JPS61168276A - 無声放電式ガスレ−ザ装置 - Google Patents
無声放電式ガスレ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61168276A JPS61168276A JP866185A JP866185A JPS61168276A JP S61168276 A JPS61168276 A JP S61168276A JP 866185 A JP866185 A JP 866185A JP 866185 A JP866185 A JP 866185A JP S61168276 A JPS61168276 A JP S61168276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- crystallized glass
- gas laser
- glass
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0975—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser using inductive or capacitive excitation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、無声放電式ガスレーザ装置の改良に関する
ものである。
ものである。
才ず、従来のガスレーザ装置を横励起形００２レーザー
ケ例として説明する、 第４図はその構成原理図であり、（１）は第１の電極、
例えば接地側金属電極、（２）はこの接地側金属電極（
１）に対向配設された高電圧側金属電極で、放電面は第
２の＊極、例えば鉛含有ガラスまたはマイカ等の材料か
ら成る誘電体（３）で覆わイ１ている、そしてこの両電
極（１）（２） ｌ、ｊレーサ媒質ガスを満たした容器
内（こ設けられている、（４）は放電空間、（５）は変
圧器、（６）は高周波電源、（７）は全反射鏡 （８）
はこの全反射鏡（７）とレーザ光の光軸−ヒ１こ配設さ
れた出力側反射鏡（一部透過）、（９）は冷却水循環ポ
ンプ、００は冷却器、Ｑｌｌはイオン交換純水器である
、上記の構成（こおいて、高電圧側金属電極（２）に、
高尚ｅ電淵（６）と変圧器（５）より交流高電子が印加
されると、放電空間（４）に無声放電と呼ばわる安定な
放電が起る、無声放電は両電極間（１）（２）ｉｒ誘電
体（３）を介した交流放電であるため、アーク族［１こ
移行することなく、電子温度のみが高く、分子温度の上
昇しない非平衡放電が安定（（実現できる８放電空間（
４）内で励起された分子ｉｊよる光誘導輻射過程の説明
は省略するが、放電空間（４）円で無声放電が起ると、
全反射鏡（７）と出力側反射鏡（８）により構成される
共振器内でレーサ発振が起り、出力側反射鏡（８）より
レーザ光が出力される、接地側金属電極（１）と高電圧
側金属型＆（２）はともに電気伝導度の小さい冷却水で
冷却されており、冷却水は冷却水循環ポンプ（９）で、
冷却器（１０，イオン交換純水器α１）を通して循環さ
れる、イオン交換純水器αηは冷却水の電気伝導度を小
さくして高電圧側金属電極（２）からの電流漏洩を防ぐ
ために必要である。なお、図には示していないが放電空
間のガスは電極間をレーザ光と面角の方向に高速で流れ
ている、第５図は上記放電電極部の拡大図で、接地側金
属電極（１）、高電圧側金属電極（２）とともｉｒ放電
面は平行平板であり、放電は図中に示すように両電極間
で一様に起る、 第５図に示す実施例では、誘電体を高電圧側金属電極（
２）に設けたが、接地側金属電極（１）に設けると力）
、高電圧側金属型Ｉ！Ｉｉ （２）及び接地側金属電極
（１）の両方に設けることでも同一の効果があることは
明らかである。第６図は高電圧側金属電極（２）及び接
地側金属電極（１）の両方に誘電体（３）を設けた例で
ある。
ケ例として説明する、 第４図はその構成原理図であり、（１）は第１の電極、
例えば接地側金属電極、（２）はこの接地側金属電極（
