JPS61156546A - 記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、光学的又は熱的に繰り返し書き込み、消去
が可能で、光学的又は磁気的に読み出しが行なわれる記
憶装置に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

光学的に情報の書き込み、消去、再生を行なう記憶装置
は、記録密度が高いこと、及び高速ランダムアクセスが
可能であることから注目されている。このような記憶装
置として、希土類及び遷移金属からなる非晶質合金薄膜
の光磁気効果を利用した光磁気記録媒体、非晶質と結晶
質の間の相転移を利用した記録媒体等を用いたものが知
られている。

しかしながら、光熱磁気記録媒体に於いては、（Ｉ＞再
生原理が、直線偏光の偏光面の高々数度以下の回転を検
出することによっており、光学系が偏光子、検光子等を
含んで複雑となり、かつＳ／Ｎ比が低い、（ＩＩ）希土
類及び遷移金属からなる非晶質合金薄膜が大気中で容易
に酸化され、記憶情報が失われることから、寿命が短い
。（ＩＩＩ）希土類元素を用いるために原料コストが高
い、（ｒＶ）磁化反転をさせて記録するために外部から
磁場を印加する手段が必要である、といった問題点を有
する。

又、非晶質と結晶質の間の相転移を利用した記録媒体に
於いては、記録、消去が原理的に原子の拡散移動を伴う
ものであることから、（Ｉ）１ビツトの情報を記録、ま
たは消去するのに時間がかかり、データ転送速度を高速
にすることに限りがある、（ｎ）熱的繰り返しに対して
徐々に可逆性が失われ、消し残りが発生する、といった
問題点を有する。

又、金属−半導体相転移を利用した記録媒体を用いるも
のも提案されている（例えば、特開昭４９−７０５４７
号公報、特開昭４９−１３１０４１号公報など）。しか
しこれらは、いづれも相転移に於ける体積変化が大きい
ことから薄膜状の記録媒体が基板より剥離するという問
題点を有する。

特開昭４９−７０５４７号公報のものでは記録した情報
を保持するためには記録媒体全体を常に高温に保持して
おく手段が必要であり、汎用性に欠けると言う問題点を
有し、また、特開昭４９−１３１０４１号公報のものに
於いては情報を貯蔵するトラックとは別に消去トラック
と分離領域を設ける必要があり、記録密度を上げられな
いという問題点を有する。

この他に、基板上に第１の層、及び空温でマルテンサイ
ト相にある第２の層を有し、形状記憶効果により消去可
能なメモリ構造が提案されている（例えば、特開昭５６
−１２４１３６号公報）。

この構造は、（Ｉ＞基板上の記録媒体が基板より浮いた
形を記録状態とするために基板との密着性の悪い膜を使
用する必要があり、剥離しやすい、（ＩＩ）記録媒体が
少なくとも２つの個別な層から成るために、製造プロセ
スが複雑となる、といった問題点を有する。

〔発明の目的〕

本発明は上述した従来装置の問題点を克服するためにな
されたものであり、従来とは原理的に異なる記録、消去
、再生方式により、再生のＳ／Ｎ比の向上と記録・消去
の高速化を図り、単層記録媒体による単純な構造で、寿
命が長く原料がより安価な記録媒体を用いた記憶装置を
提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明は、前記した目的を達成する上で、基板上に支持
された特定の温度・応力に於いて結晶構造相転移を起こ
す結晶質の記録媒体を用いる。Ｃ０９Ｚｒ等の金属、ス
テンレス鋼等多くの合金、またはＮｂ３Ｓｎ、ＣｕＭＯ
ｓ　Ｓａ等の化合物等多くの物質で特定の温度・応力に
於いて結晶構造相転移を起こすことが知られている。こ
れら結晶構造相転移は、物質の選び方９組成・組織の調
整の仕方によって、相転移する温度及びそのヒステリシ
ス幅を調整でき、その結果常温での結晶構造が２値をと
り得、記録媒体として使用し得る。特にこれら結晶構造
相転移を起こす物質の内、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｎ　ｉ、Ｆ
ｅ−０ｒ−Ｃ，Ｆｅ−Ｍｎ等のＦｅ系合金、Ｇｏ、Ｇｏ
−Ｎｉ等のＣＯ系合金、Ｔｉ−Ｖ、Ｔｉ−Ｃｒ、　Ｔｉ
　−ｔｖｌｏ、　Ｔｉ　−Ｎｉ等のＴｉ系合金、Ｃｕ−
Ａｎ、Ｃｕ−８ｎ。

