JPS61151100A - Heater - Google Patents

Heater

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JPS61151100A
JPS61151100A JP27084584A JP27084584A JPS61151100A JP S61151100 A JPS61151100 A JP S61151100A JP 27084584 A JP27084584 A JP 27084584A JP 27084584 A JP27084584 A JP 27084584A JP S61151100 A JPS61151100 A JP S61151100A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heater
spacer
nichrome wire
etching
heating element
Prior art date
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Pending
Application number
JP27084584A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Osamu Yamaji
山地 修
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:A heater that is made by encapsulating electrically heating elements through spacers into a tube resistant to solutions to be used in treatments so that it is supported by the spacer, thus preventing pin-hole formation. CONSTITUTION:In an encapsulation vessel 4 which is made of a material resistant to treating solutions such as etching solution such as a quartz pipe, an electrically heating elements such as nichrome wires 5 which is allowed to pass through spacers 8 such as bored quartz beads is placed and held. Thus, the encapsulation vessel is quite free from forming pin-holes by local heating whereby the treating solution does not come into the vessel 4 to prevent the heating elements and treating solutions from being contaminated.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は加熱技術、特に、エツチング作用のある薬液を
加熱するために用いて効果のある技術に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a heating technique, and particularly to a technique that is effective when used to heat a chemical solution having an etching action.

半るり、体装置の製造過程において゛l′−4,4体ウ
ェハにエツチングあるいは拡散前の洗浄を施す場合、薬
液としてリン酸、いわゆるU洗液(RCA洗浄液、アン
モニア水、過酸化水素水、水の混合液)等のエツチング
作用のある薬液を使用し、その薬液を加熱してエツチン
グを行っている。
When performing cleaning before etching or diffusion on 4-body wafers during the manufacturing process of body devices, phosphoric acid, the so-called U cleaning solution (RCA cleaning solution, ammonia water, hydrogen peroxide solution, etc.) is used as the chemical solution. Etching is performed by using a chemical solution with an etching effect, such as a mixed solution of water, and by heating the chemical solution.

このようなエツチング液の加熱を行う場合、薬液による
汚染、腐食を防止するため発熱体であるニクロム線を石
英のパイプ内に封入し、エツチング槽内に7受ン責して
いる。
When heating such an etching solution, in order to prevent contamination and corrosion caused by the chemical solution, a nichrome wire as a heating element is enclosed in a quartz pipe and placed in the etching bath.

ところが、この加熱方式では、石英パイプ内のニクロム
線の下面は石英パイプの内壁面(底壁面)に自重で点接
触している状態であるので、この状態でニクロム線から
発熱すると、石英パイプのニクロム線との接触部のみが
局部的に加熱され、高温となる。
However, with this heating method, the bottom surface of the nichrome wire inside the quartz pipe is in point contact with the inner wall surface (bottom wall surface) of the quartz pipe under its own weight, so if the nichrome wire generates heat in this state, it will cause the quartz pipe to emit heat. Only the part in contact with the nichrome wire is locally heated and becomes high temperature.

そのため、石英パイプの加熱部のみの外壁面側が特に激
しくエツチングされ、その部分にピンホールが発生して
しまう。その結果、そのピンホー++、J−、’:’C
ノ18J+?7′ニー=l−r+X1−1’+++r−
1,9,11−/yMr’tf3を腐食し、薬液のlη
染を生しる。薬液がlη染されると、その薬液中に浸漬
してエツチング、洗浄を受ける半導体ウェハ等の被処理
物がlη染され、エツチング液良を発生することを本発
明者は見い出した。
As a result, the outer wall surface of only the heated portion of the quartz pipe is particularly severely etched, and pinholes are generated in that portion. As a result, its pinho++, J-,':'C
No18J+? 7'knee=l-r+X1-1'+++r-
1,9,11-/yMr'tf3, lη of the chemical solution
Produce dyeing. The present inventors have discovered that when the chemical solution is dyed with leta, the object to be processed, such as a semiconductor wafer, which is immersed in the chemical solution and undergoes etching and cleaning, is dyed with leta and generates an etching liquid.

なお、ウェット法によるエツチングについては、昭和5
2年4月28日、株式会社オーム社発行の「半導体・I
C用語辞典」P25に記載されている。
Regarding etching using the wet method,
On April 28, 2015, “Semiconductor/I” published by Ohmsha Co., Ltd.
C terminology dictionary" page 25.