１）に対向配設された高電圧側金属電極で、放電面は第
２の＊極、例えば鉛含有ガラスまたはマイカ等の材料か
ら成る誘電体（３）で覆わイ１ている、そしてこの両電
極（１）（２） ｌ、ｊレーサ媒質ガスを満たした容器
内（こ設けられている、（４）は放電空間、（５）は変
圧器、（６）は高周波電源、（７）は全反射鏡 （８）
はこの全反射鏡（７）とレーザ光の光軸−ヒ１こ配設さ
れた出力側反射鏡（一部透過）、（９）は冷却水循環ポ
ンプ、００は冷却器、Ｑｌｌはイオン交換純水器である
、上記の構成（こおいて、高電圧側金属電極（２）に、
高尚ｅ電淵（６）と変圧器（５）より交流高電子が印加
されると、放電空間（４）に無声放電と呼ばわる安定な
放電が起る、無声放電は両電極間（１）（２）ｉｒ誘電
体（３）を介した交流放電であるため、アーク族［１こ
移行することなく、電子温度のみが高く、分子温度の上
昇しない非平衡放電が安定（（実現できる８放電空間（
４）内で励起された分子ｉｊよる光誘導輻射過程の説明
は省略するが、放電空間（４）円で無声放電が起ると、
全反射鏡（７）と出力側反射鏡（８）により構成される
共振器内でレーサ発振が起り、出力側反射鏡（８）より
レーザ光が出力される、接地側金属電極（１）と高電圧
側金属型＆（２）はともに電気伝導度の小さい冷却水で
冷却されており、冷却水は冷却水循環ポンプ（９）で、
冷却器（１０，イオン交換純水器α１）を通して循環さ
れる、イオン交換純水器αηは冷却水の電気伝導度を小
さくして高電圧側金属電極（２）からの電流漏洩を防ぐ
ために必要である。なお、図には示していないが放電空
間のガスは電極間をレーザ光と面角の方向に高速で流れ
ている、第５図は上記放電電極部の拡大図で、接地側金
属電極（１）、高電圧側金属電極（２）とともｉｒ放電
面は平行平板であり、放電は図中に示すように両電極間
で一様に起る、 第５図に示す実施例では、誘電体を高電圧側金属電極（
２）に設けたが、接地側金属電極（１）に設けると力）
、高電圧側金属型Ｉ！Ｉｉ （２）及び接地側金属電極
（１）の両方に設けることでも同一の効果があることは
明らかである。第６図は高電圧側金属電極（２）及び接
地側金属電極（１）の両方に誘電体（３）を設けた例で
ある。
レーザー発振が起こるためには、全反射鏡（７）。
出力側反射鏡（８）の損失に打ち勝つだけのレーサー利
得が放電空間（４）で必要であり、レーサー利得は放電
空間（４）の光軸方向の長さと放電電力密度（単位体積
当りに投入される放電電力）で決まるので、光軸方向の
長さを決めると放電電力密度をきよく値以上にあけない
と発振が起らない一放電電力密度を高めるためには電源
の周波数を高くするか、印加電圧を高くするか、誘電体
の静電容ｉ！ｉを大きくするかである、 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の無角放電式ガスレーザ装置１１以上のように構成
され、電源周波数はせいぜいｌ１ｌ（ｌ ＫＨｚ程度が
実用的であり、また印加電圧を高くするのは端部絶縁の
関係で制限値がある。さらに誘電体の比誘電率もせいぜ
い７以下であり放電電力密度の向上には限界があ−」た
、 この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、ガスレーザ装置の出力を向上させ
ることを目的としている、〔問題点を解決するための手
段〕 この発明に係るガスレーザ装置は、接地側金属電極、高
電圧側金属電極の少なくとも一方の電極表面を結晶化ガ
ラスで被覆したものである。
得が放電空間（４）で必要であり、レーサー利得は放電
空間（４）の光軸方向の長さと放電電力密度（単位体積
当りに投入される放電電力）で決まるので、光軸方向の
長さを決めると放電電力密度をきよく値以上にあけない
と発振が起らない一放電電力密度を高めるためには電源
の周波数を高くするか、印加電圧を高くするか、誘電体
の静電容ｉ！ｉを大きくするかである、 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の無角放電式ガスレーザ装置１１以上のように構成
