JPS61131631A - 光信号発生装置 - Google Patents
光信号発生装置Info
- Publication number
- JPS61131631A JPS61131631A JP59253028A JP25302884A JPS61131631A JP S61131631 A JPS61131631 A JP S61131631A JP 59253028 A JP59253028 A JP 59253028A JP 25302884 A JP25302884 A JP 25302884A JP S61131631 A JPS61131631 A JP S61131631A
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- Japan
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- signal
- bias
- circuit
- burst
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光通信に使用する光信号発生装置の改良に関
する。
する。
近年、大容量の情報を伝送する通信システムとして光通
信システムが開発されているが、この種のシステムにお
いて正確な光バースト通信を行なうためには光信号の送
信レベルを安定に保持することが必要である。 ゛ そこで従来では、例えば半導体発光素子としての半導体
レーザの発光出力の一部を光検出器で検出し、その検出
出力を予め設定しである基準信号とレベル比較して、上
記検出出力が基準信号よりも小さい場合は半導体レーザ
のバイアス信号のレベルを増加させ、一方上記検出出力
が基準信号よりも大きな場合には上記バイアス信号のレ
ベルを一定値に保持させることにより、半導体レーザの
発光出力を安定化するようにしている。したがって、光
信号のバースト信号レベルは一定値で安定に保持される
。
信システムが開発されているが、この種のシステムにお
いて正確な光バースト通信を行なうためには光信号の送
信レベルを安定に保持することが必要である。 ゛ そこで従来では、例えば半導体発光素子としての半導体
レーザの発光出力の一部を光検出器で検出し、その検出
出力を予め設定しである基準信号とレベル比較して、上
記検出出力が基準信号よりも小さい場合は半導体レーザ
のバイアス信号のレベルを増加させ、一方上記検出出力
が基準信号よりも大きな場合には上記バイアス信号のレ
ベルを一定値に保持させることにより、半導体レーザの
発光出力を安定化するようにしている。したがって、光
信号のバースト信号レベルは一定値で安定に保持される
。
ところが、従来のこの種の装置は、一般にバースト信号
の非入力時におけるバイアス信号レベルを半導体レーザ
の非発光領域の充分に低いレベルに設定しであるため、
バースト信号が供給された時に半導体レーザがバースト
発光状態に至るまでの時間が長く、これによりデータ送
信開始タイミングが遅れて通信時間が長くなる欠点があ
った。
の非入力時におけるバイアス信号レベルを半導体レーザ
の非発光領域の充分に低いレベルに設定しであるため、
バースト信号が供給された時に半導体レーザがバースト
発光状態に至るまでの時間が長く、これによりデータ送
信開始タイミングが遅れて通信時間が長くなる欠点があ
った。
この通信時間の長期化は、特に複数の端末によりネット
ワークを構成して各端末で任意に送信を行なうようなシ
ステムでは、異なる端末からのデータが衝突し易くなる
等の不具合を生じ、極めて好ましくなかった。
ワークを構成して各端末で任意に送信を行なうようなシ
ステムでは、異なる端末からのデータが衝突し易くなる
等の不具合を生じ、極めて好ましくなかった。
本発明は、バイアス信号の立上がり時間を短縮して送信
開始タイミングの遅れを低減し、これにより通信時間の
短縮を図り得る光信号発生装置を提供することを目的と
する。
開始タイミングの遅れを低減し、これにより通信時間の
短縮を図り得る光信号発生装置を提供することを目的と
する。
本発明は、上記目的を達成するために、バイアス設定回
路を設け、この回路によりバースト信号の非入力時に上
記バイアス信号のレベルを半導体発光素子の自然発光領
域中の所定領域に設定し、これによりバースト信号の非
入力時にバイアス信号レベルが半導体発光素子の非発光
領域に低下しないようにしたものである。
路を設け、この回路によりバースト信号の非入力時に上
記バイアス信号のレベルを半導体発光素子の自然発光領
域中の所定領域に設定し、これによりバースト信号の非
入力時にバイアス信号レベルが半導体発光素子の非発光
領域に低下しないようにしたものである。
第１図は、本発明の一実施例における光信号発生装置の
概略構成図で、１はバイアス制御信号出力回路、２はバ
ースト制御信号出力回路を示している。バイアス制御信