Ｃｕ−２ｎ等のＣｕ系合金、その他Ａｕ−７ｎ。

Ａｕ−Ｃｄ、ＡＱ−Ｚｎ、Ａｑ−Ｃｄ、Ｎ　１−Ｔｉ、
Ｎ１−Ａｆｆｉ、Ｉｎ−Ｔ（１，Ｉｎ−Ｃｄ、Ｍｎ−Ｃ
ｕ、Ｍｎ−Ｎ　ｉ、Ｍｎ−Ａｕ、Ｖ２０３　、Ｚｒｏ２
．８ａＴ　ｉ０３等ではマルテンサイト変態とその逆変
態が起きる。マルテンサイト変態とその逆変態は、原子
の拡散移動なしで原子が連携運動をして結晶格子が変化
することから、可逆性が高く、かつ相転移が高速で進行
する。その変態時には変態相が固体中弾性波の１／３と
いう高速で生成・成長する。

これら結晶構造相転移の多くは、温度の上下に対しであ
るヒステリシスをもって観測されるが、格子変形である
が故に応力を加える事によっても誘起される。例えばマ
ルテンサイト変態の場合、所定の特性温度Ｍｄ以下では
、高温相にある結晶に応力を加えると低温相になる。こ
れを応力誘起変態又は応力誘起結晶構造相転移と呼ぶ。

ここでＭｄとは、これ以上の温度では応力を加えても低
温相への結晶構造相転移が起きないような特性温度であ
る。このようにして誘起された低温相は、温度が所定の
特性温度ＡＳ以下であれば応力除去後も安定に存在する
。この応力誘起された低温相を高温相に戻すには、Ａｓ
以上まで加熱してやれば良い。

前記の現象を利用した繰り返し記録、消去、及び再生が
可能な本発明の記憶装置の原理の説明図が第２図である
。応力を加えない場合、冷却時には常温Ｔａよりも低温
のＭＳ−Ｍｆに於いて結晶構造相転移ａ１が起り、昇温
時には常温Ｔａよりも高温のＡＳ−Ａｆに於いて結晶構
造相転移すが起るよう、記録媒体の物質を選び、組成を
調整する。このような記録媒体は例えば、Ｆｅ−Ｎ１（
２７〜３４重量％）、−Ｃ（０〜２重量％）の鉄−ニッ
ケル系合金、及びＣｕ−Ａｆｆｉ　（９〜１５重量％）
−Ｎｉ（０〜５重量％）合金、特にその蒸着薄膜によっ
て実現される。初期状態として記録媒体は高温相（第１
の相）のＡ点にある。この記録媒体を局部的に加熱する
と、加熱された箇所に応力が発生し、この箇所がＡ−４
Ｃ−＋Ｂの経路をたどって応力誘起結晶構造相転移ａ２
を起こし、Ｂ点の低温相（第２の相）となる。Ｂ点の低
温相は、局部的加熱を止めた後、すなわち応力除去後も
常ｆｉＴａで安定に存在し、これが記録状態となる。

第１図は本発明に於ける記録媒体及び支持基板の断面図
である。１は基板であり、ガラス、有機樹脂等より成る
。２は記録媒体であり、本発明の場合単層で十分な機能
を果たし得る。３は本発明に依るところの前記した記録
手順によって２進情報の１°′を記録媒体に記録した部
分で、４は記録媒体の内記録されていない部分又は消去
済の部分である。前記記録手順は、以下の記録原理に基
づく。記録媒体２の内、記録すべく局部的に加熱された
部位には、基板１及び記録媒体の周囲の部分によって拘
束されることから、以下の内部応力σが発生する。

σ−Ｅ×Δ（１／（１ ここでＥはヤング率、Δλ／ｌ、は拘束されない場合の
熱膨張による伸び率であり、 Δλ／λ−β（Ｔ−Ｔａ） で表わされる。βは熱膨張係数、Ｔａは常温、王は記録
部分３の温度である。通常の合金、例えばＣｕ−Ａλ系
合金においてβ〜２ｘ１０４［１／にコ、Ｅ〜１０１１
　　［Ｐａ］であることを考慮すると、記録部分３が常
温より１５０”Ｃ温度上昇することによりσ＝３００Ｍ
Ｐａの内部応力を発生する。この内部応力は、応力誘起
結晶構造相転移を引き起こすに十分な大きさである。以
上の原理により記録媒体の局部的な加熱により結晶構造
相転移を誘起して記録することが可能である。