され、電源周波数はせいぜいｌ１ｌ（ｌ ＫＨｚ程度が
実用的であり、また印加電圧を高くするのは端部絶縁の
関係で制限値がある。さらに誘電体の比誘電率もせいぜ
い７以下であり放電電力密度の向上には限界があ−」た
、 この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、ガスレーザ装置の出力を向上させ
ることを目的としている、〔問題点を解決するための手
段〕 この発明に係るガスレーザ装置は、接地側金属電極、高
電圧側金属電極の少なくとも一方の電極表面を結晶化ガ
ラスで被覆したものである。
この発明においては、接地側金属電極、高電圧側金属電
極の少なくとも一方の電極表面を被覆した高誘電率の結
晶化ガラス材料Ｃζよ−・て、放電電力密度を高くし、
ガスレーサ装置の出力を向上させる。
極の少なくとも一方の電極表面を被覆した高誘電率の結
晶化ガラス材料Ｃζよ−・て、放電電力密度を高くし、
ガスレーサ装置の出力を向上させる。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成原理図、第２図
は第１図の放電電極部の拡大図、第８図は高電圧および
接地側金属電極の両方に誘電体を設けた他の実施例であ
る放電電極部の拡大図である。
は第１図の放電電極部の拡大図、第８図は高電圧および
接地側金属電極の両方に誘電体を設けた他の実施例であ
る放電電極部の拡大図である。
図において２、（１Ｍ２）（４）〜０旧ま上記従来装置
と同一のものであり、（２）は金属電極を被覆する誘電
体である結晶化ガラスである、結晶化ガラス（２）はガ
ラス製造時に結晶性成分を導入し成形後あるいは塗布焼
成後に結晶化するため齋こアニールを行ない結晶を析出
させる。導入する結晶成分により、低膨張化１機械特性
向上、耐熱性向上などの効果が異な−・でくる、この発
明では結晶成分に高誘電率結晶を析出させ誘電率を向上
させている、例えばこの発明の結晶化ガラスＯ２は、Ｍ
ＯとＴｉＯ２（ＭＯはＢａＯ，８ｒＯ，またはｒｈｏ
の１種またはそれ以上を示す）を合量で１０〜６ （ｌ
Ｗ ｔ％金含有、かつ。
と同一のものであり、（２）は金属電極を被覆する誘電
体である結晶化ガラスである、結晶化ガラス（２）はガ
ラス製造時に結晶性成分を導入し成形後あるいは塗布焼
成後に結晶化するため齋こアニールを行ない結晶を析出
させる。導入する結晶成分により、低膨張化１機械特性
向上、耐熱性向上などの効果が異な−・でくる、この発
明では結晶成分に高誘電率結晶を析出させ誘電率を向上
させている、例えばこの発明の結晶化ガラスＯ２は、Ｍ
ＯとＴｉＯ２（ＭＯはＢａＯ，８ｒＯ，またはｒｈｏ
の１種またはそれ以上を示す）を合量で１０〜６ （ｌ
Ｗ ｔ％金含有、かつ。
ＭＯ／ＴｉＯ２（モル比）が０．５〜１．５であるガラ
スであり加熱処理されることにより高誘電率の結晶を析
出するものである、またはＭＯ＋ＴｉＯｚ合量が２５〜
５５ｗｔ％でありＭＯ／’ＴｉＯｚ （モル比）が０
．９〜１４である結晶化ガラス０２である。またはＭＯ
＋’ｌ’ｉＣｈ以外のガうス成分として８ｉ（Ｊｚ１５
〜４５ｗｔ％、Ｂ２０３１１１〜８ ｏ ｗ ｔ％、Ａ
ｌ２Ｏ３］ （ｌ Ｗ ｔ％以下、Ｎ（Ｊ２０．Ａ２０
またはＬｉ２Ｏの１種またはそれ以上の合量が］（１ｗ
ｔ％以下、 ＣａＯ。
スであり加熱処理されることにより高誘電率の結晶を析
出するものである、またはＭＯ＋ＴｉＯｚ合量が２５〜
５５ｗｔ％でありＭＯ／’ＴｉＯｚ （モル比）が０
．９〜１４である結晶化ガラス０２である。またはＭＯ
＋’ｌ’ｉＣｈ以外のガうス成分として８ｉ（Ｊｚ１５
〜４５ｗｔ％、Ｂ２０３１１１〜８ ｏ ｗ ｔ％、Ａ
ｌ２Ｏ３］ （ｌ Ｗ ｔ％以下、Ｎ（Ｊ２０．Ａ２０
またはＬｉ２Ｏの１種またはそれ以上の合量が］（１ｗ
ｔ％以下、 ＣａＯ。
ＺｎＯ，ＭｇＯ才た１２Ｓｂｚ０３の１種また１４それ
以上の合量が４−２５ｗｔ％、Ｆが］１１ｗｔ％以下を
明する、この発明の結晶化ガラス０２を製造するｌ（は
、その１例を示すと、上記ＭＯとＴ ｉ ０１を供給す
