JPS61129622A - 光シヤツタ素子の製造方法 - Google Patents
光シヤツタ素子の製造方法Info
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- JPS61129622A JPS61129622A JP25268484A JP25268484A JPS61129622A JP S61129622 A JPS61129622 A JP S61129622A JP 25268484 A JP25268484 A JP 25268484A JP 25268484 A JP25268484 A JP 25268484A JP S61129622 A JPS61129622 A JP S61129622A
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- JP
- Japan
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- optical shutter
- electrodes
- base plates
- kinds
- substrate
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- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、固体の光シャッタ素子の製造方法に関する。
従来の技術
近年、機械的、電気的或は化学的な手段を用いて光の透
過量を制御する、いわゆる光シャッタ素子が各分野で幅
広く用いられている。なかでもカー効果などの電気光学
効果を利用した固体光シャッタ素子は、応答性に優れ、
小型化が可能であることから、カメラのシャッタなど、
高速性を必要とする光シャッタへの応用が考えられてい
る。現在、上記光シャッタ素子として知られているもの
は、チタン酸ジルコン酸鉛の鉛の一部をランタンで置換
した組成物（以下ＰＬＺＴと記載する）等の透光性焼結
磁器の平板上に複数個の電極を設けた基板を、上記電極
に電圧を印加した時に生じる電界ベクトルの方向に対し
、±４５°の方向に偏光軸が互いに直交するように、偏
光板で挟んだ構造のものである。
過量を制御する、いわゆる光シャッタ素子が各分野で幅
広く用いられている。なかでもカー効果などの電気光学
効果を利用した固体光シャッタ素子は、応答性に優れ、
小型化が可能であることから、カメラのシャッタなど、
高速性を必要とする光シャッタへの応用が考えられてい
る。現在、上記光シャッタ素子として知られているもの
は、チタン酸ジルコン酸鉛の鉛の一部をランタンで置換
した組成物（以下ＰＬＺＴと記載する）等の透光性焼結
磁器の平板上に複数個の電極を設けた基板を、上記電極
に電圧を印加した時に生じる電界ベクトルの方向に対し
、±４５°の方向に偏光軸が互いに直交するように、偏
光板で挟んだ構造のものである。
次に図面を参照して従来の光シャッタ素子を説明する。
第４図は従来の光シャ７タ素子の一例の構成を示し、１
１はＰＬＺＴ基板、（１２ａ） 、 （１２ｂ）はＰＬ
ＺＴ基板上に設けられた電極で、（１２ａ）は電圧印加
用電極、（１２ｂ）は接地側電極である。 １３は偏光
子、１４は検光子であり、電圧印加用電極（１２ａ）と
接地側電極（１２ｂ）に電圧を印加した時に生じる電界
ベクトルの方向に対し、±４５°の方向に偏光軸が互い
に直交するように配設されている。このように構成され
た光シャッタ素子の動作を以下に説明する。
１はＰＬＺＴ基板、（１２ａ） 、 （１２ｂ）はＰＬ
ＺＴ基板上に設けられた電極で、（１２ａ）は電圧印加
用電極、（１２ｂ）は接地側電極である。 １３は偏光
子、１４は検光子であり、電圧印加用電極（１２ａ）と
接地側電極（１２ｂ）に電圧を印加した時に生じる電界
