JPS61156224A - 弾性表面波発生装置 - Google Patents
弾性表面波発生装置Info
- Publication number
- JPS61156224A JPS61156224A JP27786184A JP27786184A JPS61156224A JP S61156224 A JPS61156224 A JP S61156224A JP 27786184 A JP27786184 A JP 27786184A JP 27786184 A JP27786184 A JP 27786184A JP S61156224 A JPS61156224 A JP S61156224A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- light
- electrode group
- optical
- saw
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
この発明は、櫛形電極またはインターディジタル・トラ
ンスデユーサ(以下IDl−という)と呼ばれる弾性表
面波(以下SAWという)の発生装置に関する。
ンスデユーサ(以下IDl−という)と呼ばれる弾性表
面波(以下SAWという)の発生装置に関する。
SAW発生装置から発生されるSAWと光との相方作用
を利用した装置として、出願人は既に、光コンパレータ
(特開昭58−150939.58−162929.5
8−162930)や光パラレル/シリアル変換器(特
開昭59−3342・7)等を提案している。−例とし
て、光パラレル/シリアル変換器について以下に説明し
ておく。
を利用した装置として、出願人は既に、光コンパレータ
(特開昭58−150939.58−162929.5
8−162930)や光パラレル/シリアル変換器(特
開昭59−3342・7)等を提案している。−例とし
て、光パラレル/シリアル変換器について以下に説明し
ておく。
第1図において、音諸光学結晶である二Aノ酸リチウム
(L i Nb O1+ )単結晶(11)の表面にチ
タン(1−i>を温度約1000℃r熱拡散することに
より、屈折率が結晶基板(11)よりも高く厚さが数μ
mw+mの光導波層(12)が、光信号の入力側(第1
図左側)の一部を除いて形成されている。この基板(1
1)上の入ノ〕側には、シリアル変換されるべきパラレ
ルの光ディジタル信@へを光導波層(12)に入力させ
るための8本の光導波路(16)が等間隔でかつ平行向
に対してブラック角0だ【プ傾斜している。各光導波路
(16)の巾をD1隣接する光導波路(16)の中心か
ら中心までの間隔をloとする。
(L i Nb O1+ )単結晶(11)の表面にチ
タン(1−i>を温度約1000℃r熱拡散することに
より、屈折率が結晶基板(11)よりも高く厚さが数μ
mw+mの光導波層(12)が、光信号の入力側(第1
図左側)の一部を除いて形成されている。この基板(1
1)上の入ノ〕側には、シリアル変換されるべきパラレ
ルの光ディジタル信@へを光導波層(12)に入力させ
るための8本の光導波路(16)が等間隔でかつ平行向
に対してブラック角0だ【プ傾斜している。各光導波路
(16)の巾をD1隣接する光導波路(16)の中心か
ら中心までの間隔をloとする。
すべての光導波路(16)について巾りおよび間隔lo
は等しく設定されている。これらの光導波路(16)も
、またチタンの熱拡散によって形成されている。
は等しく設定されている。これらの光導波路(16)も
、またチタンの熱拡散によって形成されている。
パラレル光信@Aはこの実施例では8ピツ1〜の光信号
であり、これらの各光ビツト信号がa1〜a8で・表わ
されCいる。各光ヒツト信号a1〜a8はデータ1また
はOを表わしている。
であり、これらの各光ビツト信号がa1〜a8で・表わ
されCいる。各光ヒツト信号a1〜a8はデータ1また
はOを表わしている。
第1図において、データ1は光信であり実線で、データ
Oは光無であり破線でそれぞれ示されている。この光デ
イジタル信号△は、光ファイバ(18)から光結合器(
11)を軽−(光導波路(16)に入力Jる。光結合手
段どしては、光フアイバ結合器以外にも、グレーティン
グ、プリズムその他の光結合素子を用いることができる
。
Oは光無であり破線でそれぞれ示されている。この光デ
イジタル信号△は、光ファイバ(18)から光結合器(
11)を軽−(光導波路(16)に入力Jる。光結合手
段どしては、光フアイバ結合器以外にも、グレーティン
グ、プリズムその他の光結合素子を用いることができる
。
I D ’T−(+3)は、信号△の各光ピッ1−信号
をそれぞれ回折さけるパルス状のSAWを発生するもの
であり、光導波層(12)上において光デイジタル信号
A(81〜a8)の伝搬光路の側方に配置されている。
をそれぞれ回折さけるパルス状のSAWを発生するもの
であり、光導波層(12)上において光デイジタル信号
A(81〜a8)の伝搬光路の側方に配置されている。