る酸化物、塩類またはモル比でＭＯ／Ｔｉ１ｔが０．５
〜１．５なる他のガラス原料である強化性原料（例えば
５ｉ（Ｊｚ 、ＡＩ ２０３など）と弱火性原料（例え
ばＢ２Ｏ３，アルカリ、アルカリ土類金属酸化物など）
とを混合しガうスケ製造する通常の方法でその混合物を
加熱溶融し水または空気により冷却して得られる。この
場合、チダン酸バリウム等の結晶が力うス中ｆこ多量に
析出しないように急速（こ冷却することが肝要である。
以上の合量が４−２５ｗｔ％、Ｆが］１１ｗｔ％以下を
明する、この発明の結晶化ガラス０２を製造するｌ（は
、その１例を示すと、上記ＭＯとＴ ｉ ０１を供給す
る酸化物、塩類またはモル比でＭＯ／Ｔｉ１ｔが０．５
〜１．５なる他のガラス原料である強化性原料（例えば
５ｉ（Ｊｚ 、ＡＩ ２０３など）と弱火性原料（例え
ばＢ２Ｏ３，アルカリ、アルカリ土類金属酸化物など）
とを混合しガうスケ製造する通常の方法でその混合物を
加熱溶融し水または空気により冷却して得られる。この
場合、チダン酸バリウム等の結晶が力うス中ｆこ多量に
析出しないように急速（こ冷却することが肝要である。
表−１１と得られた結晶化ガうスＯ力の組成を示す、
表−１
＊モル比（これ以外はｗｔ％で示す）
この発明においてＭＯ＋ＴｉＯ２の合量が１０〜５Ｑｗ
ｔ％、 Ｍ Ｏ／ Ｔ ｉ ０２の値が０．５〜１．
５（モル比）であることを必須とするがその理由はＭＯ
＋ＴｉＯｚの合量が１９ｗｔ％より小であると本結晶化
ガラス（２）を加熱処理してもその過程で高誘電率結晶
相の析出が少ないため高誘電率体が得られず、また６Ｑ
ｗｔ％以上ではガラス原料の溶融作業温度が１４００°
Ｃ以上となって溶解炉が高価になり実用的でない８さら
ｉこ、それぞれの成分の作用を次に説明する６ ＳｉＯ口５ｗｔ％以下で（オガうス化しＩＩＩＩ＜、４
５ｗｔ％以上では焼成温度が高くなりすぎる。Ｂ２Ｂ２
Ｏ３１Ｑ％以下では焼成温度が高くなりすぎ３Ｑｗｔ％
以上では耐水性が悪くなり実用に適さなくなる。
ｔ％、 Ｍ Ｏ／ Ｔ ｉ ０２の値が０．５〜１．
５（モル比）であることを必須とするがその理由はＭＯ
＋ＴｉＯｚの合量が１９ｗｔ％より小であると本結晶化
ガラス（２）を加熱処理してもその過程で高誘電率結晶
相の析出が少ないため高誘電率体が得られず、また６Ｑ
ｗｔ％以上ではガラス原料の溶融作業温度が１４００°
Ｃ以上となって溶解炉が高価になり実用的でない８さら
ｉこ、それぞれの成分の作用を次に説明する６ ＳｉＯ口５ｗｔ％以下で（オガうス化しＩＩＩＩ＜、４
５ｗｔ％以上では焼成温度が高くなりすぎる。Ｂ２Ｂ２
Ｏ３１Ｑ％以下では焼成温度が高くなりすぎ３Ｑｗｔ％
以上では耐水性が悪くなり実用に適さなくなる。
ＡＩ ２０３１ ｇｗ ｔ％以上では焼成温度が高くな
りすぎる、Ｎａ ２０． Ｋ２Ｏ，Ｌｉ ２０の１種以
上が１０ｗｔ％以上ではアルカリイオンの移動が起こり
易く電気特性が悪くなる、Ｃａｂ、 ＺｎＯ，ＭｇＯ，
８ｂ ｔ（Ｊ３の１種以上が４ｗｔ％以下では焼成温度
か高く、体膨張係数が小さくなる。２５ｗｔ％以上では
耐水性が悪くなり実用に適さなくなる、Ｆが１０ｗｔ％
以上では金属体に施釉した場合、金属と結晶化ガラス（
２）の密着性か悪くなる、 この発明の結晶イヒガラス０りで高誘電率誘電体を被覆
した放電管を形成するには、その１例を示すと上記のよ
うな斐範囲の原料を調合して１２００〜】３００°Ｃで
５０〜６０分間溶融し水中６ζ投人急冷してフリ・リド
とする。これｌζ電解質、粘着剤を混合・粉砕した水性
スリ、・・ブを常法により調整する、こうして得ら第１
たスリ・・・プケ所望の放電管金属体に塗布して被着さ
せ乾燥後、軟化溶融温度以上に加熱して融着さセ−た後
、適宜冷却すれはチタン酸バリウム等の高誘電率結晶が
析出し、高誘電率誘電体を被覆した放電管が得Ａｔｌる
、この場合、放電管全体に結晶化ガラス０４混合粉砕物
を被着させるには、ヒヒーフルを用いるスクリーン印刷
法。
りすぎる、Ｎａ ２０． Ｋ２Ｏ，Ｌｉ ２０の１種以
上が１０ｗｔ％以上ではアルカリイオンの移動が起こり
易く電気特性が悪くなる、Ｃａｂ、 ＺｎＯ，ＭｇＯ，
