JPS61164105A - 欠陥検査方法及びその装置 - Google Patents
欠陥検査方法及びその装置Info
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- JPS61164105A JPS61164105A JP409085A JP409085A JPS61164105A JP S61164105 A JPS61164105 A JP S61164105A JP 409085 A JP409085 A JP 409085A JP 409085 A JP409085 A JP 409085A JP S61164105 A JPS61164105 A JP S61164105A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B11/306—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光学的に透明な物体（以下「被検査物体」とい
う）の欠陥検査方法に係り、特に、被検査物体表面上の
微小凹凸欠陥を検出するのに好適な欠陥検査方法に関す
る。
う）の欠陥検査方法に係り、特に、被検査物体表面上の
微小凹凸欠陥を検出するのに好適な欠陥検査方法に関す
る。
被検査物体を透過する光は、被検査物体の厚みに応じた
位相変化を受ける。位相差顕微鏡は、こ−鼾−−頁 の位相変化量を測定することにより、生の細胞や菌ある
いは透明基板上の微小凹凸等の透明で明暗。
位相変化を受ける。位相差顕微鏡は、こ−鼾−−頁 の位相変化量を測定することにより、生の細胞や菌ある
いは透明基板上の微小凹凸等の透明で明暗。
色調の差に乏しい物体を観察できるようになっている（
参考文献：吉原邦夫著「物理光学」共立出版１９６６年
１３１〜１３５頁）。
参考文献：吉原邦夫著「物理光学」共立出版１９６６年
１３１〜１３５頁）。
第７図は位相差顕微鏡の光学系の原理−であり、被検査
物体７の透過率によって変調される０次回折光１を背景
強度とし、前述の被検査物体７の屈折率変化あるいは厚
みの変化という位相差量に応じて変調される１′次以上
の高次回折光２に位相板９を用いて既述００次回折光重
と干渉するように１／４波長の位相変化を与え、像面ｌ
Ｏで被検査物体７による位相変化を明暗コントラストで
観察できるようにしたものである。尚、第７図において
、３は光源、４はコレクタレンズ、６はコンデンサレン
ズ、８は対物レンズである。
物体７の透過率によって変調される０次回折光１を背景
強度とし、前述の被検査物体７の屈折率変化あるいは厚
みの変化という位相差量に応じて変調される１′次以上
の高次回折光２に位相板９を用いて既述００次回折光重
と干渉するように１／４波長の位相変化を与え、像面ｌ
Ｏで被検査物体７による位相変化を明暗コントラストで
観察できるようにしたものである。尚、第７図において
、３は光源、４はコレクタレンズ、６はコンデンサレン
ズ、８は対物レンズである。
前述００次回折光重と高次回折光２とを干渉させるため
に、振幅の大きな０次回折光はリングスリット５及び吸
収膜１１によって減衰される。このうち、吸収膜１１の
吸収率は、生体観察等の位相差３ ｊｒ 顕微鏡の主たる用途からいって、被検査物体７の忠実度
（通常の光学的顕微鏡で観察した像との類似性）を大き
く損わないように９０チ程度にしである。このため、被
検査物体７の微小な凹凸に対して弱いコントラストしか
得られないという欠点がある。
に、振幅の大きな０次回折光はリングスリット５及び吸
収膜１１によって減衰される。このうち、吸収膜１１の
吸収率は、生体観察等の位相差３ ｊｒ 顕微鏡の主たる用途からいって、被検査物体７の忠実度
（通常の光学的顕微鏡で観察した像との類似性）を大き
く損わないように９０チ程度にしである。このため、被
検査物体７の微小な凹凸に対して弱いコントラストしか
得られないという欠点がある。
前述の吸収膜１１の吸収率を高くすると、位相差量すな
わち被検査物体７の凹凸量の大きな部分のまわ９にハロ
ーと呼ばれる光環１２が生じる。このハローは、前述の
吸収ａｌｌの吸収量が大きい程、また被検査物体７上の
検出物の位相差量が大きい程、また検出物（微小凹凸）
の大きさが小さい程大きく生じる。第８図は、位相差量
の小さい検出物Ａに比し、位相差量の大きい検出物Ｂに
大きなハロー１２が生じているところを示している。
わち被検査物体７の凹凸量の大きな部分のまわ９にハロ