I l) Tはよ(知られているように、互いに平行な
多数の電極とこれらの電極が交互に接続される一対の共
通電極とから構成されている。[DT(13)の共通電
極には超音波信号発生器(19)からパルスrIJT−
の超音波電圧パルス信号が印加される。[DT(13)
から発生したパルス状のSAWは光信号a1〜a8の伝
搬光路(こ向って伝搬していく。SAWの波面は光に対
して回折格子どして作用するので、SAWの波面に小さ
い角度θで入射する光は、次の条件を満足り′るときに
SAWによって反射され、その進行方向が20だ番)変
わる。
多数の電極とこれらの電極が交互に接続される一対の共
通電極とから構成されている。[DT(13)の共通電
極には超音波信号発生器(19)からパルスrIJT−
の超音波電圧パルス信号が印加される。[DT(13)
から発生したパルス状のSAWは光信号a1〜a8の伝
搬光路(こ向って伝搬していく。SAWの波面は光に対
して回折格子どして作用するので、SAWの波面に小さ
い角度θで入射する光は、次の条件を満足り′るときに
SAWによって反射され、その進行方向が20だ番)変
わる。
sinθ−(λ/2)・(1/△)
ここで
λ;光の波長
△;SAWの波長
これが、SAWを利用したブラック回折による光の偏向
である。
である。
SAWの伝搬速度をVS、IDT(13)の一端から、
光a1がSAWににつて偏向される位置(回折点)まで
の距離をlとする。
光a1がSAWににつて偏向される位置(回折点)まで
の距離をlとする。
スーrツチ(20)が時点toから時間1−だ【フォラ
どされ、IDT(13)からパルス状のSAWが発生し
たのち、時間/ /VSが経過した時点C光a1がまず
回折される。この時点では他の光82〜a8はまだ回折
されずに直進している。
どされ、IDT(13)からパルス状のSAWが発生し
たのち、時間/ /VSが経過した時点C光a1がまず
回折される。この時点では他の光82〜a8はまだ回折
されずに直進している。
SAWはパルス状であって、その先端から後端までの長
さは“「・VSである。そして、この長さT・VSはS
AWが光a1と相互作用している間は、他の光82〜a
8、とくにa2と相互作用しないように定められている
。光a1は、SAWによってほぼ王の時間だ【ノ回折さ
れ、SAWが通過すると、再び非回折光に戻る。次に、
時点Ioから(/−+io >/VSの時間が経過した
ときに、光a2がSAWによって、上述の一定時間の間
だけ回折される。このようにして、SAWによって、a
3、a4、・・・・・・、a8の順に順次回折されてい
く。
さは“「・VSである。そして、この長さT・VSはS
AWが光a1と相互作用している間は、他の光82〜a
8、とくにa2と相互作用しないように定められている
。光a1は、SAWによってほぼ王の時間だ【ノ回折さ
れ、SAWが通過すると、再び非回折光に戻る。次に、
時点Ioから(/−+io >/VSの時間が経過した
ときに、光a2がSAWによって、上述の一定時間の間
だけ回折される。このようにして、SAWによって、a
3、a4、・・・・・・、a8の順に順次回折されてい
く。
グレーティング・レンズ(14)は、光デイジタル信号
への回折光を集光するものであり、光導波層(12)上
に形成されている。光導波層(12)上に設けられる集
光手段どしては、他にジオデシック・レンズやルネブル
グ・レンズなどを用いることかできる。そして、第1図
に示ずように光導波層(12)上で集光しても、先導波
層(12)から出力された光を集光するようにしてもよ
い。集光された光は次に光検出器(15)によって検知
され、電気信号に変換される。検知器〈15)も光導波
層(12)上に設けても、先導波層(12)外に設けて
もどちらでもよい。偏向された光を光信号のまま取出す
場合には、光検知器(15)の代わりに光結合器が設番
プられる。
への回折光を集光するものであり、光導波層(12)上
に形成されている。光導波層(12)上に設けられる集
光手段どしては、他にジオデシック・レンズやルネブル
グ・レンズなどを用いることかできる。そして、第1図
に示ずように光導波層(12)上で集光しても、先導波
層(12)から出力された光を集光するようにしてもよ
い。集光された光は次に光検出器(15)によって検知
され、電気信号に変換される。検知器〈15)も光導波
層(12)上に設けても、先導波層(12)外に設けて
もどちらでもよい。偏向された光を光信号のまま取出す
場合には、光検知器(15)の代わりに光結合器が設番
プられる。
上述のように、8ビツトのパラレルな光信号は、その各
ビット信号が一定時間ごとに順次回折されるから、回折
された光は時間的にシリアルな信号となる。これにより
、光パラレル/シリアル変換が達成される。
ビット信号が一定時間ごとに順次回折されるから、回折
された光は時間的にシリアルな信号となる。これにより
、光パラレル/シリアル変換が達成される。
第2図は、先導波路(16)の一部および光とSAWと