８ｂ ｔ（Ｊ３の１種以上が４ｗｔ％以下では焼成温度
か高く、体膨張係数が小さくなる。２５ｗｔ％以上では
耐水性が悪くなり実用に適さなくなる、Ｆが１０ｗｔ％
以上では金属体に施釉した場合、金属と結晶化ガラス（
２）の密着性か悪くなる、 この発明の結晶イヒガラス０りで高誘電率誘電体を被覆
した放電管を形成するには、その１例を示すと上記のよ
うな斐範囲の原料を調合して１２００〜】３００°Ｃで
５０〜６０分間溶融し水中６ζ投人急冷してフリ・リド
とする。これｌζ電解質、粘着剤を混合・粉砕した水性
スリ、・・ブを常法により調整する、こうして得ら第１
たスリ・・・プケ所望の放電管金属体に塗布して被着さ
せ乾燥後、軟化溶融温度以上に加熱して融着さセ−た後
、適宜冷却すれはチタン酸バリウム等の高誘電率結晶が
析出し、高誘電率誘電体を被覆した放電管が得Ａｔｌる
、この場合、放電管全体に結晶化ガラス０４混合粉砕物
を被着させるには、ヒヒーフルを用いるスクリーン印刷
法。
乾式スプレー法、静電塗装法、電気泳動法など用いうる
し、また放電管金属体に融着させるＣζは流動浸漬法、
乾式焼付法なと力うスと金属を融着させる常法か用いら
′Ｉ７る、なＪ・、得られる放電管の誘電率を所望の値
蚤ζｍ整する（こ（、：ｒ冷却速度ケ変化させたＩ）、
冷却途中で成る温度に一定時間保持したり、あるいは再
加熱処理することｌ（より高誘電率結晶の析出量を加減
すわばよく容易に行うことができる、 この発明の誘電体の基体特性の例を表−２１ζボす。
し、また放電管金属体に融着させるＣζは流動浸漬法、
乾式焼付法なと力うスと金属を融着させる常法か用いら
′Ｉ７る、なＪ・、得られる放電管の誘電率を所望の値
蚤ζｍ整する（こ（、：ｒ冷却速度ケ変化させたＩ）、
冷却途中で成る温度に一定時間保持したり、あるいは再
加熱処理することｌ（より高誘電率結晶の析出量を加減
すわばよく容易に行うことができる、 この発明の誘電体の基体特性の例を表−２１ζボす。
表−２
この発明の比誘電率６０の結晶化ガラスＱＢを用いて従
来と同じ放電管ケ構成ずれは、１■じ放電電力密度を得
るの（こ印加型ＦＦ、を同じにして電源周波数が約１／
１２とｔＩ′す、又、電源周波数を同じにすれば印加電
圧ケ下げることができる、従来例と実施（夕０との関係
を示せば表−８のようになる。
来と同じ放電管ケ構成ずれは、１■じ放電電力密度を得
るの（こ印加型ＦＦ、を同じにして電源周波数が約１／
１２とｔＩ′す、又、電源周波数を同じにすれば印加電
圧ケ下げることができる、従来例と実施（夕０との関係
を示せば表−８のようになる。
表−３
し力）し放電開始電比より小さい値に下げることは７・
きないので 放電開始電圧値より少し高い程度の放電、
電圧で電力を同程度投入できる。
きないので 放電開始電圧値より少し高い程度の放電、
電圧で電力を同程度投入できる。
結晶化ガラスは析出結晶の種類と量６（よってその比誘
電率は異な−・てくる、比誘電率６０の結晶化ガラスを
用いたｉｔ極では従来便用されている誘電体の比誘電率
５と比べて１２倍の値となる。従って格段に放電電力密
度を上げることかできる、なお同じ電力密度であれば低
い電圧、あるいは低い電源周波数でレーザ発振が可能と
なる。例えは無声放電式０（Ｊ２ガスレーザ装置におい
ては周波数が数１０ Ｋ）ｌｚ至数０１０Ｋ）ｌｚ Ｏ
）場合、放電電力Ｗは電源周波数ｆ、レーザ電極の誘電
体の静電容量（３ｇ値に比例関係にあることが知られて
いる。従って、電源周波数ｆ又は誘電体の静電容量Ｏｇ
を増大すること番こより放電電力の増大が計れる６−万
、放電電力の増大の手段として放電電圧の増大も有効で
あるが、Ｗｌ極ｌζ使用される絶縁材料の耐電圧からの
制約等で電極構造が複雑となり、放電型［＋はせいぜい
常用１５〜２０に一■である。又、電源周波数ｆを数１
曲Ｋ Ｅｌ ｚに設計することは技術的に可能であるが
、高周波数のため、電力伝送時のケーブル、接続導体で
の損失が大きい（高周波の表皮効果による）、高周波変
圧器等電気機器内部での損失が大きくなる、この結果高
周波電源発振器の出力が放電電極部ｆこ至るまでＩ？：