ーと呼ばれる光環１２が生じる。このハローは、前述の
吸収ａｌｌの吸収量が大きい程、また被検査物体７上の
検出物の位相差量が大きい程、また検出物（微小凹凸）
の大きさが小さい程大きく生じる。第８図は、位相差量
の小さい検出物Ａに比し、位相差量の大きい検出物Ｂに
大きなハロー１２が生じているところを示している。
透明基板上に例えば回路パターンを描く場合、微小凹凸
が存在すると回路は不良品となる。そこで、微小凹凸存
在有無の確認のためにハローを調べることは有効である
。しかし、ハローは、通常、背景信号レベル１４に対す
る検出信号レベル１３と逆のレベルに発生するので、検
出ビデオ信号に対し単一の闇値を設定し信号２値化を行
ったのでは、検出信号レベル１３とハロー１２の両者を
背景信号レベル１４と分離することができない。
が存在すると回路は不良品となる。そこで、微小凹凸存
在有無の確認のためにハローを調べることは有効である
。しかし、ハローは、通常、背景信号レベル１４に対す
る検出信号レベル１３と逆のレベルに発生するので、検
出ビデオ信号に対し単一の闇値を設定し信号２値化を行
ったのでは、検出信号レベル１３とハロー１２の両者を
背景信号レベル１４と分離することができない。
この検出信号レベル１３とハロー１２の両者を背景信号
レベル１４と分離する方法として、第９図に示すように
、高レベル闇値１８と低レベル閾値１９の２つの闇値を
用いて検出信号を３値化する手法かめる。しかし、この
３値化を用いた場合、前記検出信号レベル１３とハロー
１２の両者を背景信号レベル１４と分離することができ
るが、通常、背景信号レベルは第１Ｏ図に示すようなシ
ェーディングと呼ばれる照明むらの影ｗを受けるので、
雑音等を発生しない闇値レベルを設定するのは困難であ
る。
レベル１４と分離する方法として、第９図に示すように
、高レベル闇値１８と低レベル閾値１９の２つの闇値を
用いて検出信号を３値化する手法かめる。しかし、この
３値化を用いた場合、前記検出信号レベル１３とハロー
１２の両者を背景信号レベル１４と分離することができ
るが、通常、背景信号レベルは第１Ｏ図に示すようなシ
ェーディングと呼ばれる照明むらの影ｗを受けるので、
雑音等を発生しない闇値レベルを設定するのは困難であ
る。
ツク７レス パイ レベル クオｙ−イデー ７オー
７アクＶｌす“Ｎｏｔｏｈｌａｓｓ Ｂ１−１ｅｖｅｌ
Ｑｎａｎｔｌｚｅｒ ｆｏｒ Ｆａｃｓｍｉｌｅる文
献において論じられている浮動闇値の手法を用いる方法
がめる。しかし、この浮動闇値による− ミー頁 ２値化は、第１１図に示すように、シェープインク等の
影響を除去することができるが、このままでは前記検出
信号レベル１３とハロー１２の両者を背景信号レベル１
４と分離できないという欠点がある。
７アクＶｌす“Ｎｏｔｏｈｌａｓｓ Ｂ１−１ｅｖｅｌ
Ｑｎａｎｔｌｚｅｒ ｆｏｒ Ｆａｃｓｍｉｌｅる文
献において論じられている浮動闇値の手法を用いる方法
がめる。しかし、この浮動闇値による− ミー頁 ２値化は、第１１図に示すように、シェープインク等の
影響を除去することができるが、このままでは前記検出
信号レベル１３とハロー１２の両者を背景信号レベル１
４と分離できないという欠点がある。
〔発明の目的］
本発明の目的は、シェーディング等の影響を除去し、し
か屯、検出信号レベルとハローの両者を背景信号レベル
から分離して、被検査物体表面の微小凹凸を高感度に検
出する欠陥検査方法を提供することにある。
か屯、検出信号レベルとハローの両者を背景信号レベル
から分離して、被検査物体表面の微小凹凸を高感度に検
出する欠陥検査方法を提供することにある。
〔発明の概要］
本発明では、透明な被検査物体の表面上に微小凹凸欠陥
が存在していた場合、この欠陥による濃淡画像を明瞭に
して、欠陥検出信号とハローとを背景信号レベルと分離
しやすくシ、更に、シエーデング等の影響を受けにくく
する。そこで、微小凹凸欠陥による画像の明暗コントラ
ストを明瞭とする為、被検査物体を透過照明して得られ
る回折光のうち０次、回折光を著しく減衰あるいは完全
に遮蔽した。そして、少なくとも１次あるいはそれ−６
−頁 以上の高次回折光により被検査物体の像を得、この像か
ら欠陥を検出するようにした。
が存在していた場合、この欠陥による濃淡画像を明瞭に
して、欠陥検出信号とハローとを背景信号レベルと分離
しやすくシ、更に、シエーデング等の影響を受けにくく
