JPS61149204A - 水切り乾燥方法 - Google Patents
水切り乾燥方法Info
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- JPS61149204A JPS61149204A JP27197984A JP27197984A JPS61149204A JP S61149204 A JPS61149204 A JP S61149204A JP 27197984 A JP27197984 A JP 27197984A JP 27197984 A JP27197984 A JP 27197984A JP S61149204 A JPS61149204 A JP S61149204A
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- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、固体物品表面の水分を除去する水切り乾燥方
法に関するものである。
法に関するものである。
[従来の技術]
金属、プラスチック、硝子あるいはその他の固体物品の
表面に付着する水分を除去する方法には、自然又は熱風
乾燥法、遠心脱水法、アルコールやアセトン等の水溶性
溶媒を利用する方法あるいは1,1,2−トリクロロ−
1,2,2−トリフルオロエタン(以下R−113とい
う)等のフロン類とアルコールや界面活性剤との混合物
を利用する方法等が知られている。水切り乾燥すべき物
品が光学機器や半導体関連部品等のように精密化するに
従い、水切り乾燥の善し悪しが部品性能の信頼性に直接
影響を与えることが多く、安定した確実な水切り乾燥方
法が求められている。
表面に付着する水分を除去する方法には、自然又は熱風
乾燥法、遠心脱水法、アルコールやアセトン等の水溶性
溶媒を利用する方法あるいは1,1,2−トリクロロ−
1,2,2−トリフルオロエタン(以下R−113とい
う)等のフロン類とアルコールや界面活性剤との混合物
を利用する方法等が知られている。水切り乾燥すべき物
品が光学機器や半導体関連部品等のように精密化するに
従い、水切り乾燥の善し悪しが部品性能の信頼性に直接
影響を与えることが多く、安定した確実な水切り乾燥方
法が求められている。
[発明が解決しようとする問題点]
各種水切り乾燥方法のうち、R−113とメタノール、
エタノール、イソプロパツール等のアルコール類特にR
−113とエタノールとの混合液を利用する方法は、非
可燃性で脱水速度が速く乾燥後の物品表面に乾燥じみが
残りにくいこと等から有効な方法とされている。水切り
乾燥すべき物品をR−113とエタノールとの混合液中
に浸漬すると、物品表面の水分はエタノールの作用によ
り、物品表面を離れ、水を含んだエタノールは、比重差
によりR−113とエタノールとの混合液上に分離する
。上層に分離したエタノール水溶液は、蒸留してエタノ
ールを回収し、水は排出されることになる。従ってR−
113/工タノール混合液中のエタノール濃度は次第に
減少するため、エタノールの補充を必要とする。一方、
脱水速度はR−113/工タノール混合液中のエタノー
ル濃度がある値以下となると急激に減少すること、及び
エタノール濃度が高くなると可燃性となること等からエ
タノール濃度を一定に制御する必要がある。エタノール
濃度を一定に保つことは、一定した水切り能力を得るこ
とにもなり、精密部品の水切りには特に望まれるところ
である。しかしながら、エタノールの減少量を測ること
は、物品表面に付着して自然乾燥する分等があり容易な
ことではなく、又、R−113も同時に減少するためエ
タノールの減少分だけ補充すれば濃度が一定に保てると
いう問題ではない。
エタノール、イソプロパツール等のアルコール類特にR
−113とエタノールとの混合液を利用する方法は、非
可燃性で脱水速度が速く乾燥後の物品表面に乾燥じみが
残りにくいこと等から有効な方法とされている。水切り
乾燥すべき物品をR−113とエタノールとの混合液中
に浸漬すると、物品表面の水分はエタノールの作用によ
り、物品表面を離れ、水を含んだエタノールは、比重差
によりR−113とエタノールとの混合液上に分離する
。上層に分離したエタノール水溶液は、蒸留してエタノ
ールを回収し、水は排出されることになる。従ってR−
113/工タノール混合液中のエタノール濃度は次第に
減少するため、エタノールの補充を必要とする。一方、
脱水速度はR−113/工タノール混合液中のエタノー
ル濃度がある値以下となると急激に減少すること、及び
