JPS61131568A - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器Info
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- JPS61131568A JPS61131568A JP59253684A JP25368484A JPS61131568A JP S61131568 A JPS61131568 A JP S61131568A JP 59253684 A JP59253684 A JP 59253684A JP 25368484 A JP25368484 A JP 25368484A JP S61131568 A JPS61131568 A JP S61131568A
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は単結晶半導体基板に高比抵抗の非晶質半導体層
を介して少なくとも一方の電極が設けられ、基板の他面
に設けられた他方の電極との間に印加される、単結晶半
導体と非晶質半導体の間のへテロ接合の逆バイアス電圧
によって基板内に形成される空乏層への放射線の入射に
より生ずるキャリアを利用した半導体放射線検出器に関
する。
を介して少なくとも一方の電極が設けられ、基板の他面
に設けられた他方の電極との間に印加される、単結晶半
導体と非晶質半導体の間のへテロ接合の逆バイアス電圧
によって基板内に形成される空乏層への放射線の入射に
より生ずるキャリアを利用した半導体放射線検出器に関
する。
上述のような半導体放射線検出器は、非晶質半導体層が
表面漏れ電流成分をほぼ完全に阻止し、空気中の酸素の
単結晶半導体への到達も阻止するので、特性の経時変化
がなくエネルギ分解能が高いなどの利点を有し、既に特
願昭５８−１０２３８１号によって出願されている。第
２図はその検出素子の断面構造を示し、−導電型の単結
晶シリコン基板１の一面および側面に逆導電型の水素添
加アンドープ非晶質シリコン膜２が被着され、両面に設
けられた金属電極３．４を介して単結晶シリコン１と非
晶質シリコン２の間のへテロ接合に逆バイアス電圧を印
加し、ヘテロ接合部分にエネルギ障壁を形成させ、空乏
層を広げてそこへ飛来する放射線を捕獲し検出する。 第３図はこの半導体放射線検出器の電気検出部のブロッ
ク図を示し、第２図に示した放射＆１Ｉ１１の飛来によ
って検出素子１２に生ずる信号はプリアンプ１３を介し
てメイアンプ１４により増幅され出力される。このよう
な半導体放射線検出器におけるノイズの土な原因の一つ
は空乏層を広げるための逆バイアス電圧の増大により漏
れ電流が増加するこ□と、他の一つは検出素子１２の静
電容量が大きいため後段につづくプリアンプ１３と整合
がうまくとれないことである。すなわち第４図に見られ
るように印加電圧の増加に対し曲線４１の漏れ電流は増
加し、曲線４２の静電容量は減少する。この結果第５図
に示すような印加電圧によるノイズが生ずる。 曲線５１は漏れ電流によるノイズであり、曲線５２は静
電容量によるノイズを示し、実測ノイズレベル５３は、
印加電圧ｖｂで最低となり、従ってｖｂが鍛適印加電圧
である。 従来より工業計測用として製品化されている半導体放射
線検出器、すなわち放射線スペクトルを検出するのでな
く、ＧＭ管相当の放射線パルス総数をカウントする検出
器は、４■８以下の小面積であるため逆漏れ電流は１０
μ八以下と小さいので、静電容量も数ｐＦ以下と小さい
、このため後段のプリアンプの設計も容品であった。一
方、前記出願に記載された半導体放射線検出器は、半導
体基板上への非晶質半導体層の被着により製造されるた
め均一な接合を有する大面積の素子の製作が容具で、上
□記明細書に開示されている４０ｍ５の直径のシリコン
基板を用いた検出素子は厚さが約４００μ腸の場合に十
分な印加電圧のもとて静電容量を測定すると約３００ｐ
Ｆとなる。それに反して明細書に詳述されているように
体積漏れ電流および表面漏れ電流が小さいので逆漏れ電
流は極めて小さい、従ってこの放射線検出器におけるノ
イズ原因はまさにその大きな静電容量である。そのため
後段につづ（プリアンプの設計が極めて困難で、素子の
信号を十分に検出するには非常に高価なプリアンプを要
する欠点があった。
表面漏れ電流成分をほぼ完全に阻止し、空気中の酸素の
単結晶半導体への到達も阻止するので、特性の経時変化
がなくエネルギ分解能が高いなどの利点を有し、既に特
願昭５８−１０２３８１号によって出願されている。第
２図はその検出素子の断面構造を示し、−導電型の単結
晶シリコン基板１の一面および側面に逆導電型の水素添
加アンドープ非晶質シリコン膜２が被着され、両面に設
けられた金属電極３．４を介して単結晶シリコン１と非
晶質シリコン２の間のへテロ接合に逆バイアス電圧を印
加し、ヘテロ接合部分にエネルギ障壁を形成させ、空乏
層を広げてそこへ飛来する放射線を捕獲し検出する。 第３図はこの半導体放射線検出器の電気検出部のブロッ
