JPS61154006A - Pulse trimming for chip resistor - Google Patents
Pulse trimming for chip resistorInfo
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- JPS61154006A JPS61154006A JP59276621A JP27662184A JPS61154006A JP S61154006 A JPS61154006 A JP S61154006A JP 59276621 A JP59276621 A JP 59276621A JP 27662184 A JP27662184 A JP 27662184A JP S61154006 A JPS61154006 A JP S61154006A
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- chip resistor
- resistor
- resistance value
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）技術分野
この発明は、抵抗体を基板上に厚膜形成されたチップ抵
抗器の抵抗値を調整するためのチップ抵抗器におけるパ
ルストリミング法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Technical Field The present invention relates to a pulse trimming method in a chip resistor for adjusting the resistance value of a chip resistor in which a resistor is formed as a thick film on a substrate.
（ｂ）従来技術
従来の厚膜チップ抵抗器は、基板上に抵抗体ペーストを
プリントし焼成した後に、レーザービーム法またはサン
ドブラスト法で抵抗体の一部を削り取ることにより、抵
抗値の修正をおこなっていた。ところが、このチップ抵
抗器は、抵抗値の修正後、抵抗体を保護するために保護
コートを形成しなければならないので、この保護コート
の焼成工程で再び抵抗体の抵抗値にバラツキが生じるこ
とになる。このため、従来のチップ抵抗器の抵抗値修正
方法では、特に高精度規格の製品製造の際の歩留まりが
悪くなるという欠点があり、また、レーザービーム法や
サンドブラスト法は、抵抗体に直接傷を付けるので外観
が悪くなるばかりでなく、抵抗体の断面積が小さくなる
ので電力容量が低下し、さらに局部発熱のおそれも生じ
るという欠点があった。(b) Prior art In conventional thick-film chip resistors, the resistance value is modified by printing a resistor paste on a substrate, baking it, and then scraping off a portion of the resistor using a laser beam method or sandblasting method. was. However, with this chip resistor, a protective coat must be formed to protect the resistor after the resistance value has been corrected, so the firing process for this protective coat can cause variations in the resistance value of the resistor again. Become. For this reason, conventional methods for modifying the resistance value of chip resistors have the disadvantage of poor yields, especially when manufacturing products with high precision standards.Also, laser beam methods and sandblasting methods directly damage the resistor. Not only does this lead to a poor appearance, but the cross-sectional area of the resistor becomes smaller, resulting in lower power capacity and the possibility of localized heat generation.
（Ｃ）発明の目的
この発明は、このような事情に鑑みなされたものであっ
て、チップ抵抗器の電極間にパルス状の高電圧を印加す
ることにより、製造の最終工程で精度の高い抵抗値の修
正を行うことができるチップ抵抗器におけるパルストリ
ミング法を提供することを目的とする。(C) Purpose of the Invention The present invention has been made in view of the above circumstances, and by applying a pulse-like high voltage between the electrodes of a chip resistor, a highly accurate resistor can be manufactured in the final manufacturing process. It is an object of the present invention to provide a pulse trimming method in a chip resistor that allows value modification.
（ｄ１発明の構成および効果
この発明の千ノブ抵抗器におけるパルストリミング法は
、厚膜チップ抵抗器の電極間に、パルス状の高電圧を順
次電圧値をステップアップさせながら適宜回数繰り返し
印加することにより、抵抗値のバラツキを修正すること
を特徴とする。(d1 Structure and effect of the invention The pulse trimming method for the 1,000-knob resistor of this invention is to repeatedly apply a pulsed high voltage to an appropriate number of times between the electrodes of a thick film chip resistor while sequentially increasing the voltage value. It is characterized by correcting variations in resistance values.
具体的には、まず、抵抗体上に保護コートを焼成し電極
を形成することによりチップ抵抗器を外観的に完成した
後に、１個ずつ抵抗値を測定し、この抵抗値が所定範囲
よりも高いものについて、電極間にパルス状の高電圧を
印加する。次に、再び抵抗値を測定して、その値が未だ
所定範囲内とならないときには、電圧値を少し増して再
びパルス状の高電圧を印加する。そして、以下、この抵
抗値が所定範囲内に入るまで順次電圧値をステップアッ
プさせながらこの電圧の印加を繰り返す。Specifically, first, the chip resistor is completed visually by baking a protective coat on the resistor and forming electrodes, and then the resistance value is measured one by one. For high voltages, a pulsed high voltage is applied between the electrodes. Next, the resistance value is measured again, and if the resistance value is still not within the predetermined range, the voltage value is increased slightly and a pulsed high voltage is applied again. Thereafter, this voltage is repeatedly applied while sequentially increasing the voltage value until the resistance value falls within a predetermined range.