エタノール濃度が高くなると可燃性となること等からエ
タノール濃度を一定に制御する必要がある。エタノール
濃度を一定に保つことは、一定した水切り能力を得るこ
とにもなり、精密部品の水切りには特に望まれるところ
である。しかしながら、エタノールの減少量を測ること
は、物品表面に付着して自然乾燥する分等があり容易な
ことではなく、又、R−113も同時に減少するためエ
タノールの減少分だけ補充すれば濃度が一定に保てると
いう問題ではない。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、R−113/工タノール混合物の液又は蒸気
により水切り乾燥を行うに当り、エタノール濃度を一定
に保つ方法を提供するものである。すなわち、本発明は
、水切り乾燥すべき物品をR−113及びエタノールの
混合物の液又は蒸気浴中に浸漬し、水切り乾燥する方法
において、前記浴中のエタノール濃度を機器分析計によ
り検知し、濃度調整液を浴中へ補充することにより、前
記エタノール濃度を制御することを特徴とする水切り乾
燥方法に関するものである。
により水切り乾燥を行うに当り、エタノール濃度を一定
に保つ方法を提供するものである。すなわち、本発明は
、水切り乾燥すべき物品をR−113及びエタノールの
混合物の液又は蒸気浴中に浸漬し、水切り乾燥する方法
において、前記浴中のエタノール濃度を機器分析計によ
り検知し、濃度調整液を浴中へ補充することにより、前
記エタノール濃度を制御することを特徴とする水切り乾
燥方法に関するものである。
通常の水切り乾燥においては、R−113/工タノール
混合物中のエタノール濃度が2wt%以下になると水切
り速度が極端に低下するため、少なくとも3wt%以上
とすることが好ましい。
混合物中のエタノール濃度が2wt%以下になると水切
り速度が極端に低下するため、少なくとも3wt%以上
とすることが好ましい。
一方、物品表面を離れた水を含むエタノールは、比重差
によりR−113/工タノール混合液上に分離層を形成
するが、 R−113/工タノール混合液中のエタノー
ル濃度が高くなると、前記水を含むエタノール中の水に
対するエタノール及びR−113の量が増大し、蒸留分
離の手間が増大することになる。又、エタノール濃度が
高いことは可燃性となることからも好ましくない。従っ
て、R−113/工タノール混合物中のエタノール濃度
は3wt%〜6wt%の範囲とすることが望ましく、又
水切り程度を一定に保つためにはある一定値、例えば、
通常の操作においては3.5wt%前後とすることが望
ましい。 ・ R−113/工タノール混合浴中のエタノール濃度を制
御するためにはまず機器分析計により浴中のエタノール
濃度を測定し、所定値以下であれば濃度調整液のエタノ
ール濃度の高いものを浴中に補充し、所定値以上であれ
ばエタノール濃度の低いものを浴中に補充する。通常の
水切り操作においては、浴中のエタノール濃度が次第に
減少する方向であり、濃度調整液の補充は、浴中のエタ
ノール濃度が減少することを防止するために行うことに
なる。濃度調整液の濃度は物品を介して浴中に持ち込ま
れる水分量が多い場合には、高濃度を、少ない場合には
低濃度を採用すればよい、調整液の補充は、連続的に又
は断続的に行えばよい。濃度調整液はR−113/工タ
ノール混合液が、浴中に部分的に大きな濃度変化を与え
ないために好ましいが、R−113単独又はエタノール
単独の調整液でもよい。R−113/工タノール混合蒸
気浴は、R−113/工タノール混合液上に形成するの
が通常であり、蒸気浴中のエタノール濃度調整は、下部
のR−113/工タノール混合液中に濃度調整液を補充
することにより行えばよい。又、エタノール濃度の測定
は、上記層又は下部の液層で行えばよい。蒸気浴の場合
には、浴中の温度を変えることによりエタノール濃度を
調整することもできる。機器分析計としては、応答が速
く、連続的に簡易に測定できることから、赤外吸光光度
計が好ましいが、その他の吸光又は分光分析計、又はガ
スクロマトグラフでもよい。
によりR−113/工タノール混合液上に分離層を形成
するが、 R−113/工タノール混合液中のエタノー
ル濃度が高くなると、前記水を含むエタノール中の水に
対するエタノール及びR−113の量が増大し、蒸留分
離の手間が増大することになる。又、エタノール濃度が
高いことは可燃性となることからも好ましくない。従っ
て、R−113/工タノール混合物中のエタノール濃度
は3wt%〜6wt%の範囲とすることが望ましく、又
水切り程度を一定に保つためにはある一定値、例えば、
通常の操作においては3.5wt%前後とすることが望