ク図を示し、第２図に示した放射＆１Ｉ１１の飛来によ
って検出素子１２に生ずる信号はプリアンプ１３を介し
てメイアンプ１４により増幅され出力される。このよう
な半導体放射線検出器におけるノイズの土な原因の一つ
は空乏層を広げるための逆バイアス電圧の増大により漏
れ電流が増加するこ□と、他の一つは検出素子１２の静
電容量が大きいため後段につづくプリアンプ１３と整合
がうまくとれないことである。すなわち第４図に見られ
るように印加電圧の増加に対し曲線４１の漏れ電流は増
加し、曲線４２の静電容量は減少する。この結果第５図
に示すような印加電圧によるノイズが生ずる。 曲線５１は漏れ電流によるノイズであり、曲線５２は静
電容量によるノイズを示し、実測ノイズレベル５３は、
印加電圧ｖｂで最低となり、従ってｖｂが鍛適印加電圧
である。 従来より工業計測用として製品化されている半導体放射
線検出器、すなわち放射線スペクトルを検出するのでな
く、ＧＭ管相当の放射線パルス総数をカウントする検出
器は、４■８以下の小面積であるため逆漏れ電流は１０
μ八以下と小さいので、静電容量も数ｐＦ以下と小さい
、このため後段のプリアンプの設計も容品であった。一
方、前記出願に記載された半導体放射線検出器は、半導
体基板上への非晶質半導体層の被着により製造されるた
め均一な接合を有する大面積の素子の製作が容具で、上
□記明細書に開示されている４０ｍ５の直径のシリコン
基板を用いた検出素子は厚さが約４００μ腸の場合に十
分な印加電圧のもとて静電容量を測定すると約３００ｐ
Ｆとなる。それに反して明細書に詳述されているように
体積漏れ電流および表面漏れ電流が小さいので逆漏れ電
流は極めて小さい、従ってこの放射線検出器におけるノ
イズ原因はまさにその大きな静電容量である。そのため
後段につづ（プリアンプの設計が極めて困難で、素子の
信号を十分に検出するには非常に高価なプリアンプを要
する欠点があった。
本発明は、放射線に対する有感面積をそのままに保ちな
がら静電容量を低減させるために電極形状を改良したも
ので、半導体基板の一表面上の非晶質半導体層の上に設
けられる電極が互いに狭い間隔を介して隣接する条状部
分よりなりほぼ全面に一様に配置されていることにより
上記の目的を達成する。
がら静電容量を低減させるために電極形状を改良したも
ので、半導体基板の一表面上の非晶質半導体層の上に設
けられる電極が互いに狭い間隔を介して隣接する条状部
分よりなりほぼ全面に一様に配置されていることにより
上記の目的を達成する。
本発明は電極形状に関するも、ので、前記特履昭５１１
−’１０２３８１号明細書に詳述したように、例えばシ
リコン単結晶基体表面にモノシランガスを用いたプラズ
マＣＶＤ法により、アンドープ水素添加の非晶質シリ、
コン層を被着せしめる基本的構造を変更するものではな
い、すなわち、第２図に示す前記明細書により開示され
た構造の半導体放射線検出器において、電極３の形状の
改良を図ったものであるので、電極形成の以前の素子作
成プロセスについては記述を省略する。 一実施例においては、非晶質シリコン層を被着せしめた
単結晶シリコン基板表面に金属マスクを用いた真空蒸着
法により、第１図に斜線によって示した形状の金属電極
３を形成する０例えば４０鵡の直径のシリコン基板の表
面の直径３４日の円領域に肋骨状の金属電極３を形成す
るもので、各条部３１の幅は１３で・ピッチは２鶴にさ
れる。このような電極形状は、従来、半導、体技術にお
いて明らかにされたように、印加電圧に、より空乏層が
、シリコン単結晶基板中を厚さ方向に広がるばかりでな
（、基板面方向にも広がるという事実に基づいている。 例えば第６図に示すｐ型半導体基板１５の中に４半導体
領域１６を形成し、−面をｎ型Ｍ域１６に接触する電極
１７と保護膜１Ｂで覆い、他面に電極１９を設けて電極
１７．１９間にｐｎ接合に対する逆バイアス電圧を印加
して空乏層２０が生じた場合、この空乏層の幅Ｗ（μｍ
）は、 Ｗａｓ Ｏ，！３ｘ、 ｐ Ｘ Ｖ 但しＰ （Ω・ａｍ）は基板比抵抗、Ｖ （Ｖ）は印
加電圧であることが知られている。このように厚さ方向
への空乏層の広がりに関しては定量的に取扱いがなされ
ているが、板面方向への空乏層の広がりに関してはその
ような定量的な取扱いはなされていない、しかし、本発
明者等は板面方向にも空乏層が広がることにコリメート
したａ線を用いた実験で確認した。 この実験事実に基づいて第１図に示すような電極構造を
形成したものである。すなわち、板面方向にも空乏層が
広がるのであれば、第２図に示したようにほぼ全面に電
極を形成しなくとも第１図に示すように条状の電極パタ
ーンを用いて、第２図と同じような空乏暦法がりを形成
し、かつ実際の電極面積が小さくなることによりて検出
素子静電容量を減少させることが可能となる筈である。 この様子をわかる易く示したものが第７図、第８図であ
る。第７図は従来型、すなわち第２図に示された半導体
放射線検出器で、電極３．４間に逆バイアスを印加し、