の相互作用の様子を示している。この図から分かるよう
に、光導波路(16)から先導波層(12)に出射した
光が広がることは避けられない。他方、SAWは平行な
電極をもつIDT(13)から発生ずるから、はぼ平行
な波面をらっている。したがって、光導波層(12)に
出射した光のずべてがSAWとフラッグ回折条件を満足
することはな(、その一部はSAWによつ゛(−回折(
偏向)されずに直進していくのC高い偏向すl率を得ら
れないという問題がある。偏向された光を鎖線で、直進
する光を破線ぐそれぞれ示づ。
の相互作用の様子を示している。この図から分かるよう
に、光導波路(16)から先導波層(12)に出射した
光が広がることは避けられない。他方、SAWは平行な
電極をもつIDT(13)から発生ずるから、はぼ平行
な波面をらっている。したがって、光導波層(12)に
出射した光のずべてがSAWとフラッグ回折条件を満足
することはな(、その一部はSAWによつ゛(−回折(
偏向)されずに直進していくのC高い偏向すl率を得ら
れないという問題がある。偏向された光を鎖線で、直進
する光を破線ぐそれぞれ示づ。
偏向効率か低いど出ツノされる光の強度が小さくなり、
S/N比ら恕くなる。また、光増幅の必要も生じるとい
つlこ問題がある。
S/N比ら恕くなる。また、光増幅の必要も生じるとい
つlこ問題がある。
第3図は先導波路(16)の巾りをパラメータとするS
AWの[1]Lと偏向効率との関係を示しくいる。この
グラフからも分るように、SAWの中1−を一定とした
場合に、光導波路(16)の巾が小さくなれば偏向効率
が低下する。これは、先導波路(16〉のrj+か狭く
なれば先導波路(16)から光導波層(12)に出射す
る光の広がり角が大ぎくなるからと思われる。
AWの[1]Lと偏向効率との関係を示しくいる。この
グラフからも分るように、SAWの中1−を一定とした
場合に、光導波路(16)の巾が小さくなれば偏向効率
が低下する。これは、先導波路(16〉のrj+か狭く
なれば先導波路(16)から光導波層(12)に出射す
る光の広がり角が大ぎくなるからと思われる。
偏向効率を高めるためには先導波路(16)のrlJl
)を大きくすればJ:いか、そうすると先導波路間隔l
oが大きくなり、第1図に示すように多数の先導波路を
9tべた場合には、光信号の入力部が大型化J”ること
は避けられず、そうすると−基板−Fへの光機能素子の
高集積化、高密度化および高速処理が困難どなる。
)を大きくすればJ:いか、そうすると先導波路間隔l
oが大きくなり、第1図に示すように多数の先導波路を
9tべた場合には、光信号の入力部が大型化J”ること
は避けられず、そうすると−基板−Fへの光機能素子の
高集積化、高密度化および高速処理が困難どなる。
発明の概要
この発明は、広がりをもつ光に対しても高い効率で相互
作用するSAWを生成することのできるSAW発生装置
を提供ザることを目的とする。
作用するSAWを生成することのできるSAW発生装置
を提供ザることを目的とする。
この発明によるSAWの発生M置は、互いに平行な複数
の電極よりなる電極群が複数設(プられ、各電極群の電
極が他の電極群の電極に対して傾きをわら、各電極群の
電極が交互に一対の共通電極に接続されていることを特
徴と16゜各電極群からそれぞれSAWが発生する。イ
して、各電極群の電極は他の電極群の電極との間で所定
の傾きをもっているから、各電極群から発生したSAW
はこの傾きに応じてそれぞれ異なる方向に伝播しでいく
。光が広がりをもっており、その各成分がそれぞれ異な
る方向に伝播していくものであっても、これと相互作用
するSAWも一方向ではなく複数の方向に向って伝播し
ていくから、SAWど相互作用り−る光成分の割合が高
くなり、高い偏向効率が得られる。
の電極よりなる電極群が複数設(プられ、各電極群の電
極が他の電極群の電極に対して傾きをわら、各電極群の
電極が交互に一対の共通電極に接続されていることを特
徴と16゜各電極群からそれぞれSAWが発生する。イ
して、各電極群の電極は他の電極群の電極との間で所定
の傾きをもっているから、各電極群から発生したSAW
はこの傾きに応じてそれぞれ異なる方向に伝播しでいく
。光が広がりをもっており、その各成分がそれぞれ異な
る方向に伝播していくものであっても、これと相互作用
するSAWも一方向ではなく複数の方向に向って伝播し
ていくから、SAWど相互作用り−る光成分の割合が高
くなり、高い偏向効率が得られる。
したがって、上述の光パラレル/シリアル変換器のよう
に、多数の光導波路(3次元光導波路)とこれらが光結
合りる光導波層(2次元光導波路)とが−基板上に形成
され、各光導波路から光導波層に出射した広がりをもつ
光とSAWを相互作用させるような装置にこの発明を適
用すると、偏向効率が高められるから、出力される光の
強度も高<S/N比が良くなり、また出力光を増幅する
必要もなくなる。さらに、先導波路の1]を狭くするこ
とが可能であり、−基板上への高集積化、高密度化が達