低減し、効率が低下する欠点がある。又、漏洩電波に対
する対策等も必要となる、 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれは、誘電体で覆われた無声
放電電極１ζ高誘電率の結晶化ガラス材料を用いている
から、静電容量を大をく、所定のレーザ利得を得るため
の放電電力密度ケ酊能として、電源周波数を小さく、あ
るいは低電圧化でλ、ガスレーぜ装置の出カケ向上させ
ることができる。
電率は異な−・てくる、比誘電率６０の結晶化ガラスを
用いたｉｔ極では従来便用されている誘電体の比誘電率
５と比べて１２倍の値となる。従って格段に放電電力密
度を上げることかできる、なお同じ電力密度であれば低
い電圧、あるいは低い電源周波数でレーザ発振が可能と
なる。例えは無声放電式０（Ｊ２ガスレーザ装置におい
ては周波数が数１０ Ｋ）ｌｚ至数０１０Ｋ）ｌｚ Ｏ
）場合、放電電力Ｗは電源周波数ｆ、レーザ電極の誘電
体の静電容量（３ｇ値に比例関係にあることが知られて
いる。従って、電源周波数ｆ又は誘電体の静電容量Ｏｇ
を増大すること番こより放電電力の増大が計れる６−万
、放電電力の増大の手段として放電電圧の増大も有効で
あるが、Ｗｌ極ｌζ使用される絶縁材料の耐電圧からの
制約等で電極構造が複雑となり、放電型［＋はせいぜい
常用１５〜２０に一■である。又、電源周波数ｆを数１
曲Ｋ Ｅｌ ｚに設計することは技術的に可能であるが
、高周波数のため、電力伝送時のケーブル、接続導体で
の損失が大きい（高周波の表皮効果による）、高周波変
圧器等電気機器内部での損失が大きくなる、この結果高
周波電源発振器の出力が放電電極部ｆこ至るまでＩ？：
低減し、効率が低下する欠点がある。又、漏洩電波に対
する対策等も必要となる、 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれは、誘電体で覆われた無声
放電電極１ζ高誘電率の結晶化ガラス材料を用いている
から、静電容量を大をく、所定のレーザ利得を得るため
の放電電力密度ケ酊能として、電源周波数を小さく、あ
るいは低電圧化でλ、ガスレーぜ装置の出カケ向上させ
ることができる。
の拡大図、第８図はこの発明の他の実施例を示し、高電
圧および接地側合Ｗｊ４電極の両方に誘電体を設けた場
合の電極部の拡大図、第４図は従来のレーザ装置の原理
的な構造を示す構成原理図、第５図。 第６図は！極部の拡大図であるー 図Ｃζおいて、（１）１．：ｒ接地側金屑電極、（２）
は高電汁側金ｗ４電極、（７）は全反射鏡、（８）は出
力側反射鏡、Ｑ２１は結晶化ガラスである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分ケ示す、
圧および接地側合Ｗｊ４電極の両方に誘電体を設けた場
合の電極部の拡大図、第４図は従来のレーザ装置の原理
的な構造を示す構成原理図、第５図。 第６図は！極部の拡大図であるー 図Ｃζおいて、（１）１．：ｒ接地側金屑電極、（２）
は高電汁側金ｗ４電極、（７）は全反射鏡、（８）は出
力側反射鏡、Ｑ２１は結晶化ガラスである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分ケ示す、
Claims (5)
- （１）レーザ媒質ガスを有する容器内に対向配設された
第１及び第２の金属電極を具備するものにおいて、上記
両電極のうち少なくとも一方の電極表面に結晶化ガラス
を被覆したことを特徴とする無声放電式ガスレーザ装置
。 - （２）結晶化ガラスは加熱処理されるまでは実質的に高
誘電率の結晶を含有しないことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の無声放電式ガスレーザ装置。 - （３）結晶化ガラスは成分としてＭＯとＴｉＯ＿２（但
し、ＭＯはＢａＯ、ＳｒＯまたはＰｂＯの１種またはそ
れ以上を示す）との合量で２５〜５５ｗｔ／％、ＭＯ／
ＴｉＯ＿２（モル比）で０．９〜１．４であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の無声放