空乏層２０を形成している。 第８図は、第１図に示すような電極パターンを用いた場
合の概念断面図で、条状電極３１が第８図に示すように
分布されている。この電極３． ４ｒｇＩに逆バイアス
を印加すると、条状電極３１の下部にはもちろん第７図
と同様空乏層２０は広がるが、板面方向にも広がるため
、第８図に示すように空乏層２０がシリコン単結晶基板
１内に広がろものと考えられる。 本実施例では電極パターン総面積は４８７謹８であり、
これは従来の第２図、第７図に示すものの電極面積９０
７ｍ”に比べると、０．５４倍となっている。一方、本
実施例における静電容量は約２００ｐＦであり、従来の
ものより約１００ｐｆ低減した。このため、ノイズレベ
ルが従来型では１２０ｋｓＶだったものが８０ｋｅＶと
なった。 実際の放射線検出のスペクトルとして、第９図。 第１０図に放射線源にアメリシウム （１４１Ａ謡）を
用いた場合のｒＷＡ検出スペクトルを実線９１で示す、
第２図、第７図に示す従来型による第９図では、点線９
２で示すノイズレベルが高く、アメリシウムの６０に＠
Ｖのピークは判然と認められないが、本実施例の検出器
では、第１０図に示すようにノイズレベルが下がったた
め、６（ｌｋｅＶのアメリシウムのピークがシッルグー
状に認められるようになっている。 このように、従来型と同面積のシリコンウェハを用いて
本実施例の電極パターンを用いることにより、静電容量
を減少させ、ノイズレベルを低下させることが出来た。 これによりプリアンプの設計が容易になり、電気回路系
の大幅なコストダウンとなる。 別の実施例においては、単結晶シリコンウェハにプラズ
マＣＶＤ法により、非晶質シリコンを被着せしめた後、
該非晶質シリコン表面にアルミニウムを金属マスクを用
いた真空薫着法により第１Ｉ図に示す形状の電極を形成
した。 これは、第１図に示した電極パターンのように中央に一
本幹状電極のあるようなものではなく、中心から全方面
に等友釣な広がりをつけたもので、また条状電極パター
ン３１のピッチは２■であるが線幅は０．４ ｍに細く
なっている。この結果、電極パターン総面積は１９７ｍ
”となり、これは従来の第２図および第７図に示すもの
の電極面積９０７ｎ”に比べると０．２２倍となってい
る。また本実施例における静電容量は、約１４０ｐＰと
、従来のものより約１６０ｐＰの減少がみられた。この
ためノイズレベルが、従来の１２０ｋｅＶだうたものが
６０ｋｅＶとなり、第１２図に示すようにアメリシウム
（菖（自＾請）のピークがはりきりと識別しうるＴ線
スペクトルが得られるようになった。 このように４０鶴φのウニ八を用いた場合、従来静電容
量３ｏｏｐｐでノイズレベル１２０に＠Ｖだった半導体
放射線検出器を、金属マスクを用いて電極パターンを形
成することにより、静電容量の減少、またそれに伴うノ
イズレベルの減少を達成することが出来た。このことは
、既に述べたように後段につづ（プリアンプ設計の大幅
なコストダウンにつながる。 また、従来検出器の静電容量が大きかったために検出素
子１個に対して１個のプリアンプを装着していたのに対
し、例えば第１１図に示した実施例では１４０ｐＦとな
ったため、２個の検出素子に対して１個のプリアンプ装
着ですみ、従ってプリアンプ使用個数は半分となり、こ
の面からも大幅なコストダウンとなる。
−’１０２３８１号明細書に詳述したように、例えばシ
リコン単結晶基体表面にモノシランガスを用いたプラズ
マＣＶＤ法により、アンドープ水素添加の非晶質シリ、
コン層を被着せしめる基本的構造を変更するものではな
い、すなわち、第２図に示す前記明細書により開示され
た構造の半導体放射線検出器において、電極３の形状の
改良を図ったものであるので、電極形成の以前の素子作
成プロセスについては記述を省略する。 一実施例においては、非晶質シリコン層を被着せしめた
単結晶シリコン基板表面に金属マスクを用いた真空蒸着
法により、第１図に斜線によって示した形状の金属電極
３を形成する０例えば４０鵡の直径のシリコン基板の表
面の直径３４日の円領域に肋骨状の金属電極３を形成す
るもので、各条部３１の幅は１３で・ピッチは２鶴にさ
れる。このような電極形状は、従来、半導、体技術にお
いて明らかにされたように、印加電圧に、より空乏層が
、シリコン単結晶基板中を厚さ方向に広がるばかりでな
（、基板面方向にも広がるという事実に基づいている。 例えば第６図に示すｐ型半導体基板１５の中に４半導体
領域１６を形成し、−面をｎ型Ｍ域１６に接触する電極
１７と保護膜１Ｂで覆い、他面に電極１９を設けて電極
１７．１９間にｐｎ接合に対する逆バイアス電圧を印加
して空乏層２０が生じた場合、この空乏層の幅Ｗ（μｍ
）は、 Ｗａｓ Ｏ，！３ｘ、 ｐ Ｘ Ｖ 但しＰ （Ω・ａｍ）は基板比抵抗、Ｖ （Ｖ）は印
加電圧であることが知られている。このように厚さ方向
への空乏層の広がりに関しては定量的に取扱いがなされ
ているが、板面方向への空乏層の広がりに関してはその