ベクトルの方向に対し、±４５°の方向に偏光軸が互い
に直交するように配設されている。このように構成され
た光シャッタ素子の動作を以下に説明する。
第４図の偏光子Ｉ３の後方に設けられた光源１５から光
を照射した時、ＰＬＺＴ基板１１上に形成された電極（
１２ａ） と（１２ｂ）に電圧を印加しない場合には、
電気光学効果による複屈折が生ぜず、偏光子１３及び検
光子１４によって光は遮断される。一方電極（１２ａ）
と（１２ｂ）の間に電圧を印加すると、電気光学的のカ
ー効果によって複屈折を生じ、光の偏光状態が変化し、
光が通過する。このような原理により、小型で高速に動
作する光シャッタ素子が得られる。
を照射した時、ＰＬＺＴ基板１１上に形成された電極（
１２ａ） と（１２ｂ）に電圧を印加しない場合には、
電気光学効果による複屈折が生ぜず、偏光子１３及び検
光子１４によって光は遮断される。一方電極（１２ａ）
と（１２ｂ）の間に電圧を印加すると、電気光学的のカ
ー効果によって複屈折を生じ、光の偏光状態が変化し、
光が通過する。このような原理により、小型で高速に動
作する光シャッタ素子が得られる。
第５図は、第４図と同じ電極構成で、’ｉ電極幅５０ル
ｍ、電極間隔が５０１Ｌｍ、電極材料がＩｒ＋ｚＯ，ｒ
−ＳｎＯ，ｚから成る光シャッタ素子に、電圧を２０
０ Ｖ印加した場合の透過率の温度変化を示したもので
ある。なお、使用したＰＬＺＴ・基板の組成は、ＰＬＺ
Ｔの一般式 ％式％ λ＝ｏ、ｏａ、 ｙ＝ｏ、ｅｓを用いた。（Ｐ Ｌ
Ｚ Ｔは通常Ｌａ、 Ｚｒ、 Ｔｉの比をとり、 １０
０ｆ ／１００ｙ／１００（／−２）と表示することか
ら、以下、例えばズ＝ ０．０９、ｙ＝０゜６５の場合
、即ち、 Ｐｂｏ、ｙｔ ＬａＯ，Ｏ？（ＺｒＯ，ｔｙ Ｔｉａ、
３ｒ ）ｏ、ｙ７７ｒ ＯＪでは・９／８５／３５と記
す）。
ｍ、電極間隔が５０１Ｌｍ、電極材料がＩｒ＋ｚＯ，ｒ
−ＳｎＯ，ｚから成る光シャッタ素子に、電圧を２０
０ Ｖ印加した場合の透過率の温度変化を示したもので
ある。なお、使用したＰＬＺＴ・基板の組成は、ＰＬＺ
Ｔの一般式 ％式％ λ＝ｏ、ｏａ、 ｙ＝ｏ、ｅｓを用いた。（Ｐ Ｌ
Ｚ Ｔは通常Ｌａ、 Ｚｒ、 Ｔｉの比をとり、 １０
０ｆ ／１００ｙ／１００（／−２）と表示することか
ら、以下、例えばズ＝ ０．０９、ｙ＝０゜６５の場合
、即ち、 Ｐｂｏ、ｙｔ ＬａＯ，Ｏ？（ＺｒＯ，ｔｙ Ｔｉａ、
３ｒ ）ｏ、ｙ７７ｒ ＯＪでは・９／８５／３５と記
す）。
発明が解決しようとする問題点
第５図から明らかなように、ＰＬＺＴ基板を単板で用い
た従来の光シャッタ素子は、電極間に同一電圧を印加し
た場合、光シャッタの開口部の透過率が温度により大き
く左右される。従ってカメラのシャッタのように使用温
度域の広い装置にＰＬＺＴを用いたシャッタを組込んだ
場合、温度変化により透過率が大きく変化することにな
り、信頼性が欠ける点に大きな問題がある。
た従来の光シャッタ素子は、電極間に同一電圧を印加し
た場合、光シャッタの開口部の透過率が温度により大き
く左右される。従ってカメラのシャッタのように使用温
度域の広い装置にＰＬＺＴを用いたシャッタを組込んだ
場合、温度変化により透過率が大きく変化することにな
り、信頼性が欠ける点に大きな問題がある。
本発明は、従来の光シャッタ素子に比べて温度変化によ
る光の透過率の変化の小さな光シャッタ素子の製造方法
を提供することを目的とするものである。
る光の透過率の変化の小さな光シャッタ素子の製造方法
を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、まず組成の異なる電気光学効果を有する透光
性焼結磁器を構成するに必要な２種類の原料粉を別々に
混合、仮焼、粉砕した後、この仮焼粉と有機結合剤、可
塑剤及び溶剤から成るスリップをドクターブレード法等