号出力回路１は、図示しない送信制御回路からバースト
信号（送信要求信号）Ｒ８が供給されたときに制御信号
を出力してスイッチ回路３を導通させ、これにより充電
用定電流源４の出力電流をコンデンサ５に供給してコン
デンサ５を充電する。このコンデンサ５は、その充１ｆ
ｌｆ圧をバイアス電圧８Ｇとして半導体レーザ回路６に
供給し、これにより半導体レーザをバースト発光させる
。一方、前記バースト制御信号出力回路２は、バースト
信号Ｒ８がオフとなった時点で制御［Ｉ信号を出力して
スイッチ回路７を導通させ、これにより放電用定電流１
８を介してコンデンサ５の充電電荷を放電させる。
概略構成図で、１はバイアス制御信号出力回路、２はバ
ースト制御信号出力回路を示している。バイアス制御信
号出力回路１は、図示しない送信制御回路からバースト
信号（送信要求信号）Ｒ８が供給されたときに制御信号
を出力してスイッチ回路３を導通させ、これにより充電
用定電流源４の出力電流をコンデンサ５に供給してコン
デンサ５を充電する。このコンデンサ５は、その充１ｆ
ｌｆ圧をバイアス電圧８Ｇとして半導体レーザ回路６に
供給し、これにより半導体レーザをバースト発光させる
。一方、前記バースト制御信号出力回路２は、バースト
信号Ｒ８がオフとなった時点で制御［Ｉ信号を出力して
スイッチ回路７を導通させ、これにより放電用定電流１
８を介してコンデンサ５の充電電荷を放電させる。
また、上記半導体レーザ回路６の出力光の一部は、受光
素子って検出されて比較検出回路１０に導かれている。
素子って検出されて比較検出回路１０に導かれている。
この比較検出回路１０は、上記受光素子９の検出出力信
号を基準信号発生回路１１から出力された基準信号とレ
ベル比較し、その比較出力信号を前記バイアス制御信号
出力回路１に９１１して、これにより半導体レーザ回路
６の発光出力レベルが一定となるようにバイアス電圧値
を制御する。尚、ＯＡは送信データである。
号を基準信号発生回路１１から出力された基準信号とレ
ベル比較し、その比較出力信号を前記バイアス制御信号
出力回路１に９１１して、これにより半導体レーザ回路
６の発光出力レベルが一定となるようにバイアス電圧値
を制御する。尚、ＯＡは送信データである。
ところで、本実施例の装置は前記バイアス電圧設定用の
コンデンサの出力端にリミット回路２０を接続している
。このリミット回路２０は、例えばトランジスタスイッ
チ２）のベースにリミットレベルＬＬ設定用の電源２２
を接続したもので、バースト信号の非入力時における半
導体レーザ回路６のバイアス電圧を設定する。ここで、
上記リミット回路２０のリミットレベルＬＬは次のよう
に設定される。すなわち、半導体ル−ザの電圧電流特性
は一般に第３図に示すようになっており、この特性から
も明らかなように電圧があるしきい値レベルＳＬを越え
ると半導体レーザはレーザ動作を開始し、ＯｍＡから上
記しきい値ＳＬまでの間は微少レベルで自然発光動作を
行なう。したがって、この自然発光領域内でかつ自然発
光レベルの小さいＯｍＡ近傍の任意のレベルにリミット
レベルＬＬを設定すれば、バースト信号の非入力時には
レーザ動作せず、かつ立上がり時には短時間でバースト
発光状態に移行させることが可能となる。尚、バースト
発光状態での半導体レーザのバイアス発光レベルは、し
きい値ＳＬ近傍に設定される。
コンデンサの出力端にリミット回路２０を接続している
。このリミット回路２０は、例えばトランジスタスイッ
チ２）のベースにリミットレベルＬＬ設定用の電源２２
を接続したもので、バースト信号の非入力時における半
導体レーザ回路６のバイアス電圧を設定する。ここで、
上記リミット回路２０のリミットレベルＬＬは次のよう
に設定される。すなわち、半導体ル−ザの電圧電流特性
は一般に第３図に示すようになっており、この特性から
も明らかなように電圧があるしきい値レベルＳＬを越え
ると半導体レーザはレーザ動作を開始し、ＯｍＡから上
記しきい値ＳＬまでの間は微少レベルで自然発光動作を
行なう。したがって、この自然発光領域内でかつ自然発
光レベルの小さいＯｍＡ近傍の任意のレベルにリミット
レベルＬＬを設定すれば、バースト信号の非入力時には
レーザ動作せず、かつ立上がり時には短時間でバースト
発光状態に移行させることが可能となる。尚、バースト
発光状態での半導体レーザのバイアス発光レベルは、し
きい値ＳＬ近傍に設定される。
この様な構成であるから１図示しない送信制御回路から
、例えば第２図に示す如く送信データＤＡに先立ちバー
スト信号Ｒ８が到来すると、このバースト信号Ｒ３の立
上がり時点でバイアス制御信号出力回路１から制御信号
が出力されてスイッチ回路３が導通し、これにより充電
用定電流源４の出力電流がバイアス設定用のコンデンサ
５に供給されてコンデンサ５の充電が開始される。そう
すると、このコンデンサ５の充電電圧の増加に従って半
導体レーザ回路６のバイアス電流が増加し、これにより
