JPS61156224A - 弾性表面波発生装置 - Google Patents

弾性表面波発生装置

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JPS61156224A
JPS61156224A JP27786184A JP27786184A JPS61156224A JP S61156224 A JPS61156224 A JP S61156224A JP 27786184 A JP27786184 A JP 27786184A JP 27786184 A JP27786184 A JP 27786184A JP S61156224 A JPS61156224 A JP S61156224A
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JP
Japan
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electrodes
light
electrode group
optical
saw
Prior art date
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Pending
Application number
JP27786184A
Other languages
English (en)
Inventor
Naohisa Inoue
直久 井上
Masaharu Matano
俣野 正治
Maki Yamashita
山下 牧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
Application filed by Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Tateisi Electronics Co
Priority to JP27786184A priority Critical patent/JPS61156224A/ja
Publication of JPS61156224A publication Critical patent/JPS61156224A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 この発明は、櫛形電極またはインターディジタル・トラ
ンスデユーサ(以下IDl−という)と呼ばれる弾性表
面波(以下SAWという)の発生装置に関する。
SAW発生装置から発生されるSAWと光との相方作用
を利用した装置として、出願人は既に、光コンパレータ
(特開昭58−150939.58−162929.5
8−162930)や光パラレル/シリアル変換器(特
開昭59−3342・7)等を提案している。−例とし
て、光パラレル/シリアル変換器について以下に説明し
ておく。
第1図において、音諸光学結晶である二Aノ酸リチウム
(L i Nb O1+ )単結晶(11)の表面にチ
タン(1−i>を温度約1000℃r熱拡散することに
より、屈折率が結晶基板(11)よりも高く厚さが数μ
mw+mの光導波層(12)が、光信号の入力側(第1
図左側)の一部を除いて形成されている。この基板(1
1)上の入ノ〕側には、シリアル変換されるべきパラレ
ルの光ディジタル信@へを光導波層(12)に入力させ
るための8本の光導波路(16)が等間隔でかつ平行向
に対してブラック角0だ【プ傾斜している。各光導波路
(16)の巾をD1隣接する光導波路(16)の中心か
ら中心までの間隔をloとする。
すべての光導波路(16)について巾りおよび間隔lo
は等しく設定されている。これらの光導波路(16)も
、またチタンの熱拡散によって形成されている。
パラレル光信@Aはこの実施例では8ピツ1〜の光信号
であり、これらの各光ビツト信号がa1〜a8で・表わ
されCいる。各光ヒツト信号a1〜a8はデータ1また
はOを表わしている。
第1図において、データ1は光信であり実線で、データ
Oは光無であり破線でそれぞれ示されている。この光デ
イジタル信号△は、光ファイバ(18)から光結合器(
11)を軽−(光導波路(16)に入力Jる。光結合手
段どしては、光フアイバ結合器以外にも、グレーティン
グ、プリズムその他の光結合素子を用いることができる
I D ’T−(+3)は、信号△の各光ピッ1−信号
をそれぞれ回折さけるパルス状のSAWを発生するもの
であり、光導波層(12)上において光デイジタル信号
A(81〜a8)の伝搬光路の側方に配置されている。
I l) Tはよ(知られているように、互いに平行な
多数の電極とこれらの電極が交互に接続される一対の共
通電極とから構成されている。[DT(13)の共通電
極には超音波信号発生器(19)からパルスrIJT−
の超音波電圧パルス信号が印加される。[DT(13)
から発生したパルス状のSAWは光信号a1〜a8の伝
搬光路(こ向って伝搬していく。SAWの波面は光に対
して回折格子どして作用するので、SAWの波面に小さ
い角度θで入射する光は、次の条件を満足り′るときに
SAWによって反射され、その進行方向が20だ番)変
わる。