を用いて一定厚みの２種類の生シートをそれぞれ作製す
る。次にこの２種類の生シートを重ね合わせた後、圧着
することにより、シートの両面が互いに組成の異なる１
枚の生シートを作製する。これを焼成した後、焼結磁器
内の組成の異なる境界面が基板の中央になるように鏡面
研磨する。このようにして作った平板の両面に、複数個
の透明電極を設け、且つこれらの電極により形成される
各面の光シャッタ部が互いに重ならないように電極を配
置することにより、透過率の温度による変化の少ない光
シャッタを得るものである。
性焼結磁器を構成するに必要な２種類の原料粉を別々に
混合、仮焼、粉砕した後、この仮焼粉と有機結合剤、可
塑剤及び溶剤から成るスリップをドクターブレード法等
を用いて一定厚みの２種類の生シートをそれぞれ作製す
る。次にこの２種類の生シートを重ね合わせた後、圧着
することにより、シートの両面が互いに組成の異なる１
枚の生シートを作製する。これを焼成した後、焼結磁器
内の組成の異なる境界面が基板の中央になるように鏡面
研磨する。このようにして作った平板の両面に、複数個
の透明電極を設け、且つこれらの電極により形成される
各面の光シャッタ部が互いに重ならないように電極を配
置することにより、透過率の温度による変化の少ない光
シャッタを得るものである。
作 用
即ち、本発明は、ＰＬＺＴの組成が異なると、その透過
率の温度による変化が異なることに着目し、これを利用
したものである。例えば第６図は、第４図と同じ構成の
光シャッタで、電極幅が５０ルｍ、電極間隔が５０終ｍ
、電極材料がＩｎ２Ｏ２−５ｎＯ１から成る透明電極を
設けたもので、ＰＬＺＴの組成として９７８５／３５及
び９．２５／１３５／３５を用いた光シャッタ素子に、
電圧を２００ｖ印加した場合の透過率の温度依存性を示
したものである。この図から判るようにａ点の温度付近
では９．２５／８５／３５の方が９／＄５／３５より透
過率が大きいが、それより温度が高いｂ点の付近では、
逆に９／８５／３５の方が９．２５／８５／３５よりも
透過率が大きくなる。従って例えば、９．２５／６５／
３５及び９／８５／３５のような組成の異なる２層から
成るＰＬＺＴ基板１を作製し、その基板の両面に複数個
の透明電極を設けた本発明の光シャッタ素子では、ａ点
からｂ点の温度領域では、温度が上昇するにつれて９．
２５／８５／３５相から成る光シャッタの透過率は減少
傾向にあるが、もう一方の光シャッタ層、即ち９／８５
／３５相では透過率は上昇する傾向にあるため、ａ点か
らｂ点の温度領域内では、従来のような単−相からなる
光シャッタ素子に比べて、その平均透過率の温度特性を
著しく改善することができる。
率の温度による変化が異なることに着目し、これを利用
したものである。例えば第６図は、第４図と同じ構成の
光シャッタで、電極幅が５０ルｍ、電極間隔が５０終ｍ
、電極材料がＩｎ２Ｏ２−５ｎＯ１から成る透明電極を
設けたもので、ＰＬＺＴの組成として９７８５／３５及
び９．２５／１３５／３５を用いた光シャッタ素子に、
電圧を２００ｖ印加した場合の透過率の温度依存性を示
したものである。この図から判るようにａ点の温度付近
では９．２５／８５／３５の方が９／＄５／３５より透
過率が大きいが、それより温度が高いｂ点の付近では、
逆に９／８５／３５の方が９．２５／８５／３５よりも
透過率が大きくなる。従って例えば、９．２５／６５／
３５及び９／８５／３５のような組成の異なる２層から
成るＰＬＺＴ基板１を作製し、その基板の両面に複数個
の透明電極を設けた本発明の光シャッタ素子では、ａ点
からｂ点の温度領域では、温度が上昇するにつれて９．
２５／８５／３５相から成る光シャッタの透過率は減少
傾向にあるが、もう一方の光シャッタ層、即ち９／８５
／３５相では透過率は上昇する傾向にあるため、ａ点か
らｂ点の温度領域内では、従来のような単−相からなる