電式ガスレーザ装置。 - （４）結晶化ガラスは成分としてＭＯとＴｉＯ＿２（但
し、ＭＯはＢａＯ、ＳｒＯまたはＰｈＯの１種またはそ
れ以上を示す）との合量で２５〜５５ｗｔ％、ＭＯ／Ｔ
ｉＯ＿２（モル比）で０．９〜１．４であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載のオゾン発
生装置。 - （５）結晶化ガラスは、ガラス成分としてＳｉＯ＿２１
５〜４５ｗｔ％、Ｂ＿２Ｏ＿３１０〜３０ｗｔ％、Ａｌ
＿２Ｏ＿３１０ｗｔ％以下、Ｎｏ＿２Ｏ、Ｋ＿２Ｏまた
はＬｉ＿２Ｏの１種またはそれ以上の合量が１０ｗｔ％
以下、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯまたはＳｈ＿２Ｏ＿３の
１種またはそれ以上の合量が４〜２５ｗｔ％、Ｆが１０
ｗｔ％以下を含有してなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の無声放電式ガスレーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP866185A JPS61168276A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 無声放電式ガスレ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP866185A JPS61168276A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 無声放電式ガスレ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168276A true JPS61168276A (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=11699113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP866185A Pending JPS61168276A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 無声放電式ガスレ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168276A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362285A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 無声放電式ガスレ−ザ装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788789A (en) * | 1980-09-22 | 1982-06-02 | Kraftwerk Union Ag | High energy laser |
| JPS5848486A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | ガスレ−ザ発振器 |
| JPS58115876A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | 無声放電式ガスレ−ザ装置 |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP866185A patent/JPS61168276A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788789A (en) * | 1980-09-22 | 1982-06-02 | Kraftwerk Union Ag | High energy laser |
| JPS5848486A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | ガスレ−ザ発振器 |