ような定量的な取扱いはなされていない、しかし、本発
明者等は板面方向にも空乏層が広がることにコリメート
したａ線を用いた実験で確認した。 この実験事実に基づいて第１図に示すような電極構造を
形成したものである。すなわち、板面方向にも空乏層が
広がるのであれば、第２図に示したようにほぼ全面に電
極を形成しなくとも第１図に示すように条状の電極パタ
ーンを用いて、第２図と同じような空乏暦法がりを形成
し、かつ実際の電極面積が小さくなることによりて検出
素子静電容量を減少させることが可能となる筈である。 この様子をわかる易く示したものが第７図、第８図であ
る。第７図は従来型、すなわち第２図に示された半導体
放射線検出器で、電極３．４間に逆バイアスを印加し、
空乏層２０を形成している。 第８図は、第１図に示すような電極パターンを用いた場
合の概念断面図で、条状電極３１が第８図に示すように
分布されている。この電極３． ４ｒｇＩに逆バイアス
を印加すると、条状電極３１の下部にはもちろん第７図
と同様空乏層２０は広がるが、板面方向にも広がるため
、第８図に示すように空乏層２０がシリコン単結晶基板
１内に広がろものと考えられる。 本実施例では電極パターン総面積は４８７謹８であり、
これは従来の第２図、第７図に示すものの電極面積９０
７ｍ”に比べると、０．５４倍となっている。一方、本
実施例における静電容量は約２００ｐＦであり、従来の
ものより約１００ｐｆ低減した。このため、ノイズレベ
ルが従来型では１２０ｋｓＶだったものが８０ｋｅＶと
なった。 実際の放射線検出のスペクトルとして、第９図。 第１０図に放射線源にアメリシウム （１４１Ａ謡）を
用いた場合のｒＷＡ検出スペクトルを実線９１で示す、
第２図、第７図に示す従来型による第９図では、点線９
２で示すノイズレベルが高く、アメリシウムの６０に＠
Ｖのピークは判然と認められないが、本実施例の検出器
では、第１０図に示すようにノイズレベルが下がったた
め、６（ｌｋｅＶのアメリシウムのピークがシッルグー
状に認められるようになっている。 このように、従来型と同面積のシリコンウェハを用いて
本実施例の電極パターンを用いることにより、静電容量
を減少させ、ノイズレベルを低下させることが出来た。 これによりプリアンプの設計が容易になり、電気回路系
の大幅なコストダウンとなる。 別の実施例においては、単結晶シリコンウェハにプラズ
マＣＶＤ法により、非晶質シリコンを被着せしめた後、
該非晶質シリコン表面にアルミニウムを金属マスクを用
いた真空薫着法により第１Ｉ図に示す形状の電極を形成
した。 これは、第１図に示した電極パターンのように中央に一
本幹状電極のあるようなものではなく、中心から全方面
に等友釣な広がりをつけたもので、また条状電極パター
ン３１のピッチは２■であるが線幅は０．４ ｍに細く
なっている。この結果、電極パターン総面積は１９７ｍ
”となり、これは従来の第２図および第７図に示すもの
の電極面積９０７ｎ”に比べると０．２２倍となってい
る。また本実施例における静電容量は、約１４０ｐＰと
、従来のものより約１６０ｐＰの減少がみられた。この
ためノイズレベルが、従来の１２０ｋｅＶだうたものが
６０ｋｅＶとなり、第１２図に示すようにアメリシウム
（菖（自＾請）のピークがはりきりと識別しうるＴ線
スペクトルが得られるようになった。 このように４０鶴φのウニ八を用いた場合、従来静電容
量３ｏｏｐｐでノイズレベル１２０に＠Ｖだった半導体
放射線検出器を、金属マスクを用いて電極パターンを形
成することにより、静電容量の減少、またそれに伴うノ
イズレベルの減少を達成することが出来た。このことは
、既に述べたように後段につづ（プリアンプ設計の大幅
なコストダウンにつながる。 また、従来検出器の静電容量が大きかったために検出素
子１個に対して１個のプリアンプを装着していたのに対
し、例えば第１１図に示した実施例では１４０ｐＦとな
ったため、２個の検出素子に対して１個のプリアンプ装
着ですみ、従ってプリアンプ使用個数は半分となり、こ
の面からも大幅なコストダウンとなる。
本発明によれば、非晶質半導体と単結晶半導体との間の
へテロ接合を利用した半導体放射線検出器の非晶質半導
体層上の電極形状を改良し、狭い間隙を介して隣接し半
導体素体表面に均一に分散配置された条状電極によつて
構成することにより、検出素子の空乏層体積すなわち放
射線検出のための育感体積をほとんど変えずに静電容量
を検証させ、それに伴ってノイズレベルを低減さセるこ
とができた。従って大面積の半導体放射線検出器に対し
て特に育効である。
へテロ接合を利用した半導体放射線検出器の非晶質半導
体層上の電極形状を改良し、狭い間隙を介して隣接し半
導体素体表面に均一に分散配置された条状電極によつて
構成することにより、検出素子の空乏層体積すなわち放
射線検出のための育感体積をほとんど変えずに静電容量
を検証させ、それに伴ってノイズレベルを低減さセるこ
とができた。従って大面積の半導体放射線検出器に対し
て特に育効である。