sinθ−(λ/2)・(1/△) ここで λ;光の波長 △;SAWの波長 これが、SAWを利用したブラック回折による光の偏向
である。
SAWの伝搬速度をVS、IDT(13)の一端から、
光a1がSAWににつて偏向される位置(回折点)まで
の距離をlとする。
スーrツチ(20)が時点toから時間1−だ【フォラ
どされ、IDT(13)からパルス状のSAWが発生し
たのち、時間/ /VSが経過した時点C光a1がまず
回折される。この時点では他の光82〜a8はまだ回折
されずに直進している。
SAWはパルス状であって、その先端から後端までの長
さは“「・VSである。そして、この長さT・VSはS
AWが光a1と相互作用している間は、他の光82〜a
8、とくにa2と相互作用しないように定められている
。光a1は、SAWによってほぼ王の時間だ【ノ回折さ
れ、SAWが通過すると、再び非回折光に戻る。次に、
時点Ioから(/−+io >/VSの時間が経過した
ときに、光a2がSAWによって、上述の一定時間の間
だけ回折される。このようにして、SAWによって、a
3、a4、・・・・・・、a8の順に順次回折されてい
く。
グレーティング・レンズ(14)は、光デイジタル信号
への回折光を集光するものであり、光導波層(12)上
に形成されている。光導波層(12)上に設けられる集
光手段どしては、他にジオデシック・レンズやルネブル
グ・レンズなどを用いることかできる。そして、第1図
に示ずように光導波層(12)上で集光しても、先導波
層(12)から出力された光を集光するようにしてもよ
い。集光された光は次に光検出器(15)によって検知
され、電気信号に変換される。検知器〈15)も光導波
層(12)上に設けても、先導波層(12)外に設けて
もどちらでもよい。偏向された光を光信号のまま取出す
場合には、光検知器(15)の代わりに光結合器が設番
プられる。
上述のように、8ビツトのパラレルな光信号は、その各
ビット信号が一定時間ごとに順次回折されるから、回折
された光は時間的にシリアルな信号となる。これにより
、光パラレル/シリアル変換が達成される。
第2図は、先導波路(16)の一部および光とSAWと
の相互作用の様子を示している。この図から分かるよう
に、光導波路(16)から先導波層(12)に出射した
光が広がることは避けられない。他方、SAWは平行な
電極をもつIDT(13)から発生ずるから、はぼ平行
な波面をらっている。したがって、光導波層(12)に
出射した光のずべてがSAWとフラッグ回折条件を満足
することはな(、その一部はSAWによつ゛(−回折(
偏向)されずに直進していくのC高い偏向すl率を得ら
れないという問題がある。偏向された光を鎖線で、直進
する光を破線ぐそれぞれ示づ。
偏向効率か低いど出ツノされる光の強度が小さくなり、
S/N比ら恕くなる。また、光増幅の必要も生じるとい
つlこ問題がある。
第3図は先導波路(16)の巾りをパラメータとするS
AWの[1]Lと偏向効率との関係を示しくいる。この
グラフからも分るように、SAWの中1−を一定とした
場合に、光導波路(16)の巾が小さくなれば偏向効率
が低下する。これは、先導波路(16〉のrj+か狭く
なれば先導波路(16)から光導波層(12)に出射す
る光の広がり角が大ぎくなるからと思われる。
偏向効率を高めるためには先導波路(16)のrlJl
)を大きくすればJ:いか、そうすると先導波路間隔l
oが大きくなり、第1図に示すように多数の先導波路を
9tべた場合には、光信号の入力部が大型化J”ること
は避けられず、そうすると−基板−Fへの光機能素子の
高集積化、高密度化および高速処理が困難どなる。
発明の概要 この発明は、広がりをもつ光に対しても高い効率で相互
作用するSAWを生成することのできるSAW発生装置
を提供ザることを目的とする。
この発明によるSAWの発生M置は、互いに平行な複数
の電極よりなる電極群が複数設(プられ、各電極群の電
極が他の電極群の電極に対して傾きをわら、各電極群の
電極が交互に一対の共通電極に接続されていることを特
徴と16゜各電極群からそれぞれSAWが発生する。イ
して、各電極群の電極は他の電極群の電極との間で所定
の傾きをもっているから、各電極群から発生したSAW
はこの傾きに応じてそれぞれ異なる方向に伝播しでいく
。光が広がりをもっており、その各成分がそれぞれ異な
る方向に伝播していくものであっても、これと相互作用
するSAWも一方向ではなく複数の方向に向って伝播し
ていくから、SAWど相互作用り−る光成分の割合が高
くなり、高い偏向効率が得られる。
したがって、上述の光パラレル/シリアル変換器のよう
に、多数の光導波路(3次元光導波路)とこれらが光結
合りる光導波層(2次元光導波路)とが−基板上に形成
され、各光導波路から光導波層に出射した広がりをもつ
光とSAWを相互作用させるような装置にこの発明を適
用すると、偏向効率が高められるから、出力される光の
強度も高<S/N比が良くなり、また出力光を増幅する
必要もなくなる。さらに、先導波路の1]を狭くするこ
とが可能であり、−基板上への高集積化、高密度化が達
成でき、上述のパラレル/シリアル変換等の高速処理化
も可能となる。