最初に印加する高電圧の電圧値やステップアップする電
圧値の幅は、実験データ等に基づいて定める。なお、最
初の抵抗値測定でこの抵抗値が所定範囲内であったもの
は、そのまま完成品となる。The voltage value of the initially applied high voltage and the step-up voltage value range are determined based on experimental data and the like. Note that if the resistance value is within a predetermined range in the first resistance value measurement, it becomes a finished product as is.
また、この抵抗値が所定範囲より低いものは、不良品と
して処分される。Moreover, those whose resistance value is lower than a predetermined range are disposed of as defective products.
この発明のチップ抵抗器におけるパルストリミング法を
上記のように構成すると、チップ抵抗器の抵抗値を抵抗
体上の保護コート焼成後の最終工程で修正できるので、
その後抵抗値にバラツキが生じるような工程がなく、高
精度規格の製品であっても歩留まり良く製造することが
できる。また、レーザービーム法やサンドブラスト法を
併用することなくこの方法を使用すれば抵抗体に傷が付
かないので、外観が良くなるばかりでなく、電力容量が
減少するということもなくなる。When the pulse trimming method for the chip resistor of the present invention is configured as described above, the resistance value of the chip resistor can be corrected in the final step after firing the protective coat on the resistor.
There are no subsequent steps that would cause variations in resistance, and even products with high precision standards can be manufactured with high yield. Furthermore, if this method is used without using the laser beam method or the sandblasting method in combination, the resistor will not be damaged, so not only will the appearance be improved, but the power capacity will not be reduced.
（ｅ）実施例
第１図は、この発明の実施例であるチップ抵抗器におけ
るパルストリミング法において使用する電気回路の回路
図、第２図は、同チップ抵抗器におけるパルストリミン
グ法において印加電圧値のステップアップの状態を示す
グラフである。(e) Embodiment FIG. 1 is a circuit diagram of an electric circuit used in the pulse trimming method for a chip resistor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows applied voltage values for the pulse trimming method for the same chip resistor. It is a graph showing the state of step-up.
この実施例のチップ抵抗器におけるパルストリミング法
は、焼成工程を完了したチップ抵抗器の抵抗値の測定を
行い、その値が規格許容範囲より高いものについて実施
する。抵抗値が規格許容範囲より高かった場合、まず、
そのチ・ノブ抵抗器の電極間に最初のパルス状の高電圧
を印加する。このパルス状の高電圧の印加を行う電気回
路は、第１図に示すように、電圧値が可変となる電源１
に、電圧計２を並列に接続するとともに、切り換えスイ
ッチ３の一方の接点４を介してコンデンサ５を並列に接
続することにより構成され、このコンデンサ５に並列に
切り換えスイッチ３の他方の接点６を介してチップ抵抗
器７の電極８．８を接続することにより使用する。そし
て、パルス状の高電圧の印加は、まず、切り換えスイッ
チ３を一方の接点４に切り換えコンデンサ５を充電し、
次に、切り換えスイッチ３を他方の接点６に切り換えコ
ンデンサ５の充電電荷をチップ抵抗器７に放電すること
により行う。このようにしてパルス状の高電圧を印加し
た後、再びチップ抵抗器の抵抗値を測定する。この測定
で抵抗値が規格許容範囲内となったものについては、こ
こでパルストリミングを終了する。抵抗値が規格許容範
囲に達しない場合には、電圧値をステップアンプさせて
もう一度パルス状の高電圧を印加し、測定した抵抗値が
規格許容範囲内となるまで同様の操作を繰り返す。印加
電圧のステップアップは、第２図に示すように、最初の
印加電圧を８５５ボルトとして、２回目を９４０ボルト
、３回目を１０２０ボルト。The pulse trimming method for the chip resistor of this embodiment is carried out by measuring the resistance value of the chip resistor that has completed the firing process, and for those whose resistance value is higher than the standard tolerance range. If the resistance value is higher than the standard tolerance, first
An initial pulsed high voltage is applied between the electrodes of the Chi-knob resistor. As shown in Fig. 1, the electric circuit that applies this pulsed high voltage consists of a power source 1 whose voltage value is variable.
, a voltmeter 2 is connected in parallel, and a capacitor 5 is connected in parallel via one contact 4 of the changeover switch 3, and the other contact 6 of the changeover switch 3 is connected in parallel to this capacitor 5. It is used by connecting the electrodes 8.8 of the chip resistor 7 through. To apply a pulsed high voltage, first, the changeover switch 3 is switched to one contact 4 to charge the capacitor 5.
Next, the changeover switch 3 is switched to the other contact 6 to discharge the charge in the capacitor 5 to the chip resistor 7. After applying the pulsed high voltage in this manner, the resistance value of the chip resistor is measured again. For those whose resistance values are within the standard allowable range in this measurement, pulse trimming is finished here. If the resistance value does not reach the standard allowable range, step-amplify the voltage value, apply a pulsed high voltage again, and repeat the same operation until the measured resistance value falls within the standard allowable range. As shown in Fig. 2, the applied voltage was stepped up with the first applied voltage being 855 volts, the second being 940 volts, and the third being 1020 volts.