また、ウェハを洗浄する技術を述べである例としては、
株式会社工業調査会発行「電子材料」1981年11月
号別冊、昭和56年11月10日発行、P95〜P10
2がある。
Also, examples that describe techniques for cleaning wafers include:
"Electronic Materials" November 1981 issue, published by Kogyo Research Association Co., Ltd., special edition, November 10, 1981, P95-P10
There are 2.

〔発明の目的J 本発明の目的は、発熱体を封入する封入体が局部的にエ
ツチングされてピンホールを発生することを防止するこ
とのできる技術を提供することにある。
[Objective of the Invention J An object of the present invention is to provide a technique that can prevent pinholes from being locally etched in an enclosure enclosing a heating element.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるCあろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の(改装〕[(renovation) of invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、処理液に対して耐性のある材料で作られた封
入体内に封入される発熱体をスペーサで封入体内に支持
することにより、封入体が局部加熱されることを防止し
、封入体が局部的にエツチングされてピンホールを発生
することを防止できるものである。
In other words, by supporting the heating element enclosed within the enclosure made of a material resistant to the processing liquid with a spacer, the enclosure is prevented from being locally heated. This prevents pinholes from being etched.

〔実施例1〕 第1図(81,(blは本発明の一実施例であるヒータ
の拡大部分断面図とそのIBIB線断面図、第2図はそ
の使用状態を示す斜視図である。
[Embodiment 1] FIG. 1 (81, (bl) is an enlarged partial sectional view of a heater according to an embodiment of the present invention and its IBIB sectional view, and FIG. 2 is a perspective view showing its usage state.

本実施例において、ヒータ1はいわゆる投げ込みヒータ
型のものであり、第2図に示すようにこのヒータlをエ
ツチング槽2のエツチング液3の中に浸漬して該エツチ
ング液3を加熱するものである。
In this embodiment, the heater 1 is of the so-called immersion heater type, and as shown in FIG. 2, this heater 1 is immersed in the etching solution 3 in the etching bath 2 to heat the etching solution 3. be.

ヒータ1は、エツチング液3で腐食されないように石英
で作られた石英パイプ4 (封入体)と、この石英パイ
プ4内に封入されるニクロム綿5 (発熱体)とよりな
り、石英パイプ4の入口部は密封栓6で密封され、この
密封栓6を通してニクロム線5への給電線7が導き出さ
れている。
The heater 1 consists of a quartz pipe 4 (enclosed body) made of quartz so as not to be corroded by the etching liquid 3, and nichrome cotton 5 (heating element) sealed in the quartz pipe 4. The inlet portion is sealed with a sealing plug 6, and a power supply line 7 to the nichrome wire 5 is led out through this sealing plug 6.

ニクロム線5は第1図(alの如く石英パイプ4内でコ
イル状に巻かれている。このニクロム線5のF部、すな
わち石英パイプ4の底部内壁面上に支持される部分には
、石英で作られたビーズ状の孔あきスペーサ8を嵌装し
、ニクロム線5がスペーサ8を介して石英パイプ4の底
部内壁面上に支持される構造となっている。したがって
、本実施例では、ニクロム線5が石英パイプ4の内壁面
と直接接触していない。
The nichrome wire 5 is wound into a coil inside the quartz pipe 4 as shown in FIG. The nichrome wire 5 is supported on the bottom inner wall surface of the quartz pipe 4 via the spacer 8. Therefore, in this embodiment, The nichrome wire 5 is not in direct contact with the inner wall surface of the quartz pipe 4.

その結果、本実施例においては、エツチング槽2内のエ
ツチング液3を加熱するためにニクロム線5に通電して
該ニクロム線5を発熱により高温化しても、石英パイプ
4が局部的に高温になることが防止される。
As a result, in this embodiment, even if the nichrome wire 5 is heated to a high temperature by applying electricity to the nichrome wire 5 in order to heat the etching solution 3 in the etching tank 2, the quartz pipe 4 is locally heated to a high temperature. This will prevent it from happening.