尚ここで、局部的な応力さえ発生すれば、原理的には基
板１なしに本発明に依るところの記録・消去・再生方式
を用いた記憶装置を構成することができる。しかしなが
ら、局部的な加熱の容易さ、記録媒体の扱い易さ等の点
から、基板上に、薄膜状の記録媒体を構成することが望
ましい。この場合には、局部的な応力による膜の剥離が
起こり得ないわけではないので、基板への記録媒体の密
着性が高いことが必要である。ここで、応力誘起結晶構
造相転移がマルテンサイト変態の場合は、低温相へ相転
移する際に、応力を緩和する様な方位及び双晶構造をも
った低温相が生成し、相転移後に残る応力を適度に緩和
してくれるように、記録媒体を構成することができる。

更には、基板としては記録媒体よりも熱伝導率の低いも
の、例えばガラス、有機樹脂等が望ましい。局部的に加
熱して応力を発生する手段は、１μｍφ程度に絞ったレ
ーザービームを、記録媒体の面内の熱拡散が問題になら
ない程度の短いパルス幅でかつ記録媒体の温度が特性温
度Ｍｄ以上にならない程度のパワーで照射することによ
って実現される。もちろん、この局部的な加熱を行なう
手段は、記録媒体の面内の熱拡散が問題にならず、記録
媒体の温度がＭｄ以上にならないという条件さえ満たせ
ば、他の例えば通電加熱させる微少ヒーターによっても
、また電子線等の粒子線を照射することによっても実現
され得る。

つぎに、記録された部分の消去は、第２図のＢ点にある
記録媒体をＡｆ点以上まで昇温させる手段によって、第
２図に於いてＢ−＋Ｄ→Ｅ−＋Ａの経路をたどって初期
状態のＡ点に戻すことによる。

この場合昇温の初期過程で局部的な熱応力が生じた場合
は、結晶構造相転移ａ２が起きる場合があるが、特性温
度Ａｆ以上まで昇温することにより、生じた低温相はす
べて高温相になる。この昇温させる手段は、記録媒体全
体を基板も含めて、例えば高温槽内にて、第２図に於け
る温度Ａｆ以上の熱処理をすることによって実現される
。しかしながら、もっと簡便には、光ビームを記録媒体
の温度がＡｆ以上になるようなエネルギーで消去したい
箇所に照射することによって実現される。この場合、ひ
とつの記録媒体に記録された情報すべてを消去するので
はなく、希望の箇所の情報のみを消去することができる
。またこの場合、情報を記録したトラックの他に消去ト
ラックや分−領域等を設ける必要はまったくない。又、
消去時には不必要な熱応力の集中を避けるために、記録
時よりも長いパルス幅、又は記録時よりも太いビーム径
、又はその両方を併用した光ビームを照射することが望
ましい。

記録された情報の再生は、例えば高温相と低温相での結
晶構造の差違による電子状態の差違に基づく光学的反射
率の差を検出することによって実現される。特に結晶構
造相転移ａ２がマルテンサイト変態の場合は、高温相の
平坦面に対して、結晶構造相転移ａ２の後の低温相の表
面に起伏が生じる、といった現象が可逆的に起り、起伏
面では光が散乱されることより、上記光学反射率の差が
大きくなる。この表面起伏が生じる場合には、光学的反
射等の差によらなくとも、表面の凹凸を検知する手段、
例えば触針法やキャパシタンスの変化を検知する方法に
よっても再生を行なうことができる。また特に、鉄を主
成分とする合金のマルテンサイト変態の場合、高温相が
常磁性で低温相が強磁性であることから、磁気的性質の
差違を検出する手段、例えば通常の磁気ヘッドや光磁気
効果を利用した方法によっても記録された情報の再生を
実現し得る。