する。そこで、微小凹凸欠陥による画像の明暗コントラ
ストを明瞭とする為、被検査物体を透過照明して得られ
る回折光のうち０次、回折光を著しく減衰あるいは完全
に遮蔽した。そして、少なくとも１次あるいはそれ−６
−頁 以上の高次回折光により被検査物体の像を得、この像か
ら欠陥を検出するようにした。
本発明の実施態様として、検出像を光電変換して欠陥信
号を背景から分、１ｍ！する。これは、例えば第１図に
示すように、背景レベルに対応した闇値レベルから若干
高いレベルにシフトした閾値レベルと若干低いレベルに
シフトした閾値レベルの２つの闇値を作成し、これによ
って検出した電気信号を背景と欠陥とに分離すれば、雑
音なく高精度に分離を行うことができる。この分離のた
めの判定は、検出信号レベルが高レベル闇値より大きい
か、あるいは低レベル闇値より小さいかを判定すればよ
い。
号を背景から分、１ｍ！する。これは、例えば第１図に
示すように、背景レベルに対応した闇値レベルから若干
高いレベルにシフトした閾値レベルと若干低いレベルに
シフトした閾値レベルの２つの闇値を作成し、これによ
って検出した電気信号を背景と欠陥とに分離すれば、雑
音なく高精度に分離を行うことができる。この分離のた
めの判定は、検出信号レベルが高レベル闇値より大きい
か、あるいは低レベル闇値より小さいかを判定すればよ
い。
以下、本発明の一実施例を第２図乃至第６図により貌明
する。
する。
第２図は検出光学系の構成図である。この検出光学系Ｉ
にお込て、透過照明光源ｎより発せられた透過照明光お
け、コレクタレンズ２３．ＩＪングスリット２４．コン
デンサレンズδを通って被検査物７ 頁 体２６を照明する。透過照明光おによって、被検査物体
かの透過率に基づき主として振幅変調された０次回折光
３７と、被検査物体あの厚さあるいは屈折率に基づいて
主として試料の位相差量に応じて振幅変調された高次回
折光あとが被検査物体部から発せられる。Ｏ次回折光３
７は、位相板部によって１７４波長または一１／４波長
分の位相変化を受け、吸収膜部によって著しく減衰める
いは完全に遮蔽される。これにより、光電変換素子３１
の像面上には、主として被検査物体部の位相差量に応じ
た濃淡画像が得られ、被検査物体が上の微小凹凸欠陥を
光電変換することができる。
にお込て、透過照明光源ｎより発せられた透過照明光お
け、コレクタレンズ２３．ＩＪングスリット２４．コン
デンサレンズδを通って被検査物７ 頁 体２６を照明する。透過照明光おによって、被検査物体
かの透過率に基づき主として振幅変調された０次回折光
３７と、被検査物体あの厚さあるいは屈折率に基づいて
主として試料の位相差量に応じて振幅変調された高次回
折光あとが被検査物体部から発せられる。Ｏ次回折光３
７は、位相板部によって１７４波長または一１／４波長
分の位相変化を受け、吸収膜部によって著しく減衰める
いは完全に遮蔽される。これにより、光電変換素子３１
の像面上には、主として被検査物体部の位相差量に応じ
た濃淡画像が得られ、被検査物体が上の微小凹凸欠陥を
光電変換することができる。
この光電変換された信号おけ、２値化回路３２によって
背景と欠陥とに分離され、検出出力３４として出力され
る。
背景と欠陥とに分離され、検出出力３４として出力され
る。
第３図は２値化回路３２の一例を示す。この２値化回路
３２は、光電変換信号おを積分し該信号３３の平均値を
出力する積分回路４０と、積分回路４０の出力値及び闇
値レベル■□の和と光電変換信号３３とを比較する比較
回路４１と、積分回路４０の出力値から閾値レベルｖＬ
を減じた値と光電変換信号おとを比較してその結果の反
転値を出力する比較回路４２と、両比較回路４１と４２
の出力の論理和をとり検出出力３４を出力する論理和回
路４３とから構成しである。
３２は、光電変換信号おを積分し該信号３３の平均値を
出力する積分回路４０と、積分回路４０の出力値及び闇
値レベル■□の和と光電変換信号３３とを比較する比較
回路４１と、積分回路４０の出力値から閾値レベルｖＬ
を減じた値と光電変換信号おとを比較してその結果の反
転値を出力する比較回路４２と、両比較回路４１と４２
の出力の論理和をとり検出出力３４を出力する論理和回
路４３とから構成しである。
比較回路４１は、第４図に示すように、信号あの平均値
よｐレベルｖＨだけ高い値に設定された高レベル闇値以
上の入力光電変換信号があったとき、欠陥有りとする検
出信号を出力する。
よｐレベルｖＨだけ高い値に設定された高レベル闇値以