第１図は本発明の一実施例の電極形状を示す平面図、第
２図は既出間の半導体放射線検出器の新組り第３図はそ
の電気信号検出部のブロック図、第４図は半導体放射線
検出素子の印加電圧に対する漏れ電流および静電容量の
関係線図、第５図は同じくノイズの印加電圧に対する関
係線図、第６′□ 図はｐｎダイオードの
空乏層を示す断面図、第７図は既出間の半導体放射線検
出器の空乏層の断面図、第８図は本発明による半導体放
射線検出器の空乏層を示す概念断面図、第９図は第２図
に示した検出素子によ・る場合の１４１Ａ−の検出スペ
クトル図、第１０図は第１図に示した検出素子による場
合の３４１＾ｎの検出スペクトル図、第１１図は本発明
の異なる実施例の電極形状を示す平面図、第１２図は第
１１図に示した検出素子による場合の１４１Ａ−の検出
スペクトル図である。 ｌ：単結晶シリコン基板、２：非晶質シリコン層、３：
金属電極、３１＋条状部、４：金属電極。 才１０ 、 ヤ２ｒｉ！Ａ 才３ｒ＠ 幹Ｔ７クロｅＦＥ − 才４０ 才５図 ｆ８図 ＴｔＯ（２） ２１１閃 才ｔ２図
２図は既出間の半導体放射線検出器の新組り第３図はそ
の電気信号検出部のブロック図、第４図は半導体放射線
検出素子の印加電圧に対する漏れ電流および静電容量の
関係線図、第５図は同じくノイズの印加電圧に対する関
係線図、第６′□ 図はｐｎダイオードの
空乏層を示す断面図、第７図は既出間の半導体放射線検
出器の空乏層の断面図、第８図は本発明による半導体放
射線検出器の空乏層を示す概念断面図、第９図は第２図
に示した検出素子によ・る場合の１４１Ａ−の検出スペ
クトル図、第１０図は第１図に示した検出素子による場
合の３４１＾ｎの検出スペクトル図、第１１図は本発明
の異なる実施例の電極形状を示す平面図、第１２図は第
１１図に示した検出素子による場合の１４１Ａ−の検出
スペクトル図である。 ｌ：単結晶シリコン基板、２：非晶質シリコン層、３：
金属電極、３１＋条状部、４：金属電極。 才１０ 、 ヤ２ｒｉ！Ａ 才３ｒ＠ 幹Ｔ７クロｅＦＥ − 才４０ 才５図 ｆ８図 ＴｔＯ（２） ２１１閃 才ｔ２図
Claims (1)
- １）少なくとも一方の電極が単結晶の半導体基板の一表
面上に高比抵抗の非晶質半導体層を介して設けられ、該
非晶質半導体層が前記半導体基板の側面上まで延びたも
のにおいて、半導体基板の一表面の非晶質半導体層上に
設けられる電極が互いに狭い間隔を介して隣接する部分
よりなり、ほぼ全面に一様に配置されたことを特徴とす
る半導体放射線検出器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59253684A JPS61131568A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体放射線検出器 |
| US07/153,520 US4896200A (en) | 1984-11-30 | 1988-02-01 | Novel semiconductor-based radiation detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59253684A JPS61131568A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131568A true JPS61131568A (ja) | 1986-06-19 |
| JPH0446471B2 JPH0446471B2 (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=17254711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59253684A Granted JPS61131568A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4896200A (ja) |
| JP (1) | JPS61131568A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06101577B2 (ja) * | 1986-01-21 | 1994-12-12 | 富士電機株式会社 | 半導体放射線検出器 |
| US5156979A (en) * | 1986-01-21 | 1992-10-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor-based radiation-detector element |
| US5621238A (en) * | 1994-02-25 | 1997-04-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Narrow band semiconductor detector |