以上、本発明に依る記録・消去・再生の原理と方法を記
述したが、記録・消去・再生のスピードとランダムアク
セスに要する時間、及び記録密度等を考慮すると、記録
・消去・再生の手段として光ビームを用いることが最も
望ましい。更には、記録・消去の高速性と可逆性、及び
光ビームを用いて再生する場合のＳ／Ｎ比等を考慮する
と、記録媒体としては前記した特徴のあるマルテンサイ
ト変態を起こす物質から成ることが望ましい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、（Ｉ＞原子の拡散移動のない（又は移
動距離の短い）結晶構造相転移を利用するために高速の
記録・消去が可能である、（ＩＩ＞Ｓ／Ｎ比が高い、（
Ｉ［）記録媒体としてＦｅ、Ｎｉ、Ｑｕ、Ａβ等の一般
的元素を使用し得ることより、原料が安価である、（ｒ
Ｖ）記録媒体として前記のような元素を主成分とするた
めに、希土類元素を使用する場合に比べて耐酸化性、耐
候性に富む、（Ｖ）記録媒体が単層で十分な機能を果た
し、製造プロセスが単純になる、（−■）結晶構造相転
移に於ける単位胞の体積変化が小さいもの（Ｃｕ−Ａβ
系合金の場合で０．３％）を選べること、及び基板への
密着性の高い記録媒体を記録部分・消去部分共に基板に
付着した状態で使用することより、基板から記録媒体が
剥離する心配が無い、といった効果がある。

特に記録・消去・再生の手段として光ビームを用いる場
合は、前記だ効果に加えて、（Ｉ＞偏光子・検光子を用
いる必要がなく光学系が単純になり、よりＳ／Ｎ比が高
くなる、（Ｉｆ＞光ビーム以外に加熱手段、磁場を印加
する手段等が必要でなく、記憶装置の構成が単純になる
、（ＩＩＩ）情報を貯蔵するトラック以外に消去トラッ
クや分離領域を設ける必要がなく、記録密度を高くする
ことができる、といった効果がある。

（発明の実施例） 以下本発明の詳細な説明する。

第３図は、本発明の記録媒体を作成する装置の例の構成
図である。５は真空容器、６は排気系、７はセラミック
製ルツボ、８はタングステンから成る通電加熱ヒータで
ある。９はガラス、石英。

アクリル、エポキシ、８１等のいずれかから成る基板で
あり膜を付着させる間は回転させる。真空容器５を排気
系６で１×１ｏうＴｏｒｒ以下に排気し、ヒータ８で加
熱されたルツボ７よりルツボ７内に充填された蒸発源が
蒸発し、基板９に付着する。

本発明の第１の実施例では、ヒータ８とルツボ７の組み
合せを第３図に示した様に２ケ用意し、片方にＣｕ、も
う一方に八２を充填して、ヒータ８への供給電力を制御
することによって個々の蒸発量を精密かつ安定に制御し
て、基板５に記録媒体としてＣｕ−Ａ４合金膜を付着さ
せた。この方法により組成を変化させて作成したＣｕ−
Ａ２合金膜の電気抵抗及び光学的反射率の温度変化を測
定したところ、へλ含有量が９〜１５重量％の場合にマ
ルテンサイト変態をする記録媒体が得られることがわか
った。

第４図は、熱酸化膜付３ｉ基板上に５０００人の厚さで
付着させたＣｕ−Ａｅ系合金膜の、電気抵抗と光学的反
射率の濃度変化の一測定結果例である。光学的反射率は
Ｈｅ−Ｎｅレーザー（波長６３３ｒｖ）を照射し、その
反射光量を測定したも。

のである。照射したレーザビームの直径は１＃で、かつ
パワーは試料表面上で１ｍＷとし、単位面積あたりの照
射パワーは、記録媒体の温度が上昇しない程度に低めで
ある。昇温、冷Ｗは、１分あたり２０度の速度で行なっ
た。第４図より、結晶構造相転移に伴って電子状態が変
化して電気抵抗が変化し、それに伴って光学的反射率が
変化している。目視観察によると、高温相は赤色を呈し
、低温相は黄金色を呈している。この電気抵抗及び光学
的反射率の変化は、少なくとも１０回の昇温冷却サイク
ルに対して同じ経路をたどり、可逆性が良く、かつ膜の
剥離が無いことを確認した。第４図に示すように、記録
媒体作成時のＣｕ及び八２の蒸発量を厳密に制御するこ
とによ組成を厳密に制御したこと等膜形成条件を最適化
することによって結晶構造相転移ａ１の始まる温度ＭＳ
が１０℃、結晶構造相転移すの終了する温度Ａｆが２２
０℃と、室温で用いる記録媒体として最適な結晶構造相
転移を起こす記録媒体を得るに到った。又、光学反射率
の差を検出して情報の再生を行なう場合は、反射率の差
が少なくとも３％は必要となるが、薄膜形成条件を最適
化すると共に、基板へ付着させている時間内のＣｕ及び
八２の蒸発量を安定にＩＩ　ｍすることによって膜厚方
向の組成分布を減少させて、室温での反射率の差１０％
が得られるに到った。