光シャッタ素子に比べて、その平均透過率の温度特性を
著しく改善することができる。
本発明による光シャッタでは、基板の両面に設けられた
電極は、それぞれの面においてこれらの電極により形成
される光シャッタ部が互いに重ならないように構成され
ているため、ある一方の組成相の光シャッタの開口部を
通過した光は、必ず他の組成相の光シャッタの電極部を
通過することから、必ずＩｎ、Ｈｏ、−ＳｎＯ，のよう
な透明電極を用いる必要がある。
電極は、それぞれの面においてこれらの電極により形成
される光シャッタ部が互いに重ならないように構成され
ているため、ある一方の組成相の光シャッタの開口部を
通過した光は、必ず他の組成相の光シャッタの電極部を
通過することから、必ずＩｎ、Ｈｏ、−ＳｎＯ，のよう
な透明電極を用いる必要がある。
なお、基板の表裏で組成が異なる焼結磁器を作製するに
は、例えば、組成の異なる仮焼粉をそれぞれ作製し、そ
のいずれか一方の仮焼粉をプレス平面に水平に敷きつめ
′た後、もう一方の組成の仮焼粉をその上に、先の仮焼
粉と同一厚みとなるように敷きつめ、プレス成形し、焼
成して作製することが可能であるが、この場合、組成の
異なる仮焼粉を同一厚みに、且つ水平に敷くことは極め
て難しいことから１作業性が悪く、又、大型形状の成形
体を作ることが困難であるなどの問題がある。一方、本
発明では、組成の異なる同一厚みの生シートを作製し、
これらを圧着することにより、表裏部が互いに組成の異
なる成形体を作製することから大型形状のものも極めて
容易に作製が可能であり、又生産性も良好であることか
ら、工業的に極めて有利である。
は、例えば、組成の異なる仮焼粉をそれぞれ作製し、そ
のいずれか一方の仮焼粉をプレス平面に水平に敷きつめ
′た後、もう一方の組成の仮焼粉をその上に、先の仮焼
粉と同一厚みとなるように敷きつめ、プレス成形し、焼
成して作製することが可能であるが、この場合、組成の
異なる仮焼粉を同一厚みに、且つ水平に敷くことは極め
て難しいことから１作業性が悪く、又、大型形状の成形
体を作ることが困難であるなどの問題がある。一方、本
発明では、組成の異なる同一厚みの生シートを作製し、
これらを圧着することにより、表裏部が互いに組成の異
なる成形体を作製することから大型形状のものも極めて
容易に作製が可能であり、又生産性も良好であることか
ら、工業的に極めて有利である。
実施例
次に本発明の光シャッタ素子及びその製造方法を実験結
果に基づいて更に詳細に説明する。
果に基づいて更に詳細に説明する。
まず、酸化鉛（ｐｂｏ）、酸化チタン（Ｔｉ０２）、酸
化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ランタン（ＬａＬＯ
３）の各粉末をＰｂｏ、ｑｔ Ｌａｏ、ｏ７（Ｚ ｒｏ
、 ｇｒＴ ：ｏ、３ｒ）ａ、ｙｙ７３−０３（９／
８５／３５）及びＰｂａ、ｙａｙＬａａ、ｏｙ２ｙＣＺ
ｒａ、６ｙ Ｔ ｉａ、ｊｒ）ａ、Ｆ７ｔｙ ＯＪ
（９、２５／ ８５／３５）となるように秤量した後、
それぞれをボールミルで１７時間混合した。この混合粉
を８００℃で２時間仮焼した後、ボールミルで１７時間
粉砕し、濾過、乾燥した。次に各仮焼粉１００重、量部
に対し、有機結合剤としてブチラール樹脂を２重量部、
可塑剤としてフタル酸ジ−ｎ−ブチル（Ｄ Ｂ Ｐ）を
１ａ量部及び溶剤としてメチルアルコールを１８重量部
加え、ボールミルで２０時間混合してスリップを作製し
た。これをポリエステルフィルム上に流し込み、ドクタ
ブレード法を用いてシート状に成形し、自然乾燥により
厚さが２５０ｐｍの一定厚みの生シートを作製した０次
にこれらの組成の異なる２種類の生シートを互いに張り
合わせた後、温度５０°Ｃ１加圧力８００Ｋｇ／ａｍ’
（７）条件下で熱圧着し、シートの両面の組成が互いに
異なる１枚の生シートを作製した。かかる生シートをマ