半導体レーザの発光出力レベルが上昇する。そして、こ
の発光出力レベルが基準レベルに達すると、比較検出回
路１０からコンデンサ５の充電を停止させる旨の信号が
出力され、この結果バイアス制御信号出力回路１により
スイッチ回路３が閉成されてコンデンサ５の充電が停止
され、塩１ラバイアス電圧は一定値に保持されて半導体
レーザ回路６は安定なバースト発光状態になる。従って
、この状態で送信データＤＡが入力されると、半導体レ
ーザ回路６は上記バースト発光レベルに送信データＤＡ
ｆ重畳した状態でレーザ発光動作し、その発光出力が光
伝送路に出力される。
、例えば第２図に示す如く送信データＤＡに先立ちバー
スト信号Ｒ８が到来すると、このバースト信号Ｒ３の立
上がり時点でバイアス制御信号出力回路１から制御信号
が出力されてスイッチ回路３が導通し、これにより充電
用定電流源４の出力電流がバイアス設定用のコンデンサ
５に供給されてコンデンサ５の充電が開始される。そう
すると、このコンデンサ５の充電電圧の増加に従って半
導体レーザ回路６のバイアス電流が増加し、これにより
半導体レーザの発光出力レベルが上昇する。そして、こ
の発光出力レベルが基準レベルに達すると、比較検出回
路１０からコンデンサ５の充電を停止させる旨の信号が
出力され、この結果バイアス制御信号出力回路１により
スイッチ回路３が閉成されてコンデンサ５の充電が停止
され、塩１ラバイアス電圧は一定値に保持されて半導体
レーザ回路６は安定なバースト発光状態になる。従って
、この状態で送信データＤＡが入力されると、半導体レ
ーザ回路６は上記バースト発光レベルに送信データＤＡ
ｆ重畳した状態でレーザ発光動作し、その発光出力が光
伝送路に出力される。
さて、送信データＤＡの送信終了とともに第２図に示す
如くバースト信号Ｒ８が立ち下がると、その時点でバー
スト制御信号出力回路２によりスイッチ回路７が導通し
てコンデンサ５の充電電荷が放電され、この結果バイア
ス電圧が低下して半導体レーザ回路６は初期状態に復帰
する。ところで、この初期状態に復帰する際バイアス電
圧は、コンデンサ５の充ｌｉｔ圧がリミットレベルＬＬ
未満に低下した時点でリミット回路２０のトランジスタ
スイッチ２）が導通するため、以後リミットレベル設定
用の電源２２の出力電圧値に固定される。したがって、
この状態で再度バースト信号Ｒ８が到来し、スイッチ回
路３が導通ずると、コンデンサ５は上記リミットレベル
ＬＬから充電が開始されるため、バイアス電圧は第２図
のＢＣに示す如く短時間で所定のバースト発光レベルに
達する。このため、送信データＤＡをバースト信号Ｒ５
の入力時点から比較的早いタイミングで入力することが
でき、これにより通信時間が短縮される。
如くバースト信号Ｒ８が立ち下がると、その時点でバー
スト制御信号出力回路２によりスイッチ回路７が導通し
てコンデンサ５の充電電荷が放電され、この結果バイア
ス電圧が低下して半導体レーザ回路６は初期状態に復帰
する。ところで、この初期状態に復帰する際バイアス電
圧は、コンデンサ５の充ｌｉｔ圧がリミットレベルＬＬ
未満に低下した時点でリミット回路２０のトランジスタ
スイッチ２）が導通するため、以後リミットレベル設定
用の電源２２の出力電圧値に固定される。したがって、
この状態で再度バースト信号Ｒ８が到来し、スイッチ回
路３が導通ずると、コンデンサ５は上記リミットレベル
ＬＬから充電が開始されるため、バイアス電圧は第２図
のＢＣに示す如く短時間で所定のバースト発光レベルに
達する。このため、送信データＤＡをバースト信号Ｒ５
の入力時点から比較的早いタイミングで入力することが
でき、これにより通信時間が短縮される。
ちなみに、従来のようにバースト信号の非入力時に半導
体レーザ回路６のバイアス電圧をコンデンサ５の放電に
より負のレベルまで低下させると、再度バースト信号が
到来した時に例えば第３図のＢＣ’ に示すようにバイ
アス電圧が所定のバースト発光レベルに達するまでに長
い時間がかかり、その分く図中６１分）送信データＤＡ
の入力タイミングが遅れて通信時間の長期化を招く。
体レーザ回路６のバイアス電圧をコンデンサ５の放電に
より負のレベルまで低下させると、再度バースト信号が
到来した時に例えば第３図のＢＣ’ に示すようにバイ
アス電圧が所定のバースト発光レベルに達するまでに長
い時間がかかり、その分く図中６１分）送信データＤＡ
の入力タイミングが遅れて通信時間の長期化を招く。
このように本実施例であれば、リミット回路２０を設け
て、バースト信号Ｒ５の非入力時における半導体レーザ
のバイアス電流を半導体レーザの自然発光領域イ内に設
定したので、バースト信号Ｒ８到来時のバイアス電圧の
立上がり時間を短縮することができ、これにより送信デ
ータＯＡの入力タイミングを早めてその分通信時間の短
縮を図ることができる。
て、バースト信号Ｒ５の非入力時における半導体レーザ