上の入力光電変換信号があったとき、欠陥有りとする検
出信号を出力する。
比較回路４２は、信号あの平均値よりレベルｖＬだけ低
い値に設定された低レベル闇値以下の入力光電変換信号
があったとき、欠陥有りとする検出信号を出力する。
い値に設定された低レベル闇値以下の入力光電変換信号
があったとき、欠陥有りとする検出信号を出力する。
このため、両比較回路４１ 、４２の出力の論理和をと
ることにより、欠陥の有無が判定される。
ることにより、欠陥の有無が判定される。
第５図はＪｉ１！２図に示す２値化回路３２の第２実施
例回路である。
例回路である。
本実施例における２値化回路３２は、比較回路４５゜遅
延回路４６等で構成した第１欠陥検出回路４７と、比較
回路４８．遅延回路４９１反転回路関等で構成した第２
欠陥検出回路５１と、論理和回路５２とで成る。
延回路４６等で構成した第１欠陥検出回路４７と、比較
回路４８．遅延回路４９１反転回路関等で構成した第２
欠陥検出回路５１と、論理和回路５２とで成る。
−９−頁
第１欠陥検出回路４７は、比較回路４５の■入力端子と
■入力端子に光電変換信号３３が供給され、■が加算さ
れている。
■入力端子に光電変換信号３３が供給され、■が加算さ
れている。
ここで、第１欠陥検出回路４７０入力電圧をｖｉ （ｎ
）ｒ出力電圧を■。（ｎ）とする。第５図のＡ点での電
圧はｖＯ（ｎ−１）でおる為、比較回路４７の■入力側
の利得を１７２．θλ入力側利得を１に調整すれば、ｖ
Ｏ（ｎｌ ２（ｖＯ（ｎ−１）十ｖｉ（ｎ）） （
ｖｌ（ｎ）＋■Ｈ）となる。第１項は入力信号３３の平
均値となり、第２項は入力信号おからレベルｖＨを減じ
た値となる。
）ｒ出力電圧を■。（ｎ）とする。第５図のＡ点での電
圧はｖＯ（ｎ−１）でおる為、比較回路４７の■入力側
の利得を１７２．θλ入力側利得を１に調整すれば、ｖ
Ｏ（ｎｌ ２（ｖＯ（ｎ−１）十ｖｉ（ｎ）） （
ｖｌ（ｎ）＋■Ｈ）となる。第１項は入力信号３３の平
均値となり、第２項は入力信号おからレベルｖＨを減じ
た値となる。
この信号レベルを図に示すと第６図の様になる。
従って、第１欠陥検出回路４７は、第６図の例ではハロ
ーを検出できる。第２欠陥検出回路５１の動作も第１欠
陥回路４７と同様である。
ーを検出できる。第２欠陥検出回路５１の動作も第１欠
陥回路４７と同様である。
この為、本実施例では比較回路４５ 、４８の各■側０
ｆＩＩｌの利得を調整すれば、被検査物体あ表面上の微
小凹凸を精度良く検出できる。
ｆＩＩｌの利得を調整すれば、被検査物体あ表面上の微
小凹凸を精度良く検出できる。
１０頁
上記したように、本発明方法を用いれば、通常の光学顕
微鏡では識別不可能な、光学的に透明な被検査物体表面
の微小凹凸を高感度に検出できるという効果がある。
微鏡では識別不可能な、光学的に透明な被検査物体表面
の微小凹凸を高感度に検出できるという効果がある。
第１図は本発明方法の説明図、第２図は本発明の一実施
例を適用した検出光学系の構成図、第３図は第２図に示
す２値化回路のブロック回路図、第４図は第３図に示す
回路の動作説明図、第５図紘２値化回路の別実施例のブ
ロック回路図、第６図は第５図に示す回路の動作説明図
、第７図は一般の位相差顕微鏡の光学系構成図、第８図
はハローの説明図、第９図は３値化の説明図、第１０図
はシェーディングの説明図、第１１図は浮動閾値２値化
の説明図である。 訪・・・被検査物体、四・・・吸収膜、３１・・・光電
変換素子、３２・・・２値化回路、Ｕ・・・高次回折光
、３７・・・０次回折光。
例を適用した検出光学系の構成図、第３図は第２図に示
す２値化回路のブロック回路図、第４図は第３図に示す
回路の動作説明図、第５図紘２値化回路の別実施例のブ
ロック回路図、第６図は第５図に示す回路の動作説明図
、第７図は一般の位相差顕微鏡の光学系構成図、第８図
はハローの説明図、第９図は３値化の説明図、第１０図
はシェーディングの説明図、第１１図は浮動閾値２値化
の説明図である。 訪・・・被検査物体、四・・・吸収膜、３１・・・光電
変換素子、３２・・・２値化回路、Ｕ・・・高次回折光
、３７・・・０次回折光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光学的に透明な平行平板でなる被検査物体を透過照
明して得られる回折光のうち、０次回折光を著しく減衰
あるいは完全に遮蔽し、高次回折光により濃淡画像を得