実施例の説明 第4図は、第1図に示された光パラレル/シリアル変換
器の一部をこの発明ににって改良しlこ状態を示してい
る。すなわら、I D ”l−(13)に変え([DT
’(20>が先導波層(12>、に(こ形成されでいる
。、 I D l−(20)は、たとλば王iと△/4
!−祠料としてリフ1〜Aフ法にJ、り作製される。
I D T (2(1)は3つの電極群から構成され(
いる。第1の電極群は等間隔はなれかつ互いに平行な複
数の電極(31)(32)を含み、これらの電極(31
)と(32)が交互に一対の共通電極(21)と(22
)にそれぞれ接続されている。電極(31)と(32)
の間隔は発生するSAWの波長に関係する。
“ 第2の電極群は、互いに平行な複数の電極(41)
  (42)を含み、これらの電極(41)と(42)
が同じように交互に一対の共通電極(21)と(22)
に接続されている。第3の電極群もまた同様に、豆いに
平行な複数の電極(51)  (52)を含み、これら
の電極(51)と〈52)が交互に一対の共通電極(2
1)と(22)に接続されている。第4図には各電極群
の電極として3個ずつしか図示れていないが、さらに多
くの電極によって各電極群を構成しうるのはいうまでも
ない。
第1の電極群の電極(31>  (32)と、第2の電
極群の電極(41)  (42)と、第3の電極群の電
極(51)  (52)とはわずかの角度だけ相互に傾
いている。この傾き角は先導波路(16)から出射され
る光の広がり角に応じで定められる。
共通電極(21)  (22>間に超音波信号が印加さ
れると各電極群から同時にSAWが発生し、各電極群の
電極に垂直な方向に先導波M(12)上を伝播していく
。第4図では、第1の電極群から発生したSAWの一部
が5AWaで、同様に第2、第3の電極群から発生した
SAWの一部が5AWb 、5AWcでそれぞれ示され
Cいる。第1〜第3電極群は相互に傾いているからこれ
らの5AWa〜5AWOの伝播方向も3a1S1)、S
C′c示されるようにそれぞれわずかに異なる方向をな
っている。
したがって、光導波路(16)から出射1ノ光導波層(
12)上を伝播していく光が広がりをもら、各成分が、
Qa 、Qb 、Qcで示すように、わ 、ずかに異な
る方向に進/vでいたとしてb、方向Oaの光成分は方
向3aの5AWaとブラッグ回折の条件を満足し、方向
Obの光成分は方向3 bの5AWbと相互作用し、O
C方向に進む光成分はSC方向に進む5AWOと相互作
用するという風に、多くの光成分がSAWと相互作用し
て回折(偏向)される。したがって、光の偏向効率が高
まる。
【図面の簡単な説明】
第1図は光パラレル/シリアル変換器を示J斜祝図、第
2図は第1図の一部を拡大して示す平面図、第3図は先
導波路幅をパラメータとするSAWによる光の偏向効率
を示すグラフ、第4図はこの発明の実施例を示す平面図
である。 (20)・・・It)T’、  (21)  (22)
・・・共通電極、(31)  (32)  (41)’
 (42)  (51)  (52)・・・電極。 以上 特許出願人  立石電機株式会社 キU4す鴇−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 互いに平行な複数の電極よりなる電極群が複数設けられ
    、各電極群の電極が他の電極群の電極に対して傾きをも
    ち、各電極群の電極が交互に一対の共通電極に接続され
    ている、弾性表面波発生装置。
JP27786184A 1984-12-28 1984-12-28 弾性表面波発生装置 Pending JPS61156224A (ja)

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JP27786184A JPS61156224A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 弾性表面波発生装置

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JP27786184A JPS61156224A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 弾性表面波発生装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01107123U (ja) * 1988-01-12 1989-07-19
US5138482A (en) * 1989-09-25 1992-08-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light modular and recording device employing same
US6735074B2 (en) 2000-02-03 2004-05-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chip capacitor

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