のバイアス電流を半導体レーザの自然発光領域イ内に設
定したので、バースト信号Ｒ８到来時のバイアス電圧の
立上がり時間を短縮することができ、これにより送信デ
ータＯＡの入力タイミングを早めてその分通信時間の短
縮を図ることができる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例
えば、上記実施例ではリミットレベルＬＬを固定値とし
たが、半導体レーザのバイアス電流値を検出してこの検
出値をリミットレベル設定用の可変電源回路に帰還し、
これによりリミットレベルＬＬを制御するようにしても
よい。このようにすれば、トランジスタ等の各回路素子
の特性のバラツキや経年変化、温度特性上の変化等に対
しリミットレベルＬＬを自助調整することができる。ま
た、リミットレベルは、半導体レーザ回路に設けられて
いるバイアス電圧電流変換回路のトランジシスタのベー
ス・エミッタ間電圧等を使用して設定するようにしても
よい。その他、バイアス設定回路の構成やバイアス設定
値等についても、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
変形して実施できる。
えば、上記実施例ではリミットレベルＬＬを固定値とし
たが、半導体レーザのバイアス電流値を検出してこの検
出値をリミットレベル設定用の可変電源回路に帰還し、
これによりリミットレベルＬＬを制御するようにしても
よい。このようにすれば、トランジスタ等の各回路素子
の特性のバラツキや経年変化、温度特性上の変化等に対
しリミットレベルＬＬを自助調整することができる。ま
た、リミットレベルは、半導体レーザ回路に設けられて
いるバイアス電圧電流変換回路のトランジシスタのベー
ス・エミッタ間電圧等を使用して設定するようにしても
よい。その他、バイアス設定回路の構成やバイアス設定
値等についても、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
変形して実施できる。
以上詳述したように本発明によれば、バイアス設定回路
を設け、この回路によりバースト信号の非入力時に上記
バイアス信号のレベルを半導体発光素子の自然発光領域
中の所定領域に設定し、これによりバースト信号の非入
力時にバイアス信号レベルが半導体発光素子の非発光領
域に低下しないようにしたことによって、バイアス信号
の立上がり時間を短縮して送信開始タイミングの遅れを
低減し得、これにより通信時間の短縮を図り得る光信号
発生装置を提供することができる。
を設け、この回路によりバースト信号の非入力時に上記
バイアス信号のレベルを半導体発光素子の自然発光領域
中の所定領域に設定し、これによりバースト信号の非入
力時にバイアス信号レベルが半導体発光素子の非発光領
域に低下しないようにしたことによって、バイアス信号
の立上がり時間を短縮して送信開始タイミングの遅れを
低減し得、これにより通信時間の短縮を図り得る光信号
発生装置を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例における光信号発生装置の概
略構成図、第２図は同装置の作用説明に使用する信号波
形図、第３図は半導体レーザの電圧電流特性図である。 １・・・バイアス制御信号出力回路、２・・・バースト
制御信号出力回路、３．７・・・スイッチ回路、４・・
・充電用定電流源、５・・・バイアス電圧設定用のコン
デンサ、６・・・半導体レーザ回路、８・・・放電用定
電流源、９・・・受光素子、１０・・・比較検出回路、
１１・・・基準信号発生回路、ＯＡ送信データ、Ｒ３・
・・バースト信号、ＢＧ・・・バイアス電圧、ＬＬ・・
・リミットレベル。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 ２ 図 第 ３ 図
略構成図、第２図は同装置の作用説明に使用する信号波
形図、第３図は半導体レーザの電圧電流特性図である。 １・・・バイアス制御信号出力回路、２・・・バースト
制御信号出力回路、３．７・・・スイッチ回路、４・・
・充電用定電流源、５・・・バイアス電圧設定用のコン
デンサ、６・・・半導体レーザ回路、８・・・放電用定
電流源、９・・・受光素子、１０・・・比較検出回路、
１１・・・基準信号発生回路、ＯＡ送信データ、Ｒ３・
・・バースト信号、ＢＧ・・・バイアス電圧、ＬＬ・・
・リミットレベル。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (4)
- （１）半導体発光素子に、データ信号に先立ちバースト
信号に応じて発生されるバイアス信号を供給して上記半
導体発光素子をバースト発光させる光信号発生装置にお
いて、前記バースト信号の非入力時に前記バイアス信号
のレベルを半導体発光素子の自然発光領域中の所定領域
に設定するバイアス設定回路を設けたことを特徴とする