それによ勾、石英パイプ4の局部的高/晶化に起因して
該石英パイプ4の高温部に該当する外壁面がエツチング
作用を受けて、ついにはピンホールを発生することが抑
制される。その結果、ピンホールから石英パイプ4内に
エツチング液3が浸入してニクロム線5の腐食、ひいて
はエツチング液3の汚染を生ずることが防止され、この
エツチング液3でエツチング処理される半導体ウェハ(
図示−りず)の汚染を防止し、歩留りを向上できる。
As a result, the outer wall surface corresponding to the high temperature portion of the quartz pipe 4 is subjected to an etching action due to the local high temperature/crystallization of the quartz pipe 4, and the generation of pinholes is finally suppressed. As a result, the etching liquid 3 is prevented from penetrating into the quartz pipe 4 through the pinhole, causing corrosion of the nichrome wire 5 and contamination of the etching liquid 3.
It is possible to prevent contamination of the liquid (as shown in the figure) and improve yield.

なお、ニクロム線5のスペーサ8を嵌装する場合、ニク
ロム線5の端部をスペーサ8の孔に通して該スペーサ8
をニクロム線5の長さに沿って所望位置まで移動させて
ゆけばよい。
Note that when fitting the spacer 8 of the nichrome wire 5, the end of the nichrome wire 5 is passed through the hole of the spacer 8 and the spacer 8 is inserted.
The nichrome wire 5 can be moved along the length of the nichrome wire 5 to a desired position.

〔実施例2〕 第3図は本発明の他の実施例であるヒータの断面図であ
る。
[Embodiment 2] FIG. 3 is a sectional view of a heater which is another embodiment of the present invention.

この実施例では、発熱体が板状のプレートヒータ15で
作られ、また封入体が石英板を折り曲げて密封箱14と
して構成した構造よりなる。そして、プレートヒータ1
5は、密封箱14の内壁面に溶接した石英の丸棒18 
(スペーサ)を介して該密封箱14内に封入支持されて
いる。
In this embodiment, the heating element is made of a plate-shaped plate heater 15, and the enclosure is constructed as a sealed box 14 by bending a quartz plate. And plate heater 1
5 is a quartz round bar 18 welded to the inner wall surface of the sealed box 14.
It is enclosed and supported within the sealed box 14 via a spacer.

本実施例においても、スペーサとしての石英の丸棒18
の存在により、プレートヒータ15の発熱時における密
封箱14の局部的高温化を防止し〜ヒータの寿命を延ば
すことができる。
In this embodiment as well, the quartz round rod 18 as a spacer is used.
The presence of the plate heater 15 prevents the sealed box 14 from becoming locally heated when the plate heater 15 generates heat, thereby extending the life of the heater.

〔効果〕〔effect〕

(1)、処理液に対して耐性のある材料で作られた封入
体内に発熱体がスペーサを介して封入、支持されている
ことにより、発熱体が封入体と直接接触しないで、封入
体が局部的に高温化されてピンホール等を生じることを
防止し、長寿命化することができる。
(1) The heating element is enclosed and supported via a spacer in the enclosure made of a material resistant to processing liquids, so that the heating element does not come into direct contact with the enclosure and the enclosure is heated. It is possible to prevent pinholes from occurring due to localized high temperatures, and to extend the service life.

(2)、前記filにより、封入体中に処理液が浸入す
ることが防止され、発熱体の汚染、腐食を防止できる。
(2) The fil prevents the processing liquid from entering the enclosure, thereby preventing contamination and corrosion of the heating element.

(3)、前記(2)により、発熱体による処理液の汚染
を防止できるので、処理液中で処理される被処理物の汚
染を防止し、歩留りを向上させることができる。
(3) According to (2) above, it is possible to prevent contamination of the processing liquid by the heating element, thereby preventing contamination of the object to be processed in the processing liquid and improving the yield.

(4)。前記(3)により、被処理物が半導体ウェハの
如く極め一ζ厳イ1′5な清浄度を要求される対象物で
ある場合、極めて保型な効果が奏せられる。
(4). Due to the above (3), when the object to be processed is an object that requires extremely strict cleanliness, such as a semiconductor wafer, an extremely shape-retaining effect can be achieved.

(5)1発熱体をニクロム線で構成し、スペーサをニク
ロム線上に移・助自在に嵌装することりこより、極めて
簡[1′Lに発熱体と封入体との直接接触を防止し、前
記(1)〜(4)の効果を奏することができる。
(5) By constructing 1 heating element with nichrome wire and fitting the spacer so that it can be moved and supported on the nichrome wire, direct contact between the heating element and the enclosing body is prevented, The effects (1) to (4) above can be achieved.