ましい。 ・ R−113/工タノール混合浴中のエタノール濃度を制
御するためにはまず機器分析計により浴中のエタノール
濃度を測定し、所定値以下であれば濃度調整液のエタノ
ール濃度の高いものを浴中に補充し、所定値以上であれ
ばエタノール濃度の低いものを浴中に補充する。通常の
水切り操作においては、浴中のエタノール濃度が次第に
減少する方向であり、濃度調整液の補充は、浴中のエタ
ノール濃度が減少することを防止するために行うことに
なる。濃度調整液の濃度は物品を介して浴中に持ち込ま
れる水分量が多い場合には、高濃度を、少ない場合には
低濃度を採用すればよい、調整液の補充は、連続的に又
は断続的に行えばよい。濃度調整液はR−113/工タ
ノール混合液が、浴中に部分的に大きな濃度変化を与え
ないために好ましいが、R−113単独又はエタノール
単独の調整液でもよい。R−113/工タノール混合蒸
気浴は、R−113/工タノール混合液上に形成するの
が通常であり、蒸気浴中のエタノール濃度調整は、下部
のR−113/工タノール混合液中に濃度調整液を補充
することにより行えばよい。又、エタノール濃度の測定
は、上記層又は下部の液層で行えばよい。蒸気浴の場合
には、浴中の温度を変えることによりエタノール濃度を
調整することもできる。機器分析計としては、応答が速
く、連続的に簡易に測定できることから、赤外吸光光度
計が好ましいが、その他の吸光又は分光分析計、又はガ
スクロマトグラフでもよい。
R−113/工タノール混合浴中のエタノール濃度の変
動は水切り乾燥すべき物品により持ち込まれる水分量が
多くなる程大きくなるため、エタノール濃度制御を有効
に行うためには、物品をR−113/工タノール混合浴
中に浸漬するに先立ち、R−113単独浴浸漬し、約8
0〜85%の水切りを予め実施することが好ましい。R
−113の単独浴は、超音波振動を与えた沸騰浴が水切
り速度が速く又、物品表面の微細空間部の水分を良く除
去できることから好ましいが、R−113の蒸気浴であ
ってもよい、超音波振動エネルギーは、単独浴1u41
当り、10〜1511が適当である。水切り乾燥すべき
物品の種類や物品表面の水分量により、R−113/工
タンノール混合浴中の最適なエタノール濃度が多少変化
するため、予め大部分の水分をR−113単独浴中で除
去した後の方がが物品の変化にとられれない安定した水
切りが可能となる。もちろん、物品の変化に応じて、R
−113/工タノール混合浴中のエタノール濃度を最適
値に設定する操作も容易に行うことができる。エタノー
ル濃度制御ができるR−113/工タノール混合浴にお
いて、物品表面の水分を98%除去し、その後R−11
3/工タノール混合冷液浴あるいはさらにR−113/
工タノール混合蒸気浴に物品を浸漬して100%の除去
を行う操作が通常である。これら冷液浴や蒸気浴では分
離蓄積する水分がほとんどなく、必ずしもエタノール濃
度制御を実施しなくともよい。
動は水切り乾燥すべき物品により持ち込まれる水分量が
多くなる程大きくなるため、エタノール濃度制御を有効
に行うためには、物品をR−113/工タノール混合浴
中に浸漬するに先立ち、R−113単独浴浸漬し、約8
0〜85%の水切りを予め実施することが好ましい。R
−113の単独浴は、超音波振動を与えた沸騰浴が水切
り速度が速く又、物品表面の微細空間部の水分を良く除
去できることから好ましいが、R−113の蒸気浴であ
ってもよい、超音波振動エネルギーは、単独浴1u41
当り、10〜1511が適当である。水切り乾燥すべき
物品の種類や物品表面の水分量により、R−113/工
タンノール混合浴中の最適なエタノール濃度が多少変化
するため、予め大部分の水分をR−113単独浴中で除
去した後の方がが物品の変化にとられれない安定した水
切りが可能となる。もちろん、物品の変化に応じて、R
−113/工タノール混合浴中のエタノール濃度を最適
値に設定する操作も容易に行うことができる。エタノー
ル濃度制御ができるR−113/工タノール混合浴にお
いて、物品表面の水分を98%除去し、その後R−11
3/工タノール混合冷液浴あるいはさらにR−113/
工タノール混合蒸気浴に物品を浸漬して100%の除去
を行う操作が通常である。これら冷液浴や蒸気浴では分
離蓄積する水分がほとんどなく、必ずしもエタノール濃
度制御を実施しなくともよい。
[実施例]
付着水11)gを有する 150X 100 X 1m
mのガラス板18枚を同時に、1分間隔でR−113の
沸騰浴(超音波を与える。以下第1槽という)→重量比
98/4のR−113/エタノール常温浴(超音波を与