グネシア磁器板上に置き、マグネシア磁器から成るスペ
ーサを用いて、さや詰めした後、雰囲気炉内に置き、
２ＯＯ℃／ｈｒの昇温速度、で、 ３８０℃まで昇温し
、１０時間保持し、シート中に含有されている有機成分
を除去した。有機成分を除去した後、酸素を １．０１
／ｒａｉｎの速度で供給しながら再び２００℃／ｈｒの
速度で昇温し、１１３０°Ｃで２０時間焼成した。この
ようにして得られた焼結磁器をＳｉＣ及びＡｆＬ、０３
等の研磨剤を用いて鏡面研磨処理を行ない、基板の両面
部がＬ２５／８５／３５及び９／８５／３５の互いに組
成の異なる厚み３００ｇｍのＰＬＺＴ基板を作製した。
化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ランタン（ＬａＬＯ
３）の各粉末をＰｂｏ、ｑｔ Ｌａｏ、ｏ７（Ｚ ｒｏ
、 ｇｒＴ ：ｏ、３ｒ）ａ、ｙｙ７３−０３（９／
８５／３５）及びＰｂａ、ｙａｙＬａａ、ｏｙ２ｙＣＺ
ｒａ、６ｙ Ｔ ｉａ、ｊｒ）ａ、Ｆ７ｔｙ ＯＪ
（９、２５／ ８５／３５）となるように秤量した後、
それぞれをボールミルで１７時間混合した。この混合粉
を８００℃で２時間仮焼した後、ボールミルで１７時間
粉砕し、濾過、乾燥した。次に各仮焼粉１００重、量部
に対し、有機結合剤としてブチラール樹脂を２重量部、
可塑剤としてフタル酸ジ−ｎ−ブチル（Ｄ Ｂ Ｐ）を
１ａ量部及び溶剤としてメチルアルコールを１８重量部
加え、ボールミルで２０時間混合してスリップを作製し
た。これをポリエステルフィルム上に流し込み、ドクタ
ブレード法を用いてシート状に成形し、自然乾燥により
厚さが２５０ｐｍの一定厚みの生シートを作製した０次
にこれらの組成の異なる２種類の生シートを互いに張り
合わせた後、温度５０°Ｃ１加圧力８００Ｋｇ／ａｍ’
（７）条件下で熱圧着し、シートの両面の組成が互いに
異なる１枚の生シートを作製した。かかる生シートをマ
グネシア磁器板上に置き、マグネシア磁器から成るスペ
ーサを用いて、さや詰めした後、雰囲気炉内に置き、
２ＯＯ℃／ｈｒの昇温速度、で、 ３８０℃まで昇温し
、１０時間保持し、シート中に含有されている有機成分
を除去した。有機成分を除去した後、酸素を １．０１
／ｒａｉｎの速度で供給しながら再び２００℃／ｈｒの
速度で昇温し、１１３０°Ｃで２０時間焼成した。この
ようにして得られた焼結磁器をＳｉＣ及びＡｆＬ、０３
等の研磨剤を用いて鏡面研磨処理を行ない、基板の両面
部がＬ２５／８５／３５及び９／８５／３５の互いに組
成の異なる厚み３００ｇｍのＰＬＺＴ基板を作製した。
かかる基板にＩｎ２０ｊＳｎＯシを蒸着した後、フォト
リソグラフ技術を用いて第１図に示すような光シャッタ
素子を作製した。なお、電極幅は５０ルｍ、電極間隔は
５０ルロ、電極の厚みは５０００ Ａとした。又、両面
の電極配置は、第２図に示すように基板の両面に複数個
の帯状の透明電極を設け、これらの電極により形成され
る両面の光シャッタ部が互いに重ならないように形成し
た。第１図及び第２図において、（１ａ）は！３／８５
／３５３／８５／３５）は９．２５／８５／３５組成相
で、２はこれらの境界相である。又（３ａ）。
リソグラフ技術を用いて第１図に示すような光シャッタ
素子を作製した。なお、電極幅は５０ルｍ、電極間隔は
５０ルロ、電極の厚みは５０００ Ａとした。又、両面
の電極配置は、第２図に示すように基板の両面に複数個
の帯状の透明電極を設け、これらの電極により形成され
る両面の光シャッタ部が互いに重ならないように形成し
た。第１図及び第２図において、（１ａ）は！３／８５
／３５３／８５／３５）は９．２５／８５／３５組成相
で、２はこれらの境界相である。又（３ａ）。
（３ｔ＋）は電圧印加用電極及び接地用電極、４は偏光
子、５は検光子、そして６は光源である。
子、５は検光子、そして６は光源である。