次に、前記と同様の方法によってガラス基板上にＣＬＪ
−Ａ４２合金膜を８００人記録媒体として付着させた。

初期状態で記録媒体は赤色を呈した高温相の状態にある
。この試料にヘリウム−ネオンレーザ−を用いて１μ雇
φに絞った３００ｎｓｅｃ、１５ｍＷのレーザーパルス
を照射したところ、照射部分が光学反射率の低い状態に
なっていることが確認された。しかる後に、記録媒体を
基板ごと電気炉中にて３００℃まで昇温しで室温に取り
出したところ、前記レーザービーム照射部分が、試料の
他の部分と同様赤色を呈した高温相の状態に復している
ことが確認された。

更に、同様試料について、耐酸化性、耐候性を調べるた
めに、７０℃、８５％相対湿度の高温加湿条件下に於い
て加速劣化試験を行なった。劣化の目安として一定時間
毎に光学的反射率を測定した。第５図がその結果の一例
である。横軸は高温加湿条件下に置いた時間、縦軸は、
Ｘ時間後の波長６３３　ｎｍに於ける反射率をＲ（ｘ）
として、（Ｒ（Ｘ）　−Ｒ（０）　）／Ｒ（ｏ）　テ定
義さレル光学反射率の変化分である。第５図には、比較
のために同時に行なった、希土類−遷移金属光磁気記録
媒体として代表的なＴｂＦｅ非晶質膜、ＧｄＣ０非晶質
膜の結果の一例も記載した。第５図より明らかなように
、Ｃｕ−Ａλ系合金薄膜は、希土類元素を用いた光磁気
記録媒体に比べて高温加湿条件下に於ける反射率の低下
が小さく、各段に耐酸化性、耐候性に優れている。これ
らＣｕ−Ａ２系合金を用いた記録媒体の性質はＣｕ　（
９〜１５重山［％］）−ＡＩ２二元系合金に０〜５重量
％の範囲内でＮｉを添加したＣｕ−Ａｊ２−Ｎ　ｉ三元
系合金でも実現される。Ｎｉ添加によって結晶構造相転
移温度は変化するが、上記の範囲内でへ２含有量とＮｉ
含有量の両方を増加させることにより、Ｃｕ−Ａｆｆｉ
ｆｆ系合金よりも低い結晶構造相転移温度を得ることが
できる。

第６図は、前記結晶構造相転移を起こす記録媒体を用い
、光ビームによって記録・再生・消去をする記憶装置の
一実施例の構成図である。１０はガラス若しくは有機樹
脂から成る基板、１１は記録媒体であり、これらは軸１
２を中心に回転せしめる。１３はレーザビーム発生装置
であり、照射する光ビームのパルス幅及びパワーを調整
する機構をも含む。１４は反射鏡、１５は対物レンズで
ある。対物レンズ１５によって絞り込まれた光ビームが
記録媒体１１に照射される。１６はハーフミラ−１１７
は光検出器であり、記録媒体１１からの反射光の一部が
ハーフミラ−１６を介して光検出器１７に入射する。

以下、順次記録・再生・消去の手順を説明する。

記録時には記録媒体１１を局部的に加熱すべく、対物レ
ンズ１５によって記録媒体１１に正確に焦点を合せた光
ビームを、記録媒体１１の面内の熱拡散が問題にならな
い程度のパルス幅、かつ記録媒体１１の光ビーム照射部
分の温度が、第２図に於けるＭｄに近くかつＭｄ以上に
ならないようなパワーで照射する。

消去時には、記録媒体１１を第２図に於ける温度Ａｆ以
上まで昇温させるべく、記録時よりも大きなエネルギー
の光ビームパルスを照射する。この場合、記録媒体１１
に於ける局部的な熱応力の集中を避けるために記録時よ
りも長いパルス幅、又は記録時よりも太いぐ一ム径、又
はその両方を併用した光ビームを照射する。ビーム径を
太くすることは、簡便には対物レンズ１５の調整により
、記録時に比べて少し焦点をずらすことによって実現さ
れる。また、記録用とは別に消去用光ビームの光路を設
けてもよい。