える。以下第2槽という)→重量比86/4のR−11
31エタノール冷浴(約15℃、以下第3槽という)→
重量比86/4のR−113/エタノール蒸気浴(以下
第4槽という)に順次浸漬し引き上げることにより水切
りを連続的に行った。第1〜4槽はともに容量約40文
である。浸漬時間は各種ともに1分間であり、脱水率は
ガラス板を引き上げた後15秒経過後の時点での重量変
化により測定した。赤外吸光光度計により第2槽中のエ
タノール濃度を常に検知し、又、エタノール濃度調整液
である重量比75/25のR−113/エタノール液を
約700g/hrの割合で連続的に第2槽へ供給するこ
とにより、第2槽中のエタノール濃度を約3.5wt%
に維持した。第1〜4槽の各種から引き上げたガラス板
の脱水率を水切り開始1時間後及び20時間後について
測定し、結果を次表に示す。
mのガラス板18枚を同時に、1分間隔でR−113の
沸騰浴(超音波を与える。以下第1槽という)→重量比
98/4のR−113/エタノール常温浴(超音波を与
える。以下第2槽という)→重量比86/4のR−11
31エタノール冷浴(約15℃、以下第3槽という)→
重量比86/4のR−113/エタノール蒸気浴(以下
第4槽という)に順次浸漬し引き上げることにより水切
りを連続的に行った。第1〜4槽はともに容量約40文
である。浸漬時間は各種ともに1分間であり、脱水率は
ガラス板を引き上げた後15秒経過後の時点での重量変
化により測定した。赤外吸光光度計により第2槽中のエ
タノール濃度を常に検知し、又、エタノール濃度調整液
である重量比75/25のR−113/エタノール液を
約700g/hrの割合で連続的に第2槽へ供給するこ
とにより、第2槽中のエタノール濃度を約3.5wt%
に維持した。第1〜4槽の各種から引き上げたガラス板
の脱水率を水切り開始1時間後及び20時間後について
測定し、結果を次表に示す。
[発明の効果]
R−113/工タノール混合浴により、物品表面の水切
りを行う場合、混合浴中のエタノール濃度により水切り
時間が異なるため、安定した水切りを行うためにはエタ
ノール濃度を制御しなければならい。本発明方法に従え
ば、水切り浴のエタノール濃度を直接検知し、随時濃度
調整液を補充できるため、エタノール濃度変化を最小に
抑えることが可能である。これにより、連続的な水切り
乾燥操作においても、水切り程度が一定した結果を得る
ことができる。一方、水切り乾燥すべき物品の種類や物
品表面の水分量により、R−113/工タノール混合浴
中の最適なエタノール濃度が存在するが、このような物
品の切り換えに応じた、エタノール濃度設定も同様にし
て容易に行い得る。
りを行う場合、混合浴中のエタノール濃度により水切り
時間が異なるため、安定した水切りを行うためにはエタ
ノール濃度を制御しなければならい。本発明方法に従え
ば、水切り浴のエタノール濃度を直接検知し、随時濃度
調整液を補充できるため、エタノール濃度変化を最小に
抑えることが可能である。これにより、連続的な水切り
乾燥操作においても、水切り程度が一定した結果を得る
ことができる。一方、水切り乾燥すべき物品の種類や物
品表面の水分量により、R−113/工タノール混合浴
中の最適なエタノール濃度が存在するが、このような物
品の切り換えに応じた、エタノール濃度設定も同様にし
て容易に行い得る。
手続補正書
昭和60年2月71:)日
Claims (6)
- (1)水切り乾燥すべき物品を、1,1,2−トリクロ
ロ−1,2,2−トリフルオロエタン及びエタノールの
混合物の液又は蒸気浴中に浸漬し水切り乾燥する方法に
おいて、前記浴中のエタノール濃度を機器分析計により
検知し、濃度調整液を浴中へ補充することにより、前記
エタ ノール濃度を制御することを特徴とする水切り乾燥方法
。 - (2)機器分析計が赤外吸光光度計である特許請求の範
囲第1項記載の水切り乾燥方法。 - (3)濃度調整液が1,1,2−トリクロロ−1,2,
2−トリフルオロエンタン及びエタノールの混合液であ
る特許請求の範囲第1項記載の水切り乾燥方法。 - (4)水切り乾燥すべき物品を、1,1,2−トリクロ
ロ−1,2,2−トリフルオロエタン及びエタノールの
混合物の液又は蒸気浴中に浸漬し水切りするに先立ち、
1,1,2−トリクロロ−1,2,2−トリフルオロエ
タンの単独浴中に浸漬する特許請求の範囲第1項記載の
水切り乾燥方法。 - (5)1,1,2−トリクロロ−1,2,2−トリフル
オロエタンの単独浴が1,1,2−トリクロロ−1,2
,2−トリフルオロエタンの沸騰浴である特許請求の範