上述のようにして作製し爬光シャッタ素子の両電極間に
、それぞれ２００Ｖ印加し、１０”０から５０℃までの
温度域における透過率を測定した結果を第・３図に実線
で示す、なお比較のために上述と全く同様にして作製し
た９／８５／３５及びｆ３．２５／８５／３５の単一組
成から成る厚み３００ルｍのＰＬＺＴ基板の両面に、前
記と同様の電極を設けた光シャッタ素子を用いて２００
Ｖの電圧を印加しなから１０℃から５０℃の温度域に
おける透過率変化を測定した結果を第３図に点線で示し
ている。第３図から明らかなように、本発明によって作
製した光シャッタ素子は、従来の光シャッタ素子に比べ
て、広い温度域にわたって透過率の温度特性変化の低減
を図ることができる。
、それぞれ２００Ｖ印加し、１０”０から５０℃までの
温度域における透過率を測定した結果を第・３図に実線
で示す、なお比較のために上述と全く同様にして作製し
た９／８５／３５及びｆ３．２５／８５／３５の単一組
成から成る厚み３００ルｍのＰＬＺＴ基板の両面に、前
記と同様の電極を設けた光シャッタ素子を用いて２００
Ｖの電圧を印加しなから１０℃から５０℃の温度域に
おける透過率変化を測定した結果を第３図に点線で示し
ている。第３図から明らかなように、本発明によって作
製した光シャッタ素子は、従来の光シャッタ素子に比べ
て、広い温度域にわたって透過率の温度特性変化の低減
を図ることができる。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によって作られ
た光シャッタ素子は、従来の光シャッタ素子に比べて、
透過率の温度による変化が著しく低く、そのためカメラ
のシャッタのように温度変化による光の透過量の変動が
問題となる固体光シャッタに使用して極めて有効である
。
た光シャッタ素子は、従来の光シャッタ素子に比べて、
透過率の温度による変化が著しく低く、そのためカメラ
のシャッタのように温度変化による光の透過量の変動が
問題となる固体光シャッタに使用して極めて有効である
。
なお、上述の実施例では、電気光学効果を有する透光性
焼結磁器としてＰＬＺＴを用いた例を示したけれども、
本発明はＰＬＺＴに限られるものではなく、これと同様
の電気光学的効果を有して透過率の温度による変化の大
きい例えば（Ｐｂ、 Ｌａ）（ＺｒＮｂ）Ｏｘ系、或は
（Ｐｂ、 Ｂｉ）（Ｚｒ、 Ｔｉ）０３系などを用いて
も同様の効果を得ることができることは言うまでもない
。
焼結磁器としてＰＬＺＴを用いた例を示したけれども、
本発明はＰＬＺＴに限られるものではなく、これと同様
の電気光学的効果を有して透過率の温度による変化の大
きい例えば（Ｐｂ、 Ｌａ）（ＺｒＮｂ）Ｏｘ系、或は
（Ｐｂ、 Ｂｉ）（Ｚｒ、 Ｔｉ）０３系などを用いて
も同様の効果を得ることができることは言うまでもない
。
第１図は本発明によって作られた光シャッタ素子の構成
を示す斜視図、第２図は第１図の素子のＡ−Ａ ’線に
おける断面図、第３図は本発明によって作られた光シャ
ッタ素子の温度による光の透過率の変化を示す図、第４
図は従来の光シャッタ素子の構成を示す図、第５図と第
６図はそれぞれ従来の光シャッタ素子の温度による透過
率の変化を示す図である。 （１ｄ）・・・９／８５／３５組成相 （１ｂ）・・
・９．２５／８５／３５組成相 ２・・・境界相
（３ａ）・・・電圧印加用電極（３ｂ）・・・接地用電
極 ４・・・偏光子 ５・・・検光子６・・・光源 代理人の氏名 弁理士 吉 崎 悦 治第１図 第２図 第３図 シｊｔ度（°こ） 第４図 第５図 ５＆ ／Ｌ（’ｃ） 第６図 ：）Ｌ／ｌＣ”）
を示す斜視図、第２図は第１図の素子のＡ−Ａ ’線に
おける断面図、第３図は本発明によって作られた光シャ
ッタ素子の温度による光の透過率の変化を示す図、第４
図は従来の光シャッタ素子の構成を示す図、第５図と第