記録した情報の再生は、記録媒体１１に光ビームを照射
し、その反射光を光検出器１７で検出することによって
行なう。照射する光ビームは、反射光量が光検出器１７
で検出され得る程度に大きく、かつ記録時・消去時より
も小さいパワーとする。

尚、前記の実施例では局部的な熱応力を発生させて、結
晶構造を高温相（第１の相）から低温相（第２の相）に
転移させた状態を記録状態、すなわち二進情報の１゛′
を表わすとしたが、逆に第１の相の状態を記録状態、す
なわち“１゛であるとすることも可能である。

以上で述べた様に、本発明に依る記憶装置の内、特に記
録・消去・再生の手段として光ビームを用いた場合は、
他に加熱する手段、磁場を印加する手段、及び光路中に
偏光子や検光子等が必要なく、第６図に示すような非常
に単純な記憶装置を構成できる。もちろん、さらに実用
的な高密度記憶装置とするには、第６図に示した他に、
通常用いられている基板の案内溝、案内溝に光学系を追
従させる手段、光学系の自動焦点合せの手段、等が必要
となることは言うまでもない。

第１の実施例と同様、第３図に示す装置にてＦｅ−Ｎｉ
系合金膜を記録媒体として付着させた場合が第２の実施
例である。Ｆｅ−Ｎｉ系合金膜の場合、ニッケル２７〜
３４重量％の組成範囲で所望のマルテンサイト変態が得
られるが、第７図はその内の一例の電気抵抗の温度変化
である。膜形成条件の厳密な制御をして実験を繰り返し
た結果、室温以下で結晶構造相転移ａ１が起り、′ｇ温
以上４００℃付近で結晶構造相移転すが起る、本発明に
最適な記録媒体を得るに到った。また、Ｆｅ−Ｎ１系合
金に炭素が２重量％以下まで混入、又は添加されても、
前記記録媒体としての特性を得ることができ、この場合
炭素含有量が増加するほど、結晶構造相転移温度が低下
する傾向にある。

以上、第１の実施例としてＣｕ−ＡＪ２系合金合金膜録
媒体として用いた場合、第２の実施例としてＦｅ−Ｎｔ
系金合金膜記録媒体として用いた場合について詳述した
が、本発明の原理から考えると、応力を特にかけない場
合に室温以下で第１の相から第２の相への結晶構造相転
移ａ１が起り、室温以上で第２の相から第１の相への結
晶構造相転移すが起り、室温以下でも応力によって第１
の相から第２の相への結晶構造転移ａ２が誘起されるよ
うな記録媒体であれば、いずれも使用可能である。又、
発明の概要でも述べた様に記憶装置の構成に於いて、記
録・消去・再生の手段すべてに光ビームを用いなくとも
、他に例えば熱的、及び磁気的手段を用いることが可能
である。