囲第4項記載の水切り乾燥方法。 - (6)1,1,2−トリクロロ−1,2,2−トリフル
オロエタンの単独浴が超音波振動により撹拌されている
特許請求の範囲第4項記載の水切り乾燥方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27197984A JPS61149204A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 水切り乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27197984A JPS61149204A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 水切り乾燥方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61149204A true JPS61149204A (ja) | 1986-07-07 |
JPS6315002B2 JPS6315002B2 (ja) | 1988-04-02 |
Family
ID=17507458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27197984A Granted JPS61149204A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 水切り乾燥方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61149204A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04110083A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-10 | Japan Field Kk | アルコールを用いた洗浄方法および装置 |
WO1996012571A1 (fr) * | 1994-10-19 | 1996-05-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Agent, procede et materiel de nettoyage |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5328142U (ja) * | 1976-08-18 | 1978-03-10 | ||
JPS55131675A (en) * | 1979-03-31 | 1980-10-13 | Daikin Ind Ltd | Method and washing liquid for removing adhering water from surface of article |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP27197984A patent/JPS61149204A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5328142U (ja) * | 1976-08-18 | 1978-03-10 | ||
JPS55131675A (en) * | 1979-03-31 | 1980-10-13 | Daikin Ind Ltd | Method and washing liquid for removing adhering water from surface of article |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04110083A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-10 | Japan Field Kk | アルコールを用いた洗浄方法および装置 |
WO1996012571A1 (fr) * | 1994-10-19 | 1996-05-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Agent, procede et materiel de nettoyage |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6315002B2 (ja) | 1988-04-02 |
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