６図はそれぞれ従来の光シャッタ素子の温度による透過
率の変化を示す図である。 （１ｄ）・・・９／８５／３５組成相 （１ｂ）・・
・９．２５／８５／３５組成相 ２・・・境界相
（３ａ）・・・電圧印加用電極（３ｂ）・・・接地用電
極 ４・・・偏光子 ５・・・検光子６・・・光源 代理人の氏名 弁理士 吉 崎 悦 治第１図 第２図 第３図 シｊｔ度（°こ） 第４図 第５図 ５＆ ／Ｌ（’ｃ） 第６図 ：）Ｌ／ｌＣ”）
Claims (2)
- （１）組成の異なる電気光学効果を有する透光性焼結磁
器を構成するに必要な２種類の原料粉末を各種類ごとに
混合、仮焼、粉砕した後、この仮焼粉と有機結合剤、可
塑剤及び溶剤とからなるスリップを用いて同一厚みの２
種類の生シートを作製し、しかる後、種類の異なる２枚
の生シートを圧着後、焼成して焼結磁器基板を作り、こ
の焼結磁器基板を２種類の組成の境界層が基板の中央に
なるように鏡面研磨し、しかる後基板の両面に複数個の
透明電極を設け、且つ前記電極により形成される各面の
光シャッタ部が互いに重ならないようにこれらの電極を
配設することを特徴とする光シャッタ素子の製造方法。 - （２）前記透光性焼結磁器を構成するに必要な原料が、
チタン酸ジルコン酸鉛の鉛の一部をランタンで置換した
組成物であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光シャッタ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25268484A JPS61129622A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 光シヤツタ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25268484A JPS61129622A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 光シヤツタ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61129622A true JPS61129622A (ja) | 1986-06-17 |
Family
ID=17240800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25268484A Pending JPS61129622A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 光シヤツタ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61129622A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461725A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Sumitomo Spec Metals | Optical shutter element |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP25268484A patent/JPS61129622A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461725A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Sumitomo Spec Metals | Optical shutter element |
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