本発明の記録媒体は単層で十分な機能を果たし得るが、
ざらのＳ／Ｎ比を高くしたい場合、第８図のような記録
媒体構成とすることができる。第８図（ａ）〜（Ｃ）は
、特に再生の手段として光学的反射率の差を検知する場
合に於ける好ましい記録媒体と基板の構造断面図である
。これらの図で１８は基板、１９は記録媒体、２０は記
録媒体に２進情報の″“１″を記録した部分、２１は記
録媒体の内未記録の部分すなわち２進情報の０°゛を表
わす部分、２２は透明誘電体膜、２３．２４はそれぞれ
再生用光ビームである。第８図（ａ）は再生の手段とし
ての光ビーム２３を記録媒体面から照射する場合であり
、第８図（ｂ）は再生の手段としての光ビーム２４を基
板面側から照射する場合である。いずれの場合も、透明
誘電体Ｍ２２の膜厚を、記録媒体の記録部分２０又は未
記録部分２１のいずれか一方からの反射率が小さくなる
ように調節する。このような技術は、例えば光学レンズ
の反射防止膜として既知である。このような構成によっ
て記録部分２２と未記録部分２１の光学的反射率の差を
更に大きくし、Ｓ／Ｎ比の向上を計ることができる。又
、本発明による記録媒体は単層でも十分な耐酸化性、耐
候性を持ち得るが、更に寿命を長くしたい場合、透明誘
電体層２２を上記目的に加えて保護層としての機能を持
たすことも可能である。その場合、第８図（Ｃ）に示す
ように記録媒体１９の両側に透明誘電体層２２を置くこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に於ける記録媒体と基板の一実施例の断
面図、第２図は本発明に依る記録・消去原理の説明図、
第３図は本発明に依る記録媒体を作成する装置の一例の
模式図、第４図はＣｕ−Ａβ系合金記録媒体の温度特性
の一例を示す図、第５図は、ＣＩＪ−Ａｊ２系合金記録
媒体の耐候性を他の記録媒体と比較して示す図、第６図
は本発明の記憶装置の一実施例を示す模式図、第７図は
Ｆｅ−Ｉ’Ｊｉ系合金記録媒体の温度特性の一例を示す
図、第８図（ａ）〜（Ｃ）はその他の実施例における記
録媒体と透明誘電体層と基板の断面図である。 １・・・基板、２・・・記録媒体、５・・・真空容器、
６・・・排気系、７・・・ルツボ、８・・・ヒータ、９
・・・基板、１０・・・基板、１１・・・記録媒体、１
２・・・回転軸、１３・・・レーザービーム発生装置、
１４・・・反射鏡、１５・・・対物レンズ、１６・・・
ハーフミラ−１１７・・・光検出器、１８・・・基板、
１９・・・記録媒体、２２・・・透明誘電体膜。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図 第２図 ５渡（”Ｃ） 第３図 第４図 ］品ｌ生　じＣ〕 第５図 ＄ゑ旺閉（）ｌｏｕｒ’） 第６図 手続補正書 ６０．３．２８ １、事件の表示 特願昭５９−２７６０９８号 ２、発明の名称 記憶装置 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 （３０７）株式会社　東芝 ４、代理人 ５、自発補正 ７、補正の内容 （１）　明細書第１７頁第１１行の「制御することによ
組成を」を「制御することにより組成を」と訂正する。 （２）　同第１７頁第１６行の「得るに至った。」を「
得ることができる。なお、膜形成条件によっては、第９
図に示すように結晶構造相転移ａ１の始まる温度Ｍ８が
約２５℃、結晶構造相転移すの終了する温度Ａｆが２２
０±２０℃であっても、第１０図にＸ１１回折パターン
を示す如く最密面が基板に平行な方向に強く配向してい
るという特徴をもってＶ温で２種類の結晶構造をとり、
空温に保持し局部加熱により発生する応力で結晶構造相
転移ａ２を引き起こして記録、昇温して結晶構造相転移
を起こして消去する記録媒体として使用できる。」と訂
正する。 （３）　同第２６頁第１行の「断面図である。」を「断
面図、第９図及び第１０図は他の膜形成条件でのＣｕ−
ＡＪ２系合金合金膜いた場合の特性を説明するための図
である。」と訂正する。 （４）　図面に別紙第９図及び第１０図を追加する。 第９　図 ＡＩ　　　［ｗｔ、’／６コ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）特定の温度・応力に於いて結晶構造相転移を起こ
   す結晶質の記録媒体と、この記録媒体を支持する基板と
   、前記記録媒体に所定の特性温度以下の熱を与えて結晶
   構造を第１の相から第２の相に転移させる手段と、前記
   記録媒体に前記特性温度以上の熱を与えて結晶構造を第
   ２の相から第１の相に転移させる手段と、前記記録媒体
   の特定箇所が第１の相にあるか第２の相にあるかを検出
   する手段とを備えたことを特徴とする記憶装置。
2. （２）前記第１の相から第２の相へ相転移させる手段、
   第２の相から第１の相へ相転移させる手段、および第１
   の相にあるか第２の相にあるかを検知する手段として、
   光ビームを用いることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の記憶装置。
3. （３）前記記録媒体の第１の相から第２の相への結晶構
   造相転移と第２の相から第１の相への結晶構造相転移と
   が、マルテンサイト変態とその逆変態であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の記憶装置。
4. （４）前記記録媒体が、鉄を主成分としてニッケル２７
   〜３４重量％、カーボン０〜２重量％を含んだ鉄−ニッ
   ケル系合金から成る特許請求の範囲第１項又は第３項記
   載の記憶装置。
5. （５）前記記録媒体が、銅を主成分としてアルミニウム
   ９〜１５重量％、ニッケル０〜５重量％を含んだ銅−ア
   ルミニウム系合金膜から成る特許請求の範囲第１項又は
   第３項記載の記憶装置。
6. （６）前記記録媒体が、第１の相と第２の相とで色調が
   異なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の記
   憶装置。