成でき、上述のパラレル/シリアル変換等の高速処理化
も可能となる。
に、多数の光導波路(3次元光導波路)とこれらが光結
合りる光導波層(2次元光導波路)とが−基板上に形成
され、各光導波路から光導波層に出射した広がりをもつ
光とSAWを相互作用させるような装置にこの発明を適
用すると、偏向効率が高められるから、出力される光の
強度も高<S/N比が良くなり、また出力光を増幅する
必要もなくなる。さらに、先導波路の1]を狭くするこ
とが可能であり、−基板上への高集積化、高密度化が達
成でき、上述のパラレル/シリアル変換等の高速処理化
も可能となる。
実施例の説明
第4図は、第1図に示された光パラレル/シリアル変換
器の一部をこの発明ににって改良しlこ状態を示してい
る。すなわら、I D ”l−(13)に変え([DT
’(20>が先導波層(12>、に(こ形成されでいる
。、 I D l−(20)は、たとλば王iと△/4
!−祠料としてリフ1〜Aフ法にJ、り作製される。
器の一部をこの発明ににって改良しlこ状態を示してい
る。すなわら、I D ”l−(13)に変え([DT
’(20>が先導波層(12>、に(こ形成されでいる
。、 I D l−(20)は、たとλば王iと△/4
!−祠料としてリフ1〜Aフ法にJ、り作製される。
I D T (2(1)は3つの電極群から構成され(
いる。第1の電極群は等間隔はなれかつ互いに平行な複
数の電極(31)(32)を含み、これらの電極(31
)と(32)が交互に一対の共通電極(21)と(22
)にそれぞれ接続されている。電極(31)と(32)
の間隔は発生するSAWの波長に関係する。
いる。第1の電極群は等間隔はなれかつ互いに平行な複
数の電極(31)(32)を含み、これらの電極(31
)と(32)が交互に一対の共通電極(21)と(22
)にそれぞれ接続されている。電極(31)と(32)
の間隔は発生するSAWの波長に関係する。
“ 第2の電極群は、互いに平行な複数の電極(41)
(42)を含み、これらの電極(41)と(42)
が同じように交互に一対の共通電極(21)と(22)
に接続されている。第3の電極群もまた同様に、豆いに
平行な複数の電極(51) (52)を含み、これら
の電極(51)と〈52)が交互に一対の共通電極(2
1)と(22)に接続されている。第4図には各電極群
の電極として3個ずつしか図示れていないが、さらに多
くの電極によって各電極群を構成しうるのはいうまでも
ない。
(42)を含み、これらの電極(41)と(42)
が同じように交互に一対の共通電極(21)と(22)
に接続されている。第3の電極群もまた同様に、豆いに
平行な複数の電極(51) (52)を含み、これら
の電極(51)と〈52)が交互に一対の共通電極(2
1)と(22)に接続されている。第4図には各電極群
の電極として3個ずつしか図示れていないが、さらに多
くの電極によって各電極群を構成しうるのはいうまでも
ない。
第1の電極群の電極(31> (32)と、第2の電
極群の電極(41) (42)と、第3の電極群の電
極(51) (52)とはわずかの角度だけ相互に傾
いている。この傾き角は先導波路(16)から出射され
る光の広がり角に応じで定められる。
極群の電極(41) (42)と、第3の電極群の電
極(51) (52)とはわずかの角度だけ相互に傾
いている。この傾き角は先導波路(16)から出射され
る光の広がり角に応じで定められる。
共通電極(21) (22>間に超音波信号が印加さ
れると各電極群から同時にSAWが発生し、各電極群の
電極に垂直な方向に先導波M(12)上を伝播していく
。第4図では、第1の電極群から発生したSAWの一部
が5AWaで、同様に第2、第3の電極群から発生した
SAWの一部が5AWb 、5AWcでそれぞれ示され
Cいる。第1〜第3電極群は相互に傾いているからこれ
らの5AWa〜5AWOの伝播方向も3a1S1)、S
C′c示されるようにそれぞれわずかに異なる方向をな
っている。
れると各電極群から同時にSAWが発生し、各電極群の
電極に垂直な方向に先導波M(12)上を伝播していく
。第4図では、第1の電極群から発生したSAWの一部
が5AWaで、同様に第2、第3の電極群から発生した
SAWの一部が5AWb 、5AWcでそれぞれ示され
Cいる。第1〜第3電極群は相互に傾いているからこれ
らの5AWa〜5AWOの伝播方向も3a1S1)、S
C′c示されるようにそれぞれわずかに異なる方向をな
っている。
したがって、光導波路(16)から出射1ノ光導波層(
12)上を伝播していく光が広がりをもら、各成分が、
Qa 、Qb 、Qcで示すように、わ 、ずかに異な
る方向に進/vでいたとしてb、方向Oaの光成分は方
向3aの5AWaとブラッグ回折の条件を満足し、方向
Obの光成分は方向3 bの5AWbと相互作用し、O
C方向に進む光成分はSC方向に進む5AWOと相互作
用するという風に、多くの光成分がSAWと相互作用し
て回折(偏向)される。したがって、光の偏向効率が高