４回目を１１０５ボルトというように、−回ごとに約８
５ボルトずつ増加させる。The fourth time is 1105 volts, and so on, about 8 times each time.
Increase by 5 volts.
第３図は、この実施例のチップ抵抗器におけるパルスト
リミング法において電圧印加後の抵抗値の偏差の割合を
示したグラフであり、チップ抵抗器の５つのサンプルに
ついて、１０回ずつパルス状の高電圧を印加した場合の
実験結果である。Figure 3 is a graph showing the percentage of deviation in resistance value after voltage application in the pulse trimming method for the chip resistor of this example. These are experimental results when voltage was applied.
この実施例のチップ抵抗器におけるパルストリミング法
をこのように実施すると、第３図に示すように、チップ
抵抗器のサンプルＡの場合、最初規格値に対して抵抗値
が＋１．８％の偏差を有していたものが、１回目のパル
ス状の高電圧の印加で＋１．２％の偏差となり、２回目
のパルス状の高電圧の印加で＋０．９％の偏差となって
、１０回目のパルス状の高電圧の印加では−１，０５％
の偏差まで達し、パルス状の高電圧を印加するごとに抵
抗値が減少する。このため、このパルス状の高電圧の印
加を適当なところで終了すれば、チップ抵抗器の抵抗値
を規格値に対して±１％以内とすることも容易であを。When the pulse trimming method for the chip resistor of this example is implemented in this way, as shown in FIG. However, the first application of pulsed high voltage caused a deviation of +1.2%, the second application of pulsed high voltage resulted in a deviation of +0.9%, and the 10th application of pulsed high voltage resulted in a deviation of +0.9%. -1.05% when applying a pulsed high voltage of
The resistance value decreases each time a pulsed high voltage is applied. Therefore, if the application of this pulsed high voltage is terminated at an appropriate point, it is easy to make the resistance value of the chip resistor within ±1% of the standard value.
以上説明したように、この実施例のチップ抵抗器におけ
るパルストリミング法は、チップ抵抗器の抵抗値を抵抗
体上の保護コート焼成後の最終工程で修正できるので、
その後抵抗値にバラツキが生じるような工程がなく、例
えば±１％級の高精度な規格の製品であっても歩留まり
良く製造することができる。また、レーザービーム法や
サンドブラスト法を併用することなくこの方法を使用す
れば抵抗体に傷が付かないので、外観が良くなるばかり
でなく、電力容量が減少せず、局部発熱のおそれもなく
なる。As explained above, the pulse trimming method for the chip resistor of this embodiment allows the resistance value of the chip resistor to be corrected in the final process after firing the protective coat on the resistor.
After that, there are no steps that would cause variations in resistance values, and even products with high precision standards of, for example, ±1% can be manufactured with high yield. Furthermore, if this method is used without using the laser beam method or the sandblasting method in combination, the resistor will not be damaged, which will not only improve the appearance, but will not reduce the power capacity and eliminate the risk of local heat generation.
第１図は、この発明の実施例であるチップ抵抗器におけ
るパルストリミング法において使用する電気回路の回路
図、第２図は、同チップ抵抗器におけるパルストリミン
グ法において印加電圧値のステソプアソブの状態を示す
グラフ、第３図は、同チップ抵抗器におけるパルストリ
ミング法において電圧印加後の抵抗値の偏差の割合を示
すグラフである。
７−チップ抵抗器、８−電橋。Fig. 1 is a circuit diagram of an electric circuit used in the pulse trimming method for a chip resistor according to an embodiment of the present invention, and Fig. 2 shows the state of the applied voltage value in the pulse trimming method for the same chip resistor. The graph shown in FIG. 3 is a graph showing the percentage deviation of the resistance value after voltage application in the pulse trimming method for the same chip resistor. 7-chip resistor, 8-electric bridge.
Claims (1)
を順次電圧値をステップアップさせながら適宜回数繰り
返し印加することにより、抵抗値のバラツキを修正する
ことを特徴とするチップ抵抗器におけるパルストリミン
グ法。(1) A chip resistor characterized by correcting variations in resistance value by repeatedly applying a pulsed high voltage to an appropriate number of times while sequentially increasing the voltage value between the electrodes of the thick film chip resistor. pulse trimming method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59276621A JPS61154006A (en) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | Pulse trimming for chip resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59276621A JPS61154006A (en) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | Pulse trimming for chip resistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154006A true JPS61154006A (en) | 1986-07-12 |
Family
ID=17571988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59276621A Pending JPS61154006A (en) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | Pulse trimming for chip resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61154006A (en) |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP59276621A patent/JPS61154006A/en active Pending
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