| JPS58115876A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | 無声放電式ガスレ−ザ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362285A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 無声放電式ガスレ−ザ装置 |
| JPH0542143B2 (ja) * | 1986-09-02 | 1993-06-25 | Mitsubishi Electric Corp |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3827987B2 (ja) | 無鉛ガラスフリット | |
| US4152282A (en) | Silk-screening dielectric paste for multilayer circuit fabrication comprising aluminum oxide and a borosilicate glass | |
| JP2002012445A (ja) | 低融点ガラス | |
| JPH0340933A (ja) | 基板用ガラス組成物 | |
| US5854152A (en) | Glasses for display panels | |
| JPH11180728A (ja) | ディスプレイ装置用基板ガラス組成物 | |
| JPS61168276A (ja) | 無声放電式ガスレ−ザ装置 | |
| WO2001090012A1 (fr) | Composition de verre et materiau de formation de verre comprenant cette composition | |
| JPS61168502A (ja) | オゾン発生装置 | |
| SE450438B (sv) | Icke vattenhaltig elektrokemisk cell | |
| US3252812A (en) | Glass compositions | |
| JP7009064B2 (ja) | ガラス及びガラスセラミックス | |
| JPS6036349A (ja) | ガラス組成物 | |
| JPS5988340A (ja) | ホウロウフリツト | |
| US2993001A (en) | Matrix glass for phosphors | |
| US3294557A (en) | Electrically resistant glass compositions | |
| JPS61159781A (ja) | 無声放電式ガスレ−ザ装置 | |
| JPH0551543B2 (ja) | ||
| RU2203233C2 (ru) | Электроизоляционная эмаль для деталей из нержавеющей стали | |
| RU2059579C1 (ru) | Диэлектрическое покрытие для изделий из нержавеющей стали | |
| JPS60260172A (ja) | 無声放電励起レ−ザ | |
| US4609632A (en) | Glass compositions with low dielectric losses | |
| RU2081070C1 (ru) | Стеклокерамическое диэлектрическое покрытие для малоуглеродистых сталей | |
| SU1248968A1 (ru) | Стекло | |
| WO1998001399A1 (fr) | Substrat en verre et ecran d'affichage au plasma fabrique au moyen de ce substrat |