| US5844291A (en) | 1996-12-20 | 1998-12-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Wide wavelength range high efficiency avalanche light detector with negative feedback |
| US5880490A (en) * | 1997-07-28 | 1999-03-09 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Semiconductor radiation detectors with intrinsic avalanche multiplication in self-limiting mode of operation |
| US6885827B2 (en) * | 2002-07-30 | 2005-04-26 | Amplification Technologies, Inc. | High sensitivity, high resolution detection of signals |
| EP1624490B1 (en) * | 2004-08-04 | 2018-10-03 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Large-area pixel for use in an image sensor |
| US8742522B2 (en) | 2012-04-10 | 2014-06-03 | Ev Products, Inc. | Method of making a semiconductor radiation detector |
| US11264521B2 (en) | 2017-12-12 | 2022-03-01 | Emberion Oy | Photosensitive field-effect transistor |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4228315A (en) * | 1979-05-04 | 1980-10-14 | Rca Corporation | Solar cell grid patterns |
| US4394676A (en) * | 1980-12-17 | 1983-07-19 | Agouridis Dimitrios C | Photovoltaic radiation detector element |
| DE3242835A1 (de) * | 1982-11-19 | 1984-05-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Solarzelle aus amorphem silizium |
| US4539431A (en) * | 1983-06-06 | 1985-09-03 | Sera Solar Corporation | Pulse anneal method for solar cell |
| JPS59227168A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-20 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体放射線検出器 |
| JPS6047471A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-14 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体放射線検出器 |
| US4590327A (en) * | 1984-09-24 | 1986-05-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photovoltaic device and method |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP59253684A patent/JPS61131568A/ja active Granted
-
1988
- 1988-02-01 US US07/153,520 patent/US4896200A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4896200A (en) | 1990-01-23 |
| JPH0446471B2 (ja) | 1992-07-30 |
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Legal Events
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