光信号発生装置。 - （２）バイアス設定回路は、バースト信号非入力時のバ
イアス信号レベルを半導体発光素子の自然発光領域内の
０ｍＷ近傍に設定するものである特許請求の範囲第（１
）項記載の光信号発生装置。 - （３）バイアス設定回路は、バースト信号非入力時にお
けるバイアス信号レベルの低下を制限するリミット回路
からなるものである特許請求の範囲第（１）項または第
（２）項記載の光信号発生装置。 - （４）バイアス設定回路は、バースト信号の非入力時に
半導体発光素子を流れるバイアス電流を検出してこの検
出値に応じてバイアス信号レベルを一定値に制御する帰
還回路を備えたものである特許請求の範囲第（１）項、
第（２）項または第（３）項のいずれかに記載の光信号
発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59253028A JPS61131631A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 光信号発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59253028A JPS61131631A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 光信号発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131631A true JPS61131631A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17245472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59253028A Pending JPS61131631A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 光信号発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131631A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1211762A1 (en) * | 1999-08-03 | 2002-06-05 | Fujitsu Limited | Driver circuit for semiconductor laser, and driving method |
| EP1458068A2 (en) * | 2003-03-13 | 2004-09-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Driving circuit for semiconductor laser |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP59253028A patent/JPS61131631A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1211762A1 (en) * | 1999-08-03 | 2002-06-05 | Fujitsu Limited | Driver circuit for semiconductor laser, and driving method |
| EP1211762A4 (en) * | 1999-08-03 | 2005-09-28 | Fujitsu Ltd | SEMICONDUCTOR LASER CONTROL CIRCUIT AND ASSOCIATED METHOD |
| US7158551B2 (en) | 1999-08-03 | 2007-01-02 | Fujitsu Limited | Driver circuit and driving method for semiconductor laser |
| JP4557481B2 (ja) * | 1999-08-03 | 2010-10-06 | 富士通株式会社 | 半導体レーザの駆動回路および駆動方法 |
| EP1458068A2 (en) * | 2003-03-13 | 2004-09-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Driving circuit for semiconductor laser |
| EP1458068A3 (en) * | 2003-03-13 | 2005-07-27 | Alps Electric Co., Ltd. | Driving circuit for semiconductor laser |
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