supply a wafer or dummy wafer to a disk. FIG. 4 is a schematic plan view of another end station for explaining another example of the wafer handling method according to the present invention. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view taken along line - in FIG. 4. FIG. 6 is a diagram for explaining the wafer handling operation in the end station shown in FIGS. 4 and 5. FIG. FIG. 7 is a schematic plan view of an end station for explaining an example of a conventional wafer handling method. 8th
The figure is a schematic plan view of another end station for explaining another example of the conventional wafer handling method. 2...Wafer, 2d...Dummy wafer, 4...
Disk, 12... Vacuum container, 22A, 22B...
...Cassette, 26A, 26B...Stocker.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ウエハを処理する際のウエハハンドリング方
法であつて、複数枚の未処理のウエハが予め収納
されているカセツトと、当該カセツトへの収納枚
数以上のウエハを収納可能なストツカーとを用
い、まずカセツトに収納されていたウエハをスト
ツカーに全て移し替えてカセツトを空にし、次い
でストツカーからウエハを処理のために搬出し、
そして処理後のウエハを元のカセツトに回収する
ことを特徴とするウエハハンドリング方法。 2 処理後のウエハを元のカセツトに回収する際
に、予め収納されていた順序と同一順序で回収す
るようにした特許請求の範囲第1項記載のウエハ
ハンドリング方法。 3 複数枚のウエハをデイスクに装着してそれら
を順次処理する際のウエハハンドリング方法であ
つて、複数枚の未処理のウエハが予め収納されて
いるカセツトと、予め複数枚のダミーウエハが収
納されていて、しかも前記カセツトへの収納枚数
以上のウエハを更に収納可能なストツカーとを用
い、まずカセツトに収納されていたウエハをスト
ツカーに全て移し替えてカセツトを空にし、次い
でストツカーからウエハを搬出してデイスクに供
給し、その際デイスクに供給するウエハが不足し
た場合には不足枚数だけデイスクにダミーウエハ
を供給し、そして処理後のウエハは元のカセツト
に回収し、ダミーウエハは元のストツカーに回収
することを特徴とするウエハハンドリング方法。 4 複数枚のウエハをデイスクに装着してそれら
を順次処理する際のウエハハンドリング方法であ
つて、複数枚の未処理のウエハがそれぞれに予め
収納されている複数のカセツトと、当該カセツト
と対を成していて、予め複数枚のダミーウエハが
収納されていて、しかも対を成すカセツトへの収
納枚数以上のウエハを更に収納可能な複数のスト
ツカーとを用い、まず各カセツトに収納されてい
たウエハを対を成すストツカーに全て移し替えて
各カセツトを空にし、次いで1つのストツカーか
らウエハを搬出してデイスクに供給し、その際デ
イスクに供給するウエハが不足した場合には、当
該ストツカーから不足枚数だけデイスクにダミー
ウエハを供給するか又は他のストツカーから不足
枚数だけデイスクにウエハを供給するかのいずれ
かを行い、そして処理後のウエハは元のカセツト
に回収し、ダミーウエハは元のストツカーに回収
することを特徴とするウエハハンドリング方法。
[Claims] 1. A wafer handling method when processing wafers, which includes a cassette in which a plurality of unprocessed wafers are stored in advance, and a stocker capable of storing more wafers than the number of wafers stored in the cassette. First, all the wafers stored in the cassette are transferred to the stocker to empty the cassette, and then the wafers are carried out from the stocker for processing.
A wafer handling method characterized by collecting the processed wafers into the original cassette. 2. The wafer handling method according to claim 1, wherein the wafers after processing are collected in the same order as the cassette in which they were stored in advance. 3 A wafer handling method in which multiple wafers are loaded onto a disk and processed one after another, using a cassette in which multiple unprocessed wafers are stored in advance and a cassette in which multiple dummy wafers are stored in advance. Then, using a stocker that can store more wafers than the number of wafers stored in the cassette, first, all the wafers stored in the cassette are transferred to the stocker to empty the cassette, and then the wafers are taken out from the stocker. At that time, if there is a shortage of wafers to be supplied to the disk, dummy wafers are supplied to the disk by the insufficient number of wafers, and the processed wafers are returned to the original cassette, and the dummy wafers are returned to the original stocker. A wafer handling method characterized by: 4. A wafer handling method for loading a plurality of wafers onto a disk and processing them one after another, in which a plurality of cassettes, each containing a plurality of unprocessed wafers in advance, are paired with the cassette. First, the wafers stored in each cassette are stored using a plurality of stockers which are made up of a stocker, which has a plurality of dummy wafers stored in advance, and which can store more wafers than the number of wafers stored in the paired cassettes. All the wafers are transferred to the pair of stockers to empty each cassette, and then the wafers are taken out from one stocker and supplied to the disk. If there is a shortage of wafers to be supplied to the disk at this time, the stocker is filled with the insufficient number of wafers. Either supply dummy wafers to the disk or supply the insufficient number of wafers to the disk from another stocker, and then collect the processed wafers into the original cassette, and return the dummy wafers to the original stocker. A wafer handling method characterized by:
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