て該濃淡画像から被検査物体の凹凸欠陥を検出する欠陥
検査方法。 ２、前記濃淡画像を光電変換した電気信号から前記凹凸
欠陥を検出することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP409085A JPH061178B2 (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 欠陥検査方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP409085A JPH061178B2 (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 欠陥検査方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61164105A true JPS61164105A (ja) | 1986-07-24 |
| JPH061178B2 JPH061178B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=11575094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP409085A Expired - Lifetime JPH061178B2 (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 欠陥検査方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061178B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997044633A1 (en) * | 1996-05-18 | 1997-11-27 | Btg International Limited | Optical measurement |
| JP2006292617A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Nec Electronics Corp | 欠陥検査装置及び基板表面の検査方法 |
| CN104204720A (zh) * | 2012-03-21 | 2014-12-10 | 韩国标准科学研究院 | 透明基板监测装置和透明基板监测方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101319555B1 (ko) * | 2012-03-21 | 2013-10-21 | 한국표준과학연구원 | 두께 변화 측정 장치 및 두께 변화 측정 방법 |
| WO2013141539A1 (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | Korea Research Institute Of Standards And Science | Transparent substrate monitoring apparatus and transparent substrate monitoring method |
-
1985
- 1985-01-16 JP JP409085A patent/JPH061178B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997044633A1 (en) * | 1996-05-18 | 1997-11-27 | Btg International Limited | Optical measurement |
| JP2006292617A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Nec Electronics Corp | 欠陥検査装置及び基板表面の検査方法 |
| CN104204720A (zh) * | 2012-03-21 | 2014-12-10 | 韩国标准科学研究院 | 透明基板监测装置和透明基板监测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061178B2 (ja) | 1994-01-05 |
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