また、経済的効果として、本発明では、ニクロム線が切
れた場合、最も高価な石英封入体を除く部品交換で修復
可能なため経済的である。一方、シースヒータに見られ
るように、ニクロム線と封入体の間に酸化マグネシウム
等を充填したヒータでは、修復不可能でコスト高となる
Moreover, as an economical effect, in the present invention, if the nichrome wire breaks, it can be repaired by replacing parts except for the most expensive quartz enclosure, which is economical. On the other hand, heaters in which magnesium oxide or the like is filled between the nichrome wire and the enclosure, as seen in sheath heaters, cannot be repaired and are expensive.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.

たとえば、発熱体や封入体、スペーサ等の構造は他のも
のとしてもよい。
For example, the structures of the heating element, the enclosure, the spacer, etc. may be different.

また、封入体やスペーサの材料は石英以外にもセラミッ
ク系材料の、ように処理液に対して耐性のある材料とし
てもよいが、封入体とスペーサは互いに熱膨張係数の近
い材料で作るのが好ましい。
In addition, the material of the inclusion body and spacer may be other than quartz, such as a ceramic material that is resistant to processing liquid, but it is recommended that the inclusion body and spacer be made of materials with similar coefficients of thermal expansion. preferable.

〔利用分野〕[Application field]

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェハのエツ
チングあるいは洗浄用のヒータに適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、たとえば
、エツチング作用等の作用のある処理液の加熱に用いら
れるヒータに広く適用することができる。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to the field of application, which is the field of application, which is a heater for etching or cleaning semiconductor wafers, but the present invention is not limited to this, for example, It can be widely applied to heaters used to heat processing liquids that have an etching effect or the like.

1面の簡単な説明 第1図(a)、 (blは本発明の一実施例であるヒー
タの拡大部分断面図とそのIB−1旦線断面図、第2図
はその使用状態を示す斜視図、 第3図は本発明の他の実施例であるヒータの断面図であ
る。
Brief explanation of page 1 Fig. 1 (a), (bl is an enlarged partial sectional view of a heater that is an embodiment of the present invention and its sectional view taken along the line IB-1, and Fig. 2 is a perspective view showing its usage condition) FIG. 3 is a sectional view of a heater which is another embodiment of the present invention.

1・・・ヒータ1.2・・・エツチング槽、3・・・エ
ツチング液、4・・・石英パイプ(封入体)、5・・・
二〃ロム(常r発執沫)fl、、、命封栓、7・・・給
電線、8・・・スペーサ、14・・・密封箱(封入体)
、15・・・プレートヒータ(発熱体)、18・・・石
英の丸棒(スペーサ)。
1... Heater 1. 2... Etching tank, 3... Etching liquid, 4... Quartz pipe (inclusion body), 5...
2〃ROM (regular output) fl,, life sealing plug, 7... power supply line, 8... spacer, 14... sealed box (inclusion body)
, 15... Plate heater (heating element), 18... Quartz round bar (spacer).

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、処理液中に浸漬されて使用されるヒータであって、
処理液に対して耐性のある材料で作られた封入体内に発
熱体がスペーサを介して封入、支持されていることを特
徴とするヒータ。 2、発熱体がニクロム線よりなり、スペーサがこのニク
ロム線上に移動自在に嵌装された孔あき部材であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のヒータ。 3、発熱体が板状のヒータよりなり、スペーサが封入体
の内壁に設けられた石英部材よりなることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のヒータ。
[Claims] 1. A heater used by being immersed in a processing liquid,
A heater characterized in that a heating element is enclosed and supported via a spacer in an enclosure made of a material resistant to processing liquids. 2. The heater according to claim 1, wherein the heating element is made of a nichrome wire, and the spacer is a perforated member movably fitted onto the nichrome wire. 3. The heater according to claim 1, wherein the heating element is a plate-shaped heater, and the spacer is a quartz member provided on the inner wall of the enclosure.
JP27084584A 1984-12-24 1984-12-24 Heater Pending JPS61151100A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA019817B1 (en) * 2011-12-29 2014-06-30 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Национальный Исследовательский Томский Политехнический Университет" (Фгбоу Впо Ни Тпу) Gas-filled diode with magnet self insulation

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA019817B1 (en) * 2011-12-29 2014-06-30 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Национальный Исследовательский Томский Политехнический Университет" (Фгбоу Впо Ни Тпу) Gas-filled diode with magnet self insulation

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