まる。
12)上を伝播していく光が広がりをもら、各成分が、
Qa 、Qb 、Qcで示すように、わ 、ずかに異な
る方向に進/vでいたとしてb、方向Oaの光成分は方
向3aの5AWaとブラッグ回折の条件を満足し、方向
Obの光成分は方向3 bの5AWbと相互作用し、O
C方向に進む光成分はSC方向に進む5AWOと相互作
用するという風に、多くの光成分がSAWと相互作用し
て回折(偏向)される。したがって、光の偏向効率が高
まる。
第1図は光パラレル/シリアル変換器を示J斜祝図、第
2図は第1図の一部を拡大して示す平面図、第3図は先
導波路幅をパラメータとするSAWによる光の偏向効率
を示すグラフ、第4図はこの発明の実施例を示す平面図
である。 (20)・・・It)T’、 (21) (22)
・・・共通電極、(31) (32) (41)’
(42) (51) (52)・・・電極。 以上 特許出願人 立石電機株式会社 キU4す鴇−
2図は第1図の一部を拡大して示す平面図、第3図は先
導波路幅をパラメータとするSAWによる光の偏向効率
を示すグラフ、第4図はこの発明の実施例を示す平面図
である。 (20)・・・It)T’、 (21) (22)
・・・共通電極、(31) (32) (41)’
(42) (51) (52)・・・電極。 以上 特許出願人 立石電機株式会社 キU4す鴇−
Claims (1)
- 互いに平行な複数の電極よりなる電極群が複数設けられ
、各電極群の電極が他の電極群の電極に対して傾きをも
ち、各電極群の電極が交互に一対の共通電極に接続され
ている、弾性表面波発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27786184A JPS61156224A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 弾性表面波発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27786184A JPS61156224A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 弾性表面波発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61156224A true JPS61156224A (ja) | 1986-07-15 |
Family
ID=17589306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27786184A Pending JPS61156224A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 弾性表面波発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61156224A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01107123U (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-19 | ||
US5138482A (en) * | 1989-09-25 | 1992-08-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light modular and recording device employing same |
US6735074B2 (en) | 2000-02-03 | 2004-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip capacitor |
Citations (3)
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JPS59135425A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-08-03 | Murata Mfg Co Ltd | 光シヤツタ |
JPS59165029A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Nec Corp | 音響光学デバイス |
JPS59216124A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | 光シヤツタ |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP27786184A patent